JPH0651040A - 光学式磁界測定装置 - Google Patents
光学式磁界測定装置Info
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- JPH0651040A JPH0651040A JP4201707A JP20170792A JPH0651040A JP H0651040 A JPH0651040 A JP H0651040A JP 4201707 A JP4201707 A JP 4201707A JP 20170792 A JP20170792 A JP 20170792A JP H0651040 A JPH0651040 A JP H0651040A
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- polarized wave
- linearly polarized
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 平行光線を角速度ωで回転する偏光子１に入
射して透過光Ｅa と反射光Ｅb に分離し、透過光Ｅa は
ファラデ―効果材２を透過させて直線偏光波Ｅ1とし、
この直線偏光波Ｅ1 と反射光Ｅb を夫々電気信号に変換
して電気信号の位相差からファラデ―回転角を求める光
学式磁界測定装置。 【効果】 測定精度が向上する。
射して透過光Ｅa と反射光Ｅb に分離し、透過光Ｅa は
ファラデ―効果材２を透過させて直線偏光波Ｅ1とし、
この直線偏光波Ｅ1 と反射光Ｅb を夫々電気信号に変換
して電気信号の位相差からファラデ―回転角を求める光
学式磁界測定装置。 【効果】 測定精度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファラデ―効果を利用し
て磁界強度の測定を行う光学式磁界測定装置に関する。
て磁界強度の測定を行う光学式磁界測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のファラデ―効果を利用した光学式
磁界測定装置について図７を参照して説明する。
磁界測定装置について図７を参照して説明する。
【０００３】電界ベクトル成分Ｅ0 の直線偏光波（以下
直線偏光波Ｅ0 という）を出射する光源71の光軸上にフ
ァラデ―効果材72を配設する。ファラデ―効果材72は強
度Ｈの磁界中にあり、この磁界の影響を受けて直線偏光
波Ｅ0 はファラデ―効果材72を透過すると偏波面がファ
ラデ―回転角θだけ回転した直線偏光波Ｅ1 になる。こ
の直線偏光波Ｅ1 の光軸上に、直線偏光波Ｅ1 を偏波面
が直交する２つの直線偏光波Ｅx ，Ｅy に分離する検光
子73を配設する。検光子73は偏光ビ―ムスプリッタある
いはウオラストンプリズム等から成る。直線偏光波
Ｅx ，Ｅy の夫々の光軸上には直線偏光波Ｅx ，Ｅy を
電気信号に変換する受光器74ａ，74ｂ及び夫々の電気信
号を増幅する増幅器75ａ，75ｂを配設する。受光器74ａ
と増幅器75ａは第１の光電変換器76ａを構成し、受光器
74ｂと増幅器75ｂは第２の光電変換器76ｂを構成する。
光電変換器76ａ，76ｂの出力ＩX ，ＩY は演算回路77に
入力される。
直線偏光波Ｅ0 という）を出射する光源71の光軸上にフ
ァラデ―効果材72を配設する。ファラデ―効果材72は強
度Ｈの磁界中にあり、この磁界の影響を受けて直線偏光
波Ｅ0 はファラデ―効果材72を透過すると偏波面がファ
ラデ―回転角θだけ回転した直線偏光波Ｅ1 になる。こ
の直線偏光波Ｅ1 の光軸上に、直線偏光波Ｅ1 を偏波面
が直交する２つの直線偏光波Ｅx ，Ｅy に分離する検光
子73を配設する。検光子73は偏光ビ―ムスプリッタある
いはウオラストンプリズム等から成る。直線偏光波
Ｅx ，Ｅy の夫々の光軸上には直線偏光波Ｅx ，Ｅy を
電気信号に変換する受光器74ａ，74ｂ及び夫々の電気信
号を増幅する増幅器75ａ，75ｂを配設する。受光器74ａ
と増幅器75ａは第１の光電変換器76ａを構成し、受光器
74ｂと増幅器75ｂは第２の光電変換器76ｂを構成する。
光電変換器76ａ，76ｂの出力ＩX ，ＩY は演算回路77に
入力される。
【０００４】このような従来の光学式磁界測定装置の動
作原理について説明る。光源71から出射された直線偏光
波Ｅ0 はファラデ―効果材72を透過することによって偏
波面がファラデ―回転角θだけ回転した直線偏光波Ｅ1
となる。磁界の強度Ｈとファラデ―回転角θの間には式
（１）の関係がある。
作原理について説明る。光源71から出射された直線偏光
波Ｅ0 はファラデ―効果材72を透過することによって偏
波面がファラデ―回転角θだけ回転した直線偏光波Ｅ1
となる。磁界の強度Ｈとファラデ―回転角θの間には式
（１）の関係がある。
【０００５】
【数１】θ＝Ｖ・Ｈ・Ｌ …（１）
【０００６】ここでＶはヴェルデ定数と呼ばれ、物質に
より異なるファラデ―効果の感度を表す定数、Ｌはファ
ラデ―効果材72の磁界方向の長さである。直線偏光波Ｅ
1 と直交する２つの直線偏光波ＥX 、ＥY の間には、夫
々
より異なるファラデ―効果の感度を表す定数、Ｌはファ
ラデ―効果材72の磁界方向の長さである。直線偏光波Ｅ
1 と直交する２つの直線偏光波ＥX 、ＥY の間には、夫
々
【０００７】
【数２】 の関係が成立する。直線偏光波Ｅx ，Ｅy は光電変換器
76ａ，76ｂによって夫々出力ＩX ，ＩY に変換される。
ＫX ，ＫY を夫々の光電変換器76ａ，76ｂの利得とする
と、出力ＩX ，ＩY と直線偏光波Ｅx ，Ｅy の間には、
夫々
76ａ，76ｂによって夫々出力ＩX ，ＩY に変換される。
ＫX ，ＫY を夫々の光電変換器76ａ，76ｂの利得とする
と、出力ＩX ，ＩY と直線偏光波Ｅx ，Ｅy の間には、
夫々
【０００８】
【数３】 の関係が成立する。式（３）より以下に示す式（４）が
導かれる。
導かれる。
【０００９】
【数４】
【００１０】即ち、第１の光電変換器76ａの出力ＩX と
第２の光電変換器76ｂの出力ＩY を演算回路77に入力
し、式（４）の演算を行うことによってファラデ―回転
角θが求められる。式（４）から明らかなように、光源
71から出射される直線偏光波Ｅ0 の光強度が変動しても
出力比（ＩX ／ＩY ）は一定であるため、光源の光強度
とは無関係にファラデ―回転角θを求めることができ
る。求められたファラデ―回転角θを式（１）に代入し
て磁界の強度Ｈが得られる。
第２の光電変換器76ｂの出力ＩY を演算回路77に入力
し、式（４）の演算を行うことによってファラデ―回転
角θが求められる。式（４）から明らかなように、光源
71から出射される直線偏光波Ｅ0 の光強度が変動しても
出力比（ＩX ／ＩY ）は一定であるため、光源の光強度
とは無関係にファラデ―回転角θを求めることができ
る。求められたファラデ―回転角θを式（１）に代入し
て磁界の強度Ｈが得られる。
【００１１】しかしながらこのような従来の光学式磁界
測定装置において正確な磁界測定を行うためには、２つ
の光電変換器76ａ，76ｂの利得の比（ＫY ／ＫX ）を一
定にしなければならない。光電変換器76ａ，76ｂの利得
ＫX ，ＫY は検光子73から受光器74ａ，74ｂまでの光フ
ァイバ―などによる光損失，受光器74ａ，74ｂの経年変
化による感度のバラツキ，増幅器75ａ，75ｂの利得変化
またドリフト等の影響を受けて不規則に変化する。この
ため光電変換器の利得の変化によって測定精度が低下す
るという問題があった。
測定装置において正確な磁界測定を行うためには、２つ
の光電変換器76ａ，76ｂの利得の比（ＫY ／ＫX ）を一
定にしなければならない。光電変換器76ａ，76ｂの利得
ＫX ，ＫY は検光子73から受光器74ａ，74ｂまでの光フ
ァイバ―などによる光損失，受光器74ａ，74ｂの経年変
化による感度のバラツキ，増幅器75ａ，75ｂの利得変化
またドリフト等の影響を受けて不規則に変化する。この
ため光電変換器の利得の変化によって測定精度が低下す
るという問題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の光
学式磁界測定装置は光電変換器の利得が変化すると測定
精度が低下するという問題があった。そこで本発明の目
的は光電変換器の利得変化の影響を受けず、高精度の磁
界測定が可能な光学式磁界測定装置を提供することにあ
る。
学式磁界測定装置は光電変換器の利得が変化すると測定
精度が低下するという問題があった。そこで本発明の目
的は光電変換器の利得変化の影響を受けず、高精度の磁
界測定が可能な光学式磁界測定装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、平行光線を出射する光源と、この
平行光線を直線偏光の反射光と直線偏光の透過光とに分
離する偏光子と、この偏光子を前記透過光の光軸を中心
に回転させる回転機構と、前記透過光を入射し直線偏光
波を出射するファラデ―効果材と、この直線偏光波から
特定の偏波面方位角成分の直線偏光波を抽出する検光手
段と、この抽出された直線偏光波を入射して電気信号に
変換する第１の受光手段と、前記反射光を入射して電気
信号に変換する第２の受光手段と、前記第１の受光手段
と前記第２の受光手段で変換された電気信号の位相差を
検出する位相検出手段とを備えたことを特徴とする光学
式磁界測定装置を提供する。
に本発明においては、平行光線を出射する光源と、この
平行光線を直線偏光の反射光と直線偏光の透過光とに分
離する偏光子と、この偏光子を前記透過光の光軸を中心
に回転させる回転機構と、前記透過光を入射し直線偏光
波を出射するファラデ―効果材と、この直線偏光波から
特定の偏波面方位角成分の直線偏光波を抽出する検光手
段と、この抽出された直線偏光波を入射して電気信号に
変換する第１の受光手段と、前記反射光を入射して電気
信号に変換する第２の受光手段と、前記第１の受光手段
と前記第２の受光手段で変換された電気信号の位相差を
検出する位相検出手段とを備えたことを特徴とする光学
式磁界測定装置を提供する。
【００１４】
【作用】本発明の作用について図４乃至図６を参照して
説明する。
説明する。
【００１５】図４に示すように、図示していない光源を
出射した無偏光の平行光線は直線偏光の透過光Ｅa の光
軸を中心に角速度ωで回転している偏光子１に入射す
る。偏光子１は平行光線を直線偏光の透過光Ｅa と直線
偏光の反射光Ｅb に分離するが、偏光子１の回転によっ
て透過光Ｅa の偏波面は、図５に示すように偏光子１と
同様に角速度ωで回転する。透過光Ｅa は図４に示すよ
うにファラデ―効果材２に入射し、図５に示すように透
過光Ｅa とは偏波面がファラデ―回転角θだけ異なる直
線偏光波Ｅ1 に変換される。直線偏光波Ｅ1 も透過光Ｅ
a と同様に角速度ωで回転する。回転している直線偏光
波Ｅ1 を、検出手段である検光子３に入射すると直線偏
光波Ｅ1 の光強度の余弦成分を振幅とし、特定の偏波面
方位角成分のみを有する直線偏光波Ｅ2 が出射される。
即ち、
出射した無偏光の平行光線は直線偏光の透過光Ｅa の光
軸を中心に角速度ωで回転している偏光子１に入射す
る。偏光子１は平行光線を直線偏光の透過光Ｅa と直線
偏光の反射光Ｅb に分離するが、偏光子１の回転によっ
て透過光Ｅa の偏波面は、図５に示すように偏光子１と
同様に角速度ωで回転する。透過光Ｅa は図４に示すよ
うにファラデ―効果材２に入射し、図５に示すように透
過光Ｅa とは偏波面がファラデ―回転角θだけ異なる直
線偏光波Ｅ1 に変換される。直線偏光波Ｅ1 も透過光Ｅ
a と同様に角速度ωで回転する。回転している直線偏光
波Ｅ1 を、検出手段である検光子３に入射すると直線偏
光波Ｅ1 の光強度の余弦成分を振幅とし、特定の偏波面
方位角成分のみを有する直線偏光波Ｅ2 が出射される。
即ち、
【００１６】
【数５】Ｅ2 ＝｜Ｅ1 ｜ cos（ωｔ−θ） …（５） の関係が成立する。この直線偏光波Ｅ2 の光強度Ｐ2 は
下記の式（６）で表わされる。
下記の式（６）で表わされる。
【００１７】
【数６】 Ｐ2 ＝｜Ｅ2 ｜2 ＝Ｅ1 2 ｛１＋ sin２（ωｔ−θ）｝／２…（６） 光強度Ｐ2 の直線偏光波Ｅ2 は図４に示すように第１の
受光手段である光電変換器４に入射して電気信号Ｖ2 に
変換される。ここで光電変換器４の利得をＫとすると電
気信号Ｖ2 は式（７）によって表される。
受光手段である光電変換器４に入射して電気信号Ｖ2 に
変換される。ここで光電変換器４の利得をＫとすると電
気信号Ｖ2 は式（７）によって表される。
【００１８】
【数７】 Ｖ2 ＝ＫＰ2 ＝ＫＥ1 2 ｛１＋ sin２（ωｔ−θ）｝／２ …（７） 式（７）からわかるように電気信号Ｖ2 は周期ω／πで
位相が２θ進んだ正弦波である。
位相が２θ進んだ正弦波である。
【００１９】一方反射光Ｅb は図４に示すように第２の
光電変換器５に入射して、パルスの電気信号ＲＥＦに変
換される。電気信号ＲＥＦは図６に示すように偏光子１
が１回転する毎に出力され、出力の周期は偏光子１の回
転周期と同様２π／ωである。
光電変換器５に入射して、パルスの電気信号ＲＥＦに変
換される。電気信号ＲＥＦは図６に示すように偏光子１
が１回転する毎に出力され、出力の周期は偏光子１の回
転周期と同様２π／ωである。
【００２０】従って図６に示すように電気信号ＲＥＦを
基準信号とし、電気信号Ｖ2 の２周期ごとのゼロクロス
信号を電気信号ＲＥＦと比較すると、２つの電気信号Ｖ
2 ，ＲＥＦの位相差２θが得られる。位相差２θはファ
ラデ―回転角θの２倍であるから、位相検出手段６で位
相差を検出してファラデ―回転角θを求めることができ
る。
基準信号とし、電気信号Ｖ2 の２周期ごとのゼロクロス
信号を電気信号ＲＥＦと比較すると、２つの電気信号Ｖ
2 ，ＲＥＦの位相差２θが得られる。位相差２θはファ
ラデ―回転角θの２倍であるから、位相検出手段６で位
相差を検出してファラデ―回転角θを求めることができ
る。
【００２１】
【実施例】以下に本発明による光学式磁界測定装置の一
実施例について図１乃至図３を参照して説明する。なお
図１において図４の構成要素と同一の要素については同
じ番号を付与し説明を省略する。
実施例について図１乃至図３を参照して説明する。なお
図１において図４の構成要素と同一の要素については同
じ番号を付与し説明を省略する。
【００２２】図１に示すように半導体レ―ザあるいは発
光ダイオ―ド等から成る光源７の出射光の光軸上に、こ
の出射光を平行光線に偏向するコリメ―タ８を配設す
る。平行光線の光軸上には、中空軸モ―タ９を接続した
偏光子１を配設する。偏光子１は平行光線を直線偏光の
透過光Ｅa と直線偏光の反射光Ｅb に分離し、この透過
光Ｅa の光軸を中心に中空軸モ―タ９によって一定の角
速度ωで回転させられている。透過光Ｅa の光軸上に
は、透過光Ｅa を偏波面がファラデ―回転角θだけ回転
した直線偏光波Ｅ1 に変換するファラデ―効果材２を配
設する。直線偏光波Ｅ1 の光軸上には直線偏光波Ｅ1 か
ら、特定の偏波面方位角成分の直線偏光波Ｅ2 を抽出す
る検光子３を配設する。直線偏光波Ｅ2 の光軸上には直
線偏光波Ｅ2を電気信号Ｖ2 に変換する第１の受光手段
である光電変換器４を配設する。光電変換器４には電気
信号Ｖ2 を、電気信号Ｖ2 のゼロクロス信号である電気
信号ＳＩＧに変換する波形成形回路６ａを接続する。波
形成形回路６ａは図２に示すようにＡＣ増幅器61，コン
パレ―タ62及び単安定マルチバイブレ―タ62を直列に接
続して構成されている。
光ダイオ―ド等から成る光源７の出射光の光軸上に、こ
の出射光を平行光線に偏向するコリメ―タ８を配設す
る。平行光線の光軸上には、中空軸モ―タ９を接続した
偏光子１を配設する。偏光子１は平行光線を直線偏光の
透過光Ｅa と直線偏光の反射光Ｅb に分離し、この透過
光Ｅa の光軸を中心に中空軸モ―タ９によって一定の角
速度ωで回転させられている。透過光Ｅa の光軸上に
は、透過光Ｅa を偏波面がファラデ―回転角θだけ回転
した直線偏光波Ｅ1 に変換するファラデ―効果材２を配
設する。直線偏光波Ｅ1 の光軸上には直線偏光波Ｅ1 か
ら、特定の偏波面方位角成分の直線偏光波Ｅ2 を抽出す
る検光子３を配設する。直線偏光波Ｅ2 の光軸上には直
線偏光波Ｅ2を電気信号Ｖ2 に変換する第１の受光手段
である光電変換器４を配設する。光電変換器４には電気
信号Ｖ2 を、電気信号Ｖ2 のゼロクロス信号である電気
信号ＳＩＧに変換する波形成形回路６ａを接続する。波
形成形回路６ａは図２に示すようにＡＣ増幅器61，コン
パレ―タ62及び単安定マルチバイブレ―タ62を直列に接
続して構成されている。
【００２３】一方反射光Ｅb の光軸上には図１に示すよ
うに反射光Ｅb を電気信号ＲＥＦに変換する、第２の受
光手段である光電変換器５を配設する。光電変換器５と
波形成形回路６ａ，波形成形回路６ａと位相検出回路６
ｂを夫々電気的に接続する。波形成形回路６ａと位相検
出回路６ｂは位相検出手段を構成する。次に作用につい
て説明する。
うに反射光Ｅb を電気信号ＲＥＦに変換する、第２の受
光手段である光電変換器５を配設する。光電変換器５と
波形成形回路６ａ，波形成形回路６ａと位相検出回路６
ｂを夫々電気的に接続する。波形成形回路６ａと位相検
出回路６ｂは位相検出手段を構成する。次に作用につい
て説明する。
【００２４】前述したように透過光Ｅa と直線偏光波Ｅ
1 は偏光子１の回転速度である角速度ωで回転してい
る。検光子３で抽出された直線偏光波Ｅ2 とファラデ―
効果材を透過した直線偏光波Ｅ1 との間には式（５），
（６），（７）の関係が成立し、直線偏光波Ｅ2 を光電
変換して得られた電気信号Ｖ2 は周期π／ωで位相が２
θ進んだ正弦波である。
1 は偏光子１の回転速度である角速度ωで回転してい
る。検光子３で抽出された直線偏光波Ｅ2 とファラデ―
効果材を透過した直線偏光波Ｅ1 との間には式（５），
（６），（７）の関係が成立し、直線偏光波Ｅ2 を光電
変換して得られた電気信号Ｖ2 は周期π／ωで位相が２
θ進んだ正弦波である。
【００２５】図３（ｂ）に示す波形の電気信号Ｖ2 は、
図２に示すＡＣ増幅器61に入力され、交流成分のみが抽
出されて図３（ｃ）に示す電気信号ＡＣになる。電気信
号ＡＣは電気信号Ｖ2 と同様に周期π／ωで位相が２θ
進んだ正弦波である。電気信号ＡＣはコンパレ―タ62に
入力され、正極性期間の信号のみが方形波に変換された
図３（ｄ）に示す電気信号ＣＭＰとなる。電気信号ＣＭ
Ｐは単安定マルチバイブレ―タ63に入力され、単安定マ
ルチバイブレ―タ63は電気信号ＣＭＰの立ち上がり時に
図３（ｅ）に示す幅の狭いパルスの電気信号ＳＩＧを出
力する。即ち、電気信号ＳＩＧは電気信号Ｖ2 のゼロク
ロス信号に該当する。
図２に示すＡＣ増幅器61に入力され、交流成分のみが抽
出されて図３（ｃ）に示す電気信号ＡＣになる。電気信
号ＡＣは電気信号Ｖ2 と同様に周期π／ωで位相が２θ
進んだ正弦波である。電気信号ＡＣはコンパレ―タ62に
入力され、正極性期間の信号のみが方形波に変換された
図３（ｄ）に示す電気信号ＣＭＰとなる。電気信号ＣＭ
Ｐは単安定マルチバイブレ―タ63に入力され、単安定マ
ルチバイブレ―タ63は電気信号ＣＭＰの立ち上がり時に
図３（ｅ）に示す幅の狭いパルスの電気信号ＳＩＧを出
力する。即ち、電気信号ＳＩＧは電気信号Ｖ2 のゼロク
ロス信号に該当する。
【００２６】図３（ａ）に示すパルスの電気信号ＲＥＦ
と電気信号ＳＩＧはフリップフロップ回路で構成される
位相検出回路６ｂに入力される。位相検出回路６ｂにお
いては、基準信号である電気信号ＲＥＦの入力で出力が
立ち上がり、電気信号ＳＩＧの入力で出力が立ち下が
る。電気信号ＲＥＦ，ＳＩＧの位相差は２θであるか
ら、位相検出回路６ｂの出力信号である電気信号ＯＵＴ
のパルス幅は図３（ｆ）に示すように２θである。この
ように位相検出回路６ｂの出力信号のパルス幅からファ
ラデ―回転角θを求めることができ、式（１）から磁界
の強度がわかる。
と電気信号ＳＩＧはフリップフロップ回路で構成される
位相検出回路６ｂに入力される。位相検出回路６ｂにお
いては、基準信号である電気信号ＲＥＦの入力で出力が
立ち上がり、電気信号ＳＩＧの入力で出力が立ち下が
る。電気信号ＲＥＦ，ＳＩＧの位相差は２θであるか
ら、位相検出回路６ｂの出力信号である電気信号ＯＵＴ
のパルス幅は図３（ｆ）に示すように２θである。この
ように位相検出回路６ｂの出力信号のパルス幅からファ
ラデ―回転角θを求めることができ、式（１）から磁界
の強度がわかる。
【００２７】以上のように本実施例によれば偏光子１を
透過光Ｅa の光軸を中心に回転させ、電気信号ＳＩＧ，
ＲＥＦの位相差からファラデ―回転角θを求める構成と
したため光電変換器４，５の利得変動には影響されずに
磁界の強度を正確に測定できる。また、従来の光学磁界
測定装置では出力が sin２θとして検出されるので、測
定精度を必要とする場合には検出範囲が狭くなり、その
対策として逆三角関数の演算回路が必要であったが、本
実施例では、電気信号ＯＵＴのパルス幅がファラデ―回
転角θに比例するので、演算回路は不要となる。
透過光Ｅa の光軸を中心に回転させ、電気信号ＳＩＧ，
ＲＥＦの位相差からファラデ―回転角θを求める構成と
したため光電変換器４，５の利得変動には影響されずに
磁界の強度を正確に測定できる。また、従来の光学磁界
測定装置では出力が sin２θとして検出されるので、測
定精度を必要とする場合には検出範囲が狭くなり、その
対策として逆三角関数の演算回路が必要であったが、本
実施例では、電気信号ＯＵＴのパルス幅がファラデ―回
転角θに比例するので、演算回路は不要となる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば偏光子を透
過光の光軸を中心に回転させ、第１及び第２の受光手段
で変換された電気信号の位相差からファラデ―回転角を
求める構成としたため光電変換器の利得変動に左右され
ず、高精度の磁界の測定を行うことができるという効果
を奏する。
過光の光軸を中心に回転させ、第１及び第２の受光手段
で変換された電気信号の位相差からファラデ―回転角を
求める構成としたため光電変換器の利得変動に左右され
ず、高精度の磁界の測定を行うことができるという効果
を奏する。
【図１】本発明の一実施例を示す光学式磁界測定装置の
構成図
構成図
【図２】図１に示した波形成形回路及び位相検出回路の
詳細を示すブロック構成図
詳細を示すブロック構成図
【図３】本発明の一実施例である光学式磁界測定装置の
タイミング波形図
タイミング波形図
【図４】本発明の磁界測定装置の基本構成を説明するブ
ロック構成図
ロック構成図
【図５】図４における直線偏光波の偏波面方位角の関係
を示すベクトル図
を示すベクトル図
【図６】図４の作用を説明するためのタイミング波形図
【図７】従来の光学式磁界測定装置のブロック構成図で
ある。
ある。
１…偏光子、２…ファラデ―効果材、３…検光子、４，
５…光電変換器、６ａ…波形成形回路、６ｂ…位相検出
回路、７…光源、９…回転機構。
５…光電変換器、６ａ…波形成形回路、６ｂ…位相検出
回路、７…光源、９…回転機構。
Claims (1)
- 【請求項１】 平行光線を出射する光源と、この平行光
線を直線偏光の反射光と直線偏光の透過光とに分離する
偏光子と、この偏光子を前記透過光の光軸を中心に回転
させる回転機構と、前記透過光を入射し直線偏光波を出
射するファラデ―効果材と、この直線偏光波から特定の
偏波面方位角成分の直線偏光波を抽出する検光手段と、
この抽出された直線偏光波を入射して電気信号に変換す
る第１の受光手段と、前記反射光を入射して電気信号に
変換する第２の受光手段と、前記第１の受光手段と前記
第２の受光手段で変換された電気信号の位相差を検出す
る位相検出手段とを備えたことを特徴とする光学式磁界
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201707A JPH0651040A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 光学式磁界測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201707A JPH0651040A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 光学式磁界測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651040A true JPH0651040A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16445597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4201707A Pending JPH0651040A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 光学式磁界測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9982125B2 (en) | 2012-02-16 | 2018-05-29 | Eastman Chemical Company | Clear semi-crystalline articles with improved heat resistance |
| CN113567351A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-10-29 | 四川大学 | 基于量子弱测量的复磁光角测量系统及方法 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP4201707A patent/JPH0651040A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9982125B2 (en) | 2012-02-16 | 2018-05-29 | Eastman Chemical Company | Clear semi-crystalline articles with improved heat resistance |
| CN113567351A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-10-29 | 四川大学 | 基于量子弱测量的复磁光角测量系统及方法 |
| CN113567351B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-08-09 | 四川大学 | 基于量子弱测量的复磁光角测量系统及方法 |
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