JPH065698A - Dicing method and device for semiconductor device - Google Patents

Dicing method and device for semiconductor device

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JPH065698A
JPH065698A JP16111892A JP16111892A JPH065698A JP H065698 A JPH065698 A JP H065698A JP 16111892 A JP16111892 A JP 16111892A JP 16111892 A JP16111892 A JP 16111892A JP H065698 A JPH065698 A JP H065698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
dicing
kerf
semiconductor device
pressure water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16111892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Ichiyama
秀之 一山
Yoshiro Nishinaka
佳郎 西中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16111892A priority Critical patent/JPH065698A/en
Publication of JPH065698A publication Critical patent/JPH065698A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor device dicing device where a jig is not required to be replaced and which is sharply improved in dicing efficiency and enhances semiconductor devices in quality and yield restraining them from chipping. CONSTITUTION:Cutting grooves 11A are provided to a wafer 11 by a dicing device 10 for dividing the wafer 11 into separate chips 12, where a jet nozzle 15 is provided to spout water 15 of high pressure against the wafer 11 for dicing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを個々のチップ
に分割するための切り溝を作る半導体装置のダイシング
方法及びその半導体装置のダイシング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method for a semiconductor device and a dicing apparatus for the semiconductor device for forming a kerf for dividing a wafer into individual chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の装置を図3〜図5を参照
しながら説明する。図1において、1は表面に集積回路
として機能する最小単位のチップ2が采の目状に多数形
成されたウエハ、3はウエハ1を個々のチップ2に分割
するためのダイアモンドブレード、4はこのダイアモン
ドブレード3に回転力を伝達すると共に同図矢示A及び
B方向で進退動及び昇降動可能に支持された回転軸、5
はこの回転軸4を介して回転するダイヤモンドブレード
3と同期して同図矢示C方向で駆動すると共に上記ウエ
ハ1を載置する回転可能なテーブルである。尚、上記ダ
イアモンドブレード3はニッケル等の金属薄板(0.0
3〜0.05mmの厚さ)に粒径5〜20μmのダイア
モンドを埋め込んだ構造を有している。
2. Description of the Related Art A conventional device of this type will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wafer on which a plurality of chips 2 each having a minimum unit functioning as an integrated circuit are formed in a grid pattern, 3 denotes a diamond blade for dividing the wafer 1 into individual chips 2, and 4 denotes A rotary shaft that transmits a rotational force to the diamond blade 3 and is supported so as to be able to move back and forth and ascend and descend in the directions A and B shown in the figure.
Is a rotatable table that is driven in the direction of arrow C in the figure in synchronism with the diamond blade 3 that rotates via the rotary shaft 4 and on which the wafer 1 is placed. The diamond blade 3 is a thin metal plate such as nickel (0.0
It has a structure in which a diamond having a grain size of 5 to 20 μm is embedded in a thickness of 3 to 0.05 mm).

【0003】次に、動作について説明する。ウエハ1を
個々のチップ2に分割するには、まず、ウエハ1を真空
吸着してテーブル5上に固定、支持する。次いで、回転
軸4を介してダイアモンドブレード3を20000〜4
0000rpmの高速度で回転させながらウエハ1に向
けて下降させ、ダイアモンドブレード3がウエハ1の所
定の部位に接触すると、テーブル5が回転軸4に対して
垂直方向に移動してウエハ1の表面に切り溝を形成す
る。そして、この切り溝を作り終えると、回転軸4を介
してダイアモンドブレード3を予め設定された距離だけ
ステップ送りしてテーブル5を移動させて次の切り溝を
形成し、このような動作を図4に示すように順次繰り返
して一方向の切り溝をウエハ1の全面に形成してその動
作を終了する。
Next, the operation will be described. To divide the wafer 1 into individual chips 2, first, the wafer 1 is vacuum-sucked and fixed and supported on the table 5. Then, the diamond blades 3
While rotating at a high speed of 0000 rpm, it is lowered toward the wafer 1, and when the diamond blade 3 comes into contact with a predetermined portion of the wafer 1, the table 5 moves in the direction perpendicular to the rotation axis 4 and moves to the surface of the wafer 1. Form a kerf. When this kerf is completed, the diamond blade 3 is step-fed by a preset distance via the rotary shaft 4 to move the table 5 to form the next kerf, and such operation is performed. As shown in FIG. 4, a unidirectional cut groove is formed on the entire surface of the wafer 1 and the operation is completed.

【0004】然る後、テーブル5を90°回転させて上
述の作業を繰り返すことによって、図5に示すように、
既に形成された切り溝に対して直交する切り溝をウエハ
1の表面に形成して采の目状の切り溝を作ってウエハ1
を個々のチップ2に分割できるようにしてダイシングを
終了する。
After that, by rotating the table 5 by 90 ° and repeating the above-mentioned work, as shown in FIG.
A kerf that is orthogonal to the already formed kerf is formed on the surface of the wafer 1 to form a kerf-shaped kerf and the wafer 1 is formed.
Is divided into individual chips 2 and the dicing is completed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダイアモンドブレード3を用いたダイシング装置では、
ダイアモンドブレード3の摩耗が激しく、頻繁にダイア
モンドブレード3を交換しなくてはならず、それだけダ
イシング装置の稼動率が低下するという課題があった。
また、ダイアモンドブレード3は薄板であることから破
損し易く、時としてその破損の事実を知らずにダイシン
グを続行すると、切り溝がその破損部分で十分に形成さ
れず、切り溝が欠ける、チッピング等の不良の原因にな
って製品の品質劣化、歩留りの低下を招くという課題が
あった。更に、ダイアモンドブレード3が高価であると
いう課題もあった。
However, in the conventional dicing apparatus using the diamond blade 3,
The diamond blade 3 is heavily worn, and the diamond blade 3 must be frequently replaced, which causes a problem that the operating rate of the dicing device is reduced.
Further, since the diamond blade 3 is a thin plate, it is easily damaged, and if dicing is continued without knowing the fact of the damage sometimes, the kerf is not sufficiently formed at the damaged portion, and the kerf may be chipped or chipped. There is a problem that it causes defects and leads to deterioration of product quality and yield. Further, there is a problem that the diamond blade 3 is expensive.

【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、治具を交換する必要がなく、ダイシングの
稼動効率を格段に向上させると共にチッピングを抑制し
て高品質で歩留りを向上させることができる半導体装置
のダイシング方法及びその装置のダイシング装置を提供
することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is not necessary to replace the jig, the operation efficiency of dicing is significantly improved, and chipping is suppressed to improve the yield with high quality. An object of the present invention is to provide a dicing method for a semiconductor device and a dicing device for the device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体装置のダイシング方法は、高圧水をウエハに向
けて噴射してダイシングするようにしたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device dicing method in which high-pressure water is jetted toward a wafer for dicing.

【0008】また、本発明の請求項2に記載の半導体装
置のダイシング装置は、ウエハをダイシングするための
高圧水をウエハに向けて噴射する噴射ノズルを備えて構
成されたものである。
A dicing apparatus for a semiconductor device according to a second aspect of the present invention comprises an injection nozzle for injecting high pressure water for dicing the wafer toward the wafer.

【0009】[0009]

【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、高圧
水をウエハの所定の部位に噴射すると高圧水によってウ
エハの表面に切り溝を形成することができる。
According to the first aspect of the present invention, when the high-pressure water is jetted to a predetermined portion of the wafer, the high-pressure water can form a kerf on the surface of the wafer.

【0010】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、噴射ノズルから高圧水を噴射すれば、その高圧水
によってウエハの表面に切り溝を形成することができ
る。
According to the second aspect of the present invention, if the high-pressure water is jetted from the jet nozzle, the high-pressure water can form a kerf on the surface of the wafer.

【0011】[0011]

【実施例】以下、図1及び図2に示す実施例に基づいて
本発明を説明する。尚、各図中、図1は本発明のダイシ
ング方法の一実施態様で好適に用いられるダイシング装
置を用いてウエハをダイシングする状態を示す斜視図、
図2は図1に示すダイシング装置を用いてウエハを選択
的にダイシングする状態を示す斜視図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. In each of the drawings, FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a wafer is diced using a dicing apparatus which is preferably used in one embodiment of the dicing method of the present invention,
FIG. 2 is a perspective view showing a state of selectively dicing a wafer using the dicing apparatus shown in FIG.

【0012】まず、本発明の半導体装置のダイシング方
法の一実施態様で好適に用いられるダイシング装置につ
いて説明する。本実施例のダイシング装置10は、図1
に示すように、ウエハ11を個々のチップ12に分割す
るための切り溝11Aを形成するように構成されてい
る。そして、このダイシング装置10は、ウエハ11を
支持、固定するテーブル13と、このテーブル13に固
定されたウエハ11をダイシングするための高圧水14
をウエハ11に向けて噴射する噴射ノズル15と、この
噴射ノズル15を支持するアーム16とを備えて構成さ
れている。
First, a dicing apparatus preferably used in one embodiment of the dicing method for a semiconductor device of the present invention will be described. The dicing apparatus 10 of this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the kerf 11A for dividing the wafer 11 into individual chips 12 is formed. The dicing apparatus 10 includes a table 13 for supporting and fixing the wafer 11, and high pressure water 14 for dicing the wafer 11 fixed on the table 13.
Is provided to the wafer 11 and an arm 16 that supports the injection nozzle 15 is provided.

【0013】而して、上記噴射ノズル15は、上記制御
装置によって上記アーム16を介して前後(図1の矢示
A方向)、左右(図1の矢示B方向)及びウエハ11に
対して図1の矢示C方向で昇降動可能に制御され、切り
溝11Aの形成に必要な高圧水14を極細状に噴射して
ウエハ11の表面に切り溝11Aを形成するように構成
されている。また、上記テーブル13は、図示しない制
御装置によって回転可能で且つ一方向(図1の矢示D方
向)で水平に移動可能に制御されるように構成されてい
る。
The injection nozzle 15 is moved forward and backward (in the direction of arrow A in FIG. 1), left and right (in the direction of arrow B in FIG. 1), and the wafer 11 via the arm 16 by the controller. It is controlled so that it can be moved up and down in the direction of arrow C in FIG. 1, and is configured to form the kerf 11A on the surface of the wafer 11 by jetting the high-pressure water 14 necessary for forming the kerf 11A in an extremely fine shape. . Further, the table 13 is configured to be controlled by a control device (not shown) so as to be rotatable and horizontally movable in one direction (direction D shown by an arrow in FIG. 1).

【0014】次に、本発明のダイシング方法の一実施態
様を上記ダイシング装置の動作と共に説明する。まず、
テーブル13にウエハ11を載置してウエハ11を吸
着、固定する。次いで、制御装置によってアーム16を
介して噴射ノズル15を図1の矢示A方向へ進出させて
ウエハ11上の予め設定された切り溝を作る部位に位置
合せした後、噴射ノズル15から高圧水14を噴射する
と共に、テーブル13を図1の矢示D方向へ移動させて
切り溝11Aを形成する。そして、この切り溝を作り終
えると、アーム16を介して噴射ノズル15を予め設定
された距離だけステップ送りしてテーブル13を移動さ
せて次の切り溝11Aを形成し、このような動作を順次
繰り返して一方向の切り溝をウエハ11の全面に形成し
てその動作を終了する。
Next, one embodiment of the dicing method of the present invention will be described together with the operation of the above dicing apparatus. First,
The wafer 11 is placed on the table 13, and the wafer 11 is sucked and fixed. Next, the injection nozzle 15 is advanced by the control device via the arm 16 in the direction of arrow A in FIG. 1 and aligned with a portion on the wafer 11 where a preset kerf is to be formed. 14, the table 13 is moved in the direction of the arrow D in FIG. 1 to form the kerf 11A. Then, when this kerf is completed, the injection nozzle 15 is step-fed by a preset distance via the arm 16 to move the table 13 to form the next kerf 11A, and such an operation is sequentially performed. The unidirectional kerf is repeatedly formed on the entire surface of the wafer 11, and the operation is completed.

【0015】然る後、テーブル13を90°回転させて
上述の作業を繰り返すことによって、既に形成された切
り溝に対して直交する切り溝をウエハ11の表面に形成
して采の目状の切り溝を作ってウエハ11を個々のチッ
プに分割できるようにしてダイシングを終了する。
After that, the table 13 is rotated by 90 ° and the above-mentioned work is repeated to form a kerf orthogonal to the already formed kerf on the surface of the wafer 11 to form a crease shape. A dicing is completed by making a kerf so that the wafer 11 can be divided into individual chips.

【0016】また、上記ダイシング装置10を用いるこ
とによって、図2に示すようにウエハ11の必要箇所だ
け、例えば、良好なチップのみを切り出す場合にはその
部位にだけ高圧水14を噴射するように噴射ノズル15
を制御することによって良好なチップのみを選択して切
り出すことができる。
Further, by using the dicing apparatus 10, as shown in FIG. 2, the high-pressure water 14 is sprayed only on a necessary portion of the wafer 11, for example, when only good chips are cut out. Injection nozzle 15
By controlling, it is possible to select and cut out only good chips.

【0017】以上説明したように本実施例によれば、高
圧水14を用いてウエハ11の表面に切り溝11Aを形
成するようにしたので、従来のダイアモンドブレードの
ように摩耗されないため、治具を交換する手間をなくし
てダイシング装置10の稼動率を格段に向上させ、しか
もチッピング等を生じさせる虞がなく高品質のチップを
高歩留りで製造することができる。
As described above, according to the present embodiment, since the kerf 11A is formed on the surface of the wafer 11 by using the high pressure water 14, it is not worn like the conventional diamond blade, and therefore the jig is used. It is possible to remarkably improve the operation rate of the dicing device 10 by eliminating the trouble of exchanging the chips, and to manufacture high-quality chips with high yield without fear of causing chipping or the like.

【0018】尚、本発明は、上記実施例に何等制限され
るものではなく、高圧水を噴射してダイシングする方法
及びダイシング装置であれば、本発明に包含される。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and any method and dicing apparatus for injecting high-pressure water to dice is included in the present invention.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、高圧水を噴射してダイシングする
ようにしたため、ダイシングの稼動効率を格段に向上さ
せると共にチッピングを抑制して高品質で歩留りを向上
させる半導体装置のダイシング方法を提供することがで
きる。
As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, high-pressure water is jetted to perform dicing, so that the operating efficiency of dicing is significantly improved and chipping is suppressed. It is possible to provide a method for dicing a semiconductor device that improves the yield with high quality.

【0020】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、噴射ノズルから高圧水を噴射してダイシングする
ようにしたため、噴射ノズル等の治具を交換する必要が
なく、ダイシングの稼動効率を格段に向上させると共に
チッピングを抑制して高品質で歩留りを向上させる半導
体装置のダイシング装置を提供することができる。
Further, according to the second aspect of the present invention, since the high pressure water is jetted from the jet nozzle to perform dicing, it is not necessary to replace a jig such as the jet nozzle and the dicing operation is performed. It is possible to provide a dicing device for a semiconductor device that significantly improves efficiency, suppresses chipping, and improves yield with high quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のダイシ半導体装置のダイシング方法の
一実施態様で好適に用いられるダイシング装置を用いて
ウエハをダイシングする状態を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a wafer is diced using a dicing apparatus which is preferably used in an embodiment of a dicing method for a dicing semiconductor device according to the present invention.

【図2】図1に示すダイシング装置を用いてウエハを選
択的にダイシングする状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which a wafer is selectively diced using the dicing apparatus shown in FIG.

【図3】従来のダイシング装置を用いてウエハをダイシ
ングする状態を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a wafer is diced using a conventional dicing apparatus.

【図4】図3に示すダイシング装置を用いてウエハを一
方向をダイシングする状態を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a wafer is diced in one direction using the dicing apparatus shown in FIG.

【図5】図3に示す半導体装置のダイシング装置を用い
て図4で作った切り溝に直交する方向でウエハをダイシ
ングする状態を示す斜視図である。
5 is a perspective view showing a state in which a wafer is diced in a direction orthogonal to the kerf formed in FIG. 4 by using the dicing apparatus for the semiconductor device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ダイシング装置 11 ウエハ 11A 切り溝 12 チップ 13 テーブル 14 高圧水 15 噴射ノズル 10 Dicing Device 11 Wafer 11A Cutting Groove 12 Chip 13 Table 14 High Pressure Water 15 Injection Nozzle

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハを個々のチップに分割するための
切り溝を作る半導体装置のダイシング方法において、高
圧水を上記ウエハに向けて噴射してダイシングすること
を特徴とする半導体装置のダイシング方法。
1. A dicing method for a semiconductor device, wherein a dicing method for forming a groove for dividing a wafer into individual chips comprises jetting high-pressure water toward the wafer for dicing.
【請求項2】 ウエハを個々のチップに分割するための
切り溝を作る半導体装置のダイシング装置において、上
記ウエハをダイシングするための高圧水をウエハに向け
て噴射する噴射ノズルを備えたことを特徴とする半導体
装置のダイシング装置。
2. A dicing device of a semiconductor device for forming a cut groove for dividing a wafer into individual chips, comprising a jet nozzle for jetting high-pressure water for dicing the wafer toward the wafer. Semiconductor device dicing device.
JP16111892A 1992-06-19 1992-06-19 Dicing method and device for semiconductor device Pending JPH065698A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16111892A JPH065698A (en) 1992-06-19 1992-06-19 Dicing method and device for semiconductor device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100973283B1 (en) * 2003-03-10 2010-07-30 삼성테크윈 주식회사 Cutting apparatus and mathod for semiconductor package

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KR100973283B1 (en) * 2003-03-10 2010-07-30 삼성테크윈 주식회사 Cutting apparatus and mathod for semiconductor package

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