JPH0657632B2 - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH0657632B2 JPH0657632B2 JP19077086A JP19077086A JPH0657632B2 JP H0657632 B2 JPH0657632 B2 JP H0657632B2 JP 19077086 A JP19077086 A JP 19077086A JP 19077086 A JP19077086 A JP 19077086A JP H0657632 B2 JPH0657632 B2 JP H0657632B2
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- JP
- Japan
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- electron beam
- molecular beam
- crystal growth
- substrate
- chamber
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基板上に、結晶を、分子線を用いて、エピタ
キシャル成長させる分子線結晶成長装置に関し、とく
に、結晶を基板上にエピタキシャル成長させている過程
において、基板上にエピタキシャル成長する結晶の厚さ
などを監視することができ、さらには、基板上に結晶を
エピタキシャル成長させるのを制御することができる分
子線結晶成長装置に関する。
キシャル成長させる分子線結晶成長装置に関し、とく
に、結晶を基板上にエピタキシャル成長させている過程
において、基板上にエピタキシャル成長する結晶の厚さ
などを監視することができ、さらには、基板上に結晶を
エピタキシャル成長させるのを制御することができる分
子線結晶成長装置に関する。
従来の技術 従来、基板上を配し、その基板上に結晶を、分子線を用
いてエピタキシャル成長させる分子線結晶成長用室と、
その分子線結晶成長用室を排気する排気用ポンプとを有
し、しかして、分子線結晶成長用室を排気用ポンプを用
いて排気しながら、分子線結晶成長用室内に分子線を導
入させ、そして、その分子線を基板に照射させることに
よって、基板上に結晶をエピタキシャル成長させるよう
にした分子線結晶成長装置が提案されている。
いてエピタキシャル成長させる分子線結晶成長用室と、
その分子線結晶成長用室を排気する排気用ポンプとを有
し、しかして、分子線結晶成長用室を排気用ポンプを用
いて排気しながら、分子線結晶成長用室内に分子線を導
入させ、そして、その分子線を基板に照射させることに
よって、基板上に結晶をエピタキシャル成長させるよう
にした分子線結晶成長装置が提案されている。
発明が解決しようとする問題点 ところで、従来、このような分子線結晶成長装置におい
て、基板上に結晶をエピタキシャル成長させている過程
において、基板上にエピタキシャル成長する結晶の厚さ
などを原子層厚オーダまでも、監視することができ、さ
らには、基板上に結晶をエピタキシャル成長させるのを
制御することができる、ということが所望とされてい
る。
て、基板上に結晶をエピタキシャル成長させている過程
において、基板上にエピタキシャル成長する結晶の厚さ
などを原子層厚オーダまでも、監視することができ、さ
らには、基板上に結晶をエピタキシャル成長させるのを
制御することができる、ということが所望とされてい
る。
このため、分子線結晶成長用室内に電子線発生源を配
し、そして、それからの電子線を基板に照射させ、その
結果、基板から回折反射して得られる反射電子線を検出
することが考えられる。
し、そして、それからの電子線を基板に照射させ、その
結果、基板から回折反射して得られる反射電子線を検出
することが考えられる。
しかしながら、このようにした場合、電子線発生源が分
子線結晶成長用室内に配されているので、分子線結晶成
長用室内を、基板上に分子線を用いて結晶を成長させる
のに適した圧力にした状態において、その圧力が低いと
いうことで、電子線発生源の機能が低下乃至劣化する、
という欠点を有していた。
子線結晶成長用室内に配されているので、分子線結晶成
長用室内を、基板上に分子線を用いて結晶を成長させる
のに適した圧力にした状態において、その圧力が低いと
いうことで、電子線発生源の機能が低下乃至劣化する、
という欠点を有していた。
問題点を解決するための手段 よって、本発明は、そのような欠点のない、新規な分子
線結晶成長装置を提案せんとするものである。
線結晶成長装置を提案せんとするものである。
本発明による分子線結晶成長装置は、従来の分子線結晶
成長装置の場合と同様に、基板を配し、その基板上に結
晶を分子線を用いてエピタキシャル成長させる分子線結
晶成長用室と、その分子線結晶成長用室を排気する排気
用ポンプとを有する。
成長装置の場合と同様に、基板を配し、その基板上に結
晶を分子線を用いてエピタキシャル成長させる分子線結
晶成長用室と、その分子線結晶成長用室を排気する排気
用ポンプとを有する。
しかしながら、本発明による分子線結晶成長装置は、こ
のような構成を有する分子線結晶成長装置において、そ
の分子線成長用室に、隔壁を介して、電子線発生用源を
配している電子線発生用室が連結され、また、電子線発
生用室に、それを排気する、分子線結晶成長用室用の排
気用ポンプとは別の排気用ポンプが連結され、さらに、
上記隔壁に、上記分子線発生源からの電子線を上記基板
に照射させるべく、上記分子線成長用室内に通過させる
電子線通過用孔が設けられ、また、上記分子線成長用室
に、上記電子線にもとずき上記基板から回折反射して得
られる反射電子線を検出する電子線検出器が設けられて
いる。
のような構成を有する分子線結晶成長装置において、そ
の分子線成長用室に、隔壁を介して、電子線発生用源を
配している電子線発生用室が連結され、また、電子線発
生用室に、それを排気する、分子線結晶成長用室用の排
気用ポンプとは別の排気用ポンプが連結され、さらに、
上記隔壁に、上記分子線発生源からの電子線を上記基板
に照射させるべく、上記分子線成長用室内に通過させる
電子線通過用孔が設けられ、また、上記分子線成長用室
に、上記電子線にもとずき上記基板から回折反射して得
られる反射電子線を検出する電子線検出器が設けられて
いる。
作用・効果 このような本発明による分子線結晶成長装置によれば、
従来の分子線結晶成長装置の場合と同様に、分子線結晶
成長用室をその排気用ポンプを用いて排気しながら、分
子線結晶成長用室内に分子線を導入させることによっ
て、基板上に結晶をエピタキシャル成長させることがで
きる。
従来の分子線結晶成長装置の場合と同様に、分子線結晶
成長用室をその排気用ポンプを用いて排気しながら、分
子線結晶成長用室内に分子線を導入させることによっ
て、基板上に結晶をエピタキシャル成長させることがで
きる。
しかしながら、本発明による分子線結晶成長装置の場
合、結晶を基板上にエピタキシャル成長させている過程
において、電子線発生源を移動させることによって、電
子線検出器によって、基板上にエピタキシャル成長する
結晶の厚さなどを監視でき、または電子線検出器の出力
によって、結晶のエピタキシャル成長を制御することが
できる。
合、結晶を基板上にエピタキシャル成長させている過程
において、電子線発生源を移動させることによって、電
子線検出器によって、基板上にエピタキシャル成長する
結晶の厚さなどを監視でき、または電子線検出器の出力
によって、結晶のエピタキシャル成長を制御することが
できる。
また、電子線発生用室の排気を、分子線結晶成長用室用
とは別の排気用ポンプを用いて行なうことができるの
で、電子線発生用室を、電子線発生源の機能を不必要に
低下乃至劣化させない、高い圧力に維持することができ
る。従って、分子線結晶成長用室内を、基板上に結晶を
成長させるのに適した圧力にした状態において、電子線
発生源の機能が、電子線発生源が配されている雰囲気の
圧力が低いということで、低下乃至劣化する、という欠
点を有効に回避することかできる。
とは別の排気用ポンプを用いて行なうことができるの
で、電子線発生用室を、電子線発生源の機能を不必要に
低下乃至劣化させない、高い圧力に維持することができ
る。従って、分子線結晶成長用室内を、基板上に結晶を
成長させるのに適した圧力にした状態において、電子線
発生源の機能が、電子線発生源が配されている雰囲気の
圧力が低いということで、低下乃至劣化する、という欠
点を有効に回避することかできる。
実施例 次に、図面を伴なって本発明による分子線結晶成長装置
の実施例を述べよう。
の実施例を述べよう。
本発明による分子線結晶成長装置の実施例は、従来の分
子線結晶成長装置の場合と同様に、基板１を配置し、そ
の基板１上に結晶を分子線を用いてエピタキシャル成長
させる分子線結晶成長用室２と、それに開閉手段３を介
して連結している、分子線結晶成長用室を排気するため
の排気用ポンプ４とを有する。
子線結晶成長装置の場合と同様に、基板１を配置し、そ
の基板１上に結晶を分子線を用いてエピタキシャル成長
させる分子線結晶成長用室２と、それに開閉手段３を介
して連結している、分子線結晶成長用室を排気するため
の排気用ポンプ４とを有する。
この場合、分子線結晶成長用室２内には、分子線結晶成
長用室外における原料ガス源５及び６からの原料ガスを
それぞれ受け且つ、それらをそれぞれ噴出させる分子線
噴出器７及び８のノズル９及び１０が延長されている。
長用室外における原料ガス源５及び６からの原料ガスを
それぞれ受け且つ、それらをそれぞれ噴出させる分子線
噴出器７及び８のノズル９及び１０が延長されている。
また、分子線結晶成長用室２に、障壁１１を介して、電
子線発生用室１２が連結され、その電子線発生用室１２
内に、それ自体は公知の種々の電子線発生源１３が配さ
れ、また、分子線結晶成長用室１２が、開閉手段１４を
介して、他の排気用ポンプ１５に連結されている。この
場合、障壁１１には、電子線発生源からの電子線１６
を、分子線結晶成長用室２内に配されている基板１に照
執させるべく、分子線結晶成長用室２内に通過させる電
子線通過用孔１７を有している。
子線発生用室１２が連結され、その電子線発生用室１２
内に、それ自体は公知の種々の電子線発生源１３が配さ
れ、また、分子線結晶成長用室１２が、開閉手段１４を
介して、他の排気用ポンプ１５に連結されている。この
場合、障壁１１には、電子線発生源からの電子線１６
を、分子線結晶成長用室２内に配されている基板１に照
執させるべく、分子線結晶成長用室２内に通過させる電
子線通過用孔１７を有している。
一方、分子線結晶成長用室２に、基板１に電子線１６が
照射されることにもとずき、基板１から回折反射して得
られる反射電子線１６を受け、その反射電子線の強度に
応じた強度で発光する蛍光板１７が配されているととも
に、その蛍光板１７上の発光強度を目視で監視するため
の監視用窓１８が設けられている。
照射されることにもとずき、基板１から回折反射して得
られる反射電子線１６を受け、その反射電子線の強度に
応じた強度で発光する蛍光板１７が配されているととも
に、その蛍光板１７上の発光強度を目視で監視するため
の監視用窓１８が設けられている。
以上が本発明による分子線結晶成長装置の実施例の構成
である。
である。
このような本発明による分子線結晶成長装置の実施例に
よれば、分子線結晶成長用室２内に基板２を配し、それ
を図示させる加熱手段によって、加熱した状態で、分子
線結晶成長用室２を排気用ポンプ４を用いて排気させな
がら、分子線結晶成長用室２内に、原料ガス源５から、
分子線噴出器７及びそのノズル９を介して、例えばホス
フィンを導入させるとともに、分子線噴出器８及びその
ノズル１０を介して、例えばトリエチルインジウムを導
入させ、そして、分子線結晶成長用室２内を例えば５×
１０-4Ｔｏｒｒの圧力に維持させることによって、基板
１上に、ＩｎＰでなる結晶を、良好にエピタキシャル成
長させることができる。
よれば、分子線結晶成長用室２内に基板２を配し、それ
を図示させる加熱手段によって、加熱した状態で、分子
線結晶成長用室２を排気用ポンプ４を用いて排気させな
がら、分子線結晶成長用室２内に、原料ガス源５から、
分子線噴出器７及びそのノズル９を介して、例えばホス
フィンを導入させるとともに、分子線噴出器８及びその
ノズル１０を介して、例えばトリエチルインジウムを導
入させ、そして、分子線結晶成長用室２内を例えば５×
１０-4Ｔｏｒｒの圧力に維持させることによって、基板
１上に、ＩｎＰでなる結晶を、良好にエピタキシャル成
長させることができる。
また、このように、基板１上に結晶をエピタキシャル成
長させている過程において、または、その前から、電子
線発生用室１２をその排気用ポンプ１５を用いて排気さ
せ、そして、電子線発生源１３を移動させれば、それか
らの電子線１６が基板１を照射し、それにもとずき基板
１から回折反射して得られる反射電子線１６′が蛍光板
１７を照射し、その蛍光板１７が反射電子線の強度に応
じた強度で発光し、その発光強度を監視用窓１８を通じ
て監視することができる。このため、分子線結晶成長用
室２内に導入される原料ガス源５及び６からのホスフィ
ン及びトリエチルインジウムの量を制御することによっ
て、基板１上にエピタキシャル成長するＩｎＰでなる結
晶のエピタキシャル成長を制御させることができる。
長させている過程において、または、その前から、電子
線発生用室１２をその排気用ポンプ１５を用いて排気さ
せ、そして、電子線発生源１３を移動させれば、それか
らの電子線１６が基板１を照射し、それにもとずき基板
１から回折反射して得られる反射電子線１６′が蛍光板
１７を照射し、その蛍光板１７が反射電子線の強度に応
じた強度で発光し、その発光強度を監視用窓１８を通じ
て監視することができる。このため、分子線結晶成長用
室２内に導入される原料ガス源５及び６からのホスフィ
ン及びトリエチルインジウムの量を制御することによっ
て、基板１上にエピタキシャル成長するＩｎＰでなる結
晶のエピタキシャル成長を制御させることができる。
さらに、上述したような監視乃至制御ができるために用
いる電子線１６を発生する電子線発生源１３を配してい
る電子線発生用室１２の排気を、分子線結晶成長用室２
用の排気用ポンプ４とは別の排気用ポンプ１５を用いて
行うことができるので、電子線通過用孔１７を、例えば
直径５ｍｍというような比較的小さな孔に予めしておく
ことによって、電子線発生用室２内を例えば５×１０-6
Ｔｏｒｒというような電子線発生源１３の機能を不必要
に低下乃至劣化させない、分子線結晶成長用室２に比し
高い圧力に維持させることができる。
いる電子線１６を発生する電子線発生源１３を配してい
る電子線発生用室１２の排気を、分子線結晶成長用室２
用の排気用ポンプ４とは別の排気用ポンプ１５を用いて
行うことができるので、電子線通過用孔１７を、例えば
直径５ｍｍというような比較的小さな孔に予めしておく
ことによって、電子線発生用室２内を例えば５×１０-6
Ｔｏｒｒというような電子線発生源１３の機能を不必要
に低下乃至劣化させない、分子線結晶成長用室２に比し
高い圧力に維持させることができる。
なお、上述においては、基板上にＩｎＰでなる結晶をエ
ピタキシャル成長させる場合につき述べたが、他の種々
の材料でなる結晶をエピタキシャル成長させることもで
きる。
ピタキシャル成長させる場合につき述べたが、他の種々
の材料でなる結晶をエピタキシャル成長させることもで
きる。
また、蛍光板１７を、電子線検知器として用いた場合に
つき述べたが、その電子線検出器として、反射電子線１
６′を受けて、電気的出力を出力する、それ自体は公知
の種々の電子線検出器を用い、その電気的出力によって
自動的に、分子線結晶成長用室２に導入されるガスの量
を制御させることもでき、その他、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
つき述べたが、その電子線検出器として、反射電子線１
６′を受けて、電気的出力を出力する、それ自体は公知
の種々の電子線検出器を用い、その電気的出力によって
自動的に、分子線結晶成長用室２に導入されるガスの量
を制御させることもでき、その他、本発明の精神を脱す
ることなしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。
図は、本発明による分子線結晶成長装置の実施例を示す
略線的断面図である。 １……基板 ２……分子線結晶成長用室 ４，１５……排気用ポンプ ５，６……原料ガス源 ７，８……分子線噴出器 ９，１０……ノズル １１……障壁 １２……電子線発生用室 １３……電子線発生源 １６……電子線 １７……電子線通過用孔 １６′……反射電子線 １７′……蛍光板 １８……監視用窓
略線的断面図である。 １……基板 ２……分子線結晶成長用室 ４，１５……排気用ポンプ ５，６……原料ガス源 ７，８……分子線噴出器 ９，１０……ノズル １１……障壁 １２……電子線発生用室 １３……電子線発生源 １６……電子線 １７……電子線通過用孔 １６′……反射電子線 １７′……蛍光板 １８……監視用窓
Claims (1)
- 【請求項１】基板を配し、その基板上に結晶を分子線を
用いてエピタキシャル成長させる分子線結晶成長用室
と、 上記分子線結晶成長用室を排気する排気用ポンプとを有
する分子線結晶成長装置において、 上記分子線成長用室に、隔壁を介して、電子線発生源を
配している電子線発生用室が連結され、 上記電子線発生用室に、それを排気する、上記排気用ポ
ンプとは別の排気用ポンプが連結され、 上記隔壁に、上記電子線発生源からの電子線を上記基板
に照射させるべく、上記分子線成長用室内に通過させる
電子線通過用孔が設けられ、 上記分子線成長用室に、上記電子線にもとずき上記基板
から回折反射して得られる反射電子線を検出する電子線
検出器が設けられていることを特徴とする分子線結晶成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19077086A JPH0657632B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19077086A JPH0657632B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350394A JPS6350394A (ja) | 1988-03-03 |
| JPH0657632B2 true JPH0657632B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16263433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19077086A Expired - Lifetime JPH0657632B2 (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657632B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2759980B2 (ja) * | 1988-09-13 | 1998-05-28 | ソニー株式会社 | エピタキシャル成長方法 |
| JPH02175689A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 分子線エピタキシ装置 |
| DE69942340D1 (de) * | 1998-09-11 | 2010-06-17 | Japan Science & Tech Agency | Hochenergie elektronen beugungsgerät |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP19077086A patent/JPH0657632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350394A (ja) | 1988-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |