JPH0638271U - Frequency stabilized semiconductor laser light source - Google Patents

Frequency stabilized semiconductor laser light source

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JPH0638271U
JPH0638271U JP7265492U JP7265492U JPH0638271U JP H0638271 U JPH0638271 U JP H0638271U JP 7265492 U JP7265492 U JP 7265492U JP 7265492 U JP7265492 U JP 7265492U JP H0638271 U JPH0638271 U JP H0638271U
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哲 吉武
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 出力周波数を吸収線の中心に正確に制御する
ことが可能で、短期安定度も良い周波数安定化半導体レ
ーザ光源を実現する。 【構成】 特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを備
え、電流変調方式により吸収線に半導体レーザの周波数
を制御して周波数を安定化する周波数安定化半導体レー
ザ光源において、半導体レーザの出力光を安定化出力光
と2つの出力光に分岐する分岐手段と、分岐手段の一方
の出力光が吸収セルを介して入射される第1の検出手段
と、出力利得可変で、分岐手段の他方の出力光が入射さ
れる第2の検出手段と、第1及び第2の検出手段の出力
を減算する減算器と、減算器の出力信号に基づき半導体
レーザの出力周波数を制御する第1の制御手段と、減算
器の出力信号に基づき第2の検出手段の出力利得を制御
する第2の制御手段とを設ける。
(57) [Abstract] [Purpose] To realize a frequency-stabilized semiconductor laser light source that can accurately control the output frequency at the center of the absorption line and has good short-term stability. [Composition] An output cell of a frequency-stabilized semiconductor laser light source, which is provided with an absorption cell having an absorption line at a specific frequency, stabilizes the frequency by controlling the frequency of the semiconductor laser to the absorption line by a current modulation method. A branching unit that splits the stabilized output light and the two output beams, a first detecting unit that one output beam of the branching unit enters through the absorption cell, an output gain variable, and an output of the other branching unit. Second detection means on which light is incident, a subtractor for subtracting the outputs of the first and second detection means, and first control means for controlling the output frequency of the semiconductor laser based on the output signal of the subtractor. , Second control means for controlling the output gain of the second detection means based on the output signal of the subtractor.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、周波数安定化半導体レーザ光源に関し、特に振幅変調成分を補償し た周波数安定化半導体レーザ光源に関する。 The present invention relates to a frequency-stabilized semiconductor laser light source, and more particularly to a frequency-stabilized semiconductor laser light source that compensates an amplitude modulation component.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

周波数安定化半導体レーザ光源では、半導体レーザの注入電流に変調をかける ことにより、標準物質等の吸収線の中心に半導体レーザの出力周波数を制御する 。この時、半導体レーザの注入電流に振幅変調もかかってしまい、この振幅変調 成分を除去するために種々の周波数安定化半導体レーザ光源が考えられている。 図3はこのような従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第1の例を示す構成ブ ロック図である。図3において1は半導体レーザ、2はビームスプリッタ、3は 標準物質等を封入した吸収セル、4は光検出器、5は発振器、6は同期検波回路 、7は直流電圧源、8及び10は加算器、9は制御回路である。 In the frequency-stabilized semiconductor laser light source, the injection frequency of the semiconductor laser is modulated to control the output frequency of the semiconductor laser at the center of the absorption line of the standard substance. At this time, the injection current of the semiconductor laser is also subjected to amplitude modulation, and various frequency-stabilized semiconductor laser light sources have been considered in order to remove this amplitude modulation component. FIG. 3 is a block diagram showing a first example of such a conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source. In FIG. 3, 1 is a semiconductor laser, 2 is a beam splitter, 3 is an absorption cell filled with a standard substance, 4 is a photodetector, 5 is an oscillator, 6 is a synchronous detection circuit, 7 is a DC voltage source, and 8 and 10 are An adder 9 is a control circuit.

【0003】 図3において、半導体レーザ1の出力光はビームスプリッタ2により2つに分 岐され、一方は安定化出力光として出力され、他方は吸収セル3に入射される。 吸収セル3を透過した光出力は光検出器4に入射する。光検出器4の出力信号は 同期検波回路6で発振器5の出力信号を参照信号として同期検波され、同期検波 回路6の出力信号には直流電圧源7の出力信号が加算器8によって加算される。 制御回路9は加算器8の出力信号に基づいて吸収セル5の吸収線周波数に半導体 レーザ1の出力周波数を制御する制御信号を出力する。また、加算回路10は発 振器5の出力信号により制御回路9の出力信号を変調して半導体レーザ1に入力 する。In FIG. 3, the output light of the semiconductor laser 1 is split into two by a beam splitter 2, one of which is output as a stabilized output light and the other of which is incident on an absorption cell 3. The light output transmitted through the absorption cell 3 enters the photodetector 4. The output signal of the photodetector 4 is synchronously detected by the synchronous detection circuit 6 using the output signal of the oscillator 5 as a reference signal, and the output signal of the DC voltage source 7 is added to the output signal of the synchronous detection circuit 6 by the adder 8. . The control circuit 9 outputs a control signal for controlling the output frequency of the semiconductor laser 1 to the absorption line frequency of the absorption cell 5 based on the output signal of the adder 8. Further, the adder circuit 10 modulates the output signal of the control circuit 9 with the output signal of the oscillator 5 and inputs it to the semiconductor laser 1.

【0004】 図3に示す第1の従来例では同期検波回路6の出力信号は図4(A)に示すよ うに”イ”の分だけ振幅変調信号成分を含んでいるため、この振幅変調成分に相 当する直流電圧源7の出力を加算器8により引くことにより図4(B)に示すよ うな信号になる。この結果、制御回路9は図4(B)の”ロ”の点に半導体レー ザ1の出力周波数を制御する。In the first conventional example shown in FIG. 3, the output signal of the synchronous detection circuit 6 includes an amplitude modulation signal component corresponding to “a” as shown in FIG. By subtracting the output of the DC voltage source 7 corresponding to the above by the adder 8, a signal as shown in FIG. 4 (B) is obtained. As a result, the control circuit 9 controls the output frequency of the semiconductor laser 1 at the point "B" in FIG.

【0005】 また、図5は従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第2の例を示す構成ブロ ック図である。ここで、1〜6及び9〜10は図3と同一符号を付してある。図 5において11は発振器5の出力信号と同期し、周波数が3倍の出力信号を出力 する発振器である。FIG. 5 is a block diagram showing a second example of a conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source. Here, 1 to 6 and 9 to 10 have the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 5, reference numeral 11 is an oscillator that outputs an output signal having a frequency tripled in synchronization with the output signal of the oscillator 5.

【0006】 図5に示す第2の従来例では制御回路9は吸収セル5の出力信号の3次微分信 号のゼロクロス点に半導体レーザ1の出力周波数を制御する。この結果、半導体 レーザ1の出力周波数は正確に吸収線の中心に制御される。In the second conventional example shown in FIG. 5, the control circuit 9 controls the output frequency of the semiconductor laser 1 at the zero cross point of the third differential signal of the output signal of the absorption cell 5. As a result, the output frequency of the semiconductor laser 1 is accurately controlled to the center of the absorption line.

【0007】 さらに、図6は従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第3の例を示す構成ブ ロック図である。ここで、1〜6及び9〜10は図3と同一符号を付してある。 図5において12は加算器、13はビームスプリッタ、14は光検出器である。Further, FIG. 6 is a configuration block diagram showing a third example of the conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source. Here, 1 to 6 and 9 to 10 have the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 5, 12 is an adder, 13 is a beam splitter, and 14 is a photodetector.

【0008】 図6に示す第3の従来例では、吸収セル3を透過した光出力と透過していない 光出力とを別個の光検出器に検出し、これらの検出信号の差をとることにより前 記振幅変調成分を除去している。In the third conventional example shown in FIG. 6, the optical output that has passed through the absorption cell 3 and the optical output that does not pass are detected by separate photodetectors, and the difference between these detection signals is taken. The amplitude modulation component is removed.

【0009】[0009]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかし、第1及び第3の従来例では同期検波の後及び前で振幅変調成分を差し 引いているが、吸収線の中心に正確に制御していることにはならない。 一方、第2の従来例のように3次微分成分のゼロクロス点に出力周波数を制御 する場合は、正確に吸収線の中心に制御することはできるものの、3次微分を検 出するためには変調の周波数偏移を大きくしなけらばならず、安定化出力光に大 きな変調がかかってしまう。また、3次微分はS/Nが悪いので短期安定度が上 がらない。 従って本考案の目的は、出力周波数を吸収線の中心に正確に制御することが可 能で、短期安定度も良い周波数安定化半導体レーザ光源を実現することにある。 However, in the first and third conventional examples, the amplitude modulation component is subtracted before and after the synchronous detection, but it is not precisely controlled to the center of the absorption line. On the other hand, when the output frequency is controlled at the zero-cross point of the third derivative component as in the second conventional example, although it can be accurately controlled at the center of the absorption line, in order to detect the third derivative, The frequency deviation of the modulation must be increased, and the stabilized output light will be greatly modulated. In addition, the S / N of the third derivative is poor, so the short-term stability does not increase. Therefore, an object of the present invention is to realize a frequency-stabilized semiconductor laser light source capable of accurately controlling the output frequency at the center of the absorption line and having good short-term stability.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

このような目的を達成するために、本考案では、 特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを備え、電流変調方式により前記吸収線 に半導体レーザの周波数を制御して周波数を安定化する周波数安定化半導体レー ザ光源において、 前記半導体レーザの出力光を安定化出力光と2つの出力光に分岐する分岐手段 と、 この分岐手段の一方の出力光が前記吸収セルを介して入射される第1の検出手 段と、 出力利得が可変であり、前記分岐手段の他方の出力光が入射される第2の検出 手段と、 前記第1の検出手段の出力から前記第2の検出手段の出力を減算する減算器と 、 この減算器の出力信号に基づき前記半導体レーザの出力周波数を制御する第1 の制御手段と、 前記減算器の出力信号に基づき前記第2の検出手段の出力利得を制御する第2 の制御手段と を備えたことを特徴とするものである。 In order to achieve such an object, in the present invention, an absorption cell having an absorption line at a specific frequency is provided, and the frequency stabilization that stabilizes the frequency by controlling the frequency of the semiconductor laser on the absorption line by the current modulation method. In an integrated semiconductor laser light source, a branching unit that branches the output light of the semiconductor laser into a stabilized output light and two output lights, and one output light of the branching unit is incident through the absorption cell. Of the output light of the second detecting means, the output gain of which is variable, and the other output light of the branching means is incident on the output of the second detecting means. A subtractor for subtracting; first control means for controlling an output frequency of the semiconductor laser based on an output signal of the subtractor; and an output gain of the second detecting means for controlling an output signal of the subtractor. Second It is characterized in that a control means.

【0011】[0011]

【作用】[Action]

吸収線の3次微分信号のゼロクロス点に制御されるように振幅変調成分の増幅 器の利得を制御することにより、半導体レーザの出力周波数が吸収線の中心に正 確に制御される。 The output frequency of the semiconductor laser is accurately controlled at the center of the absorption line by controlling the gain of the amplitude modulation component amplifier so that it is controlled at the zero-cross point of the third derivative signal of the absorption line.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

以下本考案を図面を用いて詳細に説明する。図1は本考案に係る周波数安定化 半導体レーザ光源の一実施例を示す構成ブロック図である。ここで、1〜6,9 〜11,13及び14は図5若しくは図6と同一符号を付してある。図1におい て15は減算器、16は同期検波回路、17は制御回路、18は増幅器、19は 可変利得増幅器である。また、ビームスプリッタ2及び13は分岐手段50を、 光検出器4、増幅器18及び光検出器14、可変利得増幅器19はそれぞれ検出 手段51及び52を、発振器5、同期検波回路6、制御回路9及び加算器10は 制御手段53を、発振器11、同期検波回路16及び制御回路17は制御手段5 4をそれぞれ構成している。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a frequency-stabilized semiconductor laser light source according to the present invention. Here, 1 to 6, 9 to 11, 13, and 14 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 5 or FIG. In FIG. 1, reference numeral 15 is a subtractor, 16 is a synchronous detection circuit, 17 is a control circuit, 18 is an amplifier, and 19 is a variable gain amplifier. Further, the beam splitters 2 and 13 include a branching means 50, the photodetector 4, the amplifier 18 and the photodetector 14, and the variable gain amplifier 19 include detection means 51 and 52, respectively, an oscillator 5, a synchronous detection circuit 6, and a control circuit 9. The adder 10 constitutes the control means 53, and the oscillator 11, the synchronous detection circuit 16 and the control circuit 17 constitute the control means 54, respectively.

【0013】 図1において、半導体レーザ1の出力光はビームスプリッタ2により2つに分 岐され、一方は安定化出力光として出力され、他方はビームスプリッタ13に入 射されて更に2つに分岐され、一方は光検出器14に、他方は吸収セル3に入射 される。また、吸収セル3を透過した光出力は光検出器4に入射する。In FIG. 1, the output light of the semiconductor laser 1 is split into two by a beam splitter 2, one is output as a stabilized output light, and the other is output to a beam splitter 13 to be further split into two. One is incident on the photodetector 14 and the other is incident on the absorption cell 3. The light output transmitted through the absorption cell 3 enters the photodetector 4.

【0014】 光検出器4及び14の出力信号は増幅器18及び可変利得増幅器19により増 幅されそれぞれ減算器15に接続される。減算器15の出力信号は同期検波回路 6及び同期検波回路16に接続され、また、同期検波回路6及び同期検波回路1 6には参照信号として発振器5及び11の出力信号が接続される。さらに、発振 器11には同期をとるため発振器5の出力信号が接続される。The output signals of the photodetectors 4 and 14 are amplified by the amplifier 18 and the variable gain amplifier 19 and connected to the subtractor 15, respectively. The output signal of the subtractor 15 is connected to the synchronous detection circuit 6 and the synchronous detection circuit 16, and the output signals of the oscillators 5 and 11 are connected to the synchronous detection circuit 6 and the synchronous detection circuit 16 as reference signals. Further, the output signal of the oscillator 5 is connected to the oscillator 11 for synchronization.

【0015】 同期検波回路6の出力信号は制御回路9に接続され、発振器5及び制御回路9 の出力信号は加算器10に接続され、加算器10の出力信号は半導体レーザ1に 接続される。一方、同期検波回路16の出力信号は制御回路17に接続され、制 御回路17の出力信号は制御信号として可変利得増幅器19の制御端子に接続さ れる。The output signal of the synchronous detection circuit 6 is connected to the control circuit 9, the output signals of the oscillator 5 and the control circuit 9 are connected to the adder 10, and the output signal of the adder 10 is connected to the semiconductor laser 1. On the other hand, the output signal of the synchronous detection circuit 16 is connected to the control circuit 17, and the output signal of the control circuit 17 is connected to the control terminal of the variable gain amplifier 19 as a control signal.

【0016】 ここで、図1に示す実施例の動作を図2を用いて説明する。図2(A)及び( B)は同期検波回路6及び16の周波数特性を示す特性曲線図である。まず、制 御回路17から可変利得増幅器19に制御信号が供給されない場合、振幅変調成 分の影響により半導体レーザ1の出力周波数は吸収線の中心に正確に制御されず 、図2(A)中”イ”の点に制御されることになる。この時、図2(A)中”イ ”の点に対応するのは図2(B)”ロ”の点となり、吸収セル3の吸収線の中心 である図2(B)中”ニ”の点から”ホ”の分だけずれていることになる。The operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. 2A and 2B are characteristic curve diagrams showing frequency characteristics of the synchronous detection circuits 6 and 16. First, when the control signal is not supplied from the control circuit 17 to the variable gain amplifier 19, the output frequency of the semiconductor laser 1 is not accurately controlled to the center of the absorption line due to the influence of the amplitude modulation component. It will be controlled to the point of "a". At this time, the point "a" in FIG. 2 (A) corresponds to the point "b" in FIG. 2 (B), and the point "b" in FIG. 2 (B), which is the center of the absorption line of the absorption cell 3. It means that it is deviated by "e" from the point.

【0017】 次に、制御回路17から可変利得増幅器19に制御信号が供給されると、同期 検波回路16の出力が”0”になるように、制御回路17は可変利得増幅器19 の利得を制御する。即ち、同期検波回路16の出力が図2(B)中”ニ”の点に くるように、振幅変調成分である制御された可変利得増幅器19の出力が減算器 15により減算され、図2(A)中”ハ”の点が”0V”となる。Next, when a control signal is supplied from the control circuit 17 to the variable gain amplifier 19, the control circuit 17 controls the gain of the variable gain amplifier 19 so that the output of the synchronous detection circuit 16 becomes “0”. To do. That is, the output of the controlled variable gain amplifier 19, which is an amplitude modulation component, is subtracted by the subtractor 15 so that the output of the synchronous detection circuit 16 comes to the point "D" in FIG. A) The point of "C" becomes "0V".

【0018】 この結果、半導体レーザ1の出力周波数は吸収線の3次微分信号のゼロクロス 点である図2(B)中”ニ”の点に制御され、吸収セル3の吸収線の中心に正確 に制御されることになる。As a result, the output frequency of the semiconductor laser 1 is controlled to the zero crossing point of the third derivative signal of the absorption line, that is, the point "d" in FIG. Will be controlled by.

【0019】 例えば、制御回路17の帯域を”1Hz”程度に設定した場合、S/Nは悪い ものの、吸収線の中心を検出する同期検波回路16の出力の1Hz以上の成分は 除去されるため出力周波数を正確に吸収線の中心に制御することができる。また 、3次微分信号を用いた制御ループは出力周波数の制御ループとは独立している ので安定化出力光には大きな変調はかからない。For example, when the band of the control circuit 17 is set to about “1 Hz”, the S / N is bad, but the component above 1 Hz of the output of the synchronous detection circuit 16 that detects the center of the absorption line is removed. The output frequency can be controlled precisely at the center of the absorption line. Further, since the control loop using the third-order differential signal is independent of the control loop for the output frequency, the stabilized output light is not greatly modulated.

【0020】 また、例えば、同期検波回路6の出力を”0”にする制御ループ、即ち出力周 波数の制御ループの帯域を”20Hz”程度にすると同期検波回路6の出力のS /Nが良くなり短期安定度も向上する。Further, for example, if the band of the control loop for setting the output of the synchronous detection circuit 6 to “0”, that is, the control loop for the output frequency is set to about “20 Hz”, the S / N of the output of the synchronous detection circuit 6 is improved. It also improves short-term stability.

【0021】 なお、吸収セル3に封入する標準物質にはアセチレンガス、アンモニア等を用 いることが可能であり、封入標準物質を変えることにより色々の波長帯で周波数 安定化半導体レーザ光源を構成することができる。It should be noted that acetylene gas, ammonia, etc. can be used as the standard substance sealed in the absorption cell 3, and the frequency-stabilized semiconductor laser light source is configured in various wavelength bands by changing the sealed standard substance. be able to.

【0022】 また、図1に示す実施例では減算器15により振幅変調成分を除去しているが 、増幅器18の出力を可変利得増幅器19の出力で割ることにより除去すること も可能である。Although the amplitude modulation component is removed by the subtracter 15 in the embodiment shown in FIG. 1, it is also possible to remove it by dividing the output of the amplifier 18 by the output of the variable gain amplifier 19.

【0023】[0023]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明したことから明らかなように、本考案によれば次のような効果がある 。 同期検波の前で振幅変調成分を除去する構成において、吸収線の3次微分信号 のゼロクロス点に制御されるように振幅変調成分の増幅器の利得を制御すること により、出力周波数を吸収線の中心に正確に制御することが可能であり、またS /Nの良い1次微分信号で短期安定度を制御しているので、短期安定度も良い周 波数安定化半導体レーザ光源を実現できる。 As is clear from the above description, the present invention has the following effects. In the configuration in which the amplitude modulation component is removed before synchronous detection, the output frequency is controlled to the center of the absorption line by controlling the gain of the amplitude modulation component amplifier so that it is controlled at the zero-cross point of the third derivative signal of the absorption line. Since the short-term stability is controlled by the first-order differential signal with good S / N, it is possible to realize a frequency-stabilized semiconductor laser light source with good short-term stability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案に係る周波数安定化半導体レーザ光源の
一実施例を示す構成ブロック図である。
FIG. 1 is a configuration block diagram showing an embodiment of a frequency-stabilized semiconductor laser light source according to the present invention.

【図2】図1における2つの同期検波回路の周波数特性
を示す特性曲線図である。
FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing frequency characteristics of two synchronous detection circuits in FIG.

【図3】従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第1の
例を示す構成ブロック図である。
FIG. 3 is a configuration block diagram showing a first example of a conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source.

【図4】図3における同期検波回路及び加算器の周波数
特性を示す特性曲線図である。
FIG. 4 is a characteristic curve diagram showing frequency characteristics of the synchronous detection circuit and the adder in FIG.

【図5】従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第2の
例を示す構成ブロック図である。
FIG. 5 is a configuration block diagram showing a second example of a conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source.

【図6】従来の周波数安定化半導体レーザ光源の第3の
例を示す構成ブロック図である。
FIG. 6 is a configuration block diagram showing a third example of a conventional frequency-stabilized semiconductor laser light source.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2,13 ビームスプリッタ 3 吸収セル 4,14 光検出器 5,11 発振器 6,16 同期検波回路 7 直流電圧源 8,10,12 加算器 9,17 制御回路 15 減算器 18 増幅器 19 可変利得増幅器 50 分岐手段 51,52 検出手段 53,54 制御手段 1 Semiconductor Laser 2,13 Beam Splitter 3 Absorption Cell 4,14 Photo Detector 5,11 Oscillator 6,16 Synchronous Detection Circuit 7 DC Voltage Source 8,10,12 Adder 9,17 Control Circuit 15 Subtractor 18 Amplifier 19 Variable Gain amplifier 50 Branching means 51,52 Detection means 53,54 Control means

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを備
え、電流変調方式により前記吸収線に半導体レーザの周
波数を制御して周波数を安定化する周波数安定化半導体
レーザ光源において、 前記半導体レーザの出力光を安定化出力光と2つの出力
光に分岐する分岐手段と、 この分岐手段の一方の出力光が前記吸収セルを介して入
射される第1の検出手段と、 出力利得が可変であり、前記分岐手段の他方の出力光が
入射される第2の検出手段と、 前記第1の検出手段の出力から前記第2の検出手段の出
力を減算する減算器と、 この減算器の出力信号に基づき前記半導体レーザの出力
周波数を制御する第1の制御手段と、 前記減算器の出力信号に基づき前記第2の検出手段の出
力利得を制御する第2の制御手段とを備えたことを特徴
とする周波数安定化半導体レーザ光源。
1. A frequency-stabilized semiconductor laser light source comprising an absorption cell having an absorption line at a specific frequency and stabilizing the frequency by controlling the frequency of the semiconductor laser on the absorption line by a current modulation method. Branching means for branching the output light of the above into a stabilized output light and two output lights, a first detecting means through which one output light of this branching means enters through the absorption cell, and an output gain variable Yes, second detection means on which the other output light of the branch means is incident, a subtractor for subtracting the output of the second detection means from the output of the first detection means, and the output of this subtractor A first control means for controlling the output frequency of the semiconductor laser based on a signal; and a second control means for controlling the output gain of the second detection means based on the output signal of the subtractor. Characteristic lap Number stabilized semiconductor laser light source.
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