JPH0649672A - 圧延用ロールの製造方法 - Google Patents

圧延用ロールの製造方法

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Publication number
JPH0649672A
JPH0649672A JP4204955A JP20495592A JPH0649672A JP H0649672 A JPH0649672 A JP H0649672A JP 4204955 A JP4204955 A JP 4204955A JP 20495592 A JP20495592 A JP 20495592A JP H0649672 A JPH0649672 A JP H0649672A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
roll
patterns
etching
pattern
power
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4204955A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Onda
和雄 恩田
Toshio Imae
敏夫 今江
Takuya Nagahama
拓也 長濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0649672A publication Critical patent/JPH0649672A/ja
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  • Metal Rolling (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ロール表面に耐酸樹脂被膜を塗布し、パルス状
レーザ光を照射して該被膜を部分的に蒸発させ、エッチ
ングによりロール表面に模様を形成する方法において、
複数水準の食刻深さをもつ微細模様をロール表面に形成
する。 【構成】模様1をレーザ光のパワー50μJで50μm
ピッチで照射し、その後装置をスタート位置に戻して、
1回目のレーザパワーの約70%のパワーで図1に示す
模様2のマーキングを同ピッチで施した。ロールをエッ
チング処理することによって、図1(ロ)に示すよう
に、模様1に対応する深さ約10μmの段11、模様2
に対応する深さ約5μmの段12、及び侵食されない部
分13を有する断面を表面に有するロール10を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属ロール表面に微細な
凹凸模様を付与する圧延用ロールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ロール表面に耐酸樹脂被膜を塗布
し、この被膜の一部を所要の模様になるように、Qスイ
ッチつきYAGレーザにてパルス状レーザ光を照射して
該被膜を蒸発させ(照射工程)、ついでロール表面の露
出部分をエッチング処理にて食刻する(エッチング工
程)ことによりロール表面に凹凸模様を形成するロール
の製造方法がある(特開平2−175882号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述の金属ロール表面
に微細な凹凸模様を付与する圧延用ロールの製造方法で
は、所望の模様を形成することができるようにレーザパ
ルスの配列を設定し、その配列されたパターンに従って
レーザ光を被膜に照射して、照射した部分の耐酸樹脂被
膜を除去した後に、露出部分をエッチング処理し、ロー
ル表面に一定の深さの模様を形成していた。図2は模式
的にこれを示すもので、図2(イ)に示すようにような
領域3を残してレーザパルスにより模様1を形成し、こ
の部分の耐酸樹脂被膜を蒸発させた後エッチングする
と、図2(ロ)に示すような侵食された部分11と侵食
されない部分13とからなる断面の凹凸を表面に有する
ロール10を得ることができる。
【0004】本発明は上記方法にさらに改善を加えたも
ので、模様の深さを複数段に形成する技術を提供するこ
とを目的とするものである。即ち、建材等で利用されて
いる化粧性鋼板等で模様として、例えば、写真のような
場合に、従来は二値化したドット模様でありリアルな表
現ができなかった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、ロール表面に
耐酸樹脂被膜を塗布し、パルス状レーザ光を照射して該
被膜を部分的に蒸発させ、エッチングによりロール表面
に模様を形成する方法において、レーザ光のパワーを変
更し、模様の深さを複数段に形成することを特徴とする
圧延用ロールの製造方法である。この場合、レーザ光の
パルスピッチを10〜100μmとすると好適である。
【0006】
【作用】耐酸樹脂被膜の材料としては、例えば、特願平
3−44816号に記載の主としてアクリル系の樹脂に
カーボンブラックとセルロース誘導体を加えたものを使
用するとよい。これはレーザ光の吸収効率を高め、低い
エネルギーでも効果的にマーキング処理することができ
るからである。
【0007】このような耐酸樹脂被膜は、樹脂自身は透
明であるから、レーザ光照射部においてもごく薄い残留
被膜が存在する。この残留被膜の厚さは、レーザ照射し
た時のレーザ光のパワーに反比例する。つまり、レーザ
光のパワーをコントロールすることにより樹脂被膜の残
留膜厚さに差が生じる。この差は次工程のエッチングの
ときに侵食深さに差異を生じ、同一エッチングパターン
でもエッチング深さが異なる。これは、残留膜厚さが薄
いほどその膜の下地金属のエッチング開始時期が早く、
逆にこの残留膜厚さが厚いとエッチング開始時期が遅
れ、同一エッチング処理時間では、侵食深さに差異が生
じることによる。本発明はこの差を利用して、一回のエ
ッチング処理で複数段の深さの異なる凹凸をもつ模様の
加工を行うものである。
【0008】レーザ光のパワーは、耐酸樹脂被膜の種
類、厚さ、エッチング液の種類、エッチング条件等によ
り、実験的に定めることができる。なお、レーザ光のパ
ワーをコントロールする方法として、レーザ発振器に負
荷する電流量を調節することによって容易に達成され
る。
【0009】
【実施例】回転装置によって所定の速度で回転する圧延
用ロール表面に対して相対的にロールの軸方向に移動し
つつ、付与すべき模様に応じてON/OFF制御され円
周方向、軸方向にそれぞれに一定間隔でヘリカル状にパ
ルス状のレーザ光を照射し、ロール表面にあらかじめ塗
布された耐酸樹脂被膜を蒸発させ、所望の模様を付与す
る装置を用いて、本発明を実施した。
【0010】この装置は、ロール表面にマーキングする
時のスタート位置を記憶しておくことができるため、先
ず図2(イ)に示す模様1をレーザ発振器の負荷電流量
を調節してレーザ光のパワー50μJとし、50μmピ
ッチで照射し、その後装置をスタート位置に戻して、1
回目のレーザパワーの約70%のパワーで図1に示す模
様2のマーキングを同ピッチで施した。領域3はレーザ
光の照射を行わない部分である。このようにパワーの異
なるレーザ光でマーキングされたロールをエッチング処
理することによって、図1(ロ)に示すように、模様1
に対応する深さ約10μmの段11、模様2に対応する
深さ約5μmの段12、及び侵食されない部分13を有
する断面を表面に有するロール10を得ることができ
る。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、表面に複数水準の食刻
深さをもつ微細模様をロール表面に形成することができ
る。このロールを用いて、ハーフトーンの模様を有する
鋼板を容易に製造することができる。即ち、凸部の深さ
を変化させることで微妙なコントラストの表現が可能と
なる。
【0012】また、例えば、複数水準の深さを有する模
様をもつ鋼板を製造することが容易となるから、成形用
の油を異なる表面深さの凹部に保有する鋼板、すなわち
異なるプレス成形性(深絞り性)を有する鋼板を1種類
の鋼板により作成することができ、製板工程、ユーザへ
の搬送工程の合理化等に寄与する所が大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例のマーキング模様を示す模式図及びエッ
チング後の断面図(図1(イ)のA−A矢視)である。
【図2】従来のマーキング模様を示す模式図及びエッチ
ング後の断面図である。
【符号の説明】
1、2 模様 3 領域 10 ロール 11、12 段(侵食された部分) 13 侵食されない部分

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ロール表面に耐酸樹脂被膜を塗布し、パ
    ルス状レーザ光を照射して該被膜を部分的に蒸発させ、
    エッチングによりロール表面に模様を形成する方法にお
    いて、レーザ光のパワーを変更し、模様の深さを複数段
    に形成することを特徴とする圧延用ロールの製造方法。
  2. 【請求項2】 レーザ光のパルスピッチが10〜100
    μmであることを特徴とする請求項1記載の圧延用ロー
    ルの製造方法。
JP4204955A 1992-07-31 1992-07-31 圧延用ロールの製造方法 Withdrawn JPH0649672A (ja)

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JPH0649672A true JPH0649672A (ja) 1994-02-22

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816284B2 (en) 2008-10-16 2010-10-19 Samsung Led Co., Ltd. Method of forming pattern on group III nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816284B2 (en) 2008-10-16 2010-10-19 Samsung Led Co., Ltd. Method of forming pattern on group III nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device
US8110417B2 (en) 2008-10-16 2012-02-07 Samsung Led Co., Ltd. Method of forming pattern on group III nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device

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Effective date: 19991005