JPH0652721A - Conductor - Google Patents
ConductorInfo
- Publication number
- JPH0652721A JPH0652721A JP4204709A JP20470992A JPH0652721A JP H0652721 A JPH0652721 A JP H0652721A JP 4204709 A JP4204709 A JP 4204709A JP 20470992 A JP20470992 A JP 20470992A JP H0652721 A JPH0652721 A JP H0652721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- silver concentration
- silver
- concentration
- average
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、導電性、耐銀マイグレ
ーション性、保存性に優れた導電体及び該導電体を用い
た導電回路、多層基板用導電回路、 積層セラミックコ
ンデンサー外部電極、スルーホール導体、ルテニウム系
抵抗体の端子電極に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductor having excellent conductivity, silver migration resistance, and storage stability, and a conductive circuit using the conductor, a conductive circuit for a multilayer substrate, a laminated ceramic capacitor external electrode, a through hole. The present invention relates to a conductor and a terminal electrode of a ruthenium-based resistor.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、セラミックス基材上に導電体とし
て用いられているものとして、銀、銀−パラジウム、銀
−白金、銅、金、ニッケルなどが公知であり、これらの
導電体を導電回路、コンデンサー電極、スルーホール導
体、ルテニウム系抵抗体端子として用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, silver, silver-palladium, silver-platinum, copper, gold, nickel and the like have been known as those used as conductors on ceramic substrates. These conductors are used as conductive circuits. , Used as capacitor electrodes, through-hole conductors, and ruthenium-based resistor terminals.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】公知導電体として用い
られている導電材料は、以下の点で問題があった。例え
ば銀であるが、ファインライン化が進む中で、セラミッ
クス基板上の配線、あるいはスルーホール間隔が狭くな
る中で銀のマイグレーションの問題が重大であり、実用
に耐えない。また、はんだ食われが起こり易く、断線し
やすい。銀−パラジウムでは、ファインライン化により
インピーダンス増加が著しく、やはり配線としては、用
いることが困難である。銀−白金では、コスト高である
ことのみならず、やはり、ファインライン化が進む中で
銀のマイグレーションの問題がある。The conductive material used as a known conductor has the following problems. For example, silver is not suitable for practical use due to the serious problem of silver migration as the wiring on the ceramic substrate or the space between the through holes becomes narrower as the line becomes finer. In addition, solder erosion is likely to occur and the wire is easily broken. With silver-palladium, impedance increases significantly due to fine lines, and it is difficult to use as wiring. In the case of silver-platinum, not only is the cost high, but there is still a problem of silver migration as fine lines are advanced.
【0004】銅を用いた導電体もあるが、回路にはんだ
付けして用いる場合、はんだが付きにくかったり、絶縁
ペーストとしてガラスをオーバーコートして用いる場合
には、オーバーコートガラスあるいはクロスオーバーガ
ラスにより導体が酸化され、導電率が変化したり、変色
がおこったりする。そのため、保存が困難である。ま
た、ルテニウム抵抗体の端子として用いる場合、ルテニ
ウム抵抗体から酸素が銅導体に移行し、銅が界面で酸化
され、電流ノイズになり易い。すなわち、導体と相手と
なる基材との間で容易に酸素が移行し、銅導体が酸化さ
れ電気的、はんだ付け性などの面で不都合が生じるなど
の重大な課題がある。また、積層セラミックコンデンサ
ーの外部電極として用いる場合にも、耐酸化性が劣るこ
とではんだ付け性あるいはメッキ性の面での問題があ
る。There is also a conductor made of copper, but when it is used by soldering to a circuit, it is difficult to get solder, or when glass is used as an insulating paste by overcoating, an overcoat glass or a crossover glass is used. The conductor is oxidized, causing a change in conductivity or discoloration. Therefore, it is difficult to store. Further, when used as a terminal of a ruthenium resistor, oxygen is transferred from the ruthenium resistor to a copper conductor and copper is oxidized at the interface, which easily causes current noise. That is, there is a serious problem that oxygen is easily transferred between the conductor and the base material as a partner, and the copper conductor is oxidized to cause inconveniences in terms of electrical properties, solderability, and the like. Also, when it is used as an external electrode of a monolithic ceramic capacitor, there is a problem in terms of solderability or plating property due to poor oxidation resistance.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの
導体及び該組成の導電体を用いた導電回路、スルーホー
ル導体、積層セラミックコンデンサー外部電極、多層基
板用導電回路、ルテニウム系抵抗体端子電極に関するも
のである。In order to solve the above-mentioned problems, the structure of the present invention comprises a conductor as described in the claims and a conductive circuit using a conductor of the composition, a through-hole conductor, and a laminate. The present invention relates to an external electrode of a ceramic capacitor, a conductive circuit for a multilayer substrate, and a ruthenium-based resistor terminal electrode.
【0006】本発明の導電体の作製法は、導電性ペース
ト、メッキ、蒸着、スパッタリングにより作製すること
ができるが、導電性ペーストを用いるのが好ましい。特
に、本発明者により既に出願されている(特願平3−7
8298号)導電性ペーストを用いるのが好ましい。開
示内容によれば、導電性ペーストは、一般式Agx Cu
1-x (ただし、xは0.001≦x≦0.4で表され、
且つ表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、粒子表面に
向かって銀濃度が増加する領域を有する銅合金粉末、及
びガラスフリット、有機ビヒクルからなる導電性ペース
トであるが、該組成の導電性ペーストを用いて本発明の
表面に銀が濃縮し、且つ表面に向かって銀濃度が増加す
る領域を有する導電体を作製する場合には、本発明で用
いられるセラミックス基材とは、アルミナ基板、ちっか
アルミナ基板、ガラス基板、ちっか珪素基板、および前
記基板上に印刷焼成されたクロスオーバーガラス基板、
多層基板用グリーンシート、積層セラミックコンデンサ
ー、ルテニウム系抵抗体などのセラミックス基材上に該
ペーストを印刷、塗布し、高温度で焼成して得られるも
のである。該組成の導電性ペーストを用いた場合の本発
明の導電体が得られる機構としては、一般式がAgx C
u1-x (ただし、0.001≦x≦0.4、原子比)で
表され、粒子表面の銀濃度が高く、且つ表面に向かって
銀濃度が増加する領域を有する銅合金粉末からなる導電
性ペーストを不活性雰囲気中、前記温度範囲で焼結させ
た場合、粉末が焼結をおこし、粉末どうしが結合してい
き、粒子形状がくずれていく。個々の粒子は表面に銀が
富んだ構造を有しているが、焼結で本発明の導電体を作
製中粒子中の表面の銀濃度は低濃度の方向に拡散が始ま
る。しかし、融解により導電体を形成するのではなく融
点以下での焼結により本発明の導電体が作製されるた
め、銀濃度の平均化は生ぜず、銀濃度が表面に向かっ
て、増加する領域は維持される。焼結させる不活性ガス
雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素およ
びそれらの混合ガスが挙げられる。ただし、本発明の導
電体中に有機ビヒクルの未焼成物が残るのを防止するた
めに、焼成雰囲気中に少量の酸素、あるいは水蒸気を混
合させるのが好ましい。この場合、酸素ドープ量として
は、60ppm以下が好ましい。これを超える場合に
は、本発明の導電体の表面銀濃度が低下がおこり、銀濃
度の増加領域が得られなくなる。そればかりか、表面の
銅酸化物が増加する。好ましくは、40ppm以下であ
る。The conductor of the present invention can be prepared by a conductive paste, plating, vapor deposition or sputtering, but it is preferable to use the conductive paste. In particular, the present inventor has already filed an application (Japanese Patent Application No. 3-7).
8298) It is preferable to use a conductive paste. According to the disclosure, the conductive paste is of the general formula Ag x Cu.
1-x (where x is represented by 0.001 ≦ x ≦ 0.4,
A conductive paste comprising a copper alloy powder having a surface silver concentration higher than the average silver concentration and having a region where the silver concentration increases toward the particle surface, glass frit, and an organic vehicle. When silver is concentrated on the surface of the present invention using a paste and a conductor having a region where the silver concentration increases toward the surface is prepared, the ceramic base material used in the present invention is an alumina substrate, A little alumina substrate, a glass substrate, a little silicon substrate, and a crossover glass substrate printed and baked on the substrate,
It is obtained by printing and applying the paste on a ceramic substrate such as a green sheet for a multilayer substrate, a laminated ceramic capacitor, and a ruthenium-based resistor, and firing at a high temperature. As a mechanism for obtaining the conductor of the present invention when the conductive paste having the composition is used, the general formula is Ag x C
u 1-x (provided that 0.001 ≦ x ≦ 0.4, atomic ratio), and is composed of a copper alloy powder having a high silver concentration on the particle surface and having a region where the silver concentration increases toward the surface. When the conductive paste is sintered in the above-mentioned temperature range in an inert atmosphere, the powders sinter, the powders bond with each other, and the particle shape deteriorates. Although each particle has a structure rich in silver on the surface, during the production of the conductor of the present invention by sintering, the silver concentration on the surface of the particle starts to diffuse toward the lower concentration. However, since the conductor of the present invention is produced by sintering at a temperature equal to or lower than the melting point rather than forming a conductor by melting, the silver concentration does not average, and the silver concentration increases toward the surface. Is maintained. Examples of the inert gas atmosphere for sintering include nitrogen, argon, helium, hydrogen and mixed gas thereof. However, in order to prevent the unbaked product of the organic vehicle from remaining in the conductor of the present invention, it is preferable to mix a small amount of oxygen or water vapor in the baking atmosphere. In this case, the oxygen doping amount is preferably 60 ppm or less. If it exceeds this value, the surface silver concentration of the conductor of the present invention decreases, and it becomes impossible to obtain a region where the silver concentration increases. Not only that, but the copper oxide on the surface increases. It is preferably 40 ppm or less.
【0007】焼成温度あるいは熱処理温度としては、焼
結を充分に促進させ導電体の強度を充分に確保するため
に400℃以上が必要であり、さらに強度を得るために
は、550℃以上の温度が好ましい。もし、充分な導電
体の強度がないと導電性の不都合を起こしたり、はんだ
付け時に食われが起きたりする。また、焼成あるいは熱
処理温度が高すぎると焼結よりむしろ融解がおこり、そ
のため、導電体内部での組成の均一化が生じ、本発明の
表面に銀が濃縮し、且つ表面に向かって銀が増加する領
域を有する導電体が得られなくなる。また、融解により
導電体例えば回路形状が変化したり、積層セラミックコ
ンデンサーの外部電極の形状が変化したりする。焼成あ
るいは熱処理温度は1000℃以下が好ましく、さら
に、900℃以下が好ましい。The firing temperature or heat treatment temperature is required to be 400 ° C. or higher in order to promote the sintering sufficiently and to secure the strength of the conductor sufficiently, and in order to obtain further strength, the temperature is 550 ° C. or higher. Is preferred. If the strength of the conductor is not sufficient, the conductivity may be inconvenienced or the solder may be eaten away. Further, if the firing or heat treatment temperature is too high, melting rather than sintering occurs, so that the composition inside the conductor is made uniform, silver is concentrated on the surface of the present invention, and silver increases toward the surface. It becomes impossible to obtain a conductor having a region to be filled. Further, the melting may change the shape of the conductor such as a circuit, or the shape of the external electrodes of the monolithic ceramic capacitor. The firing or heat treatment temperature is preferably 1000 ° C or lower, more preferably 900 ° C or lower.
【0008】該組成の導電性ペーストを用いて本発明の
導電体を作製する場合には、必要におうじて、焼結後、
銀を少量表面に蒸着、スパッタリングあるいはメッキ
し、その後、不活性雰囲気中で前記熱処理温度で処理
し、銀を導体内部に拡散させることでも同様にして本発
明の導電体を作製することもできる。本発明の導電体
は、一般式Agx Cu1-x (ただし、0.001≦x≦
0.4、原子比)であらわれ、且つ導電体表面の銀濃度
が平均の高く、且つ導電体表面に向かって銀濃度が増加
する領域を有しているが、導電体表面の銀濃度は平均の
銀濃度の2.1倍以上が好ましく、さらに、3倍以上3
0倍以下が好ましい。完全に銀が導電体表面を覆う場合
には耐マイグレーション性がかえって悪くなる。銀の濃
度が導電体表面で表面に向かって増加する領域を有して
いることで、導電体のはんだ食われが少なく、導電体を
高温で放置しても長期にわたる良好なはんだ付け性を維
持しているという利点がある。また、導電体自体の含有
銀量が少ないため、インピーダンスが低く、表面に銀が
高濃度に濃縮されているため高周波に対する抵抗が低い
利点も有している。これが、銅導電体に銀めっきされた
導電体であると、はんだに対して充分な導電体との接着
性が得られないばかりか、メッキ銀によってかえって銅
導電体が酸化されてしまう欠点を有している。When the conductor of the present invention is produced by using the conductive paste having the composition, if necessary, after sintering,
The conductor of the present invention can also be produced in the same manner by vapor-depositing, sputtering or plating a small amount of silver on the surface, and then treating at the heat treatment temperature in an inert atmosphere to diffuse silver into the conductor. The conductor of the present invention has the general formula Ag x Cu 1-x (where 0.001 ≦ x ≦
0.4, atomic ratio), and the average silver concentration on the surface of the conductor is high, and there is a region where the silver concentration increases toward the surface of the conductor. 2.1 times or more of the silver concentration of, and more than 3 times 3
It is preferably 0 times or less. When silver completely covers the surface of the conductor, the migration resistance is rather deteriorated. Since there is a region where the silver concentration increases toward the surface on the surface of the conductor, there is little solder erosion of the conductor, and good solderability is maintained for a long time even if the conductor is left at high temperature. Has the advantage of Further, since the conductor itself contains a small amount of silver, the impedance is low, and since silver is concentrated to a high concentration on the surface, resistance to high frequencies is also low. If this is a conductor obtained by plating a copper conductor with silver, not only does the adhesiveness with the conductor be insufficient with respect to solder, but also the copper conductor is rather oxidized by the plating silver. is doing.
【0009】本発明の導電体の銀濃度とはAg/(Ag
+Cu)、同銅濃度はCu/(Ag+Cu)(原子比)
である。表面並びに表面近くの銀濃度、銅濃度の測定は
XPS(X線光電子分光分析装置)を用いて下記の方法
で行った。 装置;KRATOS社製XSAM800 試料;試料台に導電性両面接着テープを張り付け、本発
明の導電体を表面が変形しないように両面テープ上に完
全に覆うように付着させた。The silver concentration of the conductor of the present invention means Ag / (Ag
+ Cu), the copper concentration is Cu / (Ag + Cu) (atomic ratio)
Is. The silver concentration and copper concentration on the surface and near the surface were measured by the following method using XPS (X-ray photoelectron spectroscopy analyzer). Device: XSAM800 manufactured by KRATOS, Inc. Sample: A conductive double-sided adhesive tape was attached to a sample stand, and the conductor of the present invention was attached so as to completely cover the double-sided tape so as not to deform the surface.
【0010】エッチング条件;アルゴンイオンガスを加
速電圧2KeV、アルゴンイオンビームの試料面に対す
る入射角45度、室内圧力10-7torrで毎回5分間
行った。銀濃度の測定条件:マグネシウムのKα線(電
圧12KeV、電流10mA)を入射させ、光電子の取
り出し角度は試料面に対して、90度、室内圧力10 -8
torrで行った。銀濃度の測定は、測定、次に、エッ
チングし、これを5回繰り返し行い、最初の2回の平均
値を表面の銀濃度x、表面の銅濃度1−xとした。Etching conditions: Argon ion gas is added
Fast voltage 2 KeV, for argon ion beam sample surface
Incident angle 45 degree, room pressure 10-75 minutes each time at torr
went. Measurement conditions for silver concentration: Magnesium Kα ray (electric
A pressure of 12 KeV and a current of 10 mA) are applied to collect the photoelectrons.
The projecting angle is 90 degrees with respect to the sample surface, and the room pressure is 10 -8
It was done at torr. Silver concentration is measured by
And repeat this 5 times, average the first 2 times
The values were defined as the surface silver concentration x and the surface copper concentration 1-x.
【0011】平均の銀、銅濃度の測定は、導電体を少量
切りとりその試料を濃硝酸中で溶解し、ICP(高周波
誘導結合型プラズマ発光分析計)を用いた。本発明の導
電体の形状は用途に応じていろいろな形状をとることが
でき特に指定はないが例えば導電回路、多層基板回路の
場合には、セラミックス基材上のライン状(例えば厚さ
3μm〜100μm、幅10〜1000μm)や、パッ
ト状(例えば厚さ3〜100μm)のものが挙げられ
る。スルーホール用途としては、0.1〜3mmφのセ
ラミックス基板あるいはガラス基板に空けたホールの内
壁に形成された導電体が挙げられる。The average silver and copper concentrations were measured by cutting a small amount of the conductor, dissolving the sample in concentrated nitric acid, and using an ICP (high frequency inductively coupled plasma emission spectrometer). The conductor of the present invention may have various shapes depending on the application and is not particularly specified. For example, in the case of a conductive circuit or a multi-layer substrate circuit, a linear shape (for example, a thickness of 3 μm to 100 μm, width 10 to 1000 μm) and pad-like (thickness 3 to 100 μm). Examples of the through hole use include a conductor formed on the inner wall of a hole formed in a ceramic substrate or a glass substrate having a diameter of 0.1 to 3 mm.
【0012】また、積層セラミックコンデンサーの外部
電極用途としては、内部電極がニッケル、パラジウム、
銅である誘電体の外部電極として使用できる。外部電極
としての本発明の導電体の形状は、内部電極の端子が出
ている面を充分に覆うように形成されたものであれば構
わない。多層基板回路用としては、回路を導電性ペース
トにより印刷されたグリーンシートを幾層に重ねて焼成
して得られる内層回路であるが、特にライン厚3〜50
μm、幅3〜1000μmのファインライン形状あるい
はパッド状(厚さ3〜1000μm)である。Further, as the external electrodes of the monolithic ceramic capacitor, the internal electrodes are nickel, palladium,
It can be used as an external electrode of a dielectric that is copper. The conductor of the present invention as the external electrode may have any shape as long as it is formed so as to sufficiently cover the surface of the internal electrode from which the terminal is exposed. For a multilayer substrate circuit, an inner layer circuit obtained by stacking several layers of green sheets printed with a conductive paste and firing the circuit, especially a line thickness of 3 to 50
It has a fine line shape or a pad shape (thickness 3 to 1000 μm) with a width of 3 to 1000 μm.
【0013】ルテニウム系抵抗体の端子電極としては、
ルテニウム抵抗体上に形成され、直接ルテニウム抵抗体
と接触する部分を有している。形状はラインあるいはパ
ッド状のものであるが特に大きさは指定されない。ま
た、必要に応じて、銀パラジウム系導電体との直接接触
部を有していても構わない。また、焼結により作製され
る場合には、導電体内部の空間が少ない、すなわち焼結
が充分に進んだ状態が好ましく、導電体の空間率として
は、30%未満が好ましい。空間率とは、水銀圧入式の
ポアー分布(水銀ポロシメーター、カヘロエルベ製)で
測定したものである。すなわち、空間が30Vol%を
超える場合には、導電性が悪く、はんだ付け性の150
℃、空気中放置での試験が悪くなる。好ましくは0.1
%〜30wt%であり、さらに0.5%〜25wt%で
ある。As the terminal electrode of the ruthenium-based resistor,
It is formed on the ruthenium resistor and has a portion that directly contacts the ruthenium resistor. The shape is a line or pad, but the size is not specified. Further, it may have a direct contact portion with the silver-palladium-based conductor, if necessary. In the case where the conductor is produced by sintering, it is preferable that the space inside the conductor is small, that is, the state where the sintering is sufficiently advanced, and the void ratio of the conductor is preferably less than 30%. The porosity is measured by a mercury penetration type pore distribution (mercury porosimeter, manufactured by Kahero Elbe). That is, when the space exceeds 30 Vol%, the conductivity is poor and the solderability is 150
The test is not good if left in the air at ℃. Preferably 0.1
% To 30 wt%, and further 0.5 to 25 wt%.
【0014】本発明の導電体は、表面の銀濃度が平均の
銀濃度より高く、且つ表面に向かって銀濃度が増加する
領域を有しているが、前記用途として用いる場合以下の
利点がある。つまり、表面に銀が多いため長時間高温度
のような環境性の悪いところで保管してもはんだ付け性
が良く、且つ銀が内部に向かって濃度低下するために耐
はんだ食われ性がよく、回路でのはんだ不接合、食われ
による故障が少ない。また、通常導電回路は絶縁性のオ
ーバーコートガラス、あるいはクロスオーバーガラスで
処理され用いられるが本発明の導電体の上にそのような
絶縁ペーストをオーバーコートしてもコートガラスによ
る導電体の酸化が起こらず、回路の多層化しても導電体
の特性が劣らない。The conductor of the present invention has a region in which the silver concentration on the surface is higher than the average silver concentration and the silver concentration increases toward the surface, but when used for the above-mentioned use, it has the following advantages. . In other words, since there is a lot of silver on the surface, it has good solderability even when it is stored in a bad environment such as high temperature for a long time, and since the concentration of silver decreases toward the inside, good solder corrosion resistance, There are few failures due to solder non-bonding and erosion in the circuit. In addition, a conductive circuit is usually treated with an insulating overcoat glass or a crossover glass for use, but even if such an insulating paste is overcoated on the conductor of the present invention, the conductor is not oxidized by the coated glass. This does not occur, and the characteristics of the conductor are not inferior even if the circuit is multilayered.
【0015】また、ルテニウム系抵抗体の端子に用いた
とき酸化物抵抗体による導電体の酸化が界面で起こらず
電気的ノイズがない。さらに、積層セラミックコンデン
サーの外部電極として用いた場合、表面の耐酸化性が良
いためメッキ工程でメッキしやすく、また、内部に向か
って銀濃度が減少しているため誘電体内部への拡散が起
こりにくい。Further, when used for the terminal of the ruthenium-based resistor, the oxide resistor does not oxidize the conductor at the interface, and there is no electrical noise. Furthermore, when it is used as an external electrode of a monolithic ceramic capacitor, its surface has good oxidation resistance, so it is easy to plate in the plating process, and since the silver concentration decreases toward the inside, diffusion inside the dielectric occurs. Hateful.
【0016】本発明の導電体を作製する場合、導電性ペ
ーストを用いて作製するのが好ましい。そのため用途に
よっては基板あるいは基材上に優れた接着性をもたせる
ためガラス成分がペースト中に用いられるのが好ましい
が、作製された本発明の導電体中に特性を損なわない程
度にガラス成分が混合されていても良い。例えば用いら
れるガラス成分としては、PbO、B2 O3 、Si
O2 、ZnO、CaO、Al2 O3 、Na2 O、K
2 O、MgO、Bi2 O3 、TiO2 、ZrO2 、など
の成分を含むものが挙げられる。混合されているガラス
成分量としては、導電体100重量部に対して30重量
部以下が好ましく、さらに、15重量部以下が好まし
い。30重量部を超える場合には、導電体の導電性が著
しく劣る。When the conductor of the present invention is manufactured, it is preferable to use a conductive paste. Therefore, depending on the application, it is preferable that the glass component is used in the paste in order to have excellent adhesiveness on the substrate or the base material, but the glass component is mixed in the produced electric conductor of the present invention to the extent that characteristics are not impaired. It may be done. For example, glass components used include PbO, B 2 O 3 , and Si.
O 2 , ZnO, CaO, Al 2 O 3 , Na 2 O, K
Examples include those containing components such as 2 O, MgO, Bi 2 O 3 , TiO 2 , and ZrO 2 . The amount of the mixed glass component is preferably 30 parts by weight or less, and more preferably 15 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the conductor. If it exceeds 30 parts by weight, the electrical conductivity of the conductor will be remarkably poor.
【0017】ガラス成分が混合されている場合、本発明
の導電体表面にはなるべくガラス成分が存在しているこ
とがないのが好ましく、ガラス成分が導電体表面に多量
に存在する場合、はんだ付け性が著しく劣る。表面の
銀、銅成分合計100重量部に対して前記ガラス成分の
合計が100重量部以下であることが好ましい。When the glass component is mixed, it is preferable that the glass component is not present on the surface of the conductor of the present invention as much as possible. When the glass component is present in a large amount on the surface of the conductor, soldering is performed. It is extremely inferior in sex. It is preferable that the total amount of the glass components is 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total silver and copper components on the surface.
【0018】[0018]
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 粉末作製実施例EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. Powder preparation example
【0019】[0019]
【実施例1】表面の銀濃度が0.8原子比で平均の銀濃
度が0.1原子比、銅濃度が0.9原子比である平均粒
子径10μmの導電性粉末10g、PbO−B2 O3 −
ZnOガラスフリット0.2g、エチルセルロース0.
02g、テルペノール0.2g、酸化第一銅0.1gか
らなるペーストをアルミナ基板上にスクリーン印刷によ
り幅100μm、厚さ15μmのラインからなる回路を
形成した。印刷後、900℃窒素雰囲気中(<10pp
m酸素)で10分間焼成した。この時、550℃まで酸
素60ppmドープした。Example 1 10 g of conductive powder having an average particle diameter of 10 μm and a surface silver concentration of 0.8 atomic ratio, an average silver concentration of 0.1 atomic ratio, and a copper concentration of 0.9 atomic ratio, PbO-B 2 O 3 −
ZnO glass frit 0.2 g, ethyl cellulose 0.
A paste consisting of 02 g, terpenol 0.2 g, and cuprous oxide 0.1 g was screen-printed on an alumina substrate to form a circuit having a line with a width of 100 μm and a thickness of 15 μm. After printing, in a nitrogen atmosphere at 900 ° C (<10pp
m oxygen) for 10 minutes. At this time, 60 ppm of oxygen was doped up to 550 ° C.
【0020】得られた導電体をアルミナ基板についたま
ま5mm角に切断し、XPS測定をした。導電体表面の
銀濃度は、表面より0.6、0.5、0.3、0.2、
0.15で、表面の銀濃度は0.55であった。また、
導電体を濃硝酸に溶解後分析したところ、平均の銀濃度
xは0.1であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の5.
5倍であった。導電体を一部切り取り導電体の空間率を
ポロシメーターで測定したところ15Vol%であっ
た。The resulting conductor was cut into a 5 mm square while still attached to the alumina substrate, and XPS measurement was performed. The silver concentration on the surface of the conductor is 0.6, 0.5, 0.3, 0.2,
At 0.15, the surface silver concentration was 0.55. Also,
When the conductor was dissolved in concentrated nitric acid and analyzed, the average silver concentration x was 0.1, and the surface silver concentration was 5.
It was 5 times. A part of the conductor was cut off, and the porosity of the conductor was measured with a porosimeter to find that it was 15 Vol%.
【0021】導電性は2×10−6Ω・cmと良好であ
った。また、はんだ付け性は100%であった。さら
に、得られた導電体を150℃100時間空気中で放置
したのち、はんだ付けしてみたところ100%に近いは
んだ付け性を示した。また、はんだ食われ試験を260
℃共晶はんだ浴に10秒間dipして行ったところ、断
線は見られなかった。The conductivity was as good as 2 × 10 −6 Ω · cm. The solderability was 100%. Furthermore, when the obtained conductor was left in the air at 150 ° C. for 100 hours and then soldered, a solderability close to 100% was exhibited. Also, the solder erosion test is performed 260
When a dip was conducted in a eutectic solder bath at 10 ° C for 10 seconds, no disconnection was observed.
【0022】また、オーバーコートガラスペーストをラ
イン状導電体上に印刷し、窒素雰囲気中で焼成したとこ
ろ、ライン状導電体のオーバーコートガラスによる酸化
は起こらなかった。マイグレーション試験をしたとこ
ろ、導電体ライン間の漏れ電流は銅と同程度と非常に少
なかった。When the overcoat glass paste was printed on the linear conductor and fired in a nitrogen atmosphere, the linear conductor was not oxidized by the overcoat glass. When a migration test was conducted, the leakage current between the conductor lines was as small as that of copper.
【0023】[0023]
【実施例2】実施例1で用いた導電性ペーストをアルミ
ナ基板上に空けた0.3mmφのホールにスクリーン印
刷を用いてホール内壁に印刷した。その後、850℃
窒素雰囲気中(5ppm酸素ドープ)で焼成しスルーホ
ール導電体とした。得られた導電体を3mm角に基板に
付いたままカットし、XPSを用いて導電体の表面を分
析した。導電体表面の銀濃度は0.5、0.45、0.
3、0.3、0.2であり、表面の銀濃度は0.475
であった。平均の銀濃度は0.1であり、表面の銀濃度
は平均の銀濃度の4.75倍であった。導電体の空間率
は20Vol%であった。Example 2 The conductive paste used in Example 1 was printed on the inner wall of a hole by screen printing in a 0.3 mmφ hole formed on an alumina substrate. After that, 850 ℃
It was fired in a nitrogen atmosphere (5 ppm oxygen doped) to obtain a through-hole conductor. The obtained conductor was cut into a 3 mm square while being attached to the substrate, and the surface of the conductor was analyzed using XPS. The silver concentration on the surface of the conductor is 0.5, 0.45, 0.
3, 0.3, 0.2, and the surface silver concentration is 0.475.
Met. The average silver concentration was 0.1, and the surface silver concentration was 4.75 times the average silver concentration. The porosity of the conductor was 20 Vol%.
【0024】導電性は、2mΩと良好であった。また、
はんだ付け性は100%であった。さらに、150℃1
00時間空気中で放置後、はんだ付け試験したところ、
100%のはんだ付け性を示した。また、オーバーコー
トガラスペーストをスルーホール導電体上にスクリーン
印刷した。印刷しさらに、焼成したところ、導電体はガ
ラスペーストに酸化されず電気特性は良好であった。The conductivity was as good as 2 mΩ. Also,
The solderability was 100%. Furthermore, 150 ℃ 1
After leaving it in the air for 00 hours, a soldering test
It showed 100% solderability. Also, the overcoat glass paste was screen-printed on the through-hole conductor. When printed and fired, the conductor was not oxidized into a glass paste and had good electrical characteristics.
【0025】マイグレーション試験をスルーホール導電
体間(0.3mm間隔)で10V、60℃、90%相対
湿度中で行ったところ、マイグレーション性は銅導電体
とほぼ同じで少なかった。はんだ食われ試験をしたとこ
ろ、260℃10秒間dip試験では、はんだ食われが
起こらなかった。When the migration test was conducted between the through-hole conductors (at intervals of 0.3 mm) at 10 V, 60 ° C. and 90% relative humidity, the migration property was almost the same as that of the copper conductor and was small. When a solder erosion test was performed, solder erosion did not occur in the dip test at 260 ° C. for 10 seconds.
【0026】[0026]
【実施例3】実施例1で用いた導電性ペーストをニッケ
ルを内部電極とする積層セラミックコンデンサーの外部
電極として内部電極の析出面に塗布した。さらに、80
0℃窒素雰囲気中(10ppm酸素ドープ)で10分間
焼成した。得られた導電体をコンデンサー体のまま、X
PSで測定したところ、表面の銀濃度は表面より0.
5、0.45、0.35、0.25、0.15であり、
表面の銀濃度は0.475であった。平均の銀濃度は
0.1であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の4.75
倍であった。得られたコンデンサーの電気容量は規格の
電気容量を示した。また、ニッケルを導電体上にメッキ
したところ、100%完全にメッキできた。150℃1
00時間導電体を放置し、同様にメッキしたところ10
0%の完全なメッキができた。Example 3 The conductive paste used in Example 1 was applied to the deposition surface of the internal electrode as an external electrode of a laminated ceramic capacitor having nickel as an internal electrode. Furthermore, 80
Firing was performed for 10 minutes in a 0 ° C. nitrogen atmosphere (10 ppm oxygen dope). Using the obtained conductor as a capacitor, X
When measured by PS, the silver concentration on the surface was 0.
5, 0.45, 0.35, 0.25, 0.15,
The surface silver concentration was 0.475. The average silver concentration is 0.1, and the surface silver concentration is 4.75 of the average silver concentration.
It was double. The electric capacity of the obtained capacitor showed the standard electric capacity. Also, when nickel was plated on the conductor, it could be plated 100% completely. 150 ° C 1
When the conductor was left for 00 hours and plated in the same manner, 10
Complete plating of 0% was completed.
【0027】また、はんだを用いて銅リード線を取り付
けたところ、取付は接着力共に完全であった。また、1
50℃100時間後に同様にしてはんだを用いてリード
線を取り付けたところ、良好な取付ができた。60℃9
0%湿度中、100Vの電圧を印可したまま放置したと
ころ、銀の誘電体素体中へのマイグレーションは観測さ
れなかった。測定は、誘電体素体を試験後切断し、EP
MAを用いて行った。When a copper lead wire was attached using solder, the attachment was complete in terms of adhesive strength. Also, 1
When the lead wire was attached using solder in the same manner after 100 hours at 50 ° C., good attachment was possible. 60 ° C 9
When left to stand with a voltage of 100 V applied in 0% humidity, migration of silver into the dielectric body was not observed. For the measurement, the dielectric body is cut after the test, and EP
This was done using MA.
【0028】[0028]
【実施例4】表面の銀濃度が0.07、平均の銀濃度が
0.01である平均粒子径5μmの銅合金粉末10g、
PbO−SiO2 −B2 O3 系ガラスフリット0.3
g、エチルセルロース0.01g、テルペノール0.5
gを充分に混合し、ペーストとした。得られたペースト
をムライトを主成分にしたグリーンシート上にスクリー
ン印刷で幅100μm、厚さ10μmのファインライン
回路を印刷した。同様にしてグリーンシートを6枚つく
りホットプレスで多層化し、650℃窒素雰囲気中(2
0ppm酸素ドープ)で10分間焼成した。さらに、水
素1%含有窒素雰囲気中で焼成し、多層回路基板を作製
した。得られた導電体の一部を切断し、導電体表面が変
形しないようにしてXPSで表面を測定した。ファイン
ライン導電体の表面の銀濃度は0.05、0.04、
0.034、0.03、0.025で、表面の銀濃度は
0.045であり、平均の銀濃度は0.01であった。
表面の銀濃度は平均の銀濃度の4.5倍であった。Example 4 10 g of copper alloy powder having an average particle size of 5 μm and a surface silver concentration of 0.07 and an average silver concentration of 0.01,
PbO-SiO 2 -B 2 O 3 based glass frit 0.3
g, ethyl cellulose 0.01 g, terpenol 0.5
g was thoroughly mixed to form a paste. The obtained paste was screen-printed on a green sheet containing mullite as a main component to print a fine line circuit having a width of 100 μm and a thickness of 10 μm. In the same way, make 6 green sheets to make multiple layers by hot pressing, and in a nitrogen atmosphere at 650 ° C (2
It was baked with 0 ppm oxygen dope) for 10 minutes. Further, it was fired in a nitrogen atmosphere containing 1% of hydrogen to produce a multilayer circuit board. A part of the obtained conductor was cut, and the surface was measured by XPS so that the surface of the conductor was not deformed. The silver concentration on the surface of the fine line conductor is 0.05, 0.04,
At 0.034, 0.03 and 0.025, the surface silver concentration was 0.045, and the average silver concentration was 0.01.
The silver concentration on the surface was 4.5 times the average silver concentration.
【0029】得られたファインライン導電体(幅100
μm、間隔80μm)間に10V、60℃、90%湿度
中で放置したところ、マイグレーションは銅導体と殆ど
同じで非常に少なかった。導電体の空間率は10Vol
%であった。ファインライン導電体にはんだ付けしたと
ころ、100%はんだ付けかのうであった。また、15
0℃100時間空気中で放置した後、はんだ付けしたと
ころ100%はんだ付けできた。さらに、260℃10
秒共晶はんだ浴中にdip試験したところ、はんだ食わ
れは殆どなく断線しなかった。The fine line conductor obtained (width 100
When left at 10 V, 60 ° C., and 90% humidity for 10 μm), the migration was almost the same as that of the copper conductor and was very small. Porosity of conductor is 10 Vol
%Met. When it was soldered to the fine line conductor, it was 100% solderable. Also, 15
After leaving it in the air at 0 ° C. for 100 hours and then soldering, 100% soldering could be performed. Furthermore, 260 ° C 10
When a dip test was carried out in a second eutectic solder bath, there was almost no solder erosion and no wire breakage.
【0030】さらに、ファインライン導電体の上に、ク
ロスオーバーガラスを塗布し、焼成したところ、ファイ
ンライン導電体は酸化されず導電性は殆ど変化しなかっ
た。Furthermore, when crossover glass was applied onto the fine line conductor and fired, the fine line conductor was not oxidized and the conductivity was hardly changed.
【0031】[0031]
【実施例5】アルミナ基板上に市販ルテニウム系抵抗体
(1MΩ用)を幅200μm、厚さ15μm、長さ20
mmで印刷し、850℃空気中で焼成した。さらに、実
施例4で用いた導電性ペーストをさきに焼成したルテニ
ウム抵抗体の両端子部分に長さ2mm部分重なるように
印刷した。さらに、600℃ 窒素雰囲気中(酸素30
ppmドープ)で10分間焼成した。導電体の表面の銀
濃度は,表面より0.05、0.044、0.4、0.
36、0.32であり、表面の銀濃度は0.047であ
った。平均の銀濃度は0.01であり、表面の銀濃度は
平均の銀濃度の4.7倍であった。Example 5 A commercially available ruthenium-based resistor (for 1 MΩ) was provided on an alumina substrate with a width of 200 μm, a thickness of 15 μm, and a length of 20.
mm and printed in air at 850 ° C. Further, the conductive paste used in Example 4 was printed so as to partially overlap with both terminals of the previously burned ruthenium resistor by a length of 2 mm. Furthermore, in a nitrogen atmosphere at 600 ° C. (oxygen 30
(ppm dope) and baked for 10 minutes. The silver concentration on the surface of the conductor is 0.05, 0.044, 0.4, 0.
36 and 0.32, and the surface silver concentration was 0.047. The average silver concentration was 0.01, and the surface silver concentration was 4.7 times the average silver concentration.
【0032】ルテニウム抵抗体の抵抗値は規定の抵抗値
を示し、150℃100時間放置後の抵抗値は初期抵抗
値と変化なく、ルテニウム抵抗体と導電体との界面にお
ける酸化はなかった。導電体の空間率は25Vol%で
あった。The resistance value of the ruthenium resistor showed a specified resistance value, the resistance value after standing for 100 hours at 150 ° C. did not change from the initial resistance value, and there was no oxidation at the interface between the ruthenium resistor and the conductor. The porosity of the conductor was 25 Vol%.
【0033】[0033]
【実施例6】実施例4のペーストを内部電極が銅である
積層セラミックコンデンサーの外部電極として塗布し
た。塗布後、800℃窒素雰囲気中(酸素50ppmド
ープ)で10分間焼成した。得られた導電体の表面分析
の結果、銀濃度は0.06、0.05、0.045、
0.42、0.36であり、表面の銀濃度は0.055
であり、平均の銀濃度の5.5倍であった。Example 6 The paste of Example 4 was applied as an external electrode of a monolithic ceramic capacitor whose internal electrode was copper. After coating, the coating was baked at 800 ° C. in a nitrogen atmosphere (50 ppm oxygen doping) for 10 minutes. As a result of the surface analysis of the obtained conductor, the silver concentration was 0.06, 0.05, 0.045,
0.42 and 0.36, and the surface silver concentration is 0.055
Which was 5.5 times the average silver concentration.
【0034】電気容量は規定の容量値を示した。また、
150℃100時間空気中放置後でもはんだ付け試験を
したところ、100%はんだ付け性が得られリード線を
充分な接着力のもとで取付できた。さらに、ニッケルメ
ッキ試験をしたところ、初期及び150℃100時間放
置後でも充分なメッキ性が得られた。導電体の一部を切
り取り空間率を測定したところ25Vol%であった。The electric capacity showed a specified capacity value. Also,
When a soldering test was performed after leaving it in the air at 150 ° C. for 100 hours, 100% solderability was obtained and the lead wire could be attached with sufficient adhesive force. Furthermore, when a nickel plating test was conducted, sufficient plating properties were obtained even at the initial stage and after standing at 150 ° C. for 100 hours. When a part of the conductor was cut off and the porosity was measured, it was 25 Vol%.
【0035】[0035]
【実施例7】表面の銀濃度が0.9であり、平均の銀濃
度が0.3である平均粒子径2μmの銅合金粉末10
g、PbO−SiO2 −ZnO−B2 O3 系ガラスフリ
ット0.1g、アクリル樹脂0.2g、ブチルカルビト
ールアセテート0.4gからなる導電性ペーストを作製
した。得られたペーストをガラス基板上に幅100μ
m、厚さ12μmのファインライン回路を印刷した。印
刷後、600℃窒素雰囲気中(酸素30ppmドープ)
で15分間加熱焼成した。得られた導電体の表面の銀濃
度は、0.95、0.9、0.86、0.6、0.5で
あり、表面の銀濃度は0.925であった。平均の銀濃
度は0.3であり、表面の銀濃度は平均の銀濃度の3.
1倍であった。Example 7 A copper alloy powder 10 having a surface silver concentration of 0.9 and an average silver concentration of 0.3 and an average particle diameter of 2 μm.
g, PbO—SiO 2 —ZnO—B 2 O 3 -based glass frit 0.1 g, acrylic resin 0.2 g, and butyl carbitol acetate 0.4 g. Width of the obtained paste is 100μ on the glass substrate
m, and a fine line circuit having a thickness of 12 μm was printed. After printing, in a nitrogen atmosphere at 600 ° C (oxygen 30ppm dope)
And baked for 15 minutes. The silver concentration on the surface of the obtained conductor was 0.95, 0.9, 0.86, 0.6, 0.5, and the silver concentration on the surface was 0.925. The average silver concentration is 0.3, and the surface silver concentration is 3.
It was 1 time.
【0036】はんだ付け性は100%であった。また、
150℃100時間放置後のはんだ付け性も試験したと
ころ、100%であった。オーバーコートガラスを導電
体上に印刷し焼成したところ、変色もなく、ガラスペー
ストによる導電体の酸化は見られなかった。導電体の空
間率は15Vol%であった。The solderability was 100%. Also,
When the solderability after standing at 150 ° C. for 100 hours was also tested, it was 100%. When the overcoated glass was printed on the conductor and fired, there was no discoloration and no oxidation of the conductor by the glass paste was observed. The porosity of the conductor was 15 Vol%.
【0037】[0037]
【実施例8】実施例7で作製した導電性ペーストを用い
てグリーンシートを多層化し、同時焼成した多層基板の
最外層上に幅80μm、厚さ12μmのファインライン
をスクリーン印刷した。600℃窒素雰囲気中(酸素6
0ppmドープ)で10分間加熱焼成した。導電体の表
面の銀濃度は表面より0.93、0.88、0.83、
0.73、0.6であり、表面の銀濃度は0.905で
あった。平均の銀濃度は0.3であり、表面の銀濃度は
平均の銀濃度の3倍であった。Example 8 A green sheet was multilayered using the conductive paste prepared in Example 7, and a fine line having a width of 80 μm and a thickness of 12 μm was screen-printed on the outermost layer of the multilayer substrate which was co-fired. 600 ° C in a nitrogen atmosphere (oxygen 6
It was heated and baked for 10 minutes with 0 ppm dope). The silver concentration on the surface of the conductor is 0.93, 0.88, 0.83,
It was 0.73 and 0.6, and the surface silver concentration was 0.905. The average silver concentration was 0.3 and the surface silver concentration was three times the average silver concentration.
【0038】はんだ付け試験をしたところ、初期、15
0℃100時間空気中放置後でも100%の付け性が得
られた。When a soldering test was conducted, the initial value was 15
Even after standing in the air at 0 ° C. for 100 hours, 100% attachability was obtained.
【0039】[0039]
【0040】[0040]
【比較例1】実施例4で作製した平均銀濃度0.01、
表面の銀濃度0.07の銅合金粉末からなる導電性ペー
ストをちっかアルミニウム基板上にスクリーン印刷し、
幅100μm、厚さ10μmの回路を形成した。さら
に、、900℃窒素雰囲気中(酸素100ppmドー
プ)で10分間加熱焼成した。得られた導電体の表面の
銀濃度は表面より0.002、0.003、0.00
8、0.005、0.01であり、表面の銀濃度は0.
0025であった。平均の銀濃度は0.01であり、表
面の銀濃度は平均の銀濃度の0.25倍であった。ま
た、表面の銅は酸化されていた。[Comparative Example 1] The average silver concentration produced in Example 4 was 0.01,
Conductive paste consisting of copper alloy powder with a silver concentration of 0.07 on the surface is screen printed on an aluminum substrate,
A circuit having a width of 100 μm and a thickness of 10 μm was formed. Further, it was heated and baked at 900 ° C. in a nitrogen atmosphere (100 ppm oxygen dope) for 10 minutes. The silver concentration on the surface of the obtained conductor is 0.002, 0.003, 0.00 from the surface.
8, 0.005, 0.01, and the surface silver concentration is 0.
It was 0025. The average silver concentration was 0.01 and the surface silver concentration was 0.25 times the average silver concentration. Further, the copper on the surface was oxidized.
【0041】はんだ付け性を試験したところ、付け性は
10%以下と悪かった。また、150℃100時間空気
中放置したところ、はんだ付け性は悪く殆どつかなかっ
た。また、オーバーコートガラスペーストを印刷し、焼
成したところ、ガラスにより酸化がおこり、導電体の表
面が変色した。When the solderability was tested, the solderability was poor at 10% or less. Also, when left in the air at 150 ° C. for 100 hours, the solderability was poor and almost no soldering occurred. When the overcoat glass paste was printed and fired, the glass was oxidized and the surface of the conductor was discolored.
【0042】[0042]
【比較例2】表面の銀濃度が0.8であり、平均の銀濃
度が0.6である平均粒子径5μmの銅合金粉末10
g、PbO−ZnO−B2 O3 系ガラスフリット0.5
g、エチルセルロース0.1g、ブチルカルビトールア
セテート0.3gからなる導電性ペーストを6層からな
る多層基板上にスクリーン印刷により100μm幅、厚
さ10μmの回路を形成した。さらに、600℃窒素雰
囲気中(酸素10ppmドープ)で10分間加熱焼成し
た。導電体の表面銀濃度は0.8、0.7、0.7、
0.68、0.6であり、表面の銀濃度は0.75であ
った。平均の銀濃度は0.6であり、表面の銀濃度は平
均の銀濃度の1.25倍であった。Comparative Example 2 Copper alloy powder 10 having an average particle size of 5 μm and a surface silver concentration of 0.8 and an average silver concentration of 0.6.
g, PbO-ZnO-B 2 O 3 based glass frit 0.5
A circuit having a width of 100 μm and a thickness of 10 μm was formed by screen-printing a conductive paste composed of g, 0.1 g of ethyl cellulose and 0.3 g of butyl carbitol acetate on a multi-layered substrate of 6 layers. Further, it was heated and baked in a nitrogen atmosphere at 600 ° C. (10 ppm oxygen doping) for 10 minutes. The surface silver concentration of the conductor is 0.8, 0.7, 0.7,
It was 0.68 and 0.6, and the surface silver concentration was 0.75. The average silver concentration was 0.6, and the surface silver concentration was 1.25 times the average silver concentration.
【0043】はんだ付け性は初期100%であり、15
0℃100時間空気中で放置しても100%のはんだ付
け性であったが、260℃10秒間はんだ浴中でdip
試験したところ、はんだ食われがおこり断線した。ま
た、マイグレーション試験をしたところ、10V、60
℃90%湿度中で著しいマイグレーションが起こり、黒
く着色した。The solderability was 100% at the initial stage and was 15
The solderability was 100% even if left in the air at 0 ° C for 100 hours, but dip in a solder bath at 260 ° C for 10 seconds.
Upon testing, solder erosion occurred and the wire was broken. Moreover, when a migration test was conducted, 10V, 60
A remarkable migration occurred at 90 ° C in a humidity of 90%, and it was colored black.
【0044】[0044]
【比較例3】銅粉末10g、PbO−ZnO−B2 O3
系ガラスフリット0.3g、エチルセルロース0.2
g、テルペノール0.3gからなる導電性ペーストをア
ルミナ基板上にスクリーン印刷により形成した。さら
に、900℃窒素雰囲気中(酸素5ppmドープ)で1
0分間加熱焼成した。得られた導電体のはんだ付け試験
をしたところ、70%であった。しかし、150℃10
0時間空気中放置後のはんだ付け試験をしたところ、1
0%以下と悪かった。また、オーバーコートガラスペー
ストを印刷し、焼成したところ、導電体の変色と、導電
率が著しく低下した。[Comparative Example 3] Copper powder 10g, PbO-ZnO-B 2 O 3
Glass frit 0.3 g, ethyl cellulose 0.2
and a conductive paste of 0.3 g of terpenol were formed on an alumina substrate by screen printing. Furthermore, in a nitrogen atmosphere at 900 ° C. (oxygen 5 ppm doping), 1
It was heated and baked for 0 minutes. The soldering test of the obtained conductor was 70%. However, 150 ° C 10
After a soldering test after leaving it in the air for 0 hours, 1
It was bad at 0% or less. Further, when the overcoat glass paste was printed and fired, the discoloration of the conductor and the conductivity were remarkably reduced.
【0045】はんだ食われ試験でははんだ食われは起こ
らなかった。また、マイグレーション試験の結果、非常
にマイグレーションが起こりにくかった。In the solder erosion test, solder erosion did not occur. In addition, as a result of the migration test, migration was extremely difficult to occur.
【0046】[0046]
【比較例4】市販銀粉(平均粒子径1μm)10g、P
bO−SiO2 −CaOガラスフリット0.4g、メチ
ルセルロース0.1g、ブチルセロソルブアセテート1
gを充分に混合して、ペーストとした。得られたペース
トを主成分をアルミナよりなるグリーンシートに100
μmライン(間隔100μm)を20本印刷した。同様
にして6枚のグリーンシートを印刷して6枚ホットプレ
スで積層し、600℃で空気中1時間処理し、脱バイン
ダーを行った。[Comparative Example 4] 10 g of commercially available silver powder (average particle size 1 μm), P
bO-SiO 2 -CaO glass frit 0.4 g, methyl cellulose 0.1 g, butyl cellosolve acetate 1
g was mixed thoroughly to form a paste. 100% of the obtained paste on a green sheet composed mainly of alumina.
20 μm lines (interval 100 μm) were printed. In the same manner, six green sheets were printed and laminated by hot pressing six sheets, and treated at 600 ° C. in air for 1 hour to remove the binder.
【0047】さらに、水素1%含有窒素雰囲気中で90
0℃1時間処理した。得られた導電性は1.5mΩ/□
であった。しかし、ライン間に10V(直流電圧)を印
可し、60℃、90湿度雰囲気中で放置したところ、瞬
く間にマイグレーションが起こり、短絡した。また、は
んだ食われの結果、断線がおこった。Further, in a nitrogen atmosphere containing 1% of hydrogen, 90
It was treated at 0 ° C. for 1 hour. The obtained conductivity is 1.5 mΩ / □
Met. However, when 10 V (DC voltage) was applied between the lines and left in an atmosphere of 60 ° C. and 90 humidity, migration occurred in an instant and a short circuit occurred. Also, as a result of solder erosion, wire breakage occurred.
【0048】[0048]
【比較例5】比較例2で作製した、導電性ペーストを積
層セラミックコンデンサーの外部電極として塗布した。
800℃窒素雰囲気中で10分間焼成した。得られた導
電体の表面の銀濃度は0.7、0.65、0.6、0.
6、0.6であり、表面の銀濃度は0.675であっ
た。平均の銀濃度は0.6であり、表面の銀濃度は平均
の銀濃度の1.13倍であった。リード線をはんだ付け
して引っ張ったところ、はんだ食われがおこり、取付部
から容易にはずれた。Comparative Example 5 The conductive paste prepared in Comparative Example 2 was applied as an external electrode of a laminated ceramic capacitor.
Firing was performed in a nitrogen atmosphere at 800 ° C. for 10 minutes. The silver concentration on the surface of the obtained conductor was 0.7, 0.65, 0.6, 0.
6, 0.6, and the surface silver concentration was 0.675. The average silver concentration was 0.6, and the surface silver concentration was 1.13 times the average silver concentration. When the lead wire was soldered and pulled, solder erosion occurred and it was easily removed from the mounting part.
【0049】また、60℃90%湿度中で放置したとこ
ろ、誘電体素体内部への銀の拡散が起こり、内部電極間
でマイグレーションが短絡が起こった。When left at 60 ° C. and 90% humidity, diffusion of silver into the dielectric body occurred and migration short-circuited between the internal electrodes.
【0050】[0050]
【比較例6】比較例3で作製した銅ペーストを既に印刷
形成されたルテニウム系抵抗体上に印刷し、窒素雰囲気
中(10ppm酸素ドープ)600℃で10分間焼成し
た。得られたルテニウム系抵抗体の抵抗率は規格値より
高かった。また、150℃100時間空気中でエージン
グしたところ、抵抗値はさらに増加した。ルテニウム抵
抗体と銅の導電体との界面に酸化銅がかなりできてい
た。Comparative Example 6 The copper paste prepared in Comparative Example 3 was printed on a ruthenium-based resistor that had already been formed by printing, and baked at 600 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere (10 ppm oxygen doping). The resistivity of the obtained ruthenium-based resistor was higher than the standard value. Further, when the sample was aged in air at 150 ° C. for 100 hours, the resistance value was further increased. A large amount of copper oxide was formed at the interface between the ruthenium resistor and the copper conductor.
【0051】[0051]
【発明の効果】本発明は、一般式Agx Cu1-x (ただ
し、0.001≦x≦0.4、原子比)で表され、表面
の銀濃度が平均の銀濃度より高く、且つ表面に向かって
銀濃度が増加する領域を有する導電体及び、該導電体を
用いた回路、スルーホール導電体、積層セラミックコン
デンサー外部電極、ルテニウム系抵抗体の端子電極、多
層基板回路に関するものであるが、効果としては、表面
に銀が高濃度であるため、導電体として用いる場合に、
はんだ付け性が、部品を高温度で放置していても、良好
で不良率が極端に少なくなる利点を有し、さらに、リー
ド線の取付けや、ファインラインでの確実なはんだ付け
が可能である。The present invention is represented by the general formula Ag x Cu 1-x (where 0.001 ≦ x ≦ 0.4, atomic ratio), and the surface silver concentration is higher than the average silver concentration, and The present invention relates to a conductor having a region where the silver concentration increases toward the surface, a circuit using the conductor, a through-hole conductor, a laminated ceramic capacitor external electrode, a ruthenium-based resistor terminal electrode, and a multilayer substrate circuit. However, as an effect, since silver is highly concentrated on the surface, when used as a conductor,
Solderability has the advantage that even if the component is left at high temperature, the defect rate is extremely small, and furthermore, lead wires can be attached and reliable soldering on fine lines is possible. .
【0052】また、銀が表面から内部へ向かって減少し
ているため、局部電池の発生が少なく、腐食されにく
く、はんだに対して食われが少ない。また、積層セラミ
ックコンデンサーの様に、内部電極間が狭いものに関し
てはマイグレーションによる容量の減少がおこらない利
点がある。さらに、ルテニウム抵抗体との界面における
導電体の酸化が抑えられ、安定した抵抗体が得られるこ
とにある。Further, since the amount of silver decreases from the surface toward the inside, the occurrence of local batteries is small, corrosion is unlikely, and the solder is less eroded. Further, there is an advantage that the capacitance does not decrease due to migration in the case where the distance between the internal electrodes is small like the monolithic ceramic capacitor. Further, the oxidation of the conductor at the interface with the ruthenium resistor is suppressed, and a stable resistor can be obtained.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/46 S 6921−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H05K 3/46 S 6921-4E
Claims (8)
が一般式Agx Cu 1-x (ただし、0.001≦x≦
0.4、原子比)で表され、且つ導電体表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、且つ導電体表面に向かって銀濃
度が増加する領域を有する導電体。1. A conductor formed on a ceramic substrate.
Is the general formula AgxCu 1-x(However, 0.001 ≦ x ≦
0.4, atomic ratio), and the silver concentration on the surface of the conductor is
Higher than the average silver concentration, and silver concentration increases toward the conductor surface.
A conductor having a region of increasing degree.
%〜30Vol%であることを特徴とする導電体。2. The porosity of the conductor according to claim 1 is 0.1.
% To 30 Vol%, a conductor.
銀濃度が平均の銀濃度の2.1倍以上であることを特徴
とする導電体。3. A conductor, wherein the silver concentration on the surface of the conductor according to claim 1 or 2 is 2.1 times or more the average silver concentration.
よりなる導電回路。4. A conductive circuit comprising the conductor according to claim 1, 2, or 3.
よりなる積層セラミックコンデンサー外部電極。5. A laminated ceramic capacitor external electrode comprising the conductor according to claim 1.
よりなる多層基板用導電回路。6. A conductive circuit for a multilayer substrate, comprising the conductor according to claim 1, 2, or 3.
よりなるスルーホール導体。7. A through-hole conductor made of the conductor according to claim 1, 2, or 3.
よりなるルテニウム系抵抗体の端子電極。8. A terminal electrode of a ruthenium-based resistor comprising the conductor according to claim 1, 2, or 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4204709A JPH0652721A (en) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | Conductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4204709A JPH0652721A (en) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | Conductor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0652721A true JPH0652721A (en) | 1994-02-25 |
Family
ID=16495019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4204709A Withdrawn JPH0652721A (en) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | Conductor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0652721A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7242573B2 (en) | 2004-10-19 | 2007-07-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive paste composition |
JP2019067829A (en) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | Tdk株式会社 | Multilayer ceramic electronic component |
CN109903887A (en) * | 2019-02-21 | 2019-06-18 | 莫爱军 | Anti-oxidant copper-based electrocondution slurry of one kind and preparation method thereof |
US11152203B2 (en) | 2011-06-23 | 2021-10-19 | Brooks Automation (Germany) Gmbh | Semiconductor cleaner systems and methods |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4204709A patent/JPH0652721A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7242573B2 (en) | 2004-10-19 | 2007-07-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive paste composition |
US11152203B2 (en) | 2011-06-23 | 2021-10-19 | Brooks Automation (Germany) Gmbh | Semiconductor cleaner systems and methods |
JP2019067829A (en) * | 2017-09-28 | 2019-04-25 | Tdk株式会社 | Multilayer ceramic electronic component |
CN109903887A (en) * | 2019-02-21 | 2019-06-18 | 莫爱军 | Anti-oxidant copper-based electrocondution slurry of one kind and preparation method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4423707B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component | |
WO1999018588A1 (en) | Electronic device and method of producing the same | |
JP2001307947A (en) | Laminated chip component and its manufacturing method | |
JPH08180731A (en) | Electroconductive thick film compound, thick film electrode, ceramic electronic component, and layered ceramic capacitor | |
JP4691809B2 (en) | Thick film circuit board and manufacturing method thereof | |
JP2004104047A (en) | Resistor composition and resistor | |
JPH01273305A (en) | Ceramic multilayer capacitor and its manufacture | |
JPH09180541A (en) | Conductive paste, conductive body using it, and ceramic substrate | |
JP4973546B2 (en) | Conductive paste, multilayer ceramic electronic component and multilayer ceramic substrate | |
JP3419321B2 (en) | Ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
JPH0652721A (en) | Conductor | |
JPH09190950A (en) | Outer electrode of electronic part | |
JPH0817139B2 (en) | Laminated porcelain capacitors | |
JP2003347102A (en) | Resistance element paste, resistor, and manufacturing method thereof | |
JPH10163067A (en) | External electrode of chip electronic component | |
JPH08153414A (en) | Conductive paste | |
JPH04293214A (en) | Conductive paste for chip type electronic component | |
JPS635842B2 (en) | ||
JPH10149945A (en) | Multilayered ceramic chip parts and its manufacture | |
JP3765162B2 (en) | Ceramic substrate and manufacturing method thereof | |
JPS6127003A (en) | Conductive paste composition | |
JPH09115772A (en) | External electrode for chip electronic component | |
JP2968316B2 (en) | Multilayer ceramic capacitors | |
JPH09266129A (en) | External electrode of chip type electronic parts | |
JP2000260654A (en) | Ultra-small chip type electronic component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |