JP3279005B2 - Actinic radiation sensitive polymer composition - Google Patents

Actinic radiation sensitive polymer composition

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JP3279005B2
JP3279005B2 JP25968393A JP25968393A JP3279005B2 JP 3279005 B2 JP3279005 B2 JP 3279005B2 JP 25968393 A JP25968393 A JP 25968393A JP 25968393 A JP25968393 A JP 25968393A JP 3279005 B2 JP3279005 B2 JP 3279005B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、感光性ポリイミドコー
ティング剤組成物に関するものであり、さらに詳しく
は、新規な感光性ポリイミド組成物に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive polyimide coating composition and, more particularly, to a novel photosensitive polyimide composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】感光性ポリイミド組成物としては、ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素2重結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む
化合物を添加した組成物(例えば特公昭59−5282
2号公報)やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物(例えばUSP39575
12号明細書、USP4040831号明細書)が知ら
れている。
2. Description of the Related Art As a photosensitive polyimide composition, a polyamic acid which can be dimerized or polymerized by actinic radiation is used.
A composition to which a compound containing a carbon double bond and an amino group or a quaternary salt thereof is added (for example, JP-B-59-5282).
No. 2) or a polyimide precursor composition in which photosensitivity is introduced into a polyamic acid by an ester group (for example, US Pat.
No. 12 and US Pat. No. 4,408,831) are known.

【0003】しかしながら、かかる従来の組成物におい
て、通常、現像液としては、N−メチル−2−ピロリド
ンなどの極性溶媒とメタノール、エタノールやトルエ
ン、キシレンなどの有機溶媒を組み合わせて用いてい
た。このため、現像液の引火点が低く、防爆などの処置
をとる必要があった。
[0003] However, in such a conventional composition, as a developer, a polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone and an organic solvent such as methanol, ethanol, toluene and xylene are usually used in combination. For this reason, the flash point of the developer is low, and it is necessary to take measures such as explosion proof.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、有機溶媒を現像液に用いず、アルカリ水溶液な
どで現像することのできる新規な感光性ポリイミド組成
物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel photosensitive polyimide composition which can be developed with an aqueous alkali solution or the like without using an organic solvent as a developer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成を採ることにより達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is as follows.
This is achieved by adopting the following configuration.

【0006】すなわち、下記一般式[1]で表される構
造単位を有するポリマー、下記一般式[2]で表される
化合物、および電子供与性の光アミン発生助剤とを含む
ことを特徴とする化学線感応性重合体組成物である。
That is, it comprises a polymer having a structural unit represented by the following general formula [1], a compound represented by the following general formula [2], and an electron-donating photoamine generation auxiliary. Actinic radiation sensitive polymer composition.

【0007】[0007]

【化4】 (R1 は、少なくとも2個の炭素原子を有する3価また
は4価の有機基、R2 は、少なくとも2個の炭素原子を
有する2価の有機基、R3 は、水素、アルカリ金属イオ
ン、アンモニウムイオン、または炭素数1〜20の有機
基を表す。nは1または2である。) (R4 −OCO−NH)−R5 [2] [R4 は、分子中、少なくとも1個は、下記一般式
[3]、
Embedded image (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 3 is hydrogen, an alkali metal ion, Represents an ammonium ion or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, and n is 1 or 2.) (R 4 —OCO—NH) m —R 5 [2] [R 4 is at least one in the molecule. Is represented by the following general formula [3],

【化5】 (R6 は、水素または炭素数1〜10の有機基を表す。
lは0〜3の整数である。)で表される基であり、それ
以外は、炭素数1〜20の有機基を表す。R5 は炭素数
1以上の1〜4価の有機基を表す。mは1〜4の整数で
ある。]本発明における一般式[1]で表される構造単
位を有するポリマーとしては、前記一般式で示される構
造を有し、加熱あるいは適当な触媒によりイミド環や、
その他環状構造を有するポリマー(以後、「ポリイミド
系ポリマー」と呼ぶ)となり得るものを挙げることがで
きる。
Embedded image (R 6 represents hydrogen or an organic group having 1 to 10 carbon atoms.
l is an integer of 0-3. ), And the others represent organic groups having 1 to 20 carbon atoms. R 5 represents one or more monovalent to tetravalent organic group having a carbon number. m is an integer of 1 to 4. As the polymer having the structural unit represented by the general formula [1] in the present invention, the polymer having the structure represented by the above general formula, and an imide ring,
Other examples include polymers that can become polymers having a cyclic structure (hereinafter, referred to as “polyimide polymers”).

【0008】上記一般式[1]中、R1 は少なくとも2
個の炭素原子を有する3価または4価の有機基である。
ポリイミド系ポリマーの耐熱性から、R1 は芳香族環ま
たは芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の3価
または4価の基が好ましい。R1 の好ましい具体的な例
としては、ピロメリット酸残基、3,3´,4,4´−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸残基、3,3´,4,
4´−ビフェニルテトラカルボン酸残基、3,3´,
4,4´−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸残基、
3,3´,4,4´−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸残基、ブタンテトラカルボン酸残基、シクロペンタ
ンテトラカルボン酸残基などが挙げられるが、これらに
限定されない。
In the above general formula [1], R 1 is at least 2
Is a trivalent or tetravalent organic group having three carbon atoms.
In view of the heat resistance of the polyimide polymer, R 1 is preferably a trivalent or tetravalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms. Preferred specific examples of R 1 include a pyromellitic acid residue, 3,3 ′, 4,4′-
Benzophenonetetracarboxylic acid residue, 3,3 ', 4
4′-biphenyltetracarboxylic acid residue, 3,3 ′,
4,4′-diphenylethertetracarboxylic acid residue,
Examples include, but are not limited to, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid residue, butanetetracarboxylic acid residue, and cyclopentanetetracarboxylic acid residue.

【0009】本発明におけるポリマーは、R1 がこれら
のうちの1種から構成されていても良いし、2種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
In the polymer of the present invention, R 1 may be composed of one of these, or may be a copolymer composed of two or more.

【0010】上記一般式[1]中、R2 は少なくとも2
個の炭素原子を有する2価の有機基である。R1 と同
様、ポリイミド系ポリマーの耐熱性から、R2 は芳香族
環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数6〜30の
2価の基が好ましい。R2 の好ましい具体的な例として
は、ジアミノジフェニルエーテル残基、ジアミノジフェ
ニルスルフィド残基、ジアミノジフェニルメタン残基、
ジアミノジフェニルスルホン残基、フェニレンジアミン
残基、ベンジジン残基、ビスアミノフェノキシプロパン
残基などが挙げられるが、これらに限定されない。
In the above general formula [1], R 2 is at least 2
It is a divalent organic group having two carbon atoms. Like R 1 , R 2 is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic hetero ring and having 6 to 30 carbon atoms from the viewpoint of the heat resistance of the polyimide polymer. Preferred specific examples of R 2 include a diaminodiphenyl ether residue, a diaminodiphenylsulfide residue, a diaminodiphenylmethane residue,
Examples include, but are not limited to, diaminodiphenylsulfone residues, phenylenediamine residues, benzidine residues, bisaminophenoxypropane residues, and the like.

【0011】本発明におけるポリマーは、R2 がこれら
のうちの1種から構成されていても良いし、2種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
In the polymer of the present invention, R 2 may be composed of one of these, or may be a copolymer composed of two or more.

【0012】さらに、ポリイミド系ポリマーの接着性を
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲でR2
して、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合す
ることも可能である。好ましい具体例としては、ビス
(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなど
が挙げられる。
Further, in order to improve the adhesiveness of the polyimide-based polymer, it is possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R 2 as long as the heat resistance is not reduced. Preferred specific examples include bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane.

【0013】上記一般式[1]中、R3 は水素、アルカ
リ金属イオン、アンモニウムイオン、または炭素数1〜
20の有機基を表し、nは1または2である。
In the above general formula [1], R 3 is hydrogen, an alkali metal ion, an ammonium ion, or a compound having 1 to 1 carbon atoms.
Represents 20 organic groups, and n is 1 or 2.

【0014】本発明におけるポリマーは、R3 がこれら
のうちの1種から構成されていても良いし、2種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。
In the polymer of the present invention, R 3 may be composed of one of these, or may be a copolymer composed of two or more.

【0015】本発明におけるポリマーは、一般式[1]
で表される構造単位のみから成るものであっても良い
し、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド体であ
っても良い。その際、一般式[1]で表される構造単位
を90%以上含有していることが好ましい。共重合また
はブレンドに用いられる構造単位の種類、量は最終加熱
処理によって得られるポリイミド系ポリマーの耐熱性を
著しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。
The polymer in the present invention has the general formula [1]
Or a copolymer or a blend with other structural units. At that time, it is preferable that the content of the structural unit represented by the general formula [1] is 90% or more. It is desirable that the type and amount of the structural unit used for copolymerization or blending be selected within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide-based polymer obtained by the final heat treatment.

【0016】本発明におけるポリマーの具体的な例とし
ては、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3´,4,4´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、3,3´,4,4´−ビフェニルテト
ラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニル
エーテル、ピロメリット酸2無水物と3,3´(または
4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリッ
ト酸2無水物および3,3´,4,4´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸2無水物と3,3´(または4,4
´)−ジアミノジフェニルスルホン、3,3´,4,4
´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と3,3
´(または4,4´)−ジアミノジフェニルスルホン、
3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無
水物と3,3´(または4,4´)−ジアミノジフェニ
ルスルホン、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジア
ミノジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、3,3´,4,4´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジア
ミン、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン
酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸
2無水物および3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ピ
ロメリット酸2無水物および3,3´,4,4´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジア
ミン、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルエ
ーテル、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテト
ラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミン、ブタ
ンテトラカルボン酸2無水物と1,3−ビス(3−アミ
ノフェノキシ)ベンゼン、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニルメタン、
ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス(3−アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサンなどから合成されたポリアミド酸が好
ましく用いられる。
Specific examples of the polymer in the present invention include pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether. 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3,3' (or 4,4 ') -Diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3,3' (or 4,4
') -Diaminodiphenyl sulfone, 3,3', 4,4
'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3,3
'(Or 4,4')-diaminodiphenyl sulfone,
3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 3,3 ′ (or 4,4 ′)-diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'- Diaminodiphenyl sulfide, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitus Acid dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic dianhydride and 3 , 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, butanetetracarboxylic dianhydride and 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride and 4 , 4'-diaminodiphenylmethane,
Polyamic acid synthesized from pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and the like is preferably used.

【0017】本発明における化学線重合体組成物は、光
アミン発生剤を必須成分として含む。光アミン発生剤と
は、光照射を受けアミンが発生する化合物のことを表
す。光照射によりアミンが系内に生成されると、イミド
化が促進される、ポリマ中のカルボン酸とアミンが反応
して架橋が生成することなどにより不溶化するなどの顕
著な効果が得られる。
The actinic radiation polymer composition of the present invention contains a photoamine generator as an essential component. The photoamine generator refers to a compound that generates an amine upon irradiation with light. When an amine is formed in the system by light irradiation, remarkable effects are obtained, such as imidization is promoted, and the carboxylic acid in the polymer reacts with the amine to form a crosslink, thereby insolubilizing the polymer.

【0018】本発明で好適な光アミン発生剤としては、
下記一般式[2]で表される化合物と、電子供与性の光
アミン発生助剤の組み合わせからなる系を挙げることが
できる。
Preferred photoamine generators in the present invention include:
A system composed of a combination of a compound represented by the following general formula [2] and an electron-donating photoamine generation aid can be given.

【0019】 (R4 −OCO−NH)−R5 [2] 上記一般式[2]中、R4 は電子供与性の光アミン発生
助剤との共存下で光脱離反応可能な基であり、R4 は、
分子中少なくとも1個は、下記一般式[3]、
(R 4 -OCO-NH) m -R 5 [2] In the general formula [2], R 4 is a group capable of photoelimination reaction in the presence of an electron-donating photoamine generating auxiliary. And R 4 is
At least one in the molecule has the following general formula [3]:

【化6】 (R6 は、水素または炭素数1〜10の有機基を表す。
lは0〜3の整数である。)で表される基であり、それ
以外は、炭素数1〜20の有機基を表す。
Embedded image (R 6 represents hydrogen or an organic group having 1 to 10 carbon atoms.
l is an integer of 0-3. ), And the others represent organic groups having 1 to 20 carbon atoms.

【0020】一般式[3]で表される基の具体例として
は、p−ニトロベンジル基、2,4−ジニトロベンジル
基、3,4−ジニトロベンジル基、2,4,6−トリニ
トロベンジル基、(α−メチル)p−ニトロベンジル
基、(α−メチル)2,4−ジニトロベンジル基、(α
−メチル)3,4−ジニトロベンジル基、(α−メチ
ル)2,4,6−トリニトロベンジル基などがあげられ
る。
Specific examples of the group represented by the general formula [3] include p-nitrobenzyl, 2,4-dinitrobenzyl, 3,4-dinitrobenzyl, 2,4,6-trinitrobenzyl Group, (α-methyl) p-nitrobenzyl group, (α-methyl) 2,4-dinitrobenzyl group, (α
-Methyl) 3,4-dinitrobenzyl group, (α-methyl) 2,4,6-trinitrobenzyl group and the like.

【0021】R5 としては、炭素数1以上の1〜4価の
有機基があげられ、好ましくは炭素数1〜20のアルキ
ル基、ハロゲン化アルキル基、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ベンジル基、メチレン基、ポリ(メ
チレン)基、フェニレン基、メチルフェニレン基、メタ
ンジフェニレン基、トリフェニルメタン基などがあげら
れる。mは1〜4の整数である。
R 5 is a monovalent to tetravalent organic group having 1 or more carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a benzyl group. Group, methylene group, poly (methylene) group, phenylene group, methylphenylene group, methanediphenylene group, triphenylmethane group and the like. m is an integer of 1 to 4.

【0022】一般式[2]で表される化合物の具体的な
例としては、[p−ニトロベンジルオキシカルボニル]
シクロヘキシルアミン、[2,4−ジニトロベンジルオ
キシカルボニル]シクロヘキシルアミン、[3,4−ジ
ニトロベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミ
ン、[2,4,6−トリニトロベンジルオキシカルボニ
ル]シクロヘキシルアミン、[(α−メチル)p−ニト
ロベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、
[(α−メチル)2,4−ジニトロベンジルオキシカル
ボニル]シクロヘキシルアミン、[(α−メチル)3,
4−ジニトロベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシ
ルアミン、[(α−メチル)2,4,6−トリニトロベ
ンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、ビス
[p−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレ
ンジアミン、ビス[2,4−ジニトロベンジルオキシカ
ルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[3,4−ジ
ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジア
ミン、ビス[2,4,6−トリニトロベンジルオキシカ
ルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−メチ
ル)p−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチ
レンジアミン、ビス[(α−メチル)2,4−ジニトロ
ベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、
ビス[(α−メチル)3,4−ジニトロベンジルオキシ
カルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−メ
チル)2,4,6−トリニトロベンジルオキシカルボニ
ル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
[2,4−ジニトロベンジルオキシカルボニル]メチル
フェニレンジアミン、ビス[3,4−ジニトロベンジル
オキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
[2,4,6−トリニトロベンジルオキシカルボニル]
メチルフェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)p−
ニトロベンジルオキシカルボニル]メチルフェニレンジ
アミン、ビス[(α−メチル)2,4−ジニトロベンジ
ルオキシカルボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス
[(α−メチル)3,4−ジニトロベンジルオキシカル
ボニル]メチルフェニレンジアミン、ビス[(α−メチ
ル)2,4,6−トリニトロベンジルオキシカルボニ
ル]メチルフェニレンジアミン、ビス[p−ニトロベン
ジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミン、
ビス[2,4−ジニトロベンジルオキシカルボニル]メ
タンジフェニレンジアミン、ビス[3,4−ジニトロベ
ンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミ
ン、ビス[2,4,6−トリニトロベンジルオキシカル
ボニル]メタンジフェニレンジアミン、ビス[(α−メ
チル)p−ニトロベンジルオキシカルボニル]メタンジ
フェニレンジアミン、ビス[(α−メチル)2,4−ジ
ニトロベンジルオキシカルボニル]メタンジフェニレン
ジアミン、ビス[(α−メチル)3,4−ジニトロベン
ジルオキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミン、
ビス[(α−メチル)2,4,6−トリニトロベンジル
オキシカルボニル]メタンジフェニレンジアミン、など
を挙げることができる。
Specific examples of the compound represented by the general formula [2] include [p-nitrobenzyloxycarbonyl]
Cyclohexylamine, [2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α-methyl ) P-Nitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine,
[(Α-methyl) 2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α-methyl) 3
4-dinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, [(α-methyl) 2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] cyclohexylamine, bis [p-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [2,4- Dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) p -Nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) 2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine,
Bis [(α-methyl) 3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) 2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [p-nitrobenzyloxy Carbonyl] methylphenylenediamine, bis [2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl]
Methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) p-
Nitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) 2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(α-methyl) 3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [(Α-methyl) 2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] methylphenylenediamine, bis [p-nitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine,
Bis [2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine Bis [(α-methyl) p-nitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α-methyl) 2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine, bis [(α-methyl) 3, 4-dinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine,
Bis [(α-methyl) 2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] methanediphenylenediamine; and the like.

【0023】上記の中でも特に好ましいものとしては、
ビス[p−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメ
チレンジアミン、ビス[2,4−ジニトロベンジルオキ
シカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[3,4
−ジニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレン
ジアミン、ビス[2,4,6−トリニトロベンジルオキ
シカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α−
メチル)p−ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサ
メチレンジアミン、ビス[(α−メチル)2,4−ジニ
トロベンジルオキシカルボニル]ヘキサメチレンジアミ
ン、ビス[(α−メチル)3,4−ジニトロベンジルオ
キシカルボニル]ヘキサメチレンジアミン、ビス[(α
−メチル)2,4,6−トリニトロベンジルオキシカル
ボニル]ヘキサメチレンジアミン、などが挙げられる。
Among the above, particularly preferred are:
Bis [p-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [3,4
-Dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-
Methyl) p-nitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) 2,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, bis [(α-methyl) 3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl] hexa Methylenediamine, bis [(α
-Methyl) 2,4,6-trinitrobenzyloxycarbonyl] hexamethylenediamine, and the like.

【0024】このような一般式[2]で表される化合物
は、通常ベンジルアルコール誘導体と、イソシアネート
化合物との縮合反応によって合成することができる。
The compound represented by the general formula [2] can be usually synthesized by a condensation reaction between a benzyl alcohol derivative and an isocyanate compound.

【0025】上記一般式[2]で表される化合物は、単
独では光を照射してもアミンは実質上発生しないが、電
子供与性の光アミン発生助剤と組み合わせることによっ
て、はじめて有効な光アミン発生剤になる。
The compound represented by the general formula [2] alone does not substantially generate an amine even when irradiated with light, but is effective only when combined with an electron-donating photoamine generating auxiliary. Becomes an amine generator.

【0026】上記、電子供与性の光アミン発生助剤とし
ては、アントラセン類、キサンテン類、トリフェニルメ
タン類、フタロシアニン類、ポルフィリン類、アクリジ
ン類などを例示することができる。これらの光アミン発
生助剤に、電子供与性の置換基を1つ以上含有すること
が好ましい。電子供与性の置換基の具体例としては、ヒ
ドロキシ基、炭素数1〜20のアルコキシ基、フェノキ
シ基、アミノ基、置換アミノ基などを例示することがで
きる。さらに、ポリマーとの相溶性向上のために、ニト
ロ基、スルホン基、クロロ基、フルオロ基、ブロモ基、
ヨード基、カルボキシル基、クロロメチル基、ブロモメ
チル基、ヒドロキシメチル基などを導入しても良い。
Examples of the electron-donating photoamine generating aid include anthracenes, xanthenes, triphenylmethanes, phthalocyanines, porphyrins, and acridines. It is preferable that these photoamine generation aids contain one or more electron-donating substituents. Specific examples of the electron donating substituent include a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a phenoxy group, an amino group, and a substituted amino group. Furthermore, in order to improve compatibility with the polymer, a nitro group, a sulfone group, a chloro group, a fluoro group, a bromo group,
An iodine group, a carboxyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a hydroxymethyl group, or the like may be introduced.

【0027】これらの電子供与性の光アミン発生助剤の
中で、好ましいものとして、下記一般式[4]で表され
るアントラセン類があげられる。
Among these electron-donating photoamine generating aids, preferred are anthracenes represented by the following general formula [4].

【0028】[0028]

【化7】 上記一般式[4]中、R7 、R8 は炭素数1〜20の有
機基である。R7 、R8 の好ましい具体例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル
基、オクチル基、デシル基、ベンジル基、フェニル基な
どがあげられる。シアノ基、カルボキシル基などを含有
していてもよい。R7 、R8 は同一であっても異なって
いてもよい。
Embedded image In the above general formula [4], R 7 and R 8 are organic groups having 1 to 20 carbon atoms. Preferred specific examples of R 7 and R 8 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group, a benzyl group and a phenyl group. It may contain a cyano group, a carboxyl group or the like. R 7 and R 8 may be the same or different.

【0029】R9 は、水素、炭素数1〜20の有機基、
ニトロ基、アミノ基、水酸基、スルホン酸基またはハロ
ゲンを表し、具体的には、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、
ベンジル基、フェニル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基、ヒドロキシメチル基、クロロ基、フルオロ基、ブ
ロモ基、ヨード基などがあげられる。pは1〜3の整数
である。
R 9 is hydrogen, an organic group having 1 to 20 carbon atoms,
A nitro group, an amino group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group or a halogen, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group,
Benzyl, phenyl, chloromethyl, bromomethyl, hydroxymethyl, chloro, fluoro, bromo, iodo and the like. p is an integer of 1 to 3.

【0030】一般式[4]で表されるアントラセン類の
具体例としては、2−カルボキシ−9,10−ジメトキ
シアントラセン、2−ニトロ−9,10−ジメトキシア
ントラセン、2−アミノ−9,10−ジメトキシアント
ラセン、2−ヒドロキシ−9,10−ジメトキシアント
ラセン、9,10−ジメトキシアントラセン−2−スル
ホン酸、2−クロロ−9,10−ジメトキシアントラセ
ン、2−メチル−9,10−ジメトキシアントラセン、
2−ブロモメチル−9,10−ジメトキシアントラセ
ン、2−カルボキシ−9,10−ジエトキシアントラセ
ン、2−ニトロ−9,10−ジエトキシアントラセン、
2−アミノ−9,10−ジエトキシアントラセン、2−
ヒドロキシ−9,10−ジエトキシアントラセン、9,
10−ジエトキシアントラセン−2−スルホン酸、2−
クロロ−9,10−ジエトキシアントラセン、2−メチ
ル−9,10−ジエトキシアントラセン、2−ブロモメ
チル−9,10−ジエトキシアントラセン、などが挙げ
られる。
Specific examples of the anthracene represented by the general formula [4] include 2-carboxy-9,10-dimethoxyanthracene, 2-nitro-9,10-dimethoxyanthracene, 2-amino-9,10- Dimethoxyanthracene, 2-hydroxy-9,10-dimethoxyanthracene, 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonic acid, 2-chloro-9,10-dimethoxyanthracene, 2-methyl-9,10-dimethoxyanthracene,
2-bromomethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 2-carboxy-9,10-diethoxyanthracene, 2-nitro-9,10-diethoxyanthracene,
2-amino-9,10-diethoxyanthracene, 2-
Hydroxy-9,10-diethoxyanthracene, 9,
10-diethoxyanthracene-2-sulfonic acid, 2-
Chloro-9,10-diethoxyanthracene, 2-methyl-9,10-diethoxyanthracene, 2-bromomethyl-9,10-diethoxyanthracene, and the like.

【0031】上記、電子供与性の光アミン発生助剤は、
一般式[3]で表される化合物に対して1〜200重量
%、好ましくは5〜100重量%添加するのが良い。こ
の範囲を外れると、有効にアミンが発生しない恐れがあ
るので注意を要する。
The above-mentioned electron-donating photoamine generating auxiliary is
It is preferable to add 1 to 200% by weight, preferably 5 to 100% by weight to the compound represented by the general formula [3]. If the ratio is outside this range, care must be taken because amine may not be effectively generated.

【0032】本発明の光アミン発生剤は、一般式[3]
で表される化合物と電子供与性の光アミン発生助剤を合
わせて、ポリマーに対して1〜200重量%、好ましく
は3〜100重量%添加するのが良い。この範囲を外れ
ると像が形成できなくなったり、膜の機械的性質が悪化
する恐れがあるので注意を要する。
The photoamine generator of the present invention has the general formula [3]
The total amount of the compound represented by the formula (1) and the electron-donating photoamine generating aid is 1 to 200% by weight, preferably 3 to 100% by weight, based on the polymer. Care must be taken because if it is out of this range, an image cannot be formed or the mechanical properties of the film may be deteriorated.

【0033】本発明の組成物には、必要に応じて光開始
剤や増感剤を添加することもできる。
A photoinitiator or a sensitizer can be added to the composition of the present invention, if necessary.

【0034】本発明に適した光開始剤としては、N−フ
ェニルジエタノールアミン、N−フェニルグリシン、ミ
ヒラーケトンなどの芳香族アミン、3−フェニル−5−
イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合物、1
−フェニルプロパンジオン−2−(O−エトキシカルボ
ニル)オキシムに代表される鎖環状オキシム化合物など
が挙げられるがこれらに限定されない。
The photoinitiator suitable for the present invention includes aromatic amines such as N-phenyldiethanolamine, N-phenylglycine and Michler's ketone, 3-phenyl-5-
Cyclic oxime compounds represented by isoxazolone, 1
Examples include, but are not limited to, cyclic oxime compounds represented by -phenylpropanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime.

【0035】本発明に適した増感剤としては、アジドア
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳
香族モノアジド、3、3´−カルボニルビス(ジエチル
アミノクマリン)などのクマリン化合物、ベンズアント
ロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど一
般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その他電子
写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好まし
く使用できることもある。
Examples of sensitizers suitable for the present invention include coumarin compounds such as aromatic monoazides such as azidoanthraquinone and azidobenzalacetophenone, and 3,3'-carbonylbis (diethylaminocoumarin); benzanthrone and phenanthrenequinone. In some cases, aromatic ketones such as those generally used for photocurable resins and those used as charge transfer agents for electrophotography can be preferably used.

【0036】光開始剤や増感剤はポリマに対して0.1
〜5重量%の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を
外れると感光性が低下したり、ポリマの機械特性が低下
したりするので注意を要する。これらの光開始剤や増感
剤は、単独で、あるいは二種以上混合して用いることが
できる。
The photoinitiator and the sensitizer are used in an amount of 0.1 to the polymer.
It is preferable to add in the range of -5% by weight. If the ratio is outside this range, the photosensitivity is reduced and the mechanical properties of the polymer are reduced. These photoinitiators and sensitizers can be used alone or in combination of two or more.

【0037】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。
In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after the heat treatment and the support, an adhesion aid may be appropriately used.

【0038】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機ケイ素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセ
トアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネート)などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセネート)
などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用いら
れる。
Examples of the adhesion promoter include oxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-
Organosilicon compounds such as methacryloxypropyltrimethoxysilane; or aluminum chelate compounds such as aluminum monoethylacetoacetate diisopropylate and aluminum tris (acetylacetonate); or titanium bis (acetylacenate)
Titanium chelate compounds and the like are preferably used.

【0039】他の添加剤としては、共重合モノマあるい
は基板との接着改良剤を感度と耐熱性が大幅に低下しな
い範囲で含んでいても良い。
As other additives, a copolymer monomer or an adhesion improver with a substrate may be contained within a range where sensitivity and heat resistance are not significantly reduced.

【0040】本発明の組成物の製造方法の一例について
説明する。まず溶媒中でジアミン化合物と酸2無水物を
反応させ、一般式[1]で表される構造単位を主成分と
するポリマを得る。次にこの溶液に光アミン発生剤(一
般式[3]で表される化合物と電子供与性の光アミン発
生助剤)および必要に応じてその他の添加剤を溶解調合
することにより組成物を得る。なお、上記のポリマとし
て、固体状のポリアミド酸ポリマあるいは、反応後に溶
液から分離精製したポリマを再溶解して用いても差し支
えない。
An example of the method for producing the composition of the present invention will be described. First, a diamine compound and an acid dianhydride are reacted in a solvent to obtain a polymer having a structural unit represented by the general formula [1] as a main component. Next, a composition is obtained by dissolving and mixing a photoamine generator (a compound represented by the general formula [3] and an electron-donating photoamine generation auxiliary) with this solution and other additives as necessary. . As the above-mentioned polymer, a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from a solution after the reaction may be used after being dissolved again.

【0041】上記製造方法でもちいる溶媒としてはポリ
マの溶解性の面から極性溶媒が好ましく用いられ、特に
非プロトン性極性溶媒が好適である。非プロトン性極性
溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリ
アミド、γ−ブチロラクトンなどが好ましく用いられ
る。
As the solvent used in the above production method, a polar solvent is preferably used in view of the solubility of the polymer, and an aprotic polar solvent is particularly preferable. Examples of aprotic polar solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-
Dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, γ-butyrolactone and the like are preferably used.

【0042】次に、本発明の組成物の使用方法について
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパターン加工が可能である。
Next, the method of using the composition of the present invention will be described. The composition of the present invention can be patterned by a known fine processing technique using actinic radiation.

【0043】まず本発明の組成物を適当な支持体の上に
塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、ガラ
ス、半導体、金属酸化絶縁体、窒化ケイ素などが挙げら
れる。
First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Examples of the material of the support include metal, glass, semiconductor, metal oxide insulator, silicon nitride, and the like.

【0044】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常1〜30μmの範囲になる
ように塗布される。
As a coating method, means such as spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating are possible. The coating thickness can be adjusted by the coating means, the solid content concentration of the composition, and the viscosity, but it is usually applied so as to be in the range of 1 to 30 μm.

【0045】次に上記支持体上で塗膜となった本発明の
組成物に所望のパターン状に化学線を照射する。化学線
としてはX線、電子線、紫外線、可視光線などが例とし
て挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、すな
わち波長範囲で200〜500nmが好ましい。
Next, the composition of the present invention formed into a coating film on the support is irradiated with actinic radiation in a desired pattern. Examples of the actinic ray include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, and visible rays, but ultraviolet rays and short-wavelength visible rays, that is, 200 to 500 nm in a wavelength range are preferable.

【0046】露光後、ベーク処理をすることでイミド化
反応、架橋反応を行う。この温度としては60〜160
℃の範囲が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行
しなかったり、全ての領域が溶解しなくなるのどの恐れ
があるので注意を要する。
After exposure, an imidization reaction and a cross-linking reaction are performed by baking. The temperature is 60 to 160
C. is preferred. If the ratio is outside this range, the reaction may not proceed or all the regions may not be dissolved.

【0047】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフ・パターンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものを選択することができるが、
アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水溶液などを
好ましく使用することができる。また、本組成物の溶媒
であるN−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキ
サメチルホスホルトリアミドなどを単独あるいはメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、水、メチ
ルカルビトール、エチルカルビトール、トルエン、キシ
レンなどの組成物の非溶媒との混合液も好ましく使用す
ることができる。
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unirradiated portion with a developing solution. A suitable developer can be selected according to the structure of the polymer.
An alkaline aqueous solution of ammonia, tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine or the like can be preferably used. Further, N-methyl-2-pyrrolidone and N-acetyl-2, which are solvents of the present composition, are used.
-Pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N
-Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide or the like alone or a mixture of a composition such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene and xylene with a non-solvent is also preferably used. can do.

【0048】現像は上記の現像液を塗膜面にスプレーす
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。
The development can be carried out by spraying the above-mentioned developing solution on the coating film surface, dipping in the developing solution, or applying ultrasonic waves while dipping.

【0049】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフパターンを洗浄することが望ましい。リン
ス液としてはアルカリ水溶液で現像を行う場合、水が好
ましく用いられる。また、有機溶媒でリンスをする場
合、現像液との混和性の良いメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、酢酸ブチルなどが好ましく用
いられる。
Next, it is desirable to wash the relief pattern formed by development with a rinsing liquid. As the rinsing liquid, water is preferably used when developing with an aqueous alkali solution. When rinsing with an organic solvent, methanol, ethanol,
Isopropyl alcohol, butyl acetate and the like are preferably used.

【0050】上記の処理によって得られたレリーフ・パ
ターンのポリマは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの
前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環状
構造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度としては、
135〜400℃で行うのが好ましい。熱処理は通常、
段階的にあるいは連続的に昇温しながら行われる。
The polymer of the relief pattern obtained by the above treatment is a precursor of a polyimide-based polymer having heat resistance, and becomes a heat-resistant polymer having an imide ring or another cyclic structure by heat treatment. As the heat treatment temperature,
It is preferably performed at 135 to 400 ° C. Heat treatment is usually
The heating is performed stepwise or continuously.

【0051】本発明の化学線感応性重合体組成物は、半
導体のパッシベーション膜、パッシベーション膜のバッ
ファーコート膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。
The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention can be used for a passivation film of a semiconductor, a buffer coat film of a passivation film, an interlayer insulating film of a multilayer integrated circuit, an interlayer insulating film or a surface protective film of a hybrid integrated circuit, a printed circuit. To form a soldering protective film, an alignment film for liquid crystal, an interlayer insulating film of a mounting substrate, and the like. Further, it is also possible to apply a metal as a highly heat-resistant photoresist or a dry etching process. It can be applied to other known uses of polyimide.

【0052】[0052]

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0053】<光アミン発生剤の合成> 《一般式[3]で表される化合物の合成》 (p−ニトロベンジルオキシカルボニル)シクロヘキ
シルアミンの合成 p−ニトロベンジルアルコール15.3gをテトラヒド
ロフラン50mlに溶解させた。ここに、シクロヘキシ
ルイソシアネートを滴下し、ジブチルジラウリルスズを
触媒として30℃で2時間反応を行った。反応生成物を
水に投入、回収し、(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)シクロヘキシルアミンを得た。これを、光アミン
発生剤(1)とする。
<Synthesis of Photoamine Generator><< Synthesis of Compound Represented by General Formula [3] >> Synthesis of (p-nitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine 15.3 g of p-nitrobenzyl alcohol was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. I let it. Here, cyclohexyl isocyanate was added dropwise, and a reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours using dibutyl dilauryl tin as a catalyst. The reaction product was poured into water and collected to obtain (p-nitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine. This is designated as photoamine generator (1).

【0054】(3、4−ジニトロベンジルオキシカル
ボニル)シクロヘキシルアミンの合成 3、4−ジニトロベンジルアルコール19.8gをテト
ラヒドロフラン50mlに溶解させた。ここに、シクロ
ヘキシルイソシアネートを滴下し、メチルリチウムを触
媒として30℃で2時間反応を行った。反応生成物を水
に投入、回収し、(3、4−ジニトロベンジルオキシカ
ルボニル)シクロヘキシルアミンを得た。これを光アミ
ン発生剤(2)とする。
Synthesis of (3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine 19.8 g of 3,4-dinitrobenzyl alcohol was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. Here, cyclohexyl isocyanate was added dropwise, and a reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours using methyllithium as a catalyst. The reaction product was poured into water and collected to obtain (3,4-dinitrobenzyloxycarbonyl) cyclohexylamine. This is designated as photoamine generator (2).

【0055】ビス(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)ヘキサメチレンジアミンの合成 p−ニトロベンジルアルコール15.3gをテトラヒド
ロフラン50mlに溶解させた。ここに、ヘキサメチレ
ンジイソシアネートを滴下し、ジブチルジラウリルスズ
を触媒として30℃で2時間反応を行った。反応生成物
を水に投入、回収し、ビス(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)ヘキサメチレンジアミンを得た。これを光
アミン発生剤(3)とする。
Synthesis of bis (p-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine 15.3 g of p-nitrobenzyl alcohol was dissolved in 50 ml of tetrahydrofuran. Here, hexamethylene diisocyanate was added dropwise, and a reaction was carried out at 30 ° C. for 2 hours using dibutyl dilauryl tin as a catalyst. The reaction product was poured into water and collected to obtain bis (p-nitrobenzyloxycarbonyl) hexamethylenediamine. This is designated as photoamine generator (3).

【0056】《電子供与性の光アミン発生助剤の合成》 2−カルボキシ−9,10−ジメトキシアントラセン
の合成 2−カルボキシ−9,10−アントラキノン25.2
g、亜鉛10g、エタノール40mlを室温で混合し
た。これに、20%水酸化ナトリウム200mlを加
え、1時間加熱還流させた。この溶液に、p−トルエン
スルホン酸メチル117gを1時間かけて滴下した。滴
下終了後、室温になるまで放冷した後、反応液を濾過
し、濾液を稀塩酸で処理すると固体物が析出した。これ
を濾別、回収することで2−カルボキシ−9,10−ジ
メトキシアントラセンを得た。これを光アミン発生助剤
(1)とする。
<< Synthesis of Electron Donating Photoamine Generation Aid >> Synthesis of 2-carboxy-9,10-dimethoxyanthracene 2-carboxy-9,10-anthraquinone 25.2
g, zinc 10 g and ethanol 40 ml were mixed at room temperature. To this was added 200 ml of 20% sodium hydroxide, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. To this solution, 117 g of methyl p-toluenesulfonate was added dropwise over 1 hour. After the completion of the dropwise addition, the reaction solution was allowed to cool to room temperature, filtered, and the filtrate was treated with dilute hydrochloric acid to precipitate a solid. This was separated by filtration and collected to obtain 2-carboxy-9,10-dimethoxyanthracene. This is designated as photoamine generation aid (1).

【0057】<ポリイミド原液の合成> 4,4´−ジアミノジフェニルエーテル100.1g
をN−メチル−2−ピロリドン670gに室温で溶解さ
せ、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物157.5gをN−メチル−2−ピロリドン
103gとともに加え、激しく攪拌を行った。この時液
温は急激に上昇し50℃にまでなるがその後定常状態に
なる。このまま30℃で1時間反応させ、さらに60℃
に液温を上昇させ4時間反応を行い、ポリアミド酸溶液
(A)を得た。
<Synthesis of Polyimide Stock Solution> 100.1 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether
Was dissolved in 670 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 157.5 g of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic anhydride was added together with 103 g of N-methyl-2-pyrrolidone, followed by vigorous stirring. Was. At this time, the liquid temperature rises rapidly and reaches 50 ° C., but then becomes a steady state. The reaction was continued at 30 ° C. for 1 hour,
Then, the solution temperature was raised and the reaction was carried out for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (A).

【0058】4,4´−ジアミノジフェニルエーテル
100.1gをN−メチル−2−ピロリドン670gに
室温で溶解させ、ピロメリット酸無水物108.2gを
N−メチル−2−ピロリドン80gとともに加え、激し
く攪拌を行った。この時液温は急激に上昇し50℃にま
でなるがその後定常状態になる。このまま30℃で1時
間反応させ、さらに60℃に液温を上昇させ4時間反応
を行い、ポリアミド酸溶液(B)を得た。
100.1 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether was dissolved in 670 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 108.2 g of pyromellitic anhydride was added together with 80 g of N-methyl-2-pyrrolidone, followed by vigorous stirring. Was done. At this time, the liquid temperature rises rapidly and reaches 50 ° C., but then becomes a steady state. The reaction was continued at 30 ° C. for 1 hour, and the reaction temperature was further raised to 60 ° C. for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (B).

【0059】3,3´−ジアミノジフェニルスルホン
124.3gをN−メチル−2−ピロリドン600gに
室温で溶解させ、3,3´,4,4´−ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物146.5gをN−メチル−2−ピ
ロリドン100gとともに加え、激しく攪拌を行った。
この時液温は急激に上昇し50℃にまでなるがその後定
常状態になる。この後50℃で1時間反応させ、さらに
60℃に液温を上昇させ4時間反応を行い、ポリアミド
酸溶液(C)を得た。
124.3 g of 3,3'-diaminodiphenylsulfone was dissolved in 600 g of N-methyl-2-pyrrolidone at room temperature, and 146.5 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic anhydride was added to N -Methyl-2-pyrrolidone was added together with 100 g, followed by vigorous stirring.
At this time, the liquid temperature rises rapidly and reaches 50 ° C., but then becomes a steady state. Thereafter, the reaction was carried out at 50 ° C. for 1 hour, the liquid temperature was further raised to 60 ° C., and the reaction was carried out for 4 hours to obtain a polyamic acid solution (C).

【0060】実施例1 光アミン発生剤(1)5g、光アミン発生助剤(1)2
g、ミヒラーケトン0.5gとポリアミド酸溶液(A)
を混合した。この溶液を4インチシリコンウエハー上に
スピンコートした。次いでホットプレート(大日本スク
リーン製造製SCW−636)を用いて100℃2分の
加熱処理を行った。このときの膜厚は5μmであった。
Example 1 Photoamine generator (1) 5 g, Photoamine generation auxiliary (1) 2
g, Michler's ketone 0.5 g and polyamic acid solution (A)
Was mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Next, heat treatment was performed at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). At this time, the film thickness was 5 μm.

【0061】加熱処理後、コンタクトアライナー(キャ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして800mJ/cm(365nmでの測定値)
の露光を行った。
After the heat treatment, 800 mJ / cm 2 (measured at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon) and a gray scale as a mask.
Was exposed.

【0062】露光後、130℃、2分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は4.3μmであった。
After the exposure, a heat treatment was performed at 130 ° C. for 2 minutes. At this time, the film thickness was 4.3 μm.

【0063】続いてアルカリ現像液(東京応化製NMD
−3)を用いて1分間浸漬し、現像を行った。
Subsequently, an alkaline developer (NMD manufactured by Tokyo Ohka)
-3) for 1 minute for development.

【0064】露光量が320mJ/cm以上のところ
で像が残った。また、800mJ/cmの露光量のと
ころの膜厚は3.9μmであった。
An image remained at an exposure amount of 320 mJ / cm 2 or more. The film thickness at an exposure amount of 800 mJ / cm 2 was 3.9 μm.

【0065】実施例2 光アミン発生剤(2)5g、光アミン発生助剤(1)2
g、N−フェニルグリシン0.5g、ベンズアントロン
0.2gをポリアミド酸溶液(B)を混合した。この溶
液を4インチシリコンウエハー上にスピンコートした。
次いでホットプレート(大日本スクリーン製造製SCW
−636)を用いて100℃2分の加熱処理を行った。
このときの膜厚は5μmであった。
Example 2 5 g of photoamine generator (2), photoamine generation aid (1) 2
g, 0.5 g of N-phenylglycine and 0.2 g of benzanthrone were mixed with the polyamic acid solution (B). This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer.
Then hot plate (SCW manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.)
-636) to perform a heat treatment at 100 ° C. for 2 minutes.
At this time, the film thickness was 5 μm.

【0066】加熱処理後、コンタクトアライナー(キャ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm(365nmでの測定値)
の露光を行った。
After the heat treatment, 600 mJ / cm 2 (measured at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) and a gray scale as a mask.
Was exposed.

【0067】露光後、130℃、2分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は4.3μmであった。
After the exposure, a heat treatment was performed at 130 ° C. for 2 minutes. At this time, the film thickness was 4.3 μm.

【0068】続いてアルカリ現像液(東京応化製NMD
−3)を用いて1分間浸漬し、現像を行った。
Subsequently, an alkaline developer (NMD manufactured by Tokyo Ohka)
-3) for 1 minute for development.

【0069】露光量が240mJ/cm以上のところ
で像が残った。また、600mJ/cmの露光量のと
ころの膜厚は3.8μmであった。
An image remained when the exposure amount was 240 mJ / cm 2 or more. The film thickness at an exposure amount of 600 mJ / cm 2 was 3.8 μm.

【0070】実施例3 光アミン発生剤(3)5g、光アミン発生助剤(1)2
g、3,3´−カルボニルビス(ジエチルアミノクマリ
ン)0.3gとポリアミド酸溶液(C)を混合した。こ
の溶液を4インチシリコンウエハー上にスピンコートし
た。次いでホットプレート(大日本スクリーン製造製S
CW−636)を用いて100℃、2分の加熱処理を行
った。このときの膜厚は5μmであった。
Example 3 5 g of photoamine generator (3), photoamine generation aid (1) 2
g, 3,3′-carbonylbis (diethylaminocoumarin) 0.3 g and the polyamic acid solution (C) were mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Next, use a hot plate (D-Nippon Screen Manufacturing S
Heat treatment was performed at 100 ° C. for 2 minutes using CW-636). At this time, the film thickness was 5 μm.

【0071】加熱処理後、コンタクトアライナー(キャ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm(365nmでの測定値)
の露光を行った。
After the heat treatment, 600 mJ / cm 2 (measured at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) and a gray scale as a mask.
Was exposed.

【0072】露光後、130℃、2分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は4.3μmであった。
After the exposure, a heat treatment was performed at 130 ° C. for 2 minutes. At this time, the film thickness was 4.3 μm.

【0073】続いてアルカリ現像液(東京応化製NMD
−3)を用いて1分間浸漬し、現像を行った。
Subsequently, an alkaline developer (NMD manufactured by Tokyo Ohka)
-3) for 1 minute for development.

【0074】露光量が150mJ/cm以上のところ
で像が残った。また、600mJ/cmの露光量のと
ころの膜厚は3.7μmであった。
An image remained when the exposure amount was 150 mJ / cm 2 or more. The film thickness at an exposure amount of 600 mJ / cm 2 was 3.7 μm.

【0075】比較例 トリエチルアミン5gとポリアミド酸溶液(A)を混合
した。この溶液を4インチシリコンウエハー上にスピン
コートした。次いでホットプレート(大日本スクリーン
製造製SCW−636)を用いて100℃、2分の加熱
処理を行った。このときの膜厚は5μmであった。
Comparative Example 5 g of triethylamine and a polyamic acid solution (A) were mixed. This solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Next, heat treatment was performed at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). At this time, the film thickness was 5 μm.

【0076】加熱処理後、コンタクトアライナー(キャ
ノン製PLA−501)を用いてグレースケールをマス
クにして600mJ/cm(365nmでの測定値)
の露光を行った。
After the heat treatment, 600 mJ / cm 2 (measured at 365 nm) using a contact aligner (PLA-501 manufactured by Canon Inc.) and a gray scale as a mask.
Was exposed.

【0077】露光後、130℃、2分の加熱処理を行っ
た。このときの膜厚は4.3μmであった。
After the exposure, a heat treatment was performed at 130 ° C. for 2 minutes. At this time, the film thickness was 4.3 μm.

【0078】続いてアルカリ現像液(東京応化製NMD
−3)を用いて1分間浸漬し、現像を行ったが、全く溶
解しなかった。
Subsequently, an alkali developer (NMD manufactured by Tokyo Ohka)
-3) was immersed for 1 minute to develop, but did not dissolve at all.

【0079】[0079]

【発明の効果】本発明によると、有機溶媒を現像液に用
いず、アルカリ水溶液などで現像できる新規な感光性ポ
リイミドを得ることができる。
According to the present invention, a novel photosensitive polyimide which can be developed with an alkaline aqueous solution or the like without using an organic solvent as a developer can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/031 G03F 7/031 7/037 501 7/037 501 H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 H05K 3/28 D H05K 3/28 H01L 21/30 502R (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/038 504 CA(STN) REGISTRY(STN)──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI G03F 7/031 G03F 7/031 7/037 501 7/037 501 H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 H05K 3/28 D H05K 3/28 H01L 21/30 502R (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 7/038 504 CA (STN) REGISTRY (STN)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】下記一般式[1]で表される構造単位を有
するポリマー、下記一般式[2]で表される化合物、お
よび電子供与性の光アミン発生助剤とを含むことを特徴
とする化学線感応性重合体組成物。 【化1】 (R1 は、少なくとも2個の炭素原子を有する3価また
は4価の有機基、R2 は、少なくとも2個の炭素原子を
有する2価の有機基、R3 は、水素、アルカリ金属イオ
ン、アンモニウムイオン、または炭素数1〜20の有機
基を表す。nは1または2である。) (R4 −OCO−NH)−R5 [2] [R4 は、分子中、少なくとも1個は、下記一般式
[3]、 【化2】 (R6 は、水素または炭素数1〜10の有機基を表す。
lは0〜3の整数である。)で表される基であり、それ
以外は、炭素数1〜20の有機基を表す。R5 は炭素数
1以上の1〜4価の有機基を表す。mは1〜4の整数で
ある。]
1. A polymer having a structural unit represented by the following general formula [1], a compound represented by the following general formula [2], and an electron-donating photoamine generating auxiliary. Actinic radiation sensitive polymer composition. Embedded image (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 carbon atoms, R 3 is hydrogen, an alkali metal ion, Represents an ammonium ion or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, and n is 1 or 2.) (R 4 —OCO—NH) m —R 5 [2] [R 4 is at least one in the molecule. Is represented by the following general formula [3]: (R 6 represents hydrogen or an organic group having 1 to 10 carbon atoms.
l is an integer of 0-3. ), And the others represent organic groups having 1 to 20 carbon atoms. R 5 represents one or more monovalent to tetravalent organic group having a carbon number. m is an integer of 1 to 4. ]
【請求項2】電子供与性の光アミン発生助剤がアントラ
セン類、キサンテン類、トリフェニルメタン類、フタロ
シアニン類、ポルフィリン類、アクリジン類の群から選
ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1
記載の化学線感応性重合体組成物。
2. The method according to claim 1, wherein the electron-donating photoamine generating auxiliary is at least one selected from the group consisting of anthracenes, xanthenes, triphenylmethanes, phthalocyanines, porphyrins and acridines. Item 1
The actinic radiation-sensitive polymer composition according to the above.
【請求項3】電子供与性の光アミン発生助剤が下記一般
式[4]で表されるアントラセン類であることを特徴と
する請求項2記載の化学線感応性重合体組成物。 【化3】 (R7 、R8 は炭素数1〜20の有機基を表す。R9
水素、炭素数1〜20の有機基、ニトロ基、アミノ基、
水酸基、スルホン酸基またはハロゲンを表す。pは1〜
3の整数である。)
3. The actinic ray-sensitive polymer composition according to claim 2, wherein the electron donating photoamine generating auxiliary is an anthracene represented by the following general formula [4]. Embedded image (R 7 and R 8 represent an organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 9 represents hydrogen, an organic group having 1 to 20 carbon atoms, a nitro group, an amino group,
Represents a hydroxyl group, a sulfonic acid group or a halogen. p is 1 to
It is an integer of 3. )
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JP4930883B2 (en) * 2006-05-22 2012-05-16 公立大学法人大阪府立大学 Photosensitive resin composition and circuit board using the same
KR101599571B1 (en) * 2008-10-02 2016-03-03 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition, article using same, and method for forming negative pattern
WO2017149563A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-08 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Photosensitive resin composition, and pattern formation method and circuit formation substrate in which said composition is used

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