JPH0653147A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

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Publication number
JPH0653147A
JPH0653147A JP20498792A JP20498792A JPH0653147A JP H0653147 A JPH0653147 A JP H0653147A JP 20498792 A JP20498792 A JP 20498792A JP 20498792 A JP20498792 A JP 20498792A JP H0653147 A JPH0653147 A JP H0653147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction gas
plate
semiconductor manufacturing
reaction
gas introduction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20498792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norifumi Tokuda
法史 徳田
Eisuke Tanaka
英祐 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP20498792A priority Critical patent/JPH0653147A/en
Publication of JPH0653147A publication Critical patent/JPH0653147A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To freely adjust film formation rate and etching rate in a sheet-type semiconductor manufacturing device. CONSTITUTION:A reaction gas introduction plate 11 is formed by laminating first and second plates 12, 13 having a plurality of reaction gas blow-off ports, respectively. The second plate 13 is relatively rotated to the first plate 12; thereby, overlapping of reaction gas blow-off ports is changed and an actual opening area of the reaction gas introduction plate 11 is arbitrarily adjusted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば成膜やエッチ
ングなどによる枚葉式の半導体製造装置に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer type semiconductor manufacturing apparatus by film formation or etching.

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は従来のこの種の半導体製造装置の
一例を示す断面図である。図において、反応室1内の上
部に設けられた反応ガス導入プレート2に対向してウエ
ハ3がウエハステージ4上に配置される。また、図10
に示すように、反応ガス導入プレート2には複数個の反
応ガス吹出口7が形成されている。反応ガス導入プレー
ト2には、反応室1内に反応ガスを導入する反応ガス導
入部5が接続されている。反応室1には、反応ガスを排
気するための排気口6が設けられている。
2. Description of the Related Art FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional semiconductor manufacturing apparatus of this type. In the figure, a wafer 3 is placed on a wafer stage 4 so as to face a reaction gas introduction plate 2 provided in an upper portion of a reaction chamber 1. In addition, FIG.
As shown in FIG. 3, a plurality of reaction gas outlets 7 are formed in the reaction gas introduction plate 2. The reaction gas introducing plate 5 is connected to a reaction gas introducing unit 5 for introducing the reaction gas into the reaction chamber 1. The reaction chamber 1 is provided with an exhaust port 6 for exhausting the reaction gas.

【0003】次に、動作について説明する。反応室1内
において、ウエハステージ4上にウエハ3が置かれた状
態で、反応ガス導入部5から導入された反応ガスが、反
応ガス導入プレート2の反応ガス吹出口7を通ってウエ
ハ3表面に達し、成膜が行われる。また、反応後の反応
ガスは、排気口6から反応室1外へ排気される。
Next, the operation will be described. In the reaction chamber 1, with the wafer 3 placed on the wafer stage 4, the reaction gas introduced from the reaction gas introduction unit 5 passes through the reaction gas outlet 7 of the reaction gas introduction plate 2 and the surface of the wafer 3. And the film is formed. Further, the reaction gas after the reaction is exhausted from the exhaust port 6 to the outside of the reaction chamber 1.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の枚葉式の半導体
製造装置は以上のように構成されているので、成膜枚数
が増加するに従い、反応ガス導入プレート2の反応ガス
吹出口7の内側にも反応生成物が堆積して、反応ガス吹
出口7の開口面積が変化してしまう。このため、ウエハ
3の表面に達する反応ガスの量が変化して、成膜速度が
変化するという問題点があった。
Since the conventional single-wafer type semiconductor manufacturing apparatus is configured as described above, the inside of the reaction gas outlet 7 of the reaction gas introducing plate 2 is increased as the number of film formation increases. Also, the reaction products are accumulated and the opening area of the reaction gas outlet 7 changes. Therefore, there is a problem that the amount of the reaction gas reaching the surface of the wafer 3 changes and the film forming rate changes.

【0005】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、反応ガス導入
プレートの開口面積を任意に調整することができ、成膜
速度やエッチング速度を自由に調整することができる半
導体製造装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and the opening area of the reaction gas introducing plate can be arbitrarily adjusted, and the film forming rate and the etching rate can be freely set. It is an object of the present invention to obtain a semiconductor manufacturing apparatus that can be adjusted to.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、それぞれ複数の反応ガス吹出口を有する複数
個のプレートを重ねてなる反応ガス導入プレートを用
い、各プレートを互いに相対的に回転させることによ
り、反応ガス吹出口の重なりを変化させるようにしたも
のである。
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention uses a reaction gas introduction plate formed by stacking a plurality of plates each having a plurality of reaction gas outlets, and the plates are rotated relative to each other. By doing so, the overlap of the reaction gas outlets is changed.

【0007】[0007]

【作用】この発明においては、複数個の反応ガス導入プ
レートを相対的にずらして、反応ガス吹出口の重なりを
変化させることにより、反応ガス導入プレートの開口面
積を変化させ、反応ガスの吹き出し量を調整する。
According to the present invention, the opening area of the reaction gas introduction plate is changed by relatively shifting the plurality of reaction gas introduction plates to change the overlap of the reaction gas outlets, and the amount of the reaction gas blown out. Adjust.

【0008】[0008]

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の一実施例による半導体製造
装置の断面図、図2は図1の反応ガス導入プレートの下
面図であり、図9および図10と同一又は相当部分には
同一符号を付し、その説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. 1 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the reaction gas introducing plate of FIG. 1, and the same or corresponding parts to those of FIGS. 9 and 10 are designated by the same reference numerals. , The description is omitted.

【0009】図において、反応ガス導入プレート11
は、反応ガス導入部5に接続された第1のプレート12
と、この第1のプレート12の中心を中心として回転可
能に第1のプレート12に重ねられた第2のプレート1
3とからなっている。各プレート12,13には、従来
例と同様に、複数の反応ガス吹出口12a,13aがそ
れぞれ設けられている。つまり、この実施例の反応ガス
導入プレート11は、従来例の反応ガス導入プレート2
を2枚重ねたものとほぼ同様のものである。
In the figure, the reaction gas introducing plate 11 is shown.
Is the first plate 12 connected to the reaction gas introduction part 5.
And the second plate 1 superposed on the first plate 12 so as to be rotatable around the center of the first plate 12.
It consists of 3. As in the conventional example, each of the plates 12 and 13 is provided with a plurality of reaction gas outlets 12a and 13a, respectively. That is, the reaction gas introduction plate 11 of this embodiment is the same as the reaction gas introduction plate 2 of the conventional example.
It is almost the same as a stack of two.

【0010】以上の構成により、ウエハステージ4上に
ウエハ3が置かれた状態で、反応ガス導入部5から導入
された反応ガスは、第1および第2のプレート12,1
3の反応ガス吹出口12a,13aが重なった部分の開
口部を通ってウエハ3の表面に達し、これにより成膜が
行われる。また、反応後の反応ガスは、排気口6から反
応室1外へ排気される。
With the above configuration, the reaction gas introduced from the reaction gas introduction unit 5 with the wafer 3 placed on the wafer stage 4 is supplied to the first and second plates 12, 1.
The reaction gas outlets 12a and 13a of No. 3 reach the surface of the wafer 3 through the opening of the overlapping portion, and the film is formed thereby. Further, the reaction gas after the reaction is exhausted from the exhaust port 6 to the outside of the reaction chamber 1.

【0011】ここで、反応ガス導入プレート11の実質
的な開口面積は、反応ガス吹出口12aと反応ガス吹出
口13aとの重なった部分の面積である。従って、第1
および第2のプレート12,13の相対的な位置関係を
変化させて、各反応ガス吹出口12a,13aの重なり
を調整することにより、反応ガス導入プレート11を通
過する反応ガスの量を調整することができ、成膜速度も
自由に調整することができる。
Here, the substantial opening area of the reaction gas introduction plate 11 is the area of the overlapping portion of the reaction gas outlet 12a and the reaction gas outlet 13a. Therefore, the first
And the relative positional relationship between the second plates 12 and 13 is changed to adjust the overlap of the reaction gas outlets 12a and 13a, thereby adjusting the amount of the reaction gas passing through the reaction gas introduction plate 11. It is also possible to freely adjust the film forming rate.

【0012】なお、上記実施例1では、同位置に同じ大
きさの反応ガス吹出口12a,13aを設けた2枚のプ
レート12,13を重ねる例を示したが、異なる位置に
同じもしくは異なる大きさの反応ガス吹出口を設けたプ
レートを3枚以上重ねてもよい。
In the first embodiment, an example in which the two plates 12 and 13 having the same size reaction gas outlets 12a and 13a are provided at the same positions is shown, but the same or different sizes are provided at different positions. It is also possible to stack three or more plates provided with the reaction gas outlets of the shell.

【0013】実施例2.図3はこの発明の他の実施例に
よる半導体製造装置の断面図、図4は図3の反応ガス導
入プレートの下面図である。この実施例2の反応ガス導
入プレート14は、実施例1と同様の第1のプレート1
2に、第3のプレート15および第4のプレート16を
重ね、それぞれ独立して回転可能としたものである。
Example 2. 3 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a bottom view of the reaction gas introducing plate of FIG. The reaction gas introducing plate 14 of the second embodiment is the same as the first plate 1 of the first embodiment.
The third plate 15 and the fourth plate 16 are superposed on the second plate 2 so that they can be rotated independently of each other.

【0014】第3のプレート15には、図5に示すよう
に、第1のプレート12の中央部の反応ガス吹出口12
aに重なるように反応ガス吹出口15aが配置されてい
る。また、第4のプレート16には、図6に示すよう
に、第1のプレート12の外周部の反応ガス吹出口12
aに重なるように反応ガス吹出口16aが配置されてい
る。
As shown in FIG. 5, the third plate 15 has a reaction gas outlet 12 at the center of the first plate 12.
The reaction gas outlet 15a is arranged so as to overlap with a. Further, as shown in FIG. 6, the fourth plate 16 has a reaction gas outlet 12 in the outer peripheral portion of the first plate 12.
The reaction gas outlet 16a is arranged so as to overlap with a.

【0015】このような反応ガス導入プレート14を使
用した場合、第1のプレート12に対して、第3のプレ
ート15を回転させることにより中央部の開口面積を、
第4のプレート16を回転させることにより外周部の開
口面積を、それぞれ独立して調整することができる。例
えば、図7は図4の状態から外周部の開口面積だけを変
化させた(大きくした)状態を示すものであり、図8は
図4の状態から中央部の開口面積だけを変化させた(大
きくした)状態を示すものである。このように、反応ガ
スの吹き出し量を位置によって別々に調整することによ
り、反応ガスのウエハ面内均一性が向上する。
When such a reaction gas introducing plate 14 is used, by rotating the third plate 15 with respect to the first plate 12, the opening area of the central portion is increased.
By rotating the fourth plate 16, the opening area of the outer peripheral portion can be adjusted independently. For example, FIG. 7 shows a state in which only the opening area of the outer peripheral portion is changed (increased) from the state of FIG. 4, and FIG. 8 changes only the opening area of the central portion from the state of FIG. 4 ( (Enlarged) state. Thus, by adjusting the blowing amount of the reaction gas separately depending on the position, the uniformity of the reaction gas in the wafer surface is improved.

【0016】なお、各反応ガス導入プレートの形状、材
質、開口形状、開口個数等は任意である。
The shape, material, opening shape, number of openings and the like of each reaction gas introducing plate are arbitrary.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
製造装置は、反応ガス導入プレートとして、それぞれ複
数の反応ガス吹出口を有する複数個のプレートを重ねて
なるものを用い、各プレートを互いに相対的に回転させ
ることにより、反応ガス吹出口の重なりを変化させるよ
うにしたので、反応ガス導入プレートの開口面積を任意
に調整することができ、これにより成膜速度やエッチン
グ速度を自由に調整することができるという効果を奏す
る。
As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention uses, as the reaction gas introduction plate, a stack of a plurality of plates each having a plurality of reaction gas outlets, and the plates are mutually connected. By changing the relative rotation, the overlap of the reaction gas outlets can be changed, so that the opening area of the reaction gas introduction plate can be adjusted arbitrarily, which allows the film formation rate and etching rate to be adjusted freely. There is an effect that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例による半導体製造装置の断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の反応ガス導入プレートの下面図である。2 is a bottom view of the reaction gas introduction plate of FIG. 1. FIG.

【図3】この発明の他の実施例による半導体製造装置の
断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図4】図3の反応ガス導入プレートの下面図である。FIG. 4 is a bottom view of the reaction gas introduction plate of FIG.

【図5】図3の第3のプレートを示す下面図である。5 is a bottom view showing the third plate of FIG. 3. FIG.

【図6】図3の第4のプレートを示す下面図である。6 is a bottom view showing the fourth plate of FIG. 3. FIG.

【図7】図4の状態から第3のプレートのみをずらした
場合の下面図である。
FIG. 7 is a bottom view when only the third plate is displaced from the state of FIG.

【図8】図4の状態から第4のプレートのみをずらした
場合の下面図である。
FIG. 8 is a bottom view when only the fourth plate is displaced from the state of FIG.

【図9】従来の半導体製造装置の一例の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of an example of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【図10】図9の反応ガス導入プレートの下面図であ
る。
FIG. 10 is a bottom view of the reaction gas introduction plate of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 反応室 3 ウエハ 5 反応ガス導入部 11 反応ガス導入プレート 12 第1のプレート 12a 反応ガス吹出口 13 第2のプレート 13a 反応ガス吹出口 14 反応ガス導入プレート 15 第3のプレート 15a 反応ガス吹出口 16 第4のプレート 16a 反応ガス吹出口 DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS 1 reaction chamber 3 wafer 5 reaction gas introduction part 11 reaction gas introduction plate 12 first plate 12a reaction gas outlet 13 second plate 13a reaction gas outlet 14 reaction gas introduction plate 15 third plate 15a reaction gas outlet 16 Fourth plate 16a Reactant gas outlet

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハを収容する反応室と、この反応室
内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、この反応ガ
ス導入部に接続され、上記反応ガス導入部から導入され
た反応ガスを上記反応室内に吹き出す反応ガス導入プレ
ートとを備えている枚葉式の半導体製造装置において、
上記反応ガス導入プレートは、それぞれ複数の反応ガス
吹出口を有する複数個のプレートを重ねてなっており、
上記各プレートを互いに相対的に回転させることによ
り、上記反応ガス吹出口の重なりを変化させるようにな
っていることを特徴とする半導体製造装置。
1. A reaction chamber for accommodating a wafer, a reaction gas introducing section for introducing a reaction gas into the reaction chamber, a reaction gas introduced from the reaction gas introducing section connected to the reaction gas introducing section, In a single-wafer type semiconductor manufacturing apparatus having a reaction gas introduction plate blown into the reaction chamber,
The reaction gas introduction plate is a stack of a plurality of plates each having a plurality of reaction gas outlets,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the overlapping of the reaction gas outlets is changed by rotating the plates relative to each other.
JP20498792A 1992-07-31 1992-07-31 Semiconductor manufacturing device Pending JPH0653147A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20498792A JPH0653147A (en) 1992-07-31 1992-07-31 Semiconductor manufacturing device

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JP20498792A JPH0653147A (en) 1992-07-31 1992-07-31 Semiconductor manufacturing device

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JPH0653147A true JPH0653147A (en) 1994-02-25

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ID=16499603

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JP20498792A Pending JPH0653147A (en) 1992-07-31 1992-07-31 Semiconductor manufacturing device

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JP (1) JPH0653147A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274144A (en) * 1998-03-26 1999-10-08 Matsushita Electron Corp Semiconductor device manufacture apparatus and method therefor
JP2010118628A (en) * 2008-11-14 2010-05-27 Shibaura Mechatronics Corp Plasma-processing device

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