JPH0651283A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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JPH0651283A
JPH0651283A JP4222288A JP22228892A JPH0651283A JP H0651283 A JPH0651283 A JP H0651283A JP 4222288 A JP4222288 A JP 4222288A JP 22228892 A JP22228892 A JP 22228892A JP H0651283 A JPH0651283 A JP H0651283A
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JP
Japan
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liquid crystal
line
domain
threshold
shape
Prior art date
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Application number
JP4222288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Shinjo
克彦 新庄
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Priority to EP93306005A priority patent/EP0584963B1/en
Priority to KR1019930014646A priority patent/KR0146034B1/en
Publication of JPH0651283A publication Critical patent/JPH0651283A/en
Priority to US08/446,991 priority patent/US5644372A/en
Priority to US08/452,002 priority patent/US5552914A/en
Priority to US08/452,019 priority patent/US5604613A/en
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Abstract

PURPOSE:To simply express the gradation without reducing resolution by changing the shape of the polarization inversion region in the reduction line direction of the polarization inversion threshold value with one of counter electrodes. CONSTITUTION:When a means reducing the polarization inversion threshold value of a ferroelectric liquid crystal into a line shape reduces the threshold value of a ferroelectric liquid crystal into a line shape, the polarization inversion shape is easily changed along this line. A means reducing the shape of the polarization inversion region in the reduction line direction of the threshold value changes the primary domain together with the means reducing the polarization inversion threshold value into a line shape. These means are provided in counter electrodes. Square portions are picture elements 71 in a picture element pattern, and stripe-like irregularities 75 are provided on the counter electrodes. Picture element patterns 1201, 1202 and stripe-like projections 1203, 1204 are provided for other examples.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶テレビジョ
ン等に利用される液晶表示素子に関するもので、更に詳
しくは強誘電性液晶を用いた階調表示可能な液晶表示素
子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used in, for example, a liquid crystal television, and more particularly to a liquid crystal display device using ferroelectric liquid crystal capable of gradation display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えばアクティブマトリクス駆動
方式を用いた液晶テレビジョンパネルでは、薄膜トラン
ジスタ(TFT)を画素ごとにマトリクス配置し、TF
Tにゲートオンパルスを印加してソースとドレイン間を
通電状態とし、この状態で画像信号をソースから印加し
てキャパシタに蓄積し、この蓄積した画像信号に対応し
て液晶(例えばTN液晶)を駆動し、同時に画像信号の
電圧を変調することによって階調表示が行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a liquid crystal television panel using, for example, an active matrix drive system, thin film transistors (TFTs) are arranged in a matrix for each pixel, and TF
A gate-on pulse is applied to T to energize between the source and the drain, and in this state, an image signal is applied from the source and stored in a capacitor, and a liquid crystal (for example, TN liquid crystal) is stored corresponding to the stored image signal. Gray scale display is performed by driving and simultaneously modulating the voltage of the image signal.

【0003】しかし、このようなTN液晶を用いたアク
ティブマトリクス駆動方式のテレビジョンパネルでは、
使用するTFTが複雑な構造を有しているため、製作工
程数が多く、高い製造コストがネックとなっている。加
えて、TFTを構成する薄膜半導体(例えばポリシリコ
ンやアモルファスシリコンの薄膜)を広い面積に亙って
被膜形成するのが困難で、大面積化の妨げとなってい
る。
However, in an active matrix drive type television panel using such a TN liquid crystal,
Since the TFT used has a complicated structure, the number of manufacturing steps is large and high manufacturing cost is a bottleneck. In addition, it is difficult to form a thin film semiconductor (for example, a thin film of polysilicon or amorphous silicon) forming a TFT over a wide area, which hinders an increase in area.

【0004】一方、低コストで製造できる表示パネルと
して、TN液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式
の表示パネルが知られている。
On the other hand, as a display panel which can be manufactured at low cost, an active matrix drive type display panel using TN liquid crystal is known.

【0005】しかし、この表示パネルでは、画面の大型
化及び高精細化に伴って走査線数(N)が増大するに従
い、1画面(1フレーム)を走査する間に1つの選択点
に有効な電界が印加されている時間(デューティー比)
が1/Nの割合で減少するため、クロストークが発生し
やすく、しかも高コントラストの画像が得にくい問題を
有している。加えて、デューティー比が小さくなると、
各画素の階調を電圧変調により制御しにくくなることも
あり、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビジョ
ンパネルには適さないものである。
However, in this display panel, as the number of scanning lines (N) increases with the enlargement and definition of the screen, it is effective for one selection point while scanning one screen (one frame). Time when electric field is applied (duty ratio)
However, there is a problem that crosstalk is likely to occur and it is difficult to obtain a high-contrast image. In addition, when the duty ratio becomes smaller,
Since it is difficult to control the gradation of each pixel by voltage modulation, it is not suitable for a display panel with a high-density wiring number, especially for a liquid crystal television panel.

【0006】このような従来のTN液晶の持つ根本的な
問題点を解決するものとして、クラークとラガヴァル等
の米国特許第4367924号特許明細書等に、双安定
性を持つ強誘電性液晶素子が提案されている。
As a solution to such a fundamental problem of the conventional TN liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal device having bistability is disclosed in US Pat. No. 4,367,924 of Clark and Lagavar et al. Proposed.

【0007】ところで、この強誘電性液晶素子は、2つ
の双安定状態のいずれかに安定しようとして中間的な分
子位置をとらないため、階調表現には不向きであると考
えられてきたが、一部ではデイザ法に代表されるような
デジタル的な手法による階調表示が試みられている。
By the way, it has been considered that this ferroelectric liquid crystal element is not suitable for gradation expression because it does not take an intermediate molecular position in order to stabilize in either of two bistable states. In some cases, gradation display by a digital method represented by the dither method has been attempted.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記強
誘電性液晶を用いた階調表示は、解像度が低下してしま
い、HDTV対応等の高解像度ディスプレイには向かな
い問題がある。また、画素分割数を上げずに輝度階調数
を大きくすることが困難である。加えて、1画素階調表
示のために多数の駆動電極を必要とし、複雑な演算処理
回路も必要で、歩留まりが低下してしまう問題もある。
However, the gradation display using the above-mentioned ferroelectric liquid crystal has a problem that the resolution is lowered and is not suitable for a high resolution display such as HDTV compatible. Moreover, it is difficult to increase the number of luminance gradations without increasing the number of pixel divisions. In addition, a large number of drive electrodes are required for one-pixel gradation display, a complicated arithmetic processing circuit is also required, and there is a problem that the yield is reduced.

【0009】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、強誘電性液晶素子において、解像度を低下
させることなく簡単に階調表現ができるようにすること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to make it possible to easily express gradation in a ferroelectric liquid crystal element without lowering the resolution.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段及び作用】このために本発
明では、一対の対向電極と、この一対の対向電極間に配
置した強誘電性液晶とからなる液晶表示素子において、
少なくとも一方の対向電極上に、強誘電性液晶の分極反
転閾値をライン状に低下させる手段が施されており、か
つ少なくとも一方の対向電極が、分極反転領域の形状を
上記分極反転閾値の低下ライン方向に変化させる手段を
有する液晶表示素子としているものである。
To this end, in the present invention, in a liquid crystal display element comprising a pair of counter electrodes and a ferroelectric liquid crystal disposed between the pair of counter electrodes,
A means for linearly decreasing the polarization reversal threshold value of the ferroelectric liquid crystal is provided on at least one counter electrode, and at least one counter electrode has a polarization reversal region whose shape is a line for decreasing the polarization reversal threshold value. This is a liquid crystal display element having means for changing the direction.

【0011】図1〜図5を用いて本発明の原理を説明す
る。
The principle of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0012】図1において、11,12はガラス製の基
板、13,14は透明な導電性薄膜で構成された一対の
対向電極、15,16はポリイミド等の配向膜、18は
自発分極が下向きの部分(図では光学的に白ドメイ
ン)、19は自発分極が上向き部分(図では光学的に黒
ドメイン)、断面図に示される矢印は強誘電性液晶の自
発分極方向を指す。
In FIG. 1, 11 and 12 are glass substrates, 13 and 14 are a pair of counter electrodes composed of transparent conductive thin films, 15 and 16 are alignment films such as polyimide, and 18 is downward polarization. Part (optically white domain in the figure), 19 is a part where spontaneous polarization is upward (optically black domain in the figure), and the arrow shown in the sectional view indicates the spontaneous polarization direction of the ferroelectric liquid crystal.

【0013】断面図に示すように、白あるいは黒ドメイ
ンは上下の基板11,12に垂直な方向でほぼ一様であ
ると考えてよく、自発分極が下向きの分子の数と上向き
の分子の数間の比(光学的には1画素全体での透過率)
は、二次元的な白ドメインと黒ドメインの面積比とな
る。
As shown in the cross-sectional view, the white or black domain may be considered to be substantially uniform in the direction perpendicular to the upper and lower substrates 11 and 12, and the number of molecules with spontaneous polarization downward and the number of molecules upward. Ratio (optically, the transmittance of one pixel as a whole)
Is the area ratio of the two-dimensional white domain and black domain.

【0014】また、図2に示すように、白(あるいは
黒)ドメインは、外部からの電圧を印加し続ける間、成
長(あるいは縮小)していくことから、印加電圧値又は
印加時間を制御することにより、1画素内の白/黒比を
コントロールでき、中間表示が可能となる。
Further, as shown in FIG. 2, the white (or black) domain grows (or contracts) while the voltage from the outside is continuously applied, so that the applied voltage value or the application time is controlled. As a result, the white / black ratio within one pixel can be controlled and intermediate display can be performed.

【0015】ところで、図2に示したドメインの成長
(もしくは縮小)は、ドメインが二次元的に形状を変え
るか、一次元的に形状を変えるかでその様相は大きく異
なるものとなる。
By the way, the growth (or reduction) of the domain shown in FIG. 2 greatly differs depending on whether the domain changes its shape two-dimensionally or one-dimensionally.

【0016】図3に一次元的変化のドメインと、二次元
的変化のドメインの模式図を示す。
FIG. 3 shows a schematic diagram of a one-dimensional change domain and a two-dimensional change domain.

【0017】一次元的とは図に示す長さLの成長/縮小
が主となるかLの成長/縮小のみとなる場合で、幅Dは
ほとんど変化しない。また、二次元的とは図に示すRが
変化するものである。
The one-dimensional means that the growth / reduction of the length L shown in the figure is the main or only the growth / reduction of L, and the width D hardly changes. Two-dimensional means that R shown in the figure changes.

【0018】ここで、それぞれのドメインを含む系が電
界印加時に持つ自由エネルギーGを考えてみると、ドメ
インの境界壁での弾性的エネルギーが境界壁面積に比例
し、また電気エネルギーはドメインの占める体積に比例
することから、一次元的ドメインではG=αL−βL=
k1*Lとなり、二次元的ドメインではG=α’R−r
R^2となる。
Here, considering the free energy G that a system including each domain has when an electric field is applied, the elastic energy at the boundary wall of the domain is proportional to the area of the boundary wall, and the electrical energy occupies the domain. Since it is proportional to the volume, G = αL−βL = in the one-dimensional domain.
k1 * L, and G = α′R−r in the two-dimensional domain
It becomes R ^ 2.

【0019】図4にその様子を示す。このグラフから明
らかなように、二次元的ドメインではR0 という臨界値
より小さなドメインは電界を印加し続けると消失してし
まう。
FIG. 4 shows the situation. As is clear from this graph, in the two-dimensional domain, the domain smaller than the critical value R 0 disappears when the electric field is continuously applied.

【0020】また、図5において、一次元的ドメイン
は、低電圧印加時、高電圧印加時ともに電圧印加の初
期、定常状態でドメインはほとんど変化しないが、二次
元的ドメインでは、特に低電圧印加時の初期に存在した
小さなドメインは消滅してしまう。つまり、閾値付近で
駆動する場合、二次元的ドメインの場合、なかなか透過
率は増加せず、印加電圧−透過率の関係は図6に点線で
示したようになる。この特性は、一次元ドメインに比べ
て中間調表示には不利である。
Further, in FIG. 5, the one-dimensional domain hardly changes in the initial state of voltage application and in a steady state both when a low voltage is applied and when a high voltage is applied. The small domains that existed in the early days of time disappear. That is, in the case of driving in the vicinity of the threshold value, the transmittance does not increase easily in the case of the two-dimensional domain, and the relationship between the applied voltage and the transmittance is as shown by the dotted line in FIG. This property is disadvantageous for halftone display as compared to the one-dimensional domain.

【0021】以上のことから、強誘電製液晶を用いて中
間調表示を行うには、一次元的に変化するドメインを制
御した方が、二次元的に変化するドメインを制御するよ
り好ましいことがわかる。尚、図6に示した特性は、後
述する方法で分極反転閾値電Å圧を低下させた時により
顕著になる性質を有する。
From the above, in order to perform halftone display using the ferroelectric liquid crystal, it is preferable to control the one-dimensionally changing domain rather than the two-dimensionally changing domain. Recognize. The characteristics shown in FIG. 6 have the property of becoming more prominent when the polarization inversion threshold voltage is lowered by the method described later.

【0022】本発明は、上記一次元的に変化するドメイ
ンを制御して階調表示ができるようにしたものである。
The present invention controls gradations by controlling the one-dimensionally changing domains.

【0023】まず、本発明において、強誘電製液晶の分
極反転閾値をライン状に低下させる手段は、強誘電製液
晶の閾値をライン状に低下させておくことによって、こ
のラインに沿った分極反転形状の変化を生じやすくする
ものである。即ち、上述の一次元的ドメイン変化を生じ
させやすくするためのものである。
First, in the present invention, the means for linearly lowering the polarization reversal threshold of the ferroelectric liquid crystal is to linearly lower the polarization reversal threshold along the line by lowering the ferroelectric liquid crystal threshold linearly. This makes it easier to change the shape. That is, it is for facilitating the above-described one-dimensional domain change.

【0024】上記強誘電製液晶の分極反転閾値をライン
状に低下させる手段としては、ライン状に並べて形成さ
れた島状の凹凸パターンや並列されたストライプ状凹凸
パターンが挙げられる。
As means for decreasing the polarization inversion threshold of the ferroelectric liquid crystal in a line shape, there are an island-shaped uneven pattern formed by arranging in a line shape and a stripe-shaped uneven pattern arranged in parallel.

【0025】凹凸パターンは、特にそのコーナー部付近
で強誘電製液晶の配向に乱れを発生させ、当該部分を不
安定化させることで、その閾値を引き下げるものであ
る。島状の凹凸パターンの場合、凹凸が近接しているこ
とで、上記配向の乱れがあたかも一連に連なり、閾値の
低下部分をライン状に形成することができる。また、ス
トライプ状凹凸の場合、その凹凸に沿ってライン状に閾
値の低下部分が形成されることになる。
The concavo-convex pattern lowers the threshold value by causing the alignment of the ferroelectric liquid crystal to be disturbed particularly near the corner and destabilizing the part. In the case of the island-shaped concavo-convex pattern, since the concavities and convexities are close to each other, the disorder of the alignment is continuous as if a series, and a portion where the threshold value is lowered can be formed in a line shape. Further, in the case of stripe-shaped unevenness, the threshold-reduced portion is formed in a line along the unevenness.

【0026】上記島状又はストライプ状凹凸の高さは、
50〜10000Åであることが好ましく、更に好まし
くは500〜3000Åであり、隣接する凹凸間の間隔
は、1〜50μmであることが好ましい。島状の場合、
その平面形状は方形の他円形等どのような形状でもよい
が、方形として、1〜50μm角程度の大きさが好まし
い。また、ストライプ状の場合、その幅は1〜50μm
であることが好ましい。
The height of the island-shaped or stripe-shaped unevenness is
It is preferably 50 to 10000 Å, more preferably 500 to 3000 Å, and the interval between the adjacent irregularities is preferably 1 to 50 μm. In the case of islands,
The planar shape may be any shape such as a circular shape as well as a circular shape, but the rectangular shape is preferably about 1 to 50 μm square. In the case of stripes, the width is 1 to 50 μm
Is preferred.

【0027】一方、分極反転領域の形状を閾値の低下ラ
イン方向に低下させる手段は、上記分極反転閾値をライ
ン状に低下させる手段と相挨って一次元ドメイン変化を
生じさせるもので、具体的には次のような手段が挙げら
れる。
On the other hand, the means for reducing the shape of the domain-inverted region in the direction of the lowering line of the threshold value is one which causes a one-dimensional domain change in a complicated manner together with the means for reducing the above-mentioned domain-inversion threshold value in a line shape. The following means can be mentioned.

【0028】まず、閾値の低下ラインに沿った島状又は
ストライプ状の凹凸パターンである。この手段の場合、
閾値が低下したラインに優先的に電界を印加することが
でき、これによってストライプ状のドメイン変化を発生
させることができる。
First, there is an island-shaped or stripe-shaped concave-convex pattern along the line where the threshold is lowered. In this case,
The electric field can be preferentially applied to the line with the lowered threshold value, whereby the stripe-shaped domain change can be generated.

【0029】上記島状又はストライプ状の凹凸パターン
の高さは、一般的に50〜10000Åであることが好
ましく、更に好ましくは500〜10000Åである。
The height of the island-shaped or striped uneven pattern is generally preferably 50 to 10000Å, more preferably 500 to 10000Å.

【0030】他の手段としては、閾値の低下ライン方向
に沿って、強誘電製液晶に加わる電界を漸減もしくは漸
増させる手段が挙げられる。このような手段を有する対
向電極の場合、閾値の低下ラインにおいて、印加される
電界が高い領域から低い領域へと、分極反転領域を線状
に徐々に伸ばす形状変化を得ることができる。
As another means, there is a means for gradually decreasing or gradually increasing the electric field applied to the ferroelectric liquid crystal along the direction in which the threshold voltage is lowered. In the case of the counter electrode having such a means, it is possible to obtain a shape change in which the domain-inverted region is linearly gradually extended from the region where the applied electric field is high to the region where the applied electric field is low in the threshold lowering line.

【0031】このような手段を有する対向電極を更に具
体的に説明すると、その一つとして、閾値の低下ライン
方向に、粗から密もしくは密から粗に間隔を変化させて
配置された島状もしくはストライプ状凹凸パターンを有
する対向電極が挙げられる。他の対向電極のとしては、
閾値の低下ライン方向に沿った勾配を有する対向電極及
び閾値の低下ラインに沿ってバイアス電圧を印加する手
段を備えた対向電極が挙げられる。
More specifically, the counter electrode having such means will be described. As one of them, an island-like structure or a structure arranged with a coarse-to-dense or dense-to-coarse spacing in the direction of the lower threshold line is used. A counter electrode having a stripe-shaped concavo-convex pattern can be used. Other counter electrodes include
Examples of the counter electrode include a counter electrode having a gradient along the direction of the lowering threshold line and a counter electrode having means for applying a bias voltage along the lowering line of the threshold value.

【0032】上記島状もしくはストライプ状凹凸パター
ンを有する対向電極においては、その密な領域が高い電
界を印加する領域となり、その粗な領域が低い電界を印
加する領域となる。また、上記勾配を有する対向電極に
おいては、勾配の上方が高い電界を印加する領域とな
り、勾配の下方が低い電界を印加する領域となり、バイ
アス電圧印加手段を有する対向電極においては、その印
加方向に応じて強誘電性液晶に加わる電界強さが漸増も
しくは漸減されることになる。
In the counter electrode having the above-mentioned island-shaped or stripe-shaped concavo-convex pattern, the dense region is a region to which a high electric field is applied, and the rough region is a region to which a low electric field is applied. Further, in the counter electrode having the above-mentioned gradient, a region above the gradient is a region to which a high electric field is applied, and below the gradient is a region to which a low electric field is applied. Accordingly, the electric field strength applied to the ferroelectric liquid crystal is gradually increased or decreased.

【0033】[0033]

【実施例】以下、実施例によって本発明を更に具体的に
説明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples.

【0034】実施例1 図7に本実施例の画素パターンを示す。Example 1 FIG. 7 shows a pixel pattern of this example.

【0035】71で示される正方形部分が各画素を示し
ており、72が、透明導電性薄膜で形成された対向電極
上に設けられたストライプ状凹凸である。
A square portion indicated by 71 indicates each pixel, and 72 is a stripe-shaped concavo-convex formed on a counter electrode formed of a transparent conductive thin film.

【0036】画素71のサイズは200μm角、ストラ
イプ状凹凸の幅は2μm、間隔は10μmである。
The size of the pixel 71 is 200 μm square, the width of the stripe-shaped irregularities is 2 μm, and the interval is 10 μm.

【0037】図8に図7中のa−a’のセル断面を示
す。
FIG. 8 shows a cell section taken along the line aa 'in FIG.

【0038】ガラス製の基板81,,82上にITO
(1500Å)が対向電極83,84として成膜されて
おり、2度のフォトリソグラフィーの工程により、画素
パターン及びストライプ状凹凸パターンが形成されてい
る。このストライプ状凹凸パターンの段差は約200Å
である。
ITO is formed on the glass substrates 81, 82.
(1500Å) is formed as the counter electrodes 83 and 84, and the pixel pattern and the stripe-shaped concavo-convex pattern are formed by two photolithography steps. The step of this stripe-shaped uneven pattern is about 200Å
Is.

【0039】更にその上に配向膜85,86としてポリ
イミド(200Å)を塗布し、ストライプ状凹凸パター
ンの方向にラビング処理を施した後、セルギャップ1.
2μmで貼り合わされている。
Polyimide (200 Å) was applied as an alignment film 85, 86 thereon, and a rubbing treatment was applied in the direction of the stripe-shaped concavo-convex pattern.
It is pasted with 2 μm.

【0040】上記ギャップ中に強誘電性液晶(商品名
「CS1014」をベースにブレンドしたもの)87を
注入してある。また、セルの貼り合わせ方向を変えて、
図9に示す平行セル及び反平行方向セルの両方を作成し
たが、どちらのセルも良好な配向を示した。
Ferroelectric liquid crystal (blend based on trade name "CS1014") 87 is injected into the gap. Also, by changing the cell bonding direction,
Both the parallel and anti-parallel cells shown in Figure 9 were made and both cells showed good orientation.

【0041】このようにして作成したセルの上下の対向
電極83,84間に、図10に示すようなパルス電圧を
印加し、光学応答特性を測定した。尚、本実施例では△
t=50μs、Vap=15〜30Vであった。
A pulse voltage as shown in FIG. 10 was applied between the upper and lower counter electrodes 83 and 84 of the cell thus prepared, and the optical response characteristics were measured. In this example, △
It was t = 50 μs and Vap = 15 to 30V.

【0042】2*2のマトリクスで、初期黒状態で全画
素に共通にパルス電圧Vap〜20Vを印加した後の反
転ドメイン形状を観察した結果、図11(反平行セル)
のようになった。
As a result of observing the inversion domain shape after applying the pulse voltage Vap to 20 V in common to all pixels in the initial black state in the 2 * 2 matrix, FIG. 11 (antiparallel cell)
It became like.

【0043】ここで比較のためにストライプ状凹凸パタ
ーンを配置しないセルも作成したが、ストライプ状凹凸
パターンを配置したセルの方が明らかに分極反転閾値電
圧は低下した。また、ドメイン形状は線状で、印加電圧
を変化させることによって線ドメインの数、長さが主と
なって変化し、一次元的なドメイン変化が得られること
が確認された。
For comparison, a cell without a stripe-shaped concave-convex pattern was also prepared, but the polarization reversal threshold voltage was obviously lower in the cell with the stripe-shaped concave-convex pattern. In addition, it was confirmed that the domain shape was linear, and the number and length of the line domains changed mainly by changing the applied voltage, and a one-dimensional domain change was obtained.

【0044】各画素間の透過率のばらつきは非常に小さ
く、かつ反転ドメインの中心は各画素の中心付近で一定
であり、非常に良好な中間調表示を行うことができ、こ
れは平行セルについてもほぼ同様であった。
The variation of the transmittance between each pixel is very small, and the center of the inversion domain is constant near the center of each pixel, so that very good halftone display can be performed. Was almost the same.

【0045】更に片側の基板81又は82にのみストラ
イプ状凹凸パターンを施したものを作成したが、本実施
例のものに比べ分極反転閾値電圧の低下が少なく、ドメ
インの一次元的挙動は弱かった。
Further, although the one side substrate 81 or 82 was provided with the stripe-shaped concavo-convex pattern, the decrease in the polarization reversal threshold voltage was small and the one-dimensional behavior of the domain was weaker than that of this example. .

【0046】実施例2 セルの上部基板には実施例1と同様のストライプ状凹凸
パターンを設け、下部基板にはストライプの配置密度を
画素内で変え、かつストライプ状凹凸パターンの構成材
料をSiO2 にしたものである。
Example 2 The upper substrate of the cell was provided with the same stripe-shaped concavo-convex pattern as in Example 1, the arrangement density of stripes was changed within the pixel on the lower substrate, and the constituent material of the stripe-shaped concavo-convex pattern was SiO 2. It is the one.

【0047】図12に本実施例の画素パターンを示す。FIG. 12 shows a pixel pattern of this embodiment.

【0048】図中1201と1202は画素パターンを
示しており、1203と1204はストライプ状凸部で
ある。
In the figure, 1201 and 1202 indicate pixel patterns, and 1203 and 1204 are stripe-shaped convex portions.

【0049】画素サイズは100μm角、ストライプの
幅は2μmで、上部基板と下部基板とでストライプ状凹
凸パターンは直交している。また、下部基板で最もスト
ライプ状凹凸パターンの密なところは2μmの間隔で、
最も粗な箇所の間隔は15μmである。
The pixel size is 100 μm square, the stripe width is 2 μm, and the stripe-shaped concave-convex patterns are orthogonal to each other on the upper substrate and the lower substrate. In the lower substrate, the densest stripe-shaped concavo-convex pattern is spaced by 2 μm,
The spacing between the coarsest parts is 15 μm.

【0050】図13に図12中のb−b’断面図を示
す。
FIG. 13 shows a sectional view taken along the line bb 'in FIG.

【0051】1301はガラス製の基板、1302はI
TO(700Å)製の対向電極、1303はSiO2
(2500Å)をパターニングして形成されたストライ
プ状凹凸パターンである。
1301 is a glass substrate, and 1302 is I
Counter electrode made of TO (700Å), 1303 is SiO 2
It is a stripe-shaped concavo-convex pattern formed by patterning (2500Å).

【0052】更にその上に配向膜1304としてポリイ
ミド(200Å)を塗布し、上部基板のストライプ方向
にラビング処理した。強誘電製液晶材料は、螺旋ピッチ
の短い材料を用い、スメクチックA層からスメクチック
C層に冷却する時、+15V〜−15V、10HzのA
Cを印加したところ、良好な配向が得られた。尚、セル
ギャップは1.6μmで、貼り合わせ方向は平行セルで
ある。
Polyimide (200 Å) was applied as an alignment film 1304 thereon, and a rubbing process was performed in the stripe direction of the upper substrate. As the ferroelectric liquid crystal material, a material having a short spiral pitch is used, and when cooling from the smectic A layer to the smectic C layer, +15 V to −15 V and 10 Hz A
When C was applied, good orientation was obtained. The cell gap is 1.6 μm, and the bonding direction is a parallel cell.

【0053】上記のようにして作成した4*4のマトリ
クスで、初期黒状態で各列に異なるパルス電圧Vapを
印加した後の反転ドメイン形状を観察した結果、図14
のようになった。
As a result of observing the inversion domain shape after applying different pulse voltage Vap to each column in the initial black state in the 4 * 4 matrix prepared as described above, FIG.
It became like.

【0054】各画素内のドメインは良好な一次元的挙動
を示し、また電圧が小さい時は各画素の上部のみ反転ド
メインが形成され、下部基板に設けたSiO2 のストラ
イプ状凹凸パターンによって、ドメイン発生位置を制御
できることが確認された。即ち、規則的な閾値分布を付
与することができた。更に各電圧値ごとの画素間の透過
率のばらつきは非常に小さく、均一で高階調度を持つ表
示装置が得られた。
The domain in each pixel exhibits a good one-dimensional behavior, and when the voltage is small, the inversion domain is formed only in the upper part of each pixel, and the domain is formed by the stripe-shaped concavo-convex pattern of SiO 2 provided on the lower substrate. It was confirmed that the generation position could be controlled. That is, a regular threshold distribution could be given. Further, a variation in transmittance between pixels for each voltage value is very small, and a display device having a uniform and high gradation can be obtained.

【0055】実施例3 図15に本実施例の画素の断面図を示す。Example 3 FIG. 15 shows a sectional view of a pixel of this example.

【0056】上部基板1601上に、透明な対向電極1
602としてITOを500Å積層し、その上にリフト
オフによってITOの島状凹凸パターン1603を形成
した。更にその上に配向膜1604としてポリイミドを
100Å積層し、ラビング処理した。
A transparent counter electrode 1 is formed on the upper substrate 1601.
As the layer 602, 500 liters of ITO was laminated, and the island-shaped concave-convex pattern 1603 of ITO was formed thereon by lift-off. Further, 100 Å of polyimide was laminated thereon as an alignment film 1604 and rubbed.

【0057】一方、下部基板1605は画素内で勾配を
付与してあり、その上部に透明な対向電極1606とし
てITOを500Å、更にその上に配向膜1607とし
てポリイミドを100Å積層し、ラビング処理を行っ
た。
On the other hand, the lower substrate 1605 is provided with a gradient within a pixel, ITO of 500 Å is laminated as a transparent counter electrode 1606 on the upper substrate, and 100 Å of polyimide is further laminated thereon as an alignment film 1607 to perform rubbing treatment. It was

【0058】このようにして作成した上下基板160
1,1605をスぺーサーを介して反平行方向に貼り合
わせ、強誘電性液晶を注入した。尚、勾配の方向はラビ
ング方向に平行である(勾配の最大傾斜方向がラビング
方向)。
The upper and lower substrates 160 created in this way
1, 1605 were pasted together in the antiparallel direction via a spacer, and ferroelectric liquid crystal was injected. The direction of the gradient is parallel to the rubbing direction (the maximum inclination direction of the gradient is the rubbing direction).

【0059】図16に上部基板1601の平面図を示
す。
FIG. 16 shows a plan view of the upper substrate 1601.

【0060】1701が画素、1702が島状凹凸パタ
ーンである。
1701 is a pixel, and 1702 is an island-shaped uneven pattern.

【0061】島状凹凸パターン1702は1辺が10μ
mの正方形で、高さは1000Åである。
The island-shaped uneven pattern 1702 has a side of 10 μm.
It is a square of m and the height is 1000Å.

【0062】このようなセルに異なる電圧値を印加した
場合の分極反転ドメインの形状を観察した結果、図17
のようになった。低電圧印加時はA、中程度電圧印加時
はB、高電圧印加時はCのように、反転ドメインは線状
となり、一次元的挙動を示し、良好な階調特性が得られ
た。
As a result of observing the shape of the domain inversion domain when different voltage values were applied to such a cell, FIG.
It became like. As in the case of applying a low voltage, the case of applying a medium voltage was B, and the case of applying a high voltage was C, the inversion domain was linear and showed one-dimensional behavior, and good gradation characteristics were obtained.

【0063】ここで、比較のために上部基板1601に
島状凹凸パターン1702を設けないセルも作成した
が、分極反転閾値電圧の低下が小さく、透過率0%の閾
値Vthと100%の飽和値Vsatとの比Vsat/
Vthは大きくとれず、精密な階調制御はできなかっ
た。
Here, for comparison, a cell in which the island-shaped concavo-convex pattern 1702 is not provided on the upper substrate 1601 was also prepared. Ratio with Vsat Vsat /
Vth cannot be made large, and precise gradation control cannot be performed.

【0064】実施例4 図18に本実施例の画素の断面図を示す。Embodiment 4 FIG. 18 shows a sectional view of a pixel of this embodiment.

【0065】上部基板1901上に透明な対向電極19
02としてITOを500Å積層し、その上にリフトオ
フによってITOの島状凹凸パターン1903を形成し
た。更にその上に配向膜1904としてポリイミドを1
00Å積層し、ラビング処理を施した。
A transparent counter electrode 19 is formed on the upper substrate 1901.
As No. 02, 500 liters of ITO was laminated, and the island-shaped uneven pattern 1903 of ITO was formed thereon by lift-off. Furthermore, a polyimide film 1904 is formed on top of it as polyimide.
00Å was laminated and subjected to a rubbing treatment.

【0066】一方、下部基板1905上には高抵抗IT
O膜を対向電極1906として300Å積層した。尚、
この高抵抗ITO膜のシート抵抗は1〜100MΩであ
る。
On the other hand, a high resistance IT is formed on the lower substrate 1905.
An O film was laminated as a counter electrode 1906 with a thickness of 300Å. still,
The sheet resistance of this high resistance ITO film is 1 to 100 MΩ.

【0067】上記対向電極1906上の画素両端に、ア
ルミニウム電極1907を1000Å厚で設け、更にそ
の上から配向膜1908としてポリイミドを100Å積
層してラビング処理した。
Aluminum electrodes 1907 having a thickness of 1000 Å were provided on both ends of the pixel on the counter electrode 1906, and 100 Å of polyimide as an alignment film 1908 was further laminated on the aluminum electrodes 1907 to perform rubbing treatment.

【0068】このようにして作成した上下基板190
1,1905をスぺーサーを介して反平行方向に貼り合
わせ、強誘電性液晶を注入した。
The upper and lower substrates 190 created in this way
1, 1905 were bonded to each other in an antiparallel direction via a spacer, and a ferroelectric liquid crystal was injected.

【0069】前記アルミニウム電極1907の一方を接
地し、他方にバイアス電圧Vb(〜10V)を印加し、
画素内に一次元的電位勾配を発生させた。尚、この電位
勾配の方向はラビング方向に平行とした。
One of the aluminum electrodes 1907 is grounded, and the bias voltage Vb (-10 V) is applied to the other,
A one-dimensional potential gradient was generated within the pixel. The direction of this potential gradient was parallel to the rubbing direction.

【0070】このセルに異なる電圧値を印加した場合の
分極反転ドメインの形状を観察した結果、実施例3とほ
ぼ同様に図17のようになり、良好な階調特性が得られ
た。
As a result of observing the shape of the domain inversion domain when different voltage values were applied to this cell, the result was as shown in FIG. 17, which was almost the same as in Example 3, and good gradation characteristics were obtained.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明は、以上説明した通りのものであ
り、小さなドメインまで有効に制御性良く利用して階調
表示を行うことができるので、1画素ごとの中間調表示
特性を向上させることができる。また、補助的な凹凸等
の形成によって反転ドメインの位置を制御できるので、
画素間での中間調表示特性のばらつきを非常に小さく押
えることができ、高階調度、高精細ディスプレイを実現
することができるものである。
The present invention is as described above, and since gradation display can be performed by effectively utilizing even small domains with good controllability, halftone display characteristics for each pixel are improved. be able to. Moreover, since the position of the inversion domain can be controlled by forming auxiliary unevenness,
It is possible to suppress variations in halftone display characteristics between pixels to an extremely small level, and it is possible to realize a high gradation and high definition display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】白/黒ドメインの発生状態の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a white / black domain occurrence state.

【図2】電圧印加時の反転ドメインの成長を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing growth of inversion domains when a voltage is applied.

【図3】一次元的ドメインと二次元的ドメインの模式図
である。
FIG. 3 is a schematic diagram of a one-dimensional domain and a two-dimensional domain.

【図4】一次元的ドメインと二次元的ドメイン系の自由
エネルギーを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing free energies of a one-dimensional domain and a two-dimensional domain system.

【図5】一次元的ドメインと二次元的ドメインの電圧印
加時の変化を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing changes in a one-dimensional domain and a two-dimensional domain when a voltage is applied.

【図6】一次元的ドメインと二次元的ドメインの印加電
圧と透過率の関係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an applied voltage and a transmittance of a one-dimensional domain and a two-dimensional domain.

【図7】実施例1の画素パターンを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a pixel pattern of Example 1.

【図8】図7におけるa−a’断面図である。8 is a sectional view taken along line aa 'in FIG.

【図9】セルの貼り合わせ方向の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a cell bonding direction.

【図10】セル駆動印加電圧を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a cell drive applied voltage.

【図11】実施例1で観察された分極反転ドメインの形
状を示す図である。
11 is a diagram showing the shape of the domain inversion domain observed in Example 1. FIG.

【図12】実施例2の画素パターンを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a pixel pattern of Example 2;

【図13】図12におけるb−b’断面図である。13 is a sectional view taken along the line b-b 'in FIG.

【図14】実施例2で観察された分極反転ドメインの形
状を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing the shape of a domain-inverted domain observed in Example 2.

【図15】実施例3の画素の断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of a pixel of Example 3.

【図16】実施例3の画素の平面図である。16 is a plan view of a pixel of Example 3. FIG.

【図17】実施例3で観察された分極反転ドメインの形
状を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing the shape of a domain-inverted domain observed in Example 3.

【図18】実施例4の画素の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of a pixel of Example 4.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,12 基板 13,14 対向電極 15,16 配向膜 18 白ドメイン 19 黒ドメイン 71 画素パターン 72 ストライプ状凹凸パターン 81,82 基板 83,84 対向電極 85,86 配向膜 87 強誘電性液晶 1201,1202 基板 1203,1204 ストライプ状凹凸パターン 1301 基板 1302 対向電極 1303 ストライプ状凹凸パターン 1304 配向膜 1601,1605 基板 1602,1606 対向電極 1603 島状凹凸パターン 1604,1607 配向膜 1701 画素 1702 島状凹凸パターン 1901,1905 基板 1902 対向電極 1903 島状凹凸パターン 1904,1908配向膜 1906 対向電極 1907 アルミニウム電極 11, 12 Substrate 13, 14 Counter electrode 15, 16 Alignment film 18 White domain 19 Black domain 71 Pixel pattern 72 Striped uneven pattern 81, 82 Substrate 83, 84 Counter electrode 85, 86 Alignment film 87 Ferroelectric liquid crystal 1201, 1202 Substrate 1203, 1204 Striped uneven pattern 1301 Substrate 1302 Counter electrode 1303 Striped uneven pattern 1304 Alignment film 1601, 1605 Substrate 1602, 1606 Counter electrode 1603 Island-shaped uneven pattern 1604, 1607 Alignment film 1701 Pixel 1702 Island-shaped uneven pattern 1901, 1905 Substrate 1902 Counter electrode 1903 Island-shaped uneven pattern 1904, 1908 Alignment film 1906 Counter electrode 1907 Aluminum electrode

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の対向電極と、この一対の対向電極
間に配置した強誘電性液晶とからなる液晶表示素子にお
いて、少なくとも一方の対向電極上に、強誘電性液晶の
分極反転閾値をライン状に低下させる手段が施されてお
り、かつ少なくとも一方の対向電極が、分極反転領域の
形状を上記閾値の低下ライン方向に変化させる手段を有
することを特徴とする液晶表示素子。
1. A liquid crystal display device comprising a pair of counter electrodes and a ferroelectric liquid crystal disposed between the pair of counter electrodes, wherein a polarization reversal threshold value of the ferroelectric liquid crystal is lined on at least one of the counter electrodes. A liquid crystal display element, wherein at least one of the counter electrodes has a means for changing the shape of the domain-inverted region in the direction of the lowering line of the threshold value.
【請求項2】 強誘電性液晶の分極反転閾値をライン状
に低下させる手段が、ライン状に並べて形成された島状
凹凸パターンであることを特徴とする請求項1の液晶表
示素子。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the means for reducing the polarization inversion threshold of the ferroelectric liquid crystal in a line shape is an island-shaped concavo-convex pattern formed in line.
【請求項3】 強誘電性液晶の分極反転閾値をライン状
に低下させる手段が、並列されたストライプ状凹凸パタ
ーンであることを特徴とする請求項1の液晶表示素子。
3. The liquid crystal display element according to claim 1, wherein the means for linearly lowering the polarization reversal threshold of the ferroelectric liquid crystal is a parallel stripe-shaped concavo-convex pattern.
【請求項4】 分極反転領域の形状を分極反転閾値の低
下ライン方向に変化させる手段が、閾値の低下ラインに
沿った島状又はストライプ状凹凸パターンであることを
特徴とする請求項1の液晶表示素子。
4. The liquid crystal according to claim 1, wherein the means for changing the shape of the domain-inverted region in the direction of the lowering line of the domain-inversion threshold is an island-shaped or stripe-shaped concavo-convex pattern along the line of reduced threshold. Display element.
【請求項5】 分極反転領域の形状を分極反転閾値の低
下ライン方向に変化させる手段が、閾値の低下ラインの
方向に沿って強誘電性液晶に加わる電界を漸減もしくは
漸増させる手段であることを特徴とする請求項1の液晶
表示素子。
5. The means for changing the shape of the domain-inverted region in the direction of the line of decreasing the domain-inversion threshold is a means for gradually decreasing or increasing the electric field applied to the ferroelectric liquid crystal along the direction of the line of decreasing the threshold voltage. The liquid crystal display device according to claim 1, which is characterized in that.
【請求項6】 分極反転閾値の低下したライン方向に沿
って強誘電性液晶に加わる電界を漸減もしくは漸増させ
る手段が、閾値の低下ライン方向に粗から密もしくは密
から粗に配置された島状もしくはストライプ状凹凸パタ
ーンであることを特徴とする請求項5の液晶表示素子。
6. Means for gradually decreasing or gradually increasing the electric field applied to the ferroelectric liquid crystal along the line direction in which the polarization reversal threshold value is lowered is an island shape arranged coarsely or densely or densely to roughly in the line direction where the threshold value is lowered. Alternatively, the liquid crystal display element according to claim 5, wherein the liquid crystal display element has a stripe-shaped uneven pattern.
【請求項7】 分極反転閾値の低下ラインの方向に沿っ
て強誘電性液晶に加わる電界を漸減もしくは漸増させる
手段が、閾値の低下ライン方向に沿った勾配であること
を特徴とする請求項5の液晶表示素子。
7. The means for gradually decreasing or gradually increasing the electric field applied to the ferroelectric liquid crystal along the direction of the polarization inversion threshold lowering line is a gradient along the threshold lowering line direction. Liquid crystal display element.
【請求項8】 分極反転閾値の低下ラインの方向に沿っ
て強誘電性液晶に加わる電界を漸減もしくは漸増させる
手段が、閾値の低下ライン方向に沿って対向電極にバイ
アス電圧を印加する手段であることを特徴とする請求項
5の液晶表示素子。
8. The means for gradually decreasing or gradually increasing the electric field applied to the ferroelectric liquid crystal along the direction of the polarization inversion threshold decrease line is a means for applying a bias voltage to the counter electrode along the threshold decrease line direction. The liquid crystal display element according to claim 5, wherein
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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