JPH0650880A - エリプソメータ - Google Patents
エリプソメータInfo
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- JPH0650880A JPH0650880A JP20240292A JP20240292A JPH0650880A JP H0650880 A JPH0650880 A JP H0650880A JP 20240292 A JP20240292 A JP 20240292A JP 20240292 A JP20240292 A JP 20240292A JP H0650880 A JPH0650880 A JP H0650880A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 1回の測定で単色光線複数波長分の測定が行
えるエリプソメータを提供する。 【構成】 測定試料14に直線偏光を照射し、この時、
測定試料14より反射して来る偏光の強度分布を、回転
検光子15と光検出器を用いて測定することによって、
測定試料14の光学定数及び膜厚を得る分光型のエリプ
ソメータにおいて、回転検光子15の後方には、透過波
長の異なる複数の単色光フィルター2を、上記偏光の光
軸に対して垂直かつ同一平面上に配列すると共に、上記
光検出器を、上記複数の単色光フィルター2の透過光を
個別に受光する2次元光検出器3とした構成となってい
る。
えるエリプソメータを提供する。 【構成】 測定試料14に直線偏光を照射し、この時、
測定試料14より反射して来る偏光の強度分布を、回転
検光子15と光検出器を用いて測定することによって、
測定試料14の光学定数及び膜厚を得る分光型のエリプ
ソメータにおいて、回転検光子15の後方には、透過波
長の異なる複数の単色光フィルター2を、上記偏光の光
軸に対して垂直かつ同一平面上に配列すると共に、上記
光検出器を、上記複数の単色光フィルター2の透過光を
個別に受光する2次元光検出器3とした構成となってい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や酸化物等の薄
膜の評価及び基板物質の評価に使用されるエリプソメー
タに関する。
膜の評価及び基板物質の評価に使用されるエリプソメー
タに関する。
【0002】
【従来技術】エリプソメトリは、物体表面から反射して
くる光の偏光状態の変化を測定して、物体の光学定数あ
るいは物体表面上に存在する薄膜の光学定数及び膜厚を
知る方法であり、半導体多元混晶薄膜の測定において
は、求まった光学定数より薄膜中の元素組成比等の解析
が可能である。また、測定に波長の異なる複数の光を使
用する分光エリプソメトリにより、光学定数の波長分散
を知ることが出来る。
くる光の偏光状態の変化を測定して、物体の光学定数あ
るいは物体表面上に存在する薄膜の光学定数及び膜厚を
知る方法であり、半導体多元混晶薄膜の測定において
は、求まった光学定数より薄膜中の元素組成比等の解析
が可能である。また、測定に波長の異なる複数の光を使
用する分光エリプソメトリにより、光学定数の波長分散
を知ることが出来る。
【0003】図4は、従来の分光式のエリプソメータの
一例の構成例図である。図において、10は測定に使用
する白色光線の光源、11は上記白色光線を平行白色光
線に変換するコリメートレンズ、12は上記平行白色光
線の内、測定に使用する任意の波長光線のみを透過させ
る分光器、13は上記測定に使用する任意の波長の平行
光線を直線偏光に変換する偏光子である。また、14は
測定試料、15は上記直線偏光が測定試料14から反射
された楕円偏光の内、特定の偏光角度毎の直線偏光のみ
を透過させる回転検光子、16は回転検光子15からの
透過光線の強度を検出する光検出器であり、これらは、
上記記述順に上記光線及び上記楕円偏光の光軸上に配置
された構成となっている。
一例の構成例図である。図において、10は測定に使用
する白色光線の光源、11は上記白色光線を平行白色光
線に変換するコリメートレンズ、12は上記平行白色光
線の内、測定に使用する任意の波長光線のみを透過させ
る分光器、13は上記測定に使用する任意の波長の平行
光線を直線偏光に変換する偏光子である。また、14は
測定試料、15は上記直線偏光が測定試料14から反射
された楕円偏光の内、特定の偏光角度毎の直線偏光のみ
を透過させる回転検光子、16は回転検光子15からの
透過光線の強度を検出する光検出器であり、これらは、
上記記述順に上記光線及び上記楕円偏光の光軸上に配置
された構成となっている。
【0004】このような構成のエリプソメータの動作を
以下に述べる。ランプ等の白色光線の光源10からの光
線は、コリメートレンズ11によって平行白色光線に変
換されて、分光器12に入射される。分光器12に入射
された光線は、任意の波長の単色光線に変換されて、偏
光子13に入射され、偏光子13では直線偏光に変換さ
れて、載物台(不図示)に固定された測定試料14に入
射される。測定試料14に入射された直線偏光は、測定
試料14に反射されて、楕円偏光に変化して、回転検光
子15に入射される。
以下に述べる。ランプ等の白色光線の光源10からの光
線は、コリメートレンズ11によって平行白色光線に変
換されて、分光器12に入射される。分光器12に入射
された光線は、任意の波長の単色光線に変換されて、偏
光子13に入射され、偏光子13では直線偏光に変換さ
れて、載物台(不図示)に固定された測定試料14に入
射される。測定試料14に入射された直線偏光は、測定
試料14に反射されて、楕円偏光に変化して、回転検光
子15に入射される。
【0005】ここで、上記の直線偏光の測定試料14へ
の入射面に平行な振動成分をRpexp(i△p)、入
射面に垂直な振動成分をRsexp(i△s)とした
時、tanψ=Rp/Rs △=△p−△s で与
えられる(ψ,△)は、測定試料14の膜厚dと屈折率
nとの関係が予め電子計算機(不図示)で求められてお
り、(ψ,△)を求めることにより、測定試料14の膜
厚dと屈折率nが得られるようになっている。
の入射面に平行な振動成分をRpexp(i△p)、入
射面に垂直な振動成分をRsexp(i△s)とした
時、tanψ=Rp/Rs △=△p−△s で与
えられる(ψ,△)は、測定試料14の膜厚dと屈折率
nとの関係が予め電子計算機(不図示)で求められてお
り、(ψ,△)を求めることにより、測定試料14の膜
厚dと屈折率nが得られるようになっている。
【0006】ここに、図5に示すように、回転検光子1
5のs軸との回転角度をθとすると、回転検光子15
(シンクロナスモータ(不図示)によって回転する)を透
過して光検出器16へ入射される光の強度は I(θ)
=Io (1+cos2ψcos2θ+sin2ψcos
△sin2θ) のディジタル信号として表わされる。
この信号は、回転検光子15が1回転(半回転でも良
い)する間に、光検出器16と電子計算機(不図示)に
よって、256個のサンプリングされたディジタル信号
に変換された後、電子計算機(不図示)によって以下の
処理が行われる。即ち、Iをθに関してフーリエ変換
し、その余弦変換と正弦変換の係数をcos2ψとsi
n2ψcos△に等しいとおくことによって、(ψ,
△)が求められ、この求まった(ψ,△)から測定試料
14の膜厚dと屈折率nが特定される。
5のs軸との回転角度をθとすると、回転検光子15
(シンクロナスモータ(不図示)によって回転する)を透
過して光検出器16へ入射される光の強度は I(θ)
=Io (1+cos2ψcos2θ+sin2ψcos
△sin2θ) のディジタル信号として表わされる。
この信号は、回転検光子15が1回転(半回転でも良
い)する間に、光検出器16と電子計算機(不図示)に
よって、256個のサンプリングされたディジタル信号
に変換された後、電子計算機(不図示)によって以下の
処理が行われる。即ち、Iをθに関してフーリエ変換
し、その余弦変換と正弦変換の係数をcos2ψとsi
n2ψcos△に等しいとおくことによって、(ψ,
△)が求められ、この求まった(ψ,△)から測定試料
14の膜厚dと屈折率nが特定される。
【0007】以上の測定及び計算を、従来は、分光器1
2を操作して単色光線の波長を変えながら所要回数行っ
ていた。ところが、このような従来のエリプソメータで
は、1回の測定では単色光線1波長分の測定値しか得ら
れないので、複数波長分の測定値が必要な場合は、その
複数回数分の測定を行わなければならない。しかし、半
導体の薄膜積層工程において、MBE(分子線エピタキ
シ)装置やMOCVD(有機金属熱分解)装置にエリプ
ソメータを取り付けて、薄膜成長中の測定を行う場合、
測定対象が変化している状態である為、複数回数の測定
を行っていたのでは、同一状態での測定では無くなって
しまうと言う問題が有った。
2を操作して単色光線の波長を変えながら所要回数行っ
ていた。ところが、このような従来のエリプソメータで
は、1回の測定では単色光線1波長分の測定値しか得ら
れないので、複数波長分の測定値が必要な場合は、その
複数回数分の測定を行わなければならない。しかし、半
導体の薄膜積層工程において、MBE(分子線エピタキ
シ)装置やMOCVD(有機金属熱分解)装置にエリプ
ソメータを取り付けて、薄膜成長中の測定を行う場合、
測定対象が変化している状態である為、複数回数の測定
を行っていたのでは、同一状態での測定では無くなって
しまうと言う問題が有った。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて提案されるのもので、1回の測定で単色光線複数波
長分の測定が行えるエリプソメータを提供することを目
的とする。
みて提案されるのもので、1回の測定で単色光線複数波
長分の測定が行えるエリプソメータを提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為に
提案される、請求項1に記載の本発明によるエリプソメ
ータは、測定試料に直線偏光を照射し、この時、上記測
定試料より反射して来る偏光の強度分布を、回転検光子
と光検出器を用いて測定することによって、上記測定試
料の光学定数及び膜厚を得る分光型のエリプソメータに
おいて、上記回転検光子の後方には、透過波長の異なる
複数の単色光フィルターを、上記偏光の光軸に対して垂
直かつ同一平面上に配列すると共に、上記光検出器を、
上記複数の単色光フィルターの透過光を個別に受光する
2次元光検出器とした構成となっている。
提案される、請求項1に記載の本発明によるエリプソメ
ータは、測定試料に直線偏光を照射し、この時、上記測
定試料より反射して来る偏光の強度分布を、回転検光子
と光検出器を用いて測定することによって、上記測定試
料の光学定数及び膜厚を得る分光型のエリプソメータに
おいて、上記回転検光子の後方には、透過波長の異なる
複数の単色光フィルターを、上記偏光の光軸に対して垂
直かつ同一平面上に配列すると共に、上記光検出器を、
上記複数の単色光フィルターの透過光を個別に受光する
2次元光検出器とした構成となっている。
【0010】請求項2に記載の本発明によるエリプソメ
ータは、請求項1に記載のエリプソメータにおいて、上
記光検出器が、上記複数の単色光フィルターの各々に1
対1に対応して、上記光軸との垂直かつ同一平面上に、
複数のフォトダイオードを配列している構成となってい
る。
ータは、請求項1に記載のエリプソメータにおいて、上
記光検出器が、上記複数の単色光フィルターの各々に1
対1に対応して、上記光軸との垂直かつ同一平面上に、
複数のフォトダイオードを配列している構成となってい
る。
【0011】
【作用】請求項1,2に記載の本発明によるエリプソメ
ータでは、分光器を除いて、回転検光子の後方に、透過
波長の異なる複数の単色光フィルターを、測定光線の光
軸との垂直かつ同一平面上に配列すると共に、光検出器
を、上記複数の単色光フィルターの透過光を同時にかつ
個別に受光する2次元光検出器としている為、測定試料
で反射された白色楕円光は、上記回転検光子によって白
色直線偏光に変換された後、上記複数の単色光フィルタ
ーによって複数の単色直線偏光となって透過されて、上
記2次元光検出器によって個別に受光されるので、白色
光線1回の測定によって異なる単色光に対する偏光の強
度分布が測定出来る。
ータでは、分光器を除いて、回転検光子の後方に、透過
波長の異なる複数の単色光フィルターを、測定光線の光
軸との垂直かつ同一平面上に配列すると共に、光検出器
を、上記複数の単色光フィルターの透過光を同時にかつ
個別に受光する2次元光検出器としている為、測定試料
で反射された白色楕円光は、上記回転検光子によって白
色直線偏光に変換された後、上記複数の単色光フィルタ
ーによって複数の単色直線偏光となって透過されて、上
記2次元光検出器によって個別に受光されるので、白色
光線1回の測定によって異なる単色光に対する偏光の強
度分布が測定出来る。
【0012】
【実施例】以下に、添付図を参照して本発明の実施例を
説明する。図1は、請求項1に記載の本発明によるエリ
プソメータの1実施例の構成例図である。従来例と同様
の部分は、同一符号を付して説明を省略する。図におい
て、1は回転検光子の後方に配置されて、図2に示すよ
うに透過波長の異なる複数の単色光フィルター2が同一
平面上に配置された干渉フィルター、3は干渉フィルタ
ー1を透過して来た複数の単色光線の強度を、個別に検
出する2次元光検出器(例えばCCD)である。
説明する。図1は、請求項1に記載の本発明によるエリ
プソメータの1実施例の構成例図である。従来例と同様
の部分は、同一符号を付して説明を省略する。図におい
て、1は回転検光子の後方に配置されて、図2に示すよ
うに透過波長の異なる複数の単色光フィルター2が同一
平面上に配置された干渉フィルター、3は干渉フィルタ
ー1を透過して来た複数の単色光線の強度を、個別に検
出する2次元光検出器(例えばCCD)である。
【0013】このようなエリプソメータの動作を以下に
説明する。ランプ等の白色光線の光源10からの光線
は、コリメートレンズ11によって平行白色光線に変換
されて、偏光子13に入射され、偏光子13では白色の
直線偏光に変換されて、測定試料14に入射される。測
定試料14に入射された白色の直線偏光は、測定試料1
4に反射されて、白色の楕円偏光に変化して、回転検光
子15に入射される。
説明する。ランプ等の白色光線の光源10からの光線
は、コリメートレンズ11によって平行白色光線に変換
されて、偏光子13に入射され、偏光子13では白色の
直線偏光に変換されて、測定試料14に入射される。測
定試料14に入射された白色の直線偏光は、測定試料1
4に反射されて、白色の楕円偏光に変化して、回転検光
子15に入射される。
【0014】ここで、回転検光子15(シンクロナスモ
ータ(不図示)によって回転する)を透過した光の強度
は、従来例と同様に I(θ)=Io (1+cos2ψ
cos2θ+sin2ψcos△sin2θ) のデ
ィジタル信号として表わされる。 回転検光子15を透
過した光は、干渉フィルター1を透過することにより、
複数の単色光フィルター2の単色の透過光に分けられ
て、各々の光の強度は弱まるが、上式のIo が小さくな
るだけで、(ψ,△)の関係は変わらない。また、各々
の単色光フィルター2の透過光が、2次元光検出器3で
受光される位置は一定(図2参照)であるので、電子計
算機(不図示)では、各々の単色光フィルター2の透過
光の強度を表わす信号が区別出来る。
ータ(不図示)によって回転する)を透過した光の強度
は、従来例と同様に I(θ)=Io (1+cos2ψ
cos2θ+sin2ψcos△sin2θ) のデ
ィジタル信号として表わされる。 回転検光子15を透
過した光は、干渉フィルター1を透過することにより、
複数の単色光フィルター2の単色の透過光に分けられ
て、各々の光の強度は弱まるが、上式のIo が小さくな
るだけで、(ψ,△)の関係は変わらない。また、各々
の単色光フィルター2の透過光が、2次元光検出器3で
受光される位置は一定(図2参照)であるので、電子計
算機(不図示)では、各々の単色光フィルター2の透過
光の強度を表わす信号が区別出来る。
【0015】上記のディジタル信号は、回転検光子15
が1回転(半回転でも良い)する間に、2次元の光検出
器3と電子計算機(不図示)によって、各々の単色光フ
ィルター2の透過光毎に、256個のサンプリングされ
たディジタル信号に変換された後、電子計算機(不図
示)によってメモリに記憶され、以下の処理が行われ
る。即ち、各々の単色光フィルター2の透過光毎に、I
をθに関してフーリエ変換し、その余弦変換と正弦変換
の係数をcos2ψとsin2ψcos△に等しいとお
くことによって、(ψ,△)が求められ、この求まった
(ψ,△)から測定試料14の膜厚dと屈折率nが特定
される。
が1回転(半回転でも良い)する間に、2次元の光検出
器3と電子計算機(不図示)によって、各々の単色光フ
ィルター2の透過光毎に、256個のサンプリングされ
たディジタル信号に変換された後、電子計算機(不図
示)によってメモリに記憶され、以下の処理が行われ
る。即ち、各々の単色光フィルター2の透過光毎に、I
をθに関してフーリエ変換し、その余弦変換と正弦変換
の係数をcos2ψとsin2ψcos△に等しいとお
くことによって、(ψ,△)が求められ、この求まった
(ψ,△)から測定試料14の膜厚dと屈折率nが特定
される。
【0016】図3は、請求項2に記載の本発明によるエ
リプソメータの干渉フィルター1と光検出器4の構成を
示した図である。エリプソメータ全体の構成は、上記請
求項1に記載のエリプソメータ(図1)と略同様であ
る。請求項2に記載のエリプソメータにおいて、請求項
1に記載のエリプソメータと異なるところは、図1の2
次元光検出器3に替わって、図3に示すように干渉フィ
ルター1の複数の単色光フィルター2の各々に1対1に
対応して、複数のフォトダイオード5が同一平面上に配
置された光検出器4を備えたところであり、2次元光検
出器3を使用するよりも安価に提供出来る。
リプソメータの干渉フィルター1と光検出器4の構成を
示した図である。エリプソメータ全体の構成は、上記請
求項1に記載のエリプソメータ(図1)と略同様であ
る。請求項2に記載のエリプソメータにおいて、請求項
1に記載のエリプソメータと異なるところは、図1の2
次元光検出器3に替わって、図3に示すように干渉フィ
ルター1の複数の単色光フィルター2の各々に1対1に
対応して、複数のフォトダイオード5が同一平面上に配
置された光検出器4を備えたところであり、2次元光検
出器3を使用するよりも安価に提供出来る。
【0017】このような構成のエリプソメータの動作
は、上記請求項1に記載のエリプソメータと同様であ
る。尚、白色光線の光源10に替えて、単色光フィルタ
ー2の透過波長と対応した波長を含んだ多波長レーザを
用いても良い。また、単色光フィルター2及びフォトダ
イオード5の配列は、放射状等色々考えられる。
は、上記請求項1に記載のエリプソメータと同様であ
る。尚、白色光線の光源10に替えて、単色光フィルタ
ー2の透過波長と対応した波長を含んだ多波長レーザを
用いても良い。また、単色光フィルター2及びフォトダ
イオード5の配列は、放射状等色々考えられる。
【0018】
【発明の効果】請求項1に記載の本発明によるエリプソ
メータによれば、分光器を除いて、回転検光子の後方
に、透過波長の異なる複数の単色光フィルターを、測定
光線の光軸に対して垂直かつ同一平面上に配列すると共
に、光検出器を、上記複数の単色光フィルターの透過光
を同時にかつ個別に受光する2次元光検出器としている
為、測定試料で反射された白色楕円光は、上記回転検光
子によって白色直線偏光に変換された後、上記複数の単
色光フィルターによって複数の単色直線偏光となって透
過されて、上記2次元光検出器によって個別に受光され
る。この為、白色光線1回の測定によって異なる単色光
に対する偏光の強度分布が同時に測定出来るので、状態
が変化する測定対象でも素早く(1秒以内)分光測定が
出来る。また、分光器が不要である為、装置が小型にな
り、コスト的にも有利である。
メータによれば、分光器を除いて、回転検光子の後方
に、透過波長の異なる複数の単色光フィルターを、測定
光線の光軸に対して垂直かつ同一平面上に配列すると共
に、光検出器を、上記複数の単色光フィルターの透過光
を同時にかつ個別に受光する2次元光検出器としている
為、測定試料で反射された白色楕円光は、上記回転検光
子によって白色直線偏光に変換された後、上記複数の単
色光フィルターによって複数の単色直線偏光となって透
過されて、上記2次元光検出器によって個別に受光され
る。この為、白色光線1回の測定によって異なる単色光
に対する偏光の強度分布が同時に測定出来るので、状態
が変化する測定対象でも素早く(1秒以内)分光測定が
出来る。また、分光器が不要である為、装置が小型にな
り、コスト的にも有利である。
【0019】請求項2に記載の本発明によるエリプソメ
ータによれば、上記光検出器が、上記複数の単色光フィ
ルターの各々に1対1に対応して、上記光軸に対して垂
直かつ同一平面上に配置した、複数のフォトダイオード
で構成されている為、安価に提供出来る。
ータによれば、上記光検出器が、上記複数の単色光フィ
ルターの各々に1対1に対応して、上記光軸に対して垂
直かつ同一平面上に配置した、複数のフォトダイオード
で構成されている為、安価に提供出来る。
【図1】請求項1に記載の本発明によるエリプソメータ
の構成例図である。
の構成例図である。
【図2】請求項1に記載の本発明によるエリプソメータ
の構成例の内、干渉フィルターと2次元光検出器の構成
例を示した図である。
の構成例の内、干渉フィルターと2次元光検出器の構成
例を示した図である。
【図3】請求項2に記載の本発明によるエリプソメータ
の構成例の内、干渉フィルターと複数のフォトダイオー
ドから成る光検出器の構成例を示した図である。
の構成例の内、干渉フィルターと複数のフォトダイオー
ドから成る光検出器の構成例を示した図である。
【図4】従来のエリプソメータの構成例図である。
【図5】回転検光子のs軸との回転角度θを説明する為
の図である。
の図である。
1・・・干渉フィルター 2・・・単色光フィルター 3・・・2次元光検出器 4・・・複数のフォトダイオードから成る光検出器 5・・・フォトダイオード 10・・・白色光線の光源 11・・・コリメートレンズ 12・・・分光器 13・・・偏光子 14・・・測定試料 15・・・回転検光子 16・・・光検出器
Claims (2)
- 【請求項1】測定試料に直線偏光を照射し、この時、上
記測定試料より反射して来る偏光の強度分布を、回転検
光子と光検出器を用いて測定することによって、上記測
定試料の光学定数及び膜厚を得る分光型のエリプソメー
タにおいて、上記回転検光子の後方には、透過波長の異
なる複数の単色光フィルターを、上記偏光の光軸に対し
て垂直かつ同一平面上に配列すると共に、上記光検出器
を、上記複数の単色光フィルターの透過光を個別に受光
する2次元光検出器としたことを特徴とするエリプソメ
ータ。 - 【請求項2】上記光検出器が、上記複数の単色光フィル
ターの各々に1対1に対応して、上記光軸との垂直かつ
同一平面上に、複数のフォトダイオードを配列している
ことを特徴とする、請求項1に記載のエリプソメータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20240292A JPH0650880A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | エリプソメータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20240292A JPH0650880A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | エリプソメータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0650880A true JPH0650880A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16456914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20240292A Withdrawn JPH0650880A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | エリプソメータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0650880A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998057146A1 (fr) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Matsushita Electronics Corporation | Procede d'evaluation de couche semi-conductrice, procede de fabrication de dispositif semi-conducteur, et support d'enregistrement |
US6475815B1 (en) | 1998-12-09 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of measuring temperature, method of taking samples for temperature measurement and method for fabricating semiconductor device |
JP2014020890A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Iwasaki Electric Co Ltd | 偏光測定方法、偏光測定装置、及び偏光測定システム |
-
1992
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