JP3163748B2 - Actinic radiation sensitive polymer composition - Google Patents

Actinic radiation sensitive polymer composition

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JP3163748B2
JP3163748B2 JP14147892A JP14147892A JP3163748B2 JP 3163748 B2 JP3163748 B2 JP 3163748B2 JP 14147892 A JP14147892 A JP 14147892A JP 14147892 A JP14147892 A JP 14147892A JP 3163748 B2 JP3163748 B2 JP 3163748B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、化学線感応性重合体組
成物に関するものであり、さらに詳しくは、感度の優れ
た感光性ポリイミド組成物の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an actinic radiation-sensitive polymer composition, and more particularly to an improvement in a photosensitive polyimide composition having excellent sensitivity.

【0002】[0002]

【従来の技術】感光性ポリイミド組成物としては、ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素2重結合およびアミノ基またはその4級化塩を含む
化合物を添加した組成物(例えば特公昭59−5282
2号公報)やポリアミド酸にエステル基で感光性を導入
したポリイミド前駆体組成物(例えばUSP39575
12号、USP4040831号明細書)が知られてい
る。
2. Description of the Related Art As a photosensitive polyimide composition, a polyamic acid which can be dimerized or polymerized by actinic radiation is used.
A composition to which a compound containing a carbon double bond and an amino group or a quaternary salt thereof is added (for example, JP-B-59-5282).
No. 2) or a polyimide precursor composition in which photosensitivity is introduced into a polyamic acid by an ester group (for example, US Pat.
No. 12, US Pat. No. 4,408,831) are known.

【0003】しかしながら、かかる従来の組成物におい
ては、必ずしも感度が十分高いとは言い難く、現在主流
になっているステップアンドリピ−ト方式(ステッパ
−)による露光を行なう場合、露光時間が長くなり、さ
らに生産性を向上させるのには問題があることが指摘さ
れている。
However, the sensitivity of such a conventional composition is not always sufficiently high, and the exposure time becomes long when performing exposure by a step-and-repeat method (stepper) which is currently mainstream. However, it has been pointed out that there is a problem in further improving productivity.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の欠点を解消し、高感度を有する化学線感応性重合
体組成物を得ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to overcome the disadvantages of the prior art and to provide a high-sensitivity actinic radiation-sensitive polymer composition.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
次の構成により達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is as follows.
This is achieved by the following configuration.

【0006】(1)下記一般式[1]で表される構造単
位を有するポリマと、
(1) a polymer having a structural unit represented by the following general formula [1]:

【化2】 (R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価ま
たは4価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭素原
子を有する2価の有機基、R3は水素、アルカリ金属イ
オンまたはアンモニウムイオンを表わす。nは1または
2である。) (2)不飽和結合およびアミノ基またはその4級化塩を
含む化合物[2]と、 (3)ポリマーに対して1〜10重量%の光電荷移動化
合物[3]とからなる化学線感応性重合体組成物。
Embedded image (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 3 is hydrogen, an alkali metal ion or ammonium And n represents 1 or 2.) (2) a compound [2] containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternary salt thereof, and (3) 1 to 10% by weight of light based on the polymer. An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising the charge transfer compound [3].

【0007】本発明における構造単位[1]を有するポ
リマとしては、下記一般式
The polymer having the structural unit [1] in the present invention is represented by the following general formula:

【化3】 (R1 は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価ま
たは4価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭素原
子を有する2価の有機基、R3 は水素、アルカリ金属イ
オンまたはアンモニウムイオンを表わす。nは1または
2である。)で示される構造を有し、加熱あるいは適当
な触媒によりイミド環や、その他環状構造を有するポリ
マ(以後、単にポリイミド系ポリマと呼ぶ)となり得る
ものが好ましい。
Embedded image (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 3 is hydrogen, an alkali metal ion or ammonium Represents an ion, and n is 1 or 2.), and can be a polymer having an imide ring or other cyclic structure (hereinafter simply referred to as a polyimide-based polymer) by heating or an appropriate catalyst. Is preferred.

【0008】上記構造単位[1]中、R1 は少なくとも
2個以上の炭素原子を有する3価のまたは4価の有機基
である。ポリイミド系ポリマの耐熱性から、R1 はポリ
マ主鎖のカルボニル基との結合が芳香族複素環から直接
行われる構造を有するものが好ましい。したがって、R
1 としては、芳香環または芳香族複素環を含有し、かつ
炭素数6〜30の3価または4価の基が好ましい。
In the above structural unit [1], R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least two or more carbon atoms. From the viewpoint of the heat resistance of the polyimide-based polymer, R 1 preferably has a structure in which the bond to the carbonyl group of the polymer main chain is made directly from the aromatic heterocycle. Therefore, R
As 1 , a trivalent or tetravalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms is preferable.

【0009】R1 の好ましい具体的な例としては、ピロ
メリット酸残基、3,3´,4,4´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4´−ジフェ
ニルエ−テルテトラカルボン酸残基、3,3´,4,4
´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸残基などが挙
げられる。
Preferred specific examples of R 1 include a pyromellitic acid residue, a 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid residue, and a 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid residue. Acid residue, 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic acid residue, 3,3 ′, 4,4
And '-diphenylsulfonetetracarboxylic acid residue.

【0010】R1 は単独で使用されても共重合であって
も構わない。
[0010] R 1 may be used alone or may be a copolymer.

【0011】R2 としては芳香族環または芳香族複素環
を含有し、かつ炭素数6〜30の2価の基が好ましい。
R 2 is preferably a divalent group containing an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring and having 6 to 30 carbon atoms.

【0012】R2 の好ましい具体的な例としては、4,
4´−ジアミノジフェニルエ−テル残基、4,4´−ジ
アミノジフェニルスルフィド残基、4,4´−ジアミノ
ジフェニルメタン残基、4,4´−ジアミノジフェニル
スルホン残基、パラフェニレンジアミン残基、メタフェ
ニレンジアミン残基、ベンチジン残基、ビスアミノフェ
ノキシプロパン残基などが挙げられるが、当然ながらこ
の他多くのものが使用できる。
Preferable specific examples of R 2 include 4,
4'-diaminodiphenylether residue, 4,4'-diaminodiphenylsulfide residue, 4,4'-diaminodiphenylmethane residue, 4,4'-diaminodiphenylsulfone residue, paraphenylenediamine residue, meta Examples thereof include a phenylenediamine residue, a benzidine residue, and a bisaminophenoxypropane residue. Of course, many others can be used.

【0013】構造単位[1]を有するポリマは、R2
これらのうちただ1種から構成されていても良いし、2
種以上から構成される共重合体であっても良い。さら
に、ポリイミド系ポリマの接着性を向上させるために、
耐熱性を低下させない範囲でR2 として、シロキサン結
合を有する脂肪族性の基を共重合することも可能であ
る。好ましい具体例としては、ビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。
In the polymer having the structural unit [1], R 2 may be composed of only one of these,
Copolymers composed of more than one kind may be used. Furthermore, in order to improve the adhesiveness of the polyimide polymer,
It is also possible to copolymerize an aliphatic group having a siloxane bond as R 2 as long as the heat resistance is not reduced. Preferred specific examples include bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane.

【0014】構造単位[1]を主成分とするポリマの具
体的な例としては、ピロメリット酸2無水物と4,4´
−ジアミノジフェニルエ−テル、3,3´,4,4´−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と4,4´−
ジアミノジフェニルエ−テル、3,3´,4,4´−ビ
フェニルテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジアミ
ノジフェニルエ−テル、ピロメリット酸2無水物と3,
3´−(または4,4´)ジアミノジフェニルスルホ
ン、ピロメリット酸2無水物および3,3´,4,4´
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と3,3´
−(または4,4´)ジアミノジフェニルスルホン、
3、3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
2無水物と3,3´−(または4,4´)ジアミノジフ
ェニルスルホン、3,3´,4,4´−ビフェニルテト
ラカルボン酸2無水物と3,3´−(または4,4´)
ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸2無水物
と4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3
´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水
物と4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3
´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物と
4,4´−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3´,
4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物と
パラフェニレンジアミン、3,3´,4,4´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸2無水物とパラフェニレンジアミ
ン、ピロメリット酸2無水物および3,3´,4,4´
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物とパラフェ
ニレンジアミン、ピロメリット酸2無水物および3,3
´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸2無水物と
パラフェニレンジアミン、3,3´,4,4´−ジフェ
ニルエ−テルテトラカルボン酸2無水物と4,4´−ジ
アミノジフェニルエ−テル、3,3´,4,4´−ジフ
ェニルエ−テルテトラカルボン酸2無水物とパラフェニ
レンジアミン、ピロメリット酸2無水物と4,4´−ジ
アミノジフェニルエ−テルおよびビス(3−アミノプロ
ピル)テトラメチルジシロキサン、などから合成された
ポリアミド酸が好ましく用いられる。
Specific examples of the polymer having the structural unit [1] as a main component include pyromellitic dianhydride and 4,4 ′
-Diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-
Benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 4,4'-
Diaminodiphenyl ether, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3,3
3 '-(or 4,4') diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'
-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3,3 '
-(Or 4,4 ') diaminodiphenyl sulfone,
3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 3,3'-(or 4,4 ') diaminodiphenylsulfone, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride Object and 3,3'- (or 4,4 ')
Diaminodiphenyl sulfone, pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3
', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3
', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic dianhydride and 3,3' , 4,4 '
-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic dianhydride and 3,3
', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenylether , 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine, pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenylether and bis (3-aminopropyl A) Polyamic acid synthesized from, for example, tetramethyldisiloxane.

【0015】構造単位[1]を有するポリマとは、構造
単位[1]のみから成るものであっても良いし、他の構
造単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良
い。共重合に用いられる構造単位の種類、量は最終加熱
処理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を著
しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。
The polymer having the structural unit [1] may be composed of only the structural unit [1], or may be a copolymer or a blend with another structural unit. It is desirable that the type and amount of the structural unit used for copolymerization be selected within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide polymer obtained by the final heat treatment.

【0016】不飽和結合およびアミノ基またはその4級
化塩を含む化合物[2]としては、1分子中に炭素−炭
素2重結合とアミノ基または4級化したアミノ基を含む
化合物が挙げられる。
The compound [2] containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternized salt thereof includes a compound containing a carbon-carbon double bond and an amino group or a quaternized amino group in one molecule. .

【0017】好ましい具体例としては、ジメチルアミノ
エチルメタクリレ−ト、ジメチルアミノエチルアクリレ
−ト、ジエチルアミノエチルメタクリレ−ト、ジエチル
アミノエチルアクリレ−ト、ジメチルアミノプロピルメ
タクリルアミド、ビニルピリジンなどが挙げられるが、
これらに限定されない。
Preferred specific examples include dimethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl acrylate, dimethylaminopropyl methacrylamide, vinylpyridine and the like. But
It is not limited to these.

【0018】化学線感応性の面から、特に不飽和基とし
てアクリル基またはメタクリル基を有するアミノ化合物
が望ましい。
From the standpoint of actinic radiation sensitivity, an amino compound having an acryl group or a methacryl group as an unsaturated group is particularly desirable.

【0019】アミノ基が4級化されていない化合物の場
合は構造単位[1]のR3 が水素のものと組合わせるの
が望ましい。アミノ基が4級化されている化合物の場合
は構造単位[1]のR3 がアルカリ金属イオンまたはア
ンモニウムイオンのものと組合わせるのが望ましい。
In the case of a compound in which the amino group is not quaternized, it is desirable to combine with a compound in which R 3 of the structural unit [1] is hydrogen. In the case of a compound in which the amino group is quaternized, it is desirable that R 3 of the structural unit [1] be combined with an alkali metal ion or an ammonium ion.

【0020】化合物[2]は構造単位[1]を主成分と
するポリマの全カルボキシル基(またはその塩)の0.
05当量以上、好ましくは0.3当量以上で、かつ2倍
当量以下でポリマと混合されているのが望ましい。この
範囲をはずれると感光性が悪くなったり、現像時間、温
度などの現像条件の許容幅が狭くなる恐れがあるので注
意を要する。
The compound [2] contains 0.1% of all carboxyl groups (or salts thereof) of the polymer having the structural unit [1] as a main component.
It is desirable that the polymer is mixed with the polymer in an amount of at least 05 equivalent, preferably at least 0.3 equivalent, and not more than twice equivalent. If the ratio is out of this range, the photosensitivity may be deteriorated, or the allowable range of the developing conditions such as the developing time and the temperature may be narrowed.

【0021】光電荷移動化合物[3]としては、通常電
子写真の正電荷移動剤として使用されるものであれば、
どのようなものでも好ましく使用することができる。こ
のようなものの例としては、ビス(ジエチルアミノフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾ−ル、ジフェニルベ
ンチジン、2,3−ビス(ジメチルアミノフェニル)−
4−(2−クロロフェニル)オキサゾ−ル、N,N,N
´,N´−テトラキス(3−メチルフェニル)−メタフ
ェニレンジアミン、α−フェニル−4−N,N´−ジフ
ェニルアミノスチルベン、パラジエチルアミノフェニル
−ジフェニルヒドロジドなど多くのものが知られており
(例えば、電気化学60巻4号273(1992))、
正電荷を安定に保持するものであれば有効に使用するこ
とが出来る。
As the photocharge transfer compound [3], if it is a compound usually used as a positive charge transfer agent for electrophotography,
Any one can be preferably used. Examples of such are bis (diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazol, diphenylbenzidine, 2,3-bis (dimethylaminophenyl)-
4- (2-chlorophenyl) oxazole, N, N, N
Many are known, such as', N'-tetrakis (3-methylphenyl) -metaphenylenediamine, α-phenyl-4-N, N'-diphenylaminostilbene, paradiethylaminophenyl-diphenylhydrozide (for example, , Electrochemistry 60, No. 4, 273 (1992)),
Any material that stably holds a positive charge can be used effectively.

【0022】本発明では、この光電荷移動化合物[3]
とポリマ−主鎖の間に電荷移動反応を生じさせること
で、ポリマ−主鎖中にアニオンラジカルが生成され、こ
のアニオンラジカルが化合物[2]と化学的な反応を行
うことで画像が形成される。このために感度の向上には
主鎖中のアニオンラジカルを効率よく発生させることが
好ましい。
In the present invention, the photocharge transfer compound [3]
Causes a charge transfer reaction between the polymer and the polymer main chain, thereby generating an anion radical in the polymer main chain. The anion radical chemically reacts with the compound [2] to form an image. You. For this reason, it is preferable to efficiently generate anion radicals in the main chain in order to improve sensitivity.

【0023】光電荷移動化合物は、さらに好ましくは、
ポリマーに対して1から10重量%添加される。この範
囲を外れると、少なすぎる場合は有効な感度が現れない
し、多すぎると、ポリマー中に熱を加えてポリイミドに
した後も残存し、電気特性、機械特性、接着性などに悪
影響を及ぼす。
The light charge transfer compound is preferably in the al,
It is added in an amount of 1 to 10% by weight based on the polymer. If the amount is out of this range, no effective sensitivity will be exhibited if the amount is too small, and if the amount is too large, it will remain after the polyimide is formed by applying heat to the polymer, adversely affecting the electrical properties, mechanical properties, adhesiveness and the like.

【0024】また、さらに感度を向上させるためにミヒ
ラ−ケトンなどの増感剤を添加することもできる。
In order to further improve the sensitivity, a sensitizer such as Michler's ketone can be added.

【0025】このような増感剤はポリマに対して0.1
〜5重量%の範囲で添加するのが好ましい。この範囲を
外れると感光性が低下したり、ポリマの機械特性が低下
したりするので注意を要する。
Such a sensitizer is added to the polymer in an amount of 0.1%.
It is preferable to add in the range of -5% by weight. If the ratio is outside this range, the photosensitivity is reduced and the mechanical properties of the polymer are reduced.

【0026】本発明の組成物の製造方法の一例について
説明する。まず溶媒中でジアミン化合物と酸2無水物を
反応させ、構造単位[1]を主成分とするポリマを得
る。次にこの溶液に化合物[2]と[3]および必要に
応じてその他の添加剤を溶解調合することにより製造す
ることができる。なお、上記のポリマとして、固体状の
ポリアミド酸ポリマあるいは、反応後に溶液から分離精
製したポリマを再溶解して用いても差し支えない。
An example of the method for producing the composition of the present invention will be described. First, a diamine compound and an acid dianhydride are reacted in a solvent to obtain a polymer mainly containing the structural unit [1]. Next, compounds [2] and [3] and, if necessary, other additives can be dissolved in this solution to prepare a solution. As the above-mentioned polymer, a solid polyamic acid polymer or a polymer separated and purified from a solution after the reaction may be used after being dissolved again.

【0027】上記製造方法で用いる溶媒としてはポリマ
の溶解性の面から極性溶媒が好ましく用いられ、特に非
プロトン性極性溶媒が好適である。非プロトン性極性溶
媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミ
ド、γ−ブチロラクトン、ジメチルアミノアクリルアミ
ドなどが好ましく用いられる。他の添加剤としては、共
重合モノマあるいは基板との接着会良材を感度と耐熱性
が大幅に低下しない範囲で含んでいても良い。
As the solvent used in the above production method, a polar solvent is preferably used from the viewpoint of solubility of the polymer, and an aprotic polar solvent is particularly preferable. Examples of the aprotic polar solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide,
Dimethyl sulfoxide, hexamethyl phosphorotriamide, γ-butyrolactone, dimethylaminoacrylamide and the like are preferably used. As other additives, a copolymer monomer or a material having good adhesion to a substrate may be contained as long as the sensitivity and heat resistance are not significantly reduced.

【0028】次に、本発明の組成物の使用方法について
説明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微
細加工技術でパタ−ン加工が可能である。
Next, the method of using the composition of the present invention will be described. The composition of the present invention can be patterned by a well-known fine processing technique using actinic radiation.

【0029】まず本発明の組成物を適当な支持体の上に
に塗布する。塗布方法としては、スピンナ−を用いた回
転塗布、スプレ−コ−タ−を用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロ−ルコ−ティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができる。
First, the composition of the present invention is coated on a suitable support. Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, immersion, printing, roll coating, and the like. The coating thickness can be adjusted by the coating means, the solid content concentration of the composition, and the viscosity.

【0030】本発明の組成物を塗布する支持体の材質と
しては、例えば金属、ガラス、半導体、金属酸化絶縁
体、窒化ケイ素などが挙げられる。
Examples of the material of the support on which the composition of the present invention is applied include metals, glass, semiconductors, metal oxide insulators, and silicon nitride.

【0031】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。
In order to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film after the heat treatment and the support, an adhesion aid may be appropriately used.

【0032】接着助剤として、オキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メ
タクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有機
ケイ素化合物あるいは、アルミニウムモノエチルアセト
アセテ−トジイソプロピレ−ト、アルミニウムトリス
(アセチルアセトネ−ト)などのアルミニウムキレ−ト
化合物あるいはチタニウムビス(アセチルアセネ−ト)
などのチタニウムキレ−ト化合物などが好ましく用いら
れる。
As an adhesion aid, an organosilicon compound such as oxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, or aluminum monoethyl Aluminum chelate compounds such as acetoacetate diisopropylate and aluminum tris (acetylacetonate) or titanium bis (acetylacetonate)
Titanium chelate compounds and the like are preferably used.

【0033】次に上記支持体上で塗膜となった本発明の
組成物に所望のパタ−ン状に化学線を照射する。化学線
としてはX線、電子線、紫外線、可視光線、などが例と
して挙げられるが、紫外線および短波長の可視光線、す
なわち波長範囲で200〜500nmが好ましい。
Next, the composition of the present invention, which has been formed into a coating film on the support, is irradiated with actinic radiation in a desired pattern. Examples of the actinic ray include X-rays, electron beams, ultraviolet rays, and visible rays, but ultraviolet rays and short-wavelength visible rays, that is, 200 to 500 nm in a wavelength range are preferable.

【0034】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリ−フ・パタ−ンを得る。現像液はポリマの
構造に合わせて適当なものが選択される。
Then, the non-irradiated portion is dissolved and removed with a developing solution to obtain a relief pattern. An appropriate developer is selected according to the structure of the polymer.

【0035】現像液としては本組成物の溶媒であるN−
メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルトリアミドなどを単独あるいはメタノ−ル、エタ
ノ−ル、イソプロピルアルコ−ル、水、メチルカルビト
−ル、エチルカルビト−ル、トルエン、キシレンなどの
組成物の非溶媒との混合液として用いることができる。
またアンモニア水やその他のアルカリ水溶液が使用可能
な場合も多い。
As a developer, N- solvent which is a solvent of the present composition is used.
Methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, etc., alone or in methanol, ethanol, isopropyl alcohol , Water, methyl carbitol, ethyl carbitol, toluene, xylene, and the like as a mixture with a non-solvent.
In many cases, aqueous ammonia or other alkaline aqueous solutions can be used.

【0036】現像は上記の現像液を塗膜面にスプレ−す
る、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬しながら超音波
をかけるなどの方法によって行うことができる。現像に
よって形成したレリ−フ・パタ−ンは、ついでリンス液
により洗浄することが望ましい。リンス液には現像液と
の混和性の良いメタノ−ル、エタノ−ル、イソプロピル
アルコ−ル、酢酸ブチルなどが好ましく用いられる。
The development can be carried out by spraying the above-mentioned developing solution on the coating film surface, dipping in the developing solution, or applying ultrasonic waves while dipping. The relief pattern formed by development is desirably washed with a rinse solution. As the rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, butyl acetate, and the like having good miscibility with the developing solution are preferably used.

【0037】上記の処理によって得られたレリ−フ・パ
タ−ンのポリマは耐熱性を有するポリイミド系ポリマの
前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環状
構造を有する耐熱ポリマとなる。熱処理温度は135〜
400℃で行われる。熱処理は通常、段階的にあるいは
連続的に昇温しながら行われる。
The relief pattern polymer obtained by the above treatment is a precursor of a polyimide polymer having heat resistance, and becomes a heat resistant polymer having an imide ring or other cyclic structure by heat treatment. The heat treatment temperature is 135-
Performed at 400 ° C. The heat treatment is usually performed stepwise or continuously while increasing the temperature.

【0038】本発明の化学線感応性重合体組成物は、半
導体のパッシベ−ション膜、パッシベ−ション膜のバッ
ファ−コ−ト膜、多層集積回路の層間絶縁膜、混成集積
回路の層間絶縁膜や表面保護膜、プリント回路の半田付
け保護膜、液晶用配向膜、実装基板の層間絶縁膜などの
形成に供せられる。さらに高耐熱性のフォトレジストと
して金属付着や、ドライエッチングプロセスへの応用も
可能である。その他ポリイミドの公知の用途へ適用でき
る。
The actinic radiation-sensitive polymer composition of the present invention can be used as a passivation film of a semiconductor, a buffer coat film of a passivation film, an interlayer insulating film of a multilayer integrated circuit, or an interlayer insulating film of a hybrid integrated circuit. And surface protective films, soldering protective films for printed circuits, liquid crystal alignment films, interlayer insulating films for mounting boards, and the like. Further, it is also possible to apply a metal as a highly heat-resistant photoresist or a dry etching process. It can be applied to other known uses of polyimide.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明は上述したように構造単位[1]
を主成分とするポリマと、化学線により2量化または重
合可能な不飽和結合およびアミノ基またはその4級化塩
を含む化合物[2]と、光電荷移動物質[3]とからな
る化学線感応性の組成物を構成したことで、従来見られ
なかった高い感度を有した化学線感応性重合体組成物が
得られる。
According to the present invention, as described above, the structural unit [1]
Actinic radiation comprising: a polymer mainly composed of: a compound [2] containing an unsaturated bond capable of being dimerized or polymerized by actinic radiation and an amino group or a quaternized salt thereof; and a photocharge transfer material [3] By forming a composition having a high sensitivity, an actinic ray-sensitive polymer composition having a high sensitivity, which has not been seen in the past, can be obtained.

【0040】[0040]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0041】[ポリイミド原液の合成]4,4´−ジア
ミノジフェニルエ−テル100.1gをN−メチル−2
−ピロリドン670g中に室温で溶解させ、3,3´,
4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸157.5
gをN−メチル−2−ピロリドン103gとともに加
え、激しく撹拌を行なった。この時、液温は急激に上昇
し50度にまでなるが、その後定常状態になる。このま
ま30度で1時間反応させ、さらに60度に液温を上昇
させ4時間反応を行なった。
[Synthesis of Polyimide Stock Solution] 100.1 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether was added to N-methyl-2.
-Dissolved in 670 g of pyrrolidone at room temperature, 3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid 157.5
g was added together with 103 g of N-methyl-2-pyrrolidone, followed by vigorous stirring. At this time, the liquid temperature rises rapidly and reaches 50 ° C., after which it enters a steady state. The reaction was continued at 30 ° C. for 1 hour, and the reaction temperature was further raised to 60 ° C. for 4 hours.

【0042】[感光性ポリイミド原液の合成]ポリイミ
ド原液の液温が室温に戻ったところでジメチルアミノエ
チルメタクリレ−ト157gをN−メチル−2−ピロリ
ドン70gとともに添加し、室温で2時間攪拌した。
[Synthesis of Photosensitive Polyimide Stock Solution] When the temperature of the polyimide stock solution returned to room temperature, 157 g of dimethylaminoethyl methacrylate was added together with 70 g of N-methyl-2-pyrrolidone, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours.

【0043】実施例1 上記感光性ポリイミド原液100gに1.0gのビス
(ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾ−ル(ポリマ−に対して4.9重量%)を添加した感
光性ポリイミド溶液を作成した。
Example 1 A photosensitive polyimide prepared by adding 1.0 g of bis (diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazol (4.9% by weight to the polymer) to 100 g of the above photosensitive polyimide stock solution. A solution was made.

【0044】この溶液をシリコンウエハ−上にスピンコ
−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間のベ
−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1時間
のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアンドリ
ピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用いて、
50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処理を
行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、メタ
ノ−ル40重量部よりなる現像液にて現像を行なった。
This solution was applied on a silicon wafer by spin coating. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. After the wafer was baked at 80 degrees for 1 hour, the wafer was baked using a Nikon step-and-repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E.
Exposure processing was performed in an exposure range of 50 to 1000 milliseconds, and development was performed using a developer consisting of 60 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone and 40 parts by weight of methanol.

【0045】これにより露光時間が100ミリ秒(露光
エネルギ−50mJ/cm2 (436nm)以上のとこ
ろでパタ−ンを得ることができ、非常に高感度であるこ
とが判った。
As a result, a pattern could be obtained when the exposure time was 100 milliseconds (exposure energy: 50 mJ / cm 2 (436 nm)), and it was found that the sensitivity was extremely high.

【0046】実施例2 感光性ポリイミド原液100gに0.6gのN,N,N
´,N´−テトラキス(3−メチルフェニル)−メタフ
ェニレンジアミン(ポリマ−に対して2.9重量%)を
添加した感光性ポリイミド溶液を作成した。
Example 2 0.6 g of N, N, N was added to 100 g of the photosensitive polyimide stock solution.
A photosensitive polyimide solution to which ', N'-tetrakis (3-methylphenyl) -metaphenylenediamine (2.9% by weight based on the polymer) was added was prepared.

【0047】この溶液をシリコンウエハ−上にスピンコ
−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間のベ
−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1時間
のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアンドリ
ピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用いて、
50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処理を
行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、キシ
レン40重量部よりなる現像液にて現像を行なった。
This solution was applied on a silicon wafer by spin coating. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. After the wafer was baked at 80 degrees for 1 hour, the wafer was baked using a Nikon step-and-repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E.
Exposure processing was performed in an exposure range of 50 to 1000 milliseconds, and development was performed with a developer consisting of 60 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone and 40 parts by weight of xylene.

【0048】これにより露光時間が150ミリ秒(露光
エネルギ−75mJ/cm2 (436nm)以上のとこ
ろでパタ−ンを得ることができ、非常に高感度であるこ
とが判った。
As a result, a pattern could be obtained when the exposure time was 150 milliseconds (exposure energy -75 mJ / cm 2 (436 nm)), and it was found that the sensitivity was extremely high.

【0049】実施例3 感光性ポリイミド原液100gに0.6gのα−フェニ
ル−4−N,N´−ジフェニルアミノスチルベン(ポリ
マ−に対して2.9重量%)を添加した感光性ポリイミ
ド溶液を作成した。
Example 3 A photosensitive polyimide solution obtained by adding 0.6 g of α-phenyl-4-N, N′-diphenylaminostilbene (2.9% by weight to the polymer) to 100 g of the photosensitive polyimide stock solution. Created.

【0050】この溶液をシリコンウエハ−上にスピンコ
−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間のベ
−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1時間
のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアンドリ
ピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用いて、
50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処理を
行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、メタ
ノ−ル40重量部よりなる現像液にて現像を行なった。
This solution was applied on a silicon wafer by a spin coating method. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. After the wafer was baked at 80 degrees for 1 hour, the wafer was baked using a Nikon step-and-repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E.
Exposure processing was performed in an exposure range of 50 to 1000 milliseconds, and development was performed using a developer consisting of 60 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone and 40 parts by weight of methanol.

【0051】これにより露光時間が200ミリ秒(露光
エネルギ−100mJ/cm2 (436nm)以上のと
ころでパタ−ンを得ることができ、非常に高感度である
ことが判った。
As a result, a pattern was obtained at an exposure time of 200 milliseconds (exposure energy: 100 mJ / cm 2 (436 nm)) or more, and it was found that the sensitivity was very high.

【0052】実施例4 感光性ポリイミド原液100gに0.6gのパラジエチ
ルアミノフェニル−ジフェニルヒドラジド(ポリマに対
して2.9重量%)を添加した感光性ポリイミド溶液を
作成した。
Example 4 A photosensitive polyimide solution was prepared by adding 0.6 g of para-diethylaminophenyl-diphenylhydrazide (2.9% by weight to the polymer) to 100 g of the photosensitive polyimide stock solution.

【0053】この溶液をシリコンウエハ−上にスピンコ
−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間のベ
−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1時間
のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアンドリ
ピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用いて、
50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処理を
行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、メタ
ノ−ル40重量部よりなる現像液にて現像を行なった。
This solution was applied on a silicon wafer by a spin coating method. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. After the wafer was baked at 80 degrees for 1 hour, the wafer was baked using a Nikon step-and-repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E.
Exposure processing was performed in an exposure range of 50 to 1000 milliseconds, and development was performed using a developer consisting of 60 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone and 40 parts by weight of methanol.

【0054】これにより露光時間が200ミリ秒(露光
エネルギ−100mJ/cm2 (436nm)以上のと
ころでパタ−ンを得ることができ、非常に高感度である
ことが判った。
As a result, a pattern was obtained at an exposure time of 200 milliseconds (exposure energy: 100 mJ / cm 2 (436 nm)) or more, and it was found that the sensitivity was very high.

【0055】比較例1 感光性ポリイミド原液100gに1.0gの“イルガキ
ュア”907(チバガイギ−社製光重合開始剤)(ポリ
マに対して4.9重量%)を添加した感光性ポリイミド
溶液を作成した。この溶液をシリコンウエハ−上にスピ
ンコ−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間
のベ−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1
時間のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアン
ドリピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用い
て、50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処
理を行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、
メタノ−ル40重量部よりなる現像液にて現像を行なっ
たところ、全ての領域が溶解した。
Comparative Example 1 A photosensitive polyimide solution was prepared by adding 1.0 g of "IRGACURE" 907 (a photopolymerization initiator manufactured by Ciba-Geigy Corporation) (4.9% by weight to the polymer) to 100 g of the photosensitive polyimide stock solution. did. This solution was applied on a silicon wafer by a spin coat method. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. This wafer is placed at 80 degrees for 1
After performing the time baking process, the exposure process is performed in the exposure range of 50 to 1000 milliseconds using a Nikon step and repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E to obtain N-methyl-2- 60 parts by weight of pyrrolidone,
When development was carried out with a developing solution comprising 40 parts by weight of methanol, all the regions were dissolved.

【0056】これにより、本増感剤ではg線に対して実
用的な感度がないことが判った。
As a result, it was found that this sensitizer had no practical sensitivity to g-line.

【0057】比較例2 ポリイミド原液100gに1.5gのビス(ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ−ル(ポリ
マ−に対して6.0重量%)を添加したポリイミド溶液
を作成した。
Comparative Example 2 A polyimide solution was prepared by adding 1.5 g of bis (diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazol (6.0% by weight to the polymer) to 100 g of a stock solution of polyimide.

【0058】この溶液をシリコンウエハ−上にスピンコ
−ト法により塗布した。塗布膜厚は80度で1時間のベ
−ク後10μであった。このウエハ−を80度で1時間
のベ−ク処理を行った後に、ニコン製ステップアンドリ
ピ−ト方式露光装置NSR−1505G6Eを用いて、
50ミリ秒から1000ミリ秒の露光範囲で露光処理を
行ない、N−メチル−2−ピロリドン60重量部、メタ
ノ−ル40重量部よりなる現像液にて現像を行なったと
ころ、全ての領域が溶解した。
This solution was applied on a silicon wafer by spin coating. The coating thickness was 10 μm after baking at 80 ° C. for 1 hour. After the wafer was baked at 80 degrees for 1 hour, the wafer was baked using a Nikon step-and-repeat type exposure apparatus NSR-1505G6E.
Exposure was performed in an exposure range of 50 to 1000 milliseconds, and development was performed with a developer consisting of 60 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone and 40 parts by weight of methanol. did.

【0059】このように化合物[2]が存在しなけれ
ば、感光特性が低下することが判る。
As described above, it can be seen that the photosensitivity is reduced when the compound [2] is not present.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−160140(JP,A) 特開 平3−37652(JP,A) 特開 昭56−62247(JP,A) 特開 平1−210944(JP,A) 特開 平2−90166(JP,A) 特開 平3−87743(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/038 G03F 7/027 G03F 7/028 H01L 21/027 H01L 21/312 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-59-160140 (JP, A) JP-A-3-37652 (JP, A) JP-A-56-62247 (JP, A) JP-A-1- 210944 (JP, A) JP-A-2-90166 (JP, A) JP-A-3-87743 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 7/038 G03F 7 / 027 G03F 7/028 H01L 21/027 H01L 21/312

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(1)下記一般式[1]で表される構造単
位を有するポリマと、 【化1】 (R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価ま
たは4価の有機基、R2は少なくとも2個以上の炭素原
子を有する2価の有機基、R3は水素、アルカリ金属イ
オンまたはアンモニウムイオンを表わす。nは1または
2である。) (2)不飽和結合およびアミノ基またはその4級化塩を
含む化合物[2]と、 (3)ポリマーに対して1〜10重量%の光電荷移動化
合物[3]とからなる化学線感応性重合体組成物。
1. A polymer having a structural unit represented by the following general formula [1]: (R 1 is a trivalent or tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 2 is a divalent organic group having at least 2 or more carbon atoms, R 3 is hydrogen, an alkali metal ion or ammonium And n represents 1 or 2.) (2) a compound [2] containing an unsaturated bond and an amino group or a quaternary salt thereof, and (3) 1 to 10% by weight of light based on the polymer. An actinic radiation-sensitive polymer composition comprising the charge transfer compound [3].
【請求項2】ビス(ジエチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール、ジフェニルベンチジン、
2,3−ビス(ジメチルアミノフェニル)−4−(2−
クロロフェニル)オキサゾール、N,N,N’,N’−
テトラキス(3−メチルフェニル)−メタフェニレンジ
アミン、α−フェニル−4−N,N’−ジフェニルアミ
ノスチルベン、パラジエチルアミノフェニル−ジフェニ
ルヒドロジドから選ばれる少なくとも1つの光電荷移動
化合物を含むことを特徴とする請求項1記載の化学線感
応性重合体組成物。
2. Bis (diethylaminophenyl) -1,
3,4-oxadiazole, diphenylbenzidine,
2,3-bis (dimethylaminophenyl) -4- (2-
Chlorophenyl) oxazole, N, N, N ', N'-
Tetrakis (3-methylphenyl) -metaphenylene
Amine, α-phenyl-4-N, N′-diphenylamido
Nostilbene, para-diethylaminophenyl-diphenyl
At least one photocharge transfer selected from ruhydrozide
2. The actinic radiation according to claim 1, comprising a compound.
A responsive polymer composition.
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