JPH0649358A - Actinic ray-sensitive polymer composition - Google Patents
Actinic ray-sensitive polymer compositionInfo
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- JPH0649358A JPH0649358A JP4204993A JP20499392A JPH0649358A JP H0649358 A JPH0649358 A JP H0649358A JP 4204993 A JP4204993 A JP 4204993A JP 20499392 A JP20499392 A JP 20499392A JP H0649358 A JPH0649358 A JP H0649358A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、化学線感応性重合体組
成物に関するものであり、さらに詳しくは、感度の優れ
た感光性ポリイミドコーティング剤組成物に関するもの
である。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an actinic radiation-sensitive polymer composition, and more particularly to a photosensitive polyimide coating agent composition having excellent sensitivity.
【0002】[0002]
【従来の技術】感光性ポリイミド組成物としては、ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素2重結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む
化合物を添加した組成物(例えば特公昭59−5282
2号公報)やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物(例えばUSP39575
12、USP4040831号明細書)も知られてい
る。2. Description of the Related Art As a photosensitive polyimide composition, a polyamic acid, which can be dimerized or polymerized by actinic radiation, is used.
A composition containing a compound containing a carbon double bond and an amino group or a quaternized salt thereof (for example, JP-B-59-5282).
2) or a polyimide precursor composition obtained by introducing photosensitivity to a polyamic acid with an ester group (for example, USP39575).
12, USP 4040831).
【0003】一方、半導体装置は、高集積化が進行し、
それに応じ必要なパターンも1μm以下の微細なものが
要求されるようになった。これに応じて、パターンを形
成させるための露光波長が436nmから365nm、
さらには308nm、248nmのような深紫外光であ
る露光装置による露光が検討されている。このため、該
半導体装置の層間絶縁膜、保護膜に使用される感光性ポ
リイミド組成物に対しても短波長露光の適用が考えられ
ている。On the other hand, semiconductor devices have been highly integrated,
Accordingly, the required pattern is required to be as fine as 1 μm or less. Accordingly, the exposure wavelength for forming the pattern is 436 nm to 365 nm,
Furthermore, exposure by an exposure device that emits deep ultraviolet light such as 308 nm and 248 nm is under study. Therefore, it is considered that short wavelength exposure is applied to the photosensitive polyimide composition used for the interlayer insulating film and the protective film of the semiconductor device.
【0004】しかし、かかる従来の組成物において、露
光が短波長になると、該感光成分の反応性が低下するた
めに感度が低下するなどの欠点があった。However, such a conventional composition has a drawback in that when the exposure wavelength is short, the sensitivity of the composition is lowered due to the decrease of reactivity of the photosensitive component.
【0005】本発明者らが、感度の向上のため、従来の
感光性ポリイミドの光反応について詳細な検討を行った
ところ、上記のような短波長の露光ではポリイミド前駆
体の光線の吸収が大きく、感光成分が利用できるエネル
ギーが非常に少ないことが判明した。The present inventors have conducted a detailed study on the photoreaction of a conventional photosensitive polyimide in order to improve the sensitivity. As a result, the light absorption of the polyimide precursor is large in the short wavelength exposure as described above. , It was found that the energy available for the photosensitive component is very low.
【0006】本発明者らはこのような事実に鑑み、反応
性の向上をはかるため、感光性ポリイミドの光反応につ
いて研究を行なったところ、ポリイミド前駆体の光反応
を利用した、全く新しい光反応により不溶化する感光性
ポリイミドを見出し本発明に至った。In view of the above facts, the present inventors have studied the photoreaction of a photosensitive polyimide in order to improve the reactivity. As a result, a completely new photoreaction utilizing the photoreaction of a polyimide precursor has been conducted. The present invention has led to the discovery of a photosensitive polyimide which is insolubilized.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、短波長の光線に対しても透過率が高く、実用的
な画像の形成できる新規な化学線感応性重合体組成物を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a novel actinic radiation-sensitive polymer composition which has a high transmittance even for a light ray having a short wavelength and can form a practical image. Especially.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は以
下の構成をとることにより達成される。The object of the present invention is achieved by the following constitution.
【0009】(1)一般式[I]で表される構造単位を
有するポリマー(A)と、(1) A polymer (A) having a structural unit represented by the general formula [I],
【化3】 (ただし、R1 は少なくとも2個以上の炭素原子を有す
る3価または4価の有機基、R2 は少なくとも2個以上
の炭素原子を有する2価の有機基、R3 は水素、アルカ
リ金属イオンまたはアンモニウムイオンを表す。nは1
または2である。)電子受容性基およびアミノ基または
その4級化塩を含む化合物(B)とを含むことを特徴と
する化学線感応性重合体組成物。[Chemical 3] (However, R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 3 is hydrogen or an alkali metal ion. Or represents an ammonium ion, n is 1
Or 2. ) A compound (B) containing an electron-accepting group and an amino group or a quaternized salt thereof, and an actinic radiation-sensitive polymer composition.
【0010】(2)電子受容性基およびアミノ基または
その4級化塩を含む化合物(B)が、一般式[II]で
表される化合物であることを特徴とする前記(1)記載
の化学線感応性重合体組成物。(2) The compound (B) containing an electron-accepting group and an amino group or a quaternized salt thereof is a compound represented by the general formula [II]. Actinic radiation-sensitive polymer composition.
【0011】[0011]
【化4】 (ただし、R4 はフェニル基、ナフチル基、アンスリル
基、ピリジル基またはキノリル基、Pは水酸基、−OR
5 (ただし、R5 は炭素数1から3までの有機基)、炭
素数1〜3のアルキル基、アミノ基、ハロゲン原子また
はハロゲン化メチル基、Qは、ニトロ基、−COR
6 (ただし、R6 は炭素数1から12までの有機基)、
アルデヒド基、カルボキシル基、−COOR7 (ただ
し、R7 は炭素数1から10までの有機基)、スルホン
酸基、−SO2 R8 (ただし、R8 は炭素数1から10
までの有機基)またはシアノ基、Xは−COO−、−O
−、−CH2 −、−SO2 −、−SO−、または−CO
−、Tは、炭素数1から6までのアルキルアミノ基、ジ
アルキルアミノ基、ピリジン環、またはキノリン環であ
る。pは0から5までの整数、qは0から5までの整
数、p+q<6、uは0から6までの整数、rは1から
10までの整数、sは1から5までの整数である。)本
発明における一般式[I]で表される構造単位を有する
ポリマ(A)としては、前記一般式[I]で示される構
造を有し、加熱あるいは適当な触媒によりイミド環や、
その他環状構造を有するポリマ(以後、ポリイミド系ポ
リマと呼ぶ)となり得るものを挙げることができる。[Chemical 4] (However, R 4 is a phenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyridyl group or quinolyl group, P is a hydroxyl group, —OR
5 (however, R 5 is an organic group having 1 to 3 carbon atoms), an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an amino group, a halogen atom or a halogenated methyl group, Q is a nitro group, -COR
6 (provided that R 6 is an organic group having 1 to 12 carbon atoms),
Aldehyde group, carboxyl group, -COOR 7 (provided that R 7 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms), sulfonic acid group, -SO 2 R 8 (provided that R 8 has 1 to 10 carbon atoms).
Up to organic groups) or cyano groups, X is —COO—, —O
-, - CH 2 -, - SO 2 -, - SO-, or -CO
-, T is an alkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group, a pyridine ring, or a quinoline ring. p is an integer from 0 to 5, q is an integer from 0 to 5, p + q <6, u is an integer from 0 to 6, r is an integer from 1 to 10, and s is an integer from 1 to 5. . ) The polymer (A) having the structural unit represented by the general formula [I] in the present invention has the structure represented by the above general formula [I], and has an imide ring or a ring formed by heating or a suitable catalyst.
Other examples include polymers that can be a polymer having a ring structure (hereinafter referred to as a polyimide-based polymer).
【0012】上記一般式[I]中、R1 は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する3価または4価の有機基であ
る。ポリイミド系ポリマの耐熱性から、R1 はポリマ主
鎖のカルボニル基との結合が芳香族複素環から直接行わ
れる構造を有するものが好ましい。したがって、R1 と
しては、芳香環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数6〜30の3価または4価の基が好ましい。In the above general formula [I], R 1 is at least 2
It is a trivalent or tetravalent organic group having one or more carbon atoms. From the heat resistance of the polyimide-based polymer, R 1 preferably has a structure in which the bond with the carbonyl group of the polymer main chain is directly formed from the aromatic heterocycle. Therefore, R 1 is preferably a trivalent or tetravalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocycle and having 6 to 30 carbon atoms.
【0013】R1 の好ましい具体的な例としては、ピロ
メリット酸残基、3,3´,4,4´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ジフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4
´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸残基などが挙
げられるが、これらに限定されない。Specific preferred examples of R 1 include pyromellitic acid residue, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid residue, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid residue. Acid residue, 3,3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid residue, 3,3', 4,4
Examples thereof include, but are not limited to, '-diphenylsulfone tetracarboxylic acid residue.
【0014】ポリマー(A)はR1 がこれらのうちの1
種から構成されていても良いし、2種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。In the polymer (A), R 1 is one of these.
It may be composed of one kind or a copolymer composed of two or more kinds.
【0015】上記一般式[I]中、R2 は少なくとも2
個以上の炭素原子を有する2価の有機基である。R1 と
同様、ポリイミド系ポリマの耐熱性から、R2 はポリマ
主鎖のカルボニル基との結合が芳香族環から直接行われ
る構造を有するものが好ましい。したがって、R2 とし
ては芳香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数
6〜30の2価の基が好ましい。In the above general formula [I], R 2 is at least 2
It is a divalent organic group having one or more carbon atoms. Similar to R 1 , in view of the heat resistance of the polyimide-based polymer, R 2 preferably has a structure in which the bond with the carbonyl group of the polymer main chain is directly formed from the aromatic ring. Therefore, R 2 is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocycle and having 6 to 30 carbon atoms.
【0016】R2 の好ましい具体的な例としては、ジア
ミノジフェニルエーテル残基、ジアミノジフェニルスル
フィド残基、ジアミノジフェニルメタン残基、ジアミノ
ジフェニルスルホン残基、フェニレンジアミン残基、ベ
ンチジン残基、ビスアミノフェノキシプロパン残基など
が挙げられるが、これらに限定されない。Specific preferred examples of R 2 include diaminodiphenyl ether residue, diaminodiphenyl sulfide residue, diaminodiphenylmethane residue, diaminodiphenyl sulfone residue, phenylenediamine residue, benzidine residue and bisaminophenoxypropane residue. Groups and the like, but are not limited thereto.
【0017】ポリマ(A)は、R2 がこれらのうちただ
1種から構成されていても良いし、2種以上から構成さ
れる共重合体であっても良い。In the polymer (A), R 2 may be composed of only one of these, or may be a copolymer composed of two or more.
【0018】さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向
上させるために、耐熱性を低下させない範囲でR2 とし
て、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合する
ことも可能である。好ましい具体例としては、ビス(3
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン残基など
が挙げられる。Further, in order to improve the adhesiveness of the polyimide-based polymer, it is possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R 2 within a range that does not lower the heat resistance. A preferred specific example is bis (3
-Aminopropyl) tetramethyldisiloxane residue and the like.
【0019】上記一般式[I]中、R3 は水素、アルカ
リ金属イオンまたはアンモニウムイオンであり、nは1
または2である。In the above general formula [I], R 3 is hydrogen, alkali metal ion or ammonium ion, and n is 1
Or 2.
【0020】ポリマ(A)は、一般式[I]で表される
構造単位のみから成るものであっても良いし、他の構造
単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。
その際、一般式[I]で表される構造単位を90%以上
含有していることが好ましい。共重合に用いられる構造
単位の種類、量は最終加熱処理によって得られるポリイ
ミド系ポリマの耐熱性を著しく損なわない範囲で選択す
るのが望ましい。The polymer (A) may be composed of only the structural unit represented by the general formula [I], or may be a copolymer or a blend with another structural unit.
In that case, it is preferable that 90% or more of the structural unit represented by the general formula [I] is contained. It is desirable to select the type and amount of the structural unit used for the copolymerization so long as the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment is not significantly impaired.
【0021】ポリマ(A)の具体的な例としては、ピロ
メリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエー
テル、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン
酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエーテル、
ピロメリット酸2無水物と3,3´(または4,4´)
−ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸2無水
物および3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸2無水物と3,3´(または4,4´)−ジア
ミノジフェニルスルホン、3,3´,4,4´−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸2無水物と3,3´(または
4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、3,3´,
4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物と3,
3´(または4,4´)−ジアミノジフェニルスルホ
ン、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ビフェニルテ
トラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、3,3´,4,4´−ベンゾテトラカル
ボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、3,3´,
4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物とパラ
フェニレンジアミン、ピロメリット酸2無水物および
3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
2無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸2
無水物および3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカ
ルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、3,3
´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸2
無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエーテル、3,
3´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸
2無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸2
無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエーテルおよび
ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサ
ン、などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いら
れる。Specific examples of the polymer (A) include pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether. 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether,
Pyromellitic dianhydride and 3,3 '(or 4,4')
-Diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 3,3' (or 4,4 ')-diaminodiphenyl sulfone, 3,3' , 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 3,3 '(or 4,4')-diaminodiphenyl sulfone, 3,3 ',
4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride and 3,
3 '(or 4,4')-diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4, 4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3', 4,4'-benzotetracarboxylic dianhydride Thing and para-phenylenediamine, 3,3 ',
4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic acid dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic acid 2
Anhydrous and 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3
′, 4,4′-Diphenyl ether tetracarboxylic acid 2
Anhydrous and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,
3 ', 4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride, paraphenylenediamine, pyromellitic acid 2
A polyamic acid synthesized from an anhydride, 4,4′-diaminodiphenyl ether, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, etc. is preferably used.
【0022】電子受容性基およびアミノ基またはその4
級化塩を含む化合物(B)としては、1分子中に電子受
容性基とアミノ基またはその4級化塩を含む化合物が用
いられる。Electron-accepting group and amino group or its 4
As the compound (B) containing a quaternized salt, a compound containing an electron-accepting group and an amino group or a quaternized salt thereof in one molecule is used.
【0023】電子受容性基としては、炭素−炭素2重結
合、ポリエン、ベンゼン環、ピリジン環、キノリン環、
ナフタレン環のようなπ電子のつながりで形成された基
に、ニトロ基やカルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、スルホン酸基、アルデヒド基、アシル基、シアノ基
などの電子吸引性基が結合したものが好ましく、さらに
これらのπ電子のつながりで形成された基に弱い電子供
与性基であるアルコキシ基、アルキル基、アリル基、ハ
ロゲン原子、ハロゲン化メチル基などが結合してπ電子
の共役状態を大きくしたものが、さらに好ましく用いら
れる。このような電子受容性基に加え、アルキルアミノ
基、ジアルキルアミノ基、ピリジン環、キノリン環、ト
リアルキルアミノ基の水酸塩、アルキルピリジニウム基
のトシル塩などのアミノ基またはその4級化塩が化合物
中に存在することで、本発明の目的を達成することがで
きる。As the electron-accepting group, carbon-carbon double bond, polyene, benzene ring, pyridine ring, quinoline ring,
A group formed by connecting π electrons such as a naphthalene ring is preferably bonded to an electron-withdrawing group such as a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfonic acid group, an aldehyde group, an acyl group or a cyano group. In addition, weak electron-donating groups such as alkoxy group, alkyl group, allyl group, halogen atom, and halogenated methyl group are bonded to the group formed by the connection of these π electrons to increase the conjugated state of π electrons. Those more preferably used. In addition to such an electron-accepting group, an amino group such as an alkylamino group, a dialkylamino group, a pyridine ring, a quinoline ring, a trialkylamino group hydrochloride, an alkylpyridinium group tosyl salt, or a quaternized salt thereof is used. By being present in the compound, the object of the present invention can be achieved.
【0024】化合物(B)において、アミノ基が4級化
されていない場合は、一般式[I]のR3 が水素のポリ
マ(A)と組合わせるのが好ましい。アミノ基が4級化
されている場合は、R3 がアルカリ金属イオンまたはア
ンモニウムイオンのポリマ(A)と組合わせるのが好ま
しい。In the compound (B), when the amino group is not quaternized, it is preferred that R 3 in the general formula [I] is combined with the hydrogen polymer (A). When the amino group is quaternized, it is preferable to combine R 3 with a polymer (A) of an alkali metal ion or an ammonium ion.
【0025】このような化合物(B)として、例えば、
以下の一般式[II]で表される化合物を挙げることが
できる。As such a compound (B), for example,
The compound represented by the following general formula [II] can be mentioned.
【0026】[0026]
【化5】 上記一般式[II]中、R4 はフェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ピリジル基またはキノリル基であ
る。これらのうちで、特に好ましいものは、フェニル
基、ナフチル基、アンスリル基である。[Chemical 5] In the above general formula [II], R 4 is a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a pyridyl group or a quinolyl group. Of these, phenyl, naphthyl and anthryl groups are particularly preferable.
【0027】Pは水酸基、−OR5 (ただし、R5 は炭
素数1から3までの有機基)、アルキル基、アミノ基、
ハロゲン原子またはハロゲン化メチル基である。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、メチル基、エチル基、
ジメチルアミノ基、フッ素原子、塩素原子、トリフルオ
ロメチル基などが挙げられ、これらの中で特に好ましい
ものは、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基で
ある。pは0から5までの整数で、pが2以上の場合、
Pは互いに同一であっても異なっていても構わない。P is a hydroxyl group, -OR 5 (wherein R 5 is an organic group having 1 to 3 carbon atoms), an alkyl group, an amino group,
It is a halogen atom or a halogenated methyl group. Specifically, a methoxy group, an ethoxy group, a methyl group, an ethyl group,
Examples thereof include a dimethylamino group, a fluorine atom, a chlorine atom, and a trifluoromethyl group. Of these, particularly preferred are alkoxy groups such as a methoxy group and an ethoxy group. p is an integer from 0 to 5, and when p is 2 or more,
P may be the same as or different from each other.
【0028】Qは、ニトロ基、−COR6 (ただし、R
6 は炭素数1から12までの有機基)、アルデヒド基、
カルボキシル基、−COOR7 (ただし、R7 は炭素数
1から10までの有機基)、スルホン酸基、−SO2 R
8 (ただし、R8 は炭素数1から10までの有機基)ま
たはシアノ基である。具体的には、ニトロ基、ベンゾフ
ェノン基、メチルケトン基、エチルケトン基、アルデヒ
ド基、カルボキシル基、メチルカルボキシル基、エチル
カルボキシル基、フェニルカルボキシル基、スルホン酸
基、メチルスルホン酸基、p−トルエンスルホン酸基、
シアノ基などが挙げられ、これらの中で特に好ましいの
は、ニトロ基、シアノ基、ベンゾフェノン基である。q
は0から5までの整数であるが、上記pとqの和が6よ
り小さくなくてはならない。Pの場合と同様、qが2以
上の場合には、Qは互いに同一であっても異なっていて
も構わない。Q is a nitro group, --COR 6 (provided that R
6 is an organic group having 1 to 12 carbon atoms), an aldehyde group,
Carboxyl group, -COOR 7 (where R 7 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms), sulfonic acid group, -SO 2 R
8 (wherein R 8 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms) or a cyano group. Specifically, nitro group, benzophenone group, methyl ketone group, ethyl ketone group, aldehyde group, carboxyl group, methyl carboxyl group, ethyl carboxyl group, phenyl carboxyl group, sulfonic acid group, methyl sulfonic acid group, p-toluene sulfonic acid group ,
Examples thereof include a cyano group. Of these, a nitro group, a cyano group and a benzophenone group are particularly preferable. q
Is an integer from 0 to 5, but the sum of p and q must be smaller than 6. As in the case of P, when q is 2 or more, Q may be the same or different.
【0029】Xは−COO−、−O−、−CH2 −、−
SO2 −、−SO−、または−CO−である。これらの
中で特に好ましいものは、−COO−、−O−である。X is --COO--, --O--, --CH 2 -,-
SO 2 -, - SO-, or -CO-. Of these, particularly preferred are -COO- and -O-.
【0030】Tは、炭素数1から6までのアルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、ピリジン環、またはキノリ
ン環である。具体的には、メチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、ピリジル基、メチルピリジ
ル基、キノリル基などが挙げられ、これらの中で特に好
ましいものは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ピリジル基である。T is an alkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group, a pyridine ring, or a quinoline ring. Specific examples thereof include a methylamino group, a dimethylamino group, a diethylamino group, a pyridyl group, a methylpyridyl group, and a quinolyl group. Among these, a particularly preferable one is a dimethylamino group, a diethylamino group,
It is a pyridyl group.
【0031】また、uは0から6までの整数、rは1か
ら10までの整数、sは1から5までの整数である。U is an integer from 0 to 6, r is an integer from 1 to 10, and s is an integer from 1 to 5.
【0032】上記一般式[II]で表される化合物の例
としては、ジメチルアミノエチルベンゾエート、ジメチ
ルアミノエチル−ニトロベンゾエート、ジメチルアミノ
エチル−ジニトロベンゾエート、ジメチルアミノエチル
−シアノベンゾエート、ジメチルアミノエチル−ジメト
キシベンゾエート、ジメチルアミノエチルナフタレー
ト、ジメチルアミノエチル−フェニルアセテート、ジメ
チルアミノエチル−ニトロフェニルアセテート、ジメチ
ルアミノエチル−シアノフェニルアセテート、ジメチル
アミノエチル−メトキシフェニルアセテート、ジエチル
アミノエチル−ニトロベンゾエート、ジエチルアミノエ
チル−メトキシベンゾエート、ジエチルアミノプロピル
−ニトロベンゾエート、ジエチルアミノプロピル−メト
キシベンゾエート、ジプロピルアミノヘキシル−メトキ
シベンゾエート、ジブチルアミノブチル−シアノベンゾ
エート、ジメチルアミノエチルベンジルエーテル、ジメ
チルアミノエチルフェニルスルホン、クロロアントラセ
ンカルボン酸ジメチルアミノエチル、ニトロピリジンカ
ルボン酸ジメチルアミノエチル、フルオロキノリンカル
ボン酸ジエチルアミノプロピル、クロロメチルピリジン
スルホン酸ジメチルアミノブチル、ニトロフェニルジメ
チルアミノエチルケトン、シアノナフチルスルホン酸ジ
メチルアミノエチル、1−ジニトロフェニル−2−ピリ
ジルエタン、1−メトキシベンズアルデヒド−2−キノ
リルエタン、ジメチルアミノエチルスルホンメチルベン
ゾフェノンなどのようなものが挙げられるが、これ以外
のものでも電子受容性基とアミノ基を有する化合物であ
れば、好ましく使用することができる。Examples of the compound represented by the above general formula [II] include dimethylaminoethylbenzoate, dimethylaminoethyl-nitrobenzoate, dimethylaminoethyl-dinitrobenzoate, dimethylaminoethyl-cyanobenzoate and dimethylaminoethyl-dimethoxy. Benzoate, dimethylaminoethyl naphthalate, dimethylaminoethyl-phenyl acetate, dimethylaminoethyl-nitrophenyl acetate, dimethylaminoethyl-cyanophenyl acetate, dimethylaminoethyl-methoxyphenyl acetate, diethylaminoethyl-nitrobenzoate, diethylaminoethyl-methoxybenzoate , Diethylaminopropyl-nitrobenzoate, diethylaminopropyl-methoxybenzoate, Propylaminohexyl-methoxybenzoate, dibutylaminobutyl-cyanobenzoate, dimethylaminoethyl benzyl ether, dimethylaminoethyl phenyl sulfone, dimethylaminoethyl chloroanthracenecarboxylate, dimethylaminoethyl nitropyridinecarboxylate, diethylaminopropyl fluoroquinolinecarboxylate, chloro Such as dimethylaminobutyl methylpyridine sulfonate, nitrophenyldimethylaminoethyl ketone, dimethylaminoethyl cyanonaphthyl sulfonate, 1-dinitrophenyl-2-pyridylethane, 1-methoxybenzaldehyde-2-quinolylethane, dimethylaminoethylsulfonemethylbenzophenone Other than these, electron accepting group and amino group As long as it is a compound which can be preferably used.
【0033】化合物(B)はポリマ(A)の全カルボキ
シル基(またはその塩)の0.05倍当量以上、好まし
くは0.3倍当量以上で、かつ2倍当量以下で、ポリマ
(A)と混合することが好ましい。化合物(B)が少な
すぎると、感光性が悪くなりやすく、多すぎると、現像
時間、温度などの現像条件の許容幅が狭くなる恐れがあ
るからである。The compound (B) is used in an amount of 0.05 times or more, preferably 0.3 times or more and not more than 2 times the equivalent of all carboxyl groups (or salts thereof) of the polymer (A). It is preferable to mix with. This is because if the amount of the compound (B) is too small, the photosensitivity is likely to deteriorate, and if it is too large, the allowable range of developing conditions such as developing time and temperature may be narrowed.
【0034】また、本発明の組成物には、さらに、ジメ
チルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノアク
リレート、ジメチルアクリルアミド、ジメチルアミノプ
ロピルメタクリルアミド、ジメチルアミノエチルシンナ
メート、ビニルピリジンなどの光反応性の炭素−炭素2
重結合を有したアミノ化合物を添加することができる。
これらのアミノ化合物を添加することによって、長波長
露光時の感光性能を向上させることもできる。その添加
量としては、化合物(B)に対して0〜90重量%が好
ましい。90重量%より多いと、短波長露光時の感度が
低下する。The composition of the present invention further comprises a photoreactive carbon-carbon 2 such as dimethylaminoethylmethacrylate, diethylaminoacrylate, dimethylacrylamide, dimethylaminopropylmethacrylamide, dimethylaminoethylcinnamate and vinylpyridine.
An amino compound having a heavy bond can be added.
By adding these amino compounds, it is also possible to improve the photosensitivity during long-wavelength exposure. The addition amount thereof is preferably 0 to 90% by weight with respect to the compound (B). If it is more than 90% by weight, the sensitivity at short wavelength exposure is lowered.
【0035】本発明の組成物には、必要に応じて増感剤
を添加することもできる。本発明に適した増感剤として
は、N−フェニルジエタノールアミン、N−フェニルグ
リシン、ジメチルアミノフェニルアセトフェノン、ミヒ
ラーケトンなどの芳香族アミン、アジドアントラキノ
ン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノア
ジド、3、3´−カルボニルビス(7−ジエチルアミノ
クマリン)、3−(2´−ベンズイミダゾイル)−N,
N−ジエチルアミノクマリンのようなアミノ基を有した
クマリン化合物など一般に光硬化性樹脂に使用されるよ
うなもの、その他ビス(ジエチルアミノフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール、ジフェニルベンチジ
ン、2,3−ビス(ジメチルアミノフェニル)−4−
(2−クロロフェニル)オキサゾール、N,N,N´,
N´−テトラキス(3−メチルフェニル)−メタフェニ
レンジアミン、α−フェニル−4−N,N´−ジフェニ
ルアミノスチルベン、パラジエチルアミノフェニル−ジ
フェニルヒドロジドなど、通常、電子写真の正電荷移動
剤として使用される光電荷移動剤などが挙げられる。If desired, a sensitizer may be added to the composition of the present invention. Examples of the sensitizer suitable for the present invention include aromatic amines such as N-phenyldiethanolamine, N-phenylglycine, dimethylaminophenylacetophenone and Michler's ketone, aromatic monoazides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, 3, 3 '. -Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3- (2'-benzimidazoyl) -N,
A coumarin compound having an amino group such as N-diethylaminocoumarin, which is generally used for photocurable resins, and other bis (diethylaminophenyl)-
1,3,4-oxadiazole, diphenylbenzidine, 2,3-bis (dimethylaminophenyl) -4-
(2-chlorophenyl) oxazole, N, N, N ',
N'-tetrakis (3-methylphenyl) -metaphenylenediamine, α-phenyl-4-N, N'-diphenylaminostilbene, para-diethylaminophenyl-diphenylhydrozide, etc., usually used as a positive charge transfer agent for electrophotography. And the like.
【0036】このような増感剤はポリマ(A)に対して
0.01〜30重量%の範囲で添加するのが好ましい。
さらに好ましくは、1〜10重量%である。少なすぎる
と有効な感度が現れないし、多すぎると、ポリマー中に
熱を加えてポリイミドにした後も残存し、電気特性、機
械特性、接着性などに悪影響を及ぼす恐れがある。Such a sensitizer is preferably added in an amount of 0.01 to 30% by weight based on the polymer (A).
More preferably, it is 1 to 10% by weight. If it is too small, effective sensitivity does not appear, and if it is too large, it remains after the polymer is heated to form a polyimide, which may adversely affect electrical properties, mechanical properties, adhesiveness, and the like.
【0037】これらの増感剤は、単独で、あるいは二種
以上を混合して使用することができる。These sensitizers may be used alone or in admixture of two or more.
【0038】他の添加剤としては、共重合モノマあるい
は基板との接着改良材を感度と耐熱性が大幅に低下しな
い範囲で含んでいても良い。As other additives, a copolymerization monomer or a material for improving adhesion to a substrate may be contained within the range where sensitivity and heat resistance are not significantly lowered.
【0039】本発明の組成物の製造方法の一例について
説明する。まず溶媒中でジアミン成分と酸2無水物を反
応させ、構造単位[I]を主成分とするポリマ(A)を
得る。次にこの溶液に化合物(B)および必要に応じて
増感剤等の添加剤を溶解調合することにより、組成物を
得る。なお、上記のポリマ(A)として、固体状のポリ
アミド酸ポリマあるいは、反応後に溶液から分離精製し
たポリマを再溶解して用いても差し支えない。An example of the method for producing the composition of the present invention will be described. First, a diamine component and an acid dianhydride are reacted in a solvent to obtain a polymer (A) containing the structural unit [I] as a main component. Next, the compound (B) and, if necessary, an additive such as a sensitizer are dissolved and prepared in this solution to obtain a composition. As the polymer (A), a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from a solution after the reaction may be redissolved and used.
【0040】上記製造方法で用いる溶媒としてはポリマ
の溶解性の面から極性溶媒が好ましく、特に非プロトン
性極性溶媒が好ましい。非プロトン性極性溶媒として
は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−
ブチロラクトン、ジメチルアミノアクリルアミドなどが
好ましく用いられる。The solvent used in the above production method is preferably a polar solvent from the viewpoint of polymer solubility, and particularly preferably an aprotic polar solvent. As the aprotic polar solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, γ-
Butyrolactone and dimethylaminoacrylamide are preferably used.
【0041】次に、本発明の組成物の使用方法について
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパターン加工が可能である。Next, the method of using the composition of the present invention will be described. The composition of the present invention can be patterned by a known fine processing technique using actinic radiation.
【0042】まず本発明の組成物を適当な支持体の上に
に塗布する。支持体の材質としては、例えば金属、ガラ
ス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素などが挙げら
れる。First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Examples of the material of the support include metal, glass, semiconductor, metal oxide insulator, silicon nitride and the like.
【0043】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常、乾燥後の膜厚が、1〜3
0μmの範囲になるように塗布される。As a coating method, spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating and the like can be used. The coating film thickness can be adjusted by the coating means, the solid content concentration of the composition, and the viscosity, but normally the film thickness after drying is from 1 to 3.
It is applied so as to be in the range of 0 μm.
【0044】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。An adhesion aid may be appropriately used in order to improve the adhesion between the support and the coating film of the composition of the present invention or the polyimide coating after heat treatment.
【0045】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機ケイ素化合物あるいは、アルミニウムモノエチルアセ
トアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネート)などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセネート)
などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用いら
れる。Adhesion aids include oxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-
Organosilicon compounds such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, aluminum chelate compounds such as aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate, aluminum tris (acetylacetonate), or titanium bis (acetylacenate)
Titanium chelate compounds and the like are preferably used.
【0046】次に上記支持体上で塗膜となった本発明の
組成物に所望のパターン状に化学線を照射する。化学線
としてはX線、電子線、紫外線、可視光線、などが例と
して挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、す
なわち波長範囲で200〜500nmのものが好まし
い。Next, the composition of the present invention formed into a coating film on the support is irradiated with actinic rays in a desired pattern. Examples of actinic rays include X-rays, electron rays, ultraviolet rays, and visible rays, but ultraviolet rays and visible rays of short wavelength, that is, those having a wavelength range of 200 to 500 nm are preferable.
【0047】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものを選択するのがよいが、本組
成物の溶媒であるN−メチル−2−ピロリドン、N−ア
セチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどを単独ある
いはメタノール、エタノール、イソプロパノール、水、
メチルカルビトール、エチルカルビトール、トルエン、
キシレンなどの組成物の非溶媒との混合液として用いる
ことができる。またアンモニア水やその他のアルカリ水
溶液が使用可能な場合も多い。Then, the unirradiated portion is dissolved and removed with a developing solution to obtain a relief pattern. The developing solution may be appropriately selected depending on the structure of the polymer, but N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, which is a solvent for the composition, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, etc., alone or in methanol, ethanol, isopropanol, water,
Methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene,
It can be used as a mixed solution of a composition such as xylene with a non-solvent. In many cases, aqueous ammonia or other alkaline aqueous solution can be used.
【0048】現像は上記の現像液を塗膜面にスプレーす
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。The development can be carried out by spraying the above-mentioned developing solution on the surface of the coating film, immersing in the developing solution, or applying ultrasonic waves while immersing.
【0049】現像によって形成したレリーフパターン
は、ついでリンス液により洗浄することが望ましい。リ
ンス液には現像液との混和性の良いメタノール、エタノ
ール、イソプロパノール、酢酸ブチルなどが好ましく用
いられる。The relief pattern formed by development is then preferably washed with a rinse liquid. As the rinse liquid, methanol, ethanol, isopropanol, butyl acetate or the like, which has good miscibility with the developer, is preferably used.
【0050】上記の処理によって得られたレリーフ・パ
ターンのポリマは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの
前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環状
構造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度は135〜
400℃で行うのが好ましい。熱処理は通常、段階的に
あるいは連続的に昇温しながら行われる。The polymer of the relief pattern obtained by the above treatment is a heat-resistant polyimide polymer precursor, and becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure by heat treatment. The heat treatment temperature is 135-
It is preferable to carry out at 400 ° C. The heat treatment is usually performed while raising the temperature stepwise or continuously.
【0051】本発明の化学線感応性重合体組成物は、半
導体のパッシベーション膜、パッシベーション膜のバッ
ファーコート膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention is used for a semiconductor passivation film, a buffer coat film for a passivation film, an interlayer insulating film for a multilayer integrated circuit, an interlayer insulating film or a surface protective film for a hybrid integrated circuit, and a printed circuit. It is used to form the soldering protective film, the liquid crystal alignment film, the interlayer insulating film of the mounting substrate, and the like. Further, it can be applied to metal adhesion and dry etching process as a highly heat resistant photoresist. It can be applied to other known uses of polyimide.
【0052】[0052]
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
【0053】実施例1〜9、比較例1 <ポリアミド酸(ポリイミド前駆体)の重合>4つ口フ
ラスコに4、4´−ジアミノジフェニルエーテル20.
0gを入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gに溶
解させる。ここに無水ピロメリット酸21.0gをN−
メチル−2−ピロリドン30gとともに一度に加え、氷
浴中で激しく1時間撹拌した。その後、50℃に浴の温
度を上昇し3時間反応を行ない、ポリアミド酸(1)の
溶液を得た。Examples 1 to 9 and Comparative Example 1 <Polymerization of Polyamic Acid (Polyimide Precursor)>4,4'-diaminodiphenyl ether 20.
Add 0 g and dissolve in 150 g of N-methyl-2-pyrrolidone. Here, 21.0 g of pyromellitic dianhydride is N-
Methyl-2-pyrrolidone (30 g) was added at once and the mixture was vigorously stirred for 1 hour in an ice bath. Then, the temperature of the bath was raised to 50 ° C. and the reaction was carried out for 3 hours to obtain a solution of polyamic acid (1).
【0054】4つ口フラスコに4、4´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド21.6gを入れ、N−メチル−2−
ピロリドン180gに溶解させる。ここに3、3´、
4、4´−ベンゾフェノンテトロカルボン酸2無水物3
2.0gをN−メチル−2−ピロリドン50gとともに
一度に加え、氷浴中で激しく1時間撹拌した。その後、
50℃に浴の温度を上昇し3時間反応を行ない、ポリア
ミド酸(2)の溶液を得た。21.6 g of 4,4'-diaminodiphenyl sulfide was placed in a four-necked flask, and N-methyl-2-
Dissolve in 180 g of pyrrolidone. Here 3, 3 ',
4,4′-benzophenone tetrocarboxylic acid 2 anhydride 3
2.0 g was added at once along with 50 g of N-methyl-2-pyrrolidone and stirred vigorously in an ice bath for 1 hour. afterwards,
The bath temperature was raised to 50 ° C. and the reaction was carried out for 3 hours to obtain a solution of polyamic acid (2).
【0055】<感光性溶液の作成>上記ポリアミド酸
(1)または(2)の溶液100gに、ポリアミド酸の
カルボキシル基と等量の、電子受容性基およびアミノ基
またはその4級化塩を含む化合物(B)を感光剤として
添加した。これを表1に示す。ここに増感剤を添加する
場合は、ポリアミド酸に対して4重量%の増感剤を添加
し、感光性溶液とした。これを表2に示す。<Preparation of Photosensitive Solution> 100 g of the solution of the polyamic acid (1) or (2) contains an electron-accepting group and an amino group or a quaternized salt thereof in the same amount as the carboxyl group of the polyamic acid. Compound (B) was added as a photosensitizer. This is shown in Table 1. When a sensitizer was added here, 4% by weight of the sensitizer was added to the polyamic acid to prepare a photosensitive solution. This is shown in Table 2.
【0056】<パターン加工>溶液をスピンナーでシリ
コンウェハー上に回転塗布し、次いで真空吸着式のホッ
トプレート(大日本スクリーン(株)製SCW636
型)を用いて90℃と95℃で各々3分ずつの乾燥を行
った。この塗膜の膜厚は10μmとなった。次に塗膜を
遠紫外露光機(ウシオ電機(株)製VIS−500C)
にセットし、グレースケール(コダック社 Photograph
ics step tablet No2 21 steps)を介して、紫外線で1
Jの露光を行った。このグレースケールマスクによって
露光量が異なる露光が行え、感度が測定できる。なお、
この時の紫外線の強度は7mW/cm2 (254nm)
であった。<Pattern processing> The solution was spin coated on a silicon wafer with a spinner, and then a vacuum adsorption type hot plate (SCW636 manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.).
Type) was dried at 90 ° C. and 95 ° C. for 3 minutes each. The film thickness of this coating film was 10 μm. Next, the coating film was exposed to a far-ultraviolet exposure machine (VIS-500C manufactured by USHIO INC.).
Set to grayscale (Kodak Photograph
1 with ultraviolet light through ics step tablet No2 21 steps)
J exposure was performed. With this gray scale mask, exposure with different exposure amounts can be performed, and the sensitivity can be measured. In addition,
The intensity of ultraviolet rays at this time is 7 mW / cm 2 (254 nm)
Met.
【0057】現像はN−メチルピロリドン(70部)と
キシレン(30部)の混合溶媒を用い、浸漬現像を行っ
た。現像時間は未露光部が溶解した直後から、さらに1
0秒間現像を続行した。次いでイソプロパノールで20
秒間リンスし、スピンナーで回転乾燥した。現像後、像
の残った部分の露光量より感度の判断を行った。The development was carried out by immersion development using a mixed solvent of N-methylpyrrolidone (70 parts) and xylene (30 parts). The development time is 1 more immediately after the unexposed area is dissolved.
Development was continued for 0 seconds. Then 20 with isopropanol
Rinse for 2 seconds and spin dry with a spinner. After the development, the sensitivity was judged from the exposure amount of the remaining portion of the image.
【0058】検討した結果を表3に示す。The results of the examination are shown in Table 3.
【0059】[0059]
【表1】 [Table 1]
【表2】 [Table 2]
【表3】 [Table 3]
【0060】[0060]
【発明の効果】本発明によると、従来見られなかった、
短波長で高い感度を有し、実用的な画像の形成ができる
新規な化学線感応性重合体組成物を得ることができる。According to the present invention, heretofore unseen,
It is possible to obtain a novel actinic radiation-sensitive polymer composition having a high sensitivity at a short wavelength and capable of forming a practical image.
Claims (2)
ポリマ(A)と、 【化1】 (ただし、R1 は少なくとも2個以上の炭素原子を有す
る3価または4価の有機基、R2 は少なくとも2個以上
の炭素原子を有する2価の有機基、R3 は水素、アルカ
リ金属イオンまたはアンモニウムイオンを表す。nは1
または2である。)電子受容性基およびアミノ基または
その4級化塩を含む化合物(B)とを含むことを特徴と
する化学線感応性重合体組成物。1. A polymer (A) having a structural unit represented by the general formula [I]: (However, R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 3 is hydrogen or an alkali metal ion. Or represents an ammonium ion, n is 1
Or 2. ) A compound (B) containing an electron-accepting group and an amino group or a quaternized salt thereof, and an actinic radiation-sensitive polymer composition.
級化塩を含む化合物(B)が、一般式[II]で表され
る化合物であることを特徴とする請求項1記載の化学線
感応性重合体組成物。 【化2】 (ただし、R4 はフェニル基、ナフチル基、アンスリル
基、ピリジル基またはキノリル基、Pは水酸基、−OR
5 (ただし、R5 は炭素数1から3までの有機基)、炭
素数1〜3のアルキル基、アミノ基、ハロゲン原子また
はハロゲン化メチル基、Qは、ニトロ基、−COR
6 (ただし、R6 は炭素数1から12までの有機基)、
アルデヒド基、カルボキシル基、−COOR7 (ただ
し、R7 は炭素数1から10までの有機基)、スルホン
酸基、−SO2 R8 (ただし、R8 は炭素数1から10
までの有機基)またはシアノ基、Xは−COO−、−O
−、−CH2 −、−SO2 −、−SO−、または−CO
−、Tは、炭素数1から6までのアルキルアミノ基、ジ
アルキルアミノ基、ピリジン環、またはキノリン環であ
る。pは0から5までの整数、qは0から5までの整
数、p+q<6、uは0から6までの整数、rは1から
10までの整数、sは1から5までの整数である。)2. An electron-accepting group and an amino group or its 4
The actinic radiation-sensitive polymer composition according to claim 1, wherein the compound (B) containing a quaternized salt is a compound represented by the general formula [II]. [Chemical 2] (However, R 4 is a phenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyridyl group or quinolyl group, P is a hydroxyl group, —OR
5 (however, R 5 is an organic group having 1 to 3 carbon atoms), an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an amino group, a halogen atom or a halogenated methyl group, Q is a nitro group, -COR
6 (provided that R 6 is an organic group having 1 to 12 carbon atoms),
Aldehyde group, carboxyl group, -COOR 7 (provided that R 7 is an organic group having 1 to 10 carbon atoms), sulfonic acid group, -SO 2 R 8 (provided that R 8 has 1 to 10 carbon atoms).
Up to organic groups) or cyano groups, X is —COO—, —O
-, - CH 2 -, - SO 2 -, - SO-, or -CO
-, T is an alkylamino group having 1 to 6 carbon atoms, a dialkylamino group, a pyridine ring, or a quinoline ring. p is an integer from 0 to 5, q is an integer from 0 to 5, p + q <6, u is an integer from 0 to 6, r is an integer from 1 to 10, and s is an integer from 1 to 5. . )
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8451261B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-05-28 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | LCD driver IC and method for operating the same |
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1992
- 1992-07-31 JP JP4204993A patent/JPH0649358A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8451261B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-05-28 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | LCD driver IC and method for operating the same |
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