JPH0637185A - Transistor reduction device - Google Patents

Transistor reduction device

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Publication number
JPH0637185A
JPH0637185A JP21355092A JP21355092A JPH0637185A JP H0637185 A JPH0637185 A JP H0637185A JP 21355092 A JP21355092 A JP 21355092A JP 21355092 A JP21355092 A JP 21355092A JP H0637185 A JPH0637185 A JP H0637185A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
reduction
wiring
macro cell
reduction device
Prior art date
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Pending
Application number
JP21355092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michio Komota
道夫 古茂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0637185A publication Critical patent/JPH0637185A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To completely perform transistor reduction even when an extremely large number of kinds of macro-cells are not prepared. CONSTITUTION:Before starting transistor reduction, a layout diagram 7 is prepared based on a network list 4 and a retrieving section 1 retrieves a macro-cell to be subjected to the reduction from the list 4. Then a reduction executing section 3 eliminates an unnecessary transistor in a circuit by directly changing the metallic wiring section in the diagram 7 by referring to the data on a data base 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はマスタスライスLSI
において生ずる、LSIの機能上不要なトランジスタ回
路部を削除するトランジスタリダクション装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a master slice LSI.
The present invention relates to a transistor reduction device that eliminates an unnecessary transistor circuit part in the function of an LSI.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は従来のトランジスタリダクショ
ン装置の機能ブロック図であり、図において、4は、複
数のトランジスタからなる機能ブロックであるマクロセ
ル間の接続情報を記憶するネットリストと呼ばれる記憶
手段であり、実際にはメモリ等によって実現されてい
る。1はリダクション対象となるマクロセルを上記ネッ
トリスト4から探索するリダクション対象マクロセル探
索部、2はこの探索部1でリダクション対象マクロセル
の有無に応じて処理を分岐する分岐部、3は上記分岐部
2の出力を受けてネットリスト4にリダクション処理を
施すリダクション実行部、5はリダクション実行部3が
リダクションを行う際に用いられる情報が記憶されたリ
ダクション用データベース、6は上記分岐部2の出力を
受けて、その時のネットリスト4の情報に基づいてレイ
アウト図7を作成するレイアウト部である。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a functional block diagram of a conventional transistor reduction device. In the figure, reference numeral 4 denotes a storage means called a netlist for storing connection information between macro cells, which is a functional block composed of a plurality of transistors. Yes, and is actually realized by a memory or the like. Reference numeral 1 is a reduction target macro cell searching unit that searches the net list 4 for a reduction target macro cell, 2 is a branching unit that branches processing according to the presence or absence of reduction target macro cells in the searching unit 1, and 3 is a branching unit 2 A reduction execution unit that receives the output and performs reduction processing on the netlist 4 is a reduction database in which information used when the reduction execution unit 3 performs the reduction is stored, and 6 is an output of the branch unit 2. A layout unit that creates a layout diagram 7 based on the information of the netlist 4 at that time.

【0003】また、図12はリダクション処理が行われ
るネットリスト4に記憶されている一回路例を示し、図
において、8a,8b,8cはトランジスタ回路を用い
て構成された機能ブロックであるところのマクロセルを
表わす。さらに図13は上記トランジスタリダクション
装置により上記図12のネットリストに対してリダクシ
ョン処理を行った結果得られたレイアウト図である。
FIG. 12 shows an example of a circuit stored in the netlist 4 for reduction processing. In the figure, 8a, 8b and 8c are functional blocks composed of transistor circuits. Represents a macro cell. Further, FIG. 13 is a layout diagram obtained as a result of performing reduction processing on the netlist of FIG. 12 by the transistor reduction device.

【0004】次に上記トランジスタリダクション装置に
よるリダクションの手法を図11のフロー図に基づいて
説明する。一般にネットリスト4には、回路設計の効率
を上げるために予め複数種のマクロセルが準備され、こ
れらを所望とする論理回路が得られるように接続するた
めの接続情報が記憶されている。例えば、図12では、
3入力NAND回路8aの1入力を電源に接続して2入
力NAND回路として用いる等の接続関係が記憶されて
いる。リダクション対象マクロセル探索部1は、このよ
うなネットリスト4から回路の接続情報を読み込み、マ
クロセル8a,8b,8cの中から入力ピンが固定電位
となっているマクロセル、または出力ピンが空ピンとな
っているマクロセルを探索する。図12では、マクロセ
ル8a及び8bがリダクション対象マクロセルとなる。
これらのマクロセルは、接続状態により本来の回路機能
の一部を制限する等して所望の論理機能を実現している
ものであり、LSIとしてみた場合、消費電力や信頼性
の点で不利なものである。
Next, the method of reduction by the above-mentioned transistor reduction device will be explained based on the flow chart of FIG. Generally, in the netlist 4, a plurality of types of macrocells are prepared in advance in order to increase the efficiency of circuit design, and connection information for connecting these macrocells to obtain a desired logic circuit is stored. For example, in FIG.
A connection relation is stored in which one input of the three-input NAND circuit 8a is connected to a power source and used as a two-input NAND circuit. The reduction target macrocell searching unit 1 reads the connection information of the circuit from the netlist 4 as described above, and the macrocells whose input pins have a fixed potential among the macrocells 8a, 8b, and 8c or the output pins become empty pins. Search for macro cells that are In FIG. 12, the macro cells 8a and 8b are reduction target macro cells.
These macro cells realize desired logic functions by limiting some of the original circuit functions depending on the connection state, and when viewed as an LSI, they are disadvantageous in terms of power consumption and reliability. Is.

【0005】そして分岐部2ではリダクション対象マク
ロセルがあるため、以降の処理をリダクション実行部3
へ移行する。リダクション実行部3では、マクロセル8
a,8bのリダクションを行った結果と同一の機能を持
つマクロセルの情報をリダクション用データベース5か
ら得る。例えば上記マクロセル8aは2入力NAND回
路と等価であると判断して、この情報をもとにネットリ
スト4を変更する。この結果得られるネットリストは図
13にようになる。すなわち、ネットリスト4に記憶さ
れた複数種のマクロセルの中から置換に必要なマクロセ
ルを捜し出し、入力ピンが固定電位となっている3入力
NANDc(8a)は2入力NANDb(8d)に置換
し、またデータ反転出力ピンが空ピンとなっているDF
Fa(8b)はデータ反転出力ピンを有さないDFFb
(8e)に置換する。
Since there is a reduction target macrocell in the branch unit 2, the subsequent processing is performed by the reduction execution unit 3
Move to. In the reduction execution unit 3, the macro cell 8
The information of the macro cell having the same function as the result of the reduction of a and 8b is obtained from the reduction database 5. For example, the macro cell 8a is judged to be equivalent to a 2-input NAND circuit, and the netlist 4 is changed based on this information. The resulting netlist is shown in FIG. That is, a macro cell required for replacement is searched from a plurality of types of macro cells stored in the netlist 4, and the 3-input NANDc (8a) whose input pin has a fixed potential is replaced with the 2-input NANDb (8d), Also, the DF whose data inversion output pin is an empty pin
Fa (8b) is a DFFb that does not have a data inversion output pin
Replace with (8e).

【0006】以上のようにしてリダクション処理を実行
した結果、ネットリスト4中に新たなリダクション対象
マクロセルが発生することがあるため、リダクション対
象マクロセル探索部1で、変更したネットリスト4に対
して再び探索を行い、分岐部2でリダクション対象マク
ロセルがなければ、上記変更されたネットリスト4を用
いてレイアウト部6においてレイアウトを行い、レイア
ウト図7を得、実行を終了する。一方、上記分岐部2で
新たなリダクション対象マクロセルがある場合には、以
上のような処理をリダクション対象マクロセルがなくな
るまで繰り返す。なお、固定電位に接続されたピンや空
ピンを有するマクロセルがあっても、これをリダクショ
ンした後に、同一の論理機能を有する置換可能なマクロ
セルが準備されていない場合にはリダクションを実行す
ることはできず、その状態でレイアウトが行われること
となる。以下、リダクション対象マクロセルとはリダク
ション可能なマクロセルをさすものとする。
As a result of executing the reduction process as described above, a new reduction target macrocell may occur in the netlist 4, so that the reduction target macrocell searching unit 1 again applies the changed netlist 4 to the changed netlist 4. If a reduction target macrocell is not found in the branching unit 2 in the branching unit 2, layout is performed in the layout unit 6 using the changed netlist 4, the layout diagram 7 is obtained, and execution is terminated. On the other hand, when there is a new reduction target macro cell in the branching unit 2, the above processing is repeated until there is no reduction target macro cell. Even if there is a macro cell having a pin connected to a fixed potential or an empty pin, reduction cannot be performed if a replaceable macro cell having the same logical function is not prepared after reduction. It cannot be done, and the layout is performed in that state. Hereinafter, the reduction target macro cell refers to a macro cell capable of reduction.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のトランジスタリ
ダクション装置は以上のように構成されているので、リ
ダクション後の結果と同一の機能を持つマクロセルが準
備されていなければ、リダクションを行うことができ
ず、消費電力,LSIの信頼性の点で不利であり、また
完全にリダクションを行うためには、極めて多くの種類
のマクロセルを準備しなければならないという問題点が
あった。
Since the conventional transistor reduction device is configured as described above, reduction cannot be performed unless a macro cell having the same function as the result after reduction is prepared. However, there is a problem in that it is disadvantageous in terms of power consumption and reliability of the LSI, and an extremely large number of types of macro cells must be prepared in order to perform complete reduction.

【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、多くの種類のマクロセルを準備
しなくとも完全に不要なマクロセルを削減することがで
き、マスタスライスLSIに適した処理を行うことがで
きるトランジスタリダクション装置を得ることを目的と
する。
The present invention has been made to solve the above problems, and can eliminate unnecessary macro cells completely without preparing many kinds of macro cells, and is suitable for a master slice LSI. It is an object to obtain a transistor reduction device that can perform processing.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明に係るトランジ
スタリダクション装置は、一旦ネットリストからレイア
ウト図を作成した後、ネットリスト中のリダクション対
象となるマクロセルを検索し、その検索結果に基づいて
レイアウト図中の配線接続を変更するようにしたもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION A transistor reduction device according to the present invention temporarily creates a layout diagram from a netlist, searches for a macrocell to be reduced in the netlist, and then executes the layout diagram based on the search result. The wiring connection inside is changed.

【0010】さらに、上記リダクション処理により配線
が削除されたレイアウト図において、配線が削除される
ことで、未使用状態となったトランジスタのゲートを、
該トランジスタのソース−ドレイン間が非導通状態とな
る電位に固定する配線を上記レイアウト図中に生成する
ようにしたものである。
Further, in the layout diagram in which the wiring is deleted by the reduction process, the gate of the transistor which is in an unused state due to the deletion of the wiring is
A wiring for fixing the potential between the source and drain of the transistor to a non-conductive state is generated in the layout diagram.

【0011】[0011]

【作用】この発明においては、マクロセルの出力ピン、
あるいは入力ピンの状態に関する情報をもとにリダクシ
ョン対象マクロセルを検索し、該検索結果に基づいてレ
イアウト図中の配線接続を変更することで当該マクロセ
ルのリダクションが行われる、つまりトランジスタレベ
ルのリダクションが行われるため、多くの種類のマクロ
セルを用意しなくても完全なリダクション処理を行うこ
とができる。
In the present invention, the output pin of the macro cell,
Alternatively, the reduction target macro cell is searched based on the information about the state of the input pin, and the reduction of the macro cell is performed by changing the wiring connection in the layout diagram based on the search result, that is, the reduction at the transistor level is performed. Therefore, complete reduction processing can be performed without preparing many types of macro cells.

【0012】また、リダクション処理の結果生じた未使
用トランジスタのゲート電位を、配線を発生させて固定
することで、リダクション後の回路の安定動作を達成す
ることができる。
Further, by stabilizing the gate potential of the unused transistor generated as a result of the reduction process by generating the wiring, it is possible to achieve a stable operation of the circuit after the reduction.

【0013】[0013]

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の第1の実施例によるトラン
ジスタリダクション装置の機能ブロック図を示し、図1
0と同一符号は同一または相当部分を示し、本発明で
は、一旦、レイアウト部6をよりネットリスト4からレ
イアウト図7を作成し、リダクション対象マクロセル探
索部1によりネットリスト4からリダクション対象マク
ロセルを探し出し、リダクション対象マクロセルが有る
場合にはリダクション実行部3により、上記作成したレ
イアウト図7における配線接続を変更するように構成さ
れている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. 1 is a functional block diagram of a transistor reduction device according to a first embodiment of the present invention.
In the present invention, the layout unit 6 once creates the layout diagram 7 from the netlist 4 and the reduction target macrocell searching unit 1 searches for the reduction target macrocell from the netlist 4 in the present invention. When there is a reduction target macro cell, the reduction execution unit 3 is configured to change the wiring connection in the layout diagram 7 created above.

【0014】上記構成において、ネットリスト4が第1
の記憶手段M1 を構成し、レイアウト部6,レイアウト
図7が第2の記憶手段M2 を構成し、データベース5が
第3の記憶手段M5 を構成するものとなっている。さら
にリダクション対象マクロセル探索部1が検索手段M3
を構成し、分岐部2,リクション実行部3が上記検索手
段出力M3 を受けてリダクション可能の有無を判断し、
上記第2の記憶手段M2 に格納されているレイアウト図
の配線接続情報を、上記第3の記憶手段出力M5 に基づ
いて変更するリダクション実行手段M4 を構成するもの
となっている。
In the above configuration, the netlist 4 is the first
Of the layout unit 6 and the layout diagram 7 constitute the second storage means M2, and the database 5 constitutes the third storage means M5. Further, the reduction target macro cell searching unit 1 uses the searching means M3.
And the branching unit 2 and the reduction executing unit 3 receive the output M3 of the search means and judge whether reduction is possible,
The reduction execution means M4 for changing the wiring connection information of the layout diagram stored in the second storage means M2 based on the output M5 of the third storage means.

【0015】また、図3はネットリスト4に記憶された
あるマクロセルのトランジスタ回路例を示し、図におい
て、9a〜9fはトランジスタまたはトランジスタ群を
示し、10a,10b,10cはこれらの接続関係を示
す接続線である。
FIG. 3 shows an example of a transistor circuit of a certain macro cell stored in the netlist 4. In the figure, 9a to 9f indicate transistors or transistor groups, and 10a, 10b, 10c indicate the connection between them. It is a connecting line.

【0016】図4は図3に示すネットリストから得られ
るマクロセルのレイアウトパターン図である。図におい
て、11はトランジスタのゲートを示し、12は金属配
線、13は電源電位供給配線、14は接地電位供給配線
を示す。また、15a,15b,15c,15dは図3
のトランジスタ回路図において、出力QCが空ピンであ
った場合に不要となる不要配線を示し、16a,16b
は出力QCが空ピンである場合に不要となる不要トラン
ジスタを示す。
FIG. 4 is a layout pattern diagram of a macro cell obtained from the net list shown in FIG. In the figure, 11 is a gate of a transistor, 12 is a metal wiring, 13 is a power supply potential supply wiring, and 14 is a ground potential supply wiring. Further, 15a, 15b, 15c, and 15d are shown in FIG.
In the transistor circuit diagram of the above, unnecessary wirings that are unnecessary when the output QC is an empty pin are shown as 16a and 16b.
Indicates an unnecessary transistor which becomes unnecessary when the output QC is an empty pin.

【0017】さらに図5は出力QCが空ピンである場合
に、リダクション処理の結果得られるレイアウトパター
ン図である。図において、17a,17bはリダクショ
ン処理において追加された追加配線である。
Further, FIG. 5 is a layout pattern diagram obtained as a result of reduction processing when the output QC is an empty pin. In the figure, 17a and 17b are additional wirings added in the reduction process.

【0018】次に上記トランジスタリダクション装置の
リダクションの手法を図2のフロー図に基づいて説明す
る。まず、レイアウト部6において、ネットリスト4か
らレイアウト図7を得る。対でリダクション対象マクロ
セル探索部1では、従来例と同様にしてネットリスト4
よりリダクション対象マクロセルを探索する。そして分
岐部2において、リダクション対象マクロセルがなけれ
ば処理を終了し、あればリダクション実行部3に処理を
移行する。
Next, a reduction technique of the above-mentioned transistor reduction device will be described with reference to the flow chart of FIG. First, the layout unit 6 obtains a layout diagram 7 from the netlist 4. In the reduction target macrocell searching unit 1, the netlist 4 is paired as in the conventional example.
Search for a reduction target macro cell. Then, in the branching unit 2, if there is no reduction target macrocell, the process is terminated, and if there is, the process is transferred to the reduction executing unit 3.

【0019】リダクション実行部3では上記分岐部2の
出力を受けて所定のリダクションを実行する。ここで
は、図3のマクロセルの出力ピンQCが空ピンである場
合について説明する。図3に示すトランジスタ回路図よ
り、QCが空ピンである場合、トランジスタ群9aと接
続線10bの一部が不要であることが分かる。この情報
はリダクション用データベース5に予め登録されてお
り、リダクション実行部3はリダクション用データベー
ス5よりこの情報を得る。
The reduction execution unit 3 receives the output of the branching unit 2 and executes a predetermined reduction. Here, a case where the output pin QC of the macro cell of FIG. 3 is an empty pin will be described. From the transistor circuit diagram shown in FIG. 3, it can be seen that when the QC is an empty pin, a part of the transistor group 9a and the connection line 10b is unnecessary. This information is registered in advance in the reduction database 5, and the reduction execution unit 3 obtains this information from the reduction database 5.

【0020】そしてリダクション実行部3は図3に示す
レイアウト図において、QCピンは配線15aに相当
し、トランジスタ9aはトランジスタ16a,16b
に、また接続線10bのうち不要となる部分は配線15
b,15c,15dに相当するものであるので、不要配
線15a〜15dをレイアウト図より削除する。
In the layout diagram shown in FIG. 3, the reduction execution unit 3 has the QC pin corresponding to the wiring 15a and the transistor 9a corresponding to the transistors 16a and 16b.
In addition, the unnecessary portion of the connection line 10b is the wiring 15
Since they correspond to b, 15c, and 15d, unnecessary wirings 15a to 15d are deleted from the layout diagram.

【0021】以上のようにして不要トランジスタ16
a,16bへ至る配線が削除され、回路図上からはトラ
ンジスタ群9aが削除されたことになるが、レイアウト
図7(図4参照)上では、トランジスタ16a,16b
は残存し、そのゲート電位が不定の状態となっている。
この状態でも動作は保障されるが、タイミングは不安定
となることがあるので、追加配線17a,17bを用い
てトランジスタ16a,16bのゲート電位を電源電位
供給配線13あるいは接地電池供給配線14に固定し、
動作の安定を図る。以上のようにして、図5に示すリダ
クション後のレイアウト図が得られる。
As described above, the unnecessary transistor 16
The wirings to a and 16b are deleted, and the transistor group 9a is deleted from the circuit diagram. However, in the layout diagram 7 (see FIG. 4), the transistors 16a and 16b are removed.
Remains, and its gate potential is indefinite.
Although the operation is guaranteed in this state, the timing may become unstable. Therefore, the gate potentials of the transistors 16a and 16b are fixed to the power supply potential supply wiring 13 or the ground battery supply wiring 14 by using the additional wirings 17a and 17b. Then
Aim for stable operation. As described above, the layout diagram after reduction shown in FIG. 5 is obtained.

【0022】以降、従来例と同様に、リダクション対象
マクロセル探索部1に処理を戻し、リダクション対象マ
クロセル探索部1で検出されるリダクション対象マクロ
セルがなくなるまで前記処理を繰り返す。
Thereafter, similar to the conventional example, the process is returned to the reduction target macro cell searching unit 1, and the above process is repeated until there is no reduction target macro cell detected by the reduction target macro cell searching unit 1.

【0023】実施例2.次に本発明の第2の実施例によ
るトランジスタリダクション装置のリダクション手法を
図6ないし図8を用いて説明する。この実施例では、リ
ダクション対象マクロセルの入力ピンAが接地電位に固
定されている場合のリダクション処理を行うものであ
り、図6はあるマクロセルのトランジスタ回路図、図7
は図6に示すトランジスタ回路のレイアウトパターン
図、図8はリダクション処理後のレイアウトパターン図
である。
Example 2. Next, a reduction method of the transistor reduction device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the reduction process is performed when the input pin A of the reduction target macrocell is fixed to the ground potential. FIG. 6 is a transistor circuit diagram of a certain macrocell, and FIG.
FIG. 8 is a layout pattern diagram of the transistor circuit shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a layout pattern diagram after reduction processing.

【0024】図6に示すトランジスタ回路図において、
入力ピンAが接地電位に固定されている場合、トランジ
スタ9fはそのソース−ドレイン間に電流の流せる導通
状態に固定されることとなるので、トランジスタ9fの
ソース−ドレイン間を短絡することでトランジスタ9f
は不要となる。また、トランジスタ9kは、トランジス
タ9iが常時オフしているため非導通状態に固定されて
おり、従ってトランジスタ9iを削除したのと等価であ
り、このトランジスタ9iも不要である。
In the transistor circuit diagram shown in FIG.
When the input pin A is fixed to the ground potential, the transistor 9f is fixed in a conductive state in which a current can flow between its source and drain, so that the source and drain of the transistor 9f are short-circuited.
Is unnecessary. Further, the transistor 9k is fixed in a non-conducting state because the transistor 9i is always off. Therefore, it is equivalent to deleting the transistor 9i, and the transistor 9i is also unnecessary.

【0025】これらの情報より図7に示すレイアウト図
において、トランジスタ16c,16dが不要となるた
め、これにともない配線15e,15f,15gを削除
する。
Since the transistors 16c and 16d are unnecessary in the layout diagram shown in FIG. 7 based on the above information, the wirings 15e, 15f and 15g are deleted accordingly.

【0026】また、トランジスタ9fのドレインに接続
されていた接続線10dとトランジスタ9fのソースに
接続されていた電源とを短絡するための配線、及び未使
用となったトランジスタ16c,16dのゲート電位を
固定するための配線を発生する。すなわち図8は上記処
理により生成される新たなレイアウト図であり、配線1
7cはトランジスタ9fのソース−ドレイン間を短絡す
るための追加配線、17d,17eは未使用となったト
ランジスタ16c,16dのゲート電位を固定するため
の追加配線である。
The wiring for short-circuiting the connection line 10d connected to the drain of the transistor 9f and the power supply connected to the source of the transistor 9f, and the gate potentials of the unused transistors 16c and 16d are set. Wiring for fixing is generated. That is, FIG. 8 is a new layout diagram generated by the above-described processing, and the wiring 1
Reference numeral 7c is an additional wiring for short-circuiting the source and drain of the transistor 9f, and 17d and 17e are additional wiring for fixing the gate potential of the unused transistors 16c and 16d.

【0027】実施例3.次に本発明の第2の実施例によ
るトランジスタリダクション装置のリダクション手法を
図9を用いて説明する。この実施例では、図8に示すレ
イアウト図にさらにリダクションするものであり、図9
はこのリダクション処理によって得られる新たなレイア
ウトパターン図である。上記図8に示すレイアウトパタ
ーン図において、トランジスタ16e(トランジスタ9
g)はそのドレイン,ソースが電源13に接続されてお
り、常に同電位となるため、その動作は論理に影響がな
く、削除することができる。また、トランジスタ16f
(トランジスタ9k)はそのドレインが開放されてお
り、不要トランジスタである。
Example 3. Next, a reduction method of the transistor reduction device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the layout diagram shown in FIG. 8 is further reduced.
FIG. 6 is a new layout pattern diagram obtained by this reduction process. In the layout pattern diagram shown in FIG. 8, the transistor 16e (transistor 9e
In g), its drain and source are connected to the power supply 13, and they are always at the same potential, so their operation does not affect the logic and can be deleted. Also, the transistor 16f
The drain of the (transistor 9k) is open and is an unnecessary transistor.

【0028】従ってこれらの不要トランジスタ16e,
16fを削除するために、配線15i,15hを削除
し、また、不要トランジスタ16e,16fのゲート電
位を固定するために配線17f,17gを追加して図9
に示すレイアウト図を得る。
Therefore, these unnecessary transistors 16e,
The wirings 15i and 15h are deleted to remove 16f, and the wirings 17f and 17g are added to fix the gate potentials of the unnecessary transistors 16e and 16f.
The layout diagram shown in is obtained.

【0029】このように本実施例によれば、ネットリス
ト4中からリダクション可能なマクロセルを探索し、リ
ダクション対象マクロセルが検出された場合には、リダ
クション前に予め作成したレイアウト図7に対して、回
路中の不要トランジスタを削除するようにしたから、従
来マクロセル単位で置換を行なうことで回路を変更する
方式に比べ、トランジスタレベルで回路変更行うことが
でき、予め多くの種類のマクロセルを準備しなくても、
リダクション対象となるマクロセルを完全にリダクショ
ンすることができる。
As described above, according to the present embodiment, when a macrocell capable of reduction is searched for in the netlist 4 and the reduction target macrocell is detected, the layout diagram 7 previously created before reduction is Since unnecessary transistors in the circuit are deleted, the circuit can be changed at the transistor level compared to the conventional method of changing the circuit by replacing each macro cell, and many types of macro cells are not prepared in advance. Even
It is possible to completely reduce the reduction target macro cell.

【0030】また、出力ピンが未接続または入力ピンが
電位固定されているマクロセルの金属配線を削除した
後、未使用となったトランジスタのゲート電位を配線を
発生させて、その電位をソース・ドレイン間が非導通状
態となるように固定することにより、リダクション処理
後の回路の安定化を図ることができる。
Further, after the metal wiring of the macro cell in which the output pin is not connected or the input pin is fixed in potential is deleted, the gate potential of the unused transistor is generated and the potential is used as the source / drain. By fixing the gaps so that they are in a non-conducting state, it is possible to stabilize the circuit after the reduction process.

【0031】なお、上記実施例では、出力ピンが未接続
となっているマクロセルをリダクションするのを第1の
実施例とし、入力ピンが電位固定されているマクロセル
をリダクションするのを第2の実施例として説明した
が、これらの処理は同時に実施してもよい。
In the above embodiment, the first embodiment is to reduce the macro cell whose output pin is not connected, and the second embodiment is to reduce the macro cell whose input pin is fixed in potential. Although described as an example, these processes may be performed simultaneously.

【0032】また、第1の実施例のみを実行する場合に
は、不要な出力ピン及びこれに接続するマクロセルが削
除されるだけで、入力から出力までのマクロセルの接続
関係には変化が生じないため、マクロセルの遅延データ
を変更することはなくシミュレーションを実行すること
ができる。
When only the first embodiment is executed, unnecessary output pins and macro cells connected to them are only deleted, and the connection relationship of the macro cells from input to output does not change. Therefore, the simulation can be executed without changing the delay data of the macro cell.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように、この発明に係るトランジ
スタリダクション装置によれば、予めレイアウトされた
レイアウト図を直接変更することで、回路中の不要トラ
ンジスタを削除するので、極めて多くの種類のマクロセ
ルを準備しなくとも、リダクション対象となるマクロセ
ルを完全にリダクションすることができ、消費電力の低
減、及び高速動作を実現することができる効果がある。
As described above, according to the transistor reduction device of the present invention, unnecessary transistors in a circuit are deleted by directly changing a layout diagram which is laid out in advance, so that an extremely large number of types of macrocells can be eliminated. It is possible to completely reduce the macro cell to be reduced, without the need for preparation, and to reduce power consumption and achieve high-speed operation.

【0034】また、リダクション処理により生じた未使
用トランジスタのゲート電位を、配線を発生させて固定
電位とすることにより、リダクション後の回路の安定動
作を図ることができる。
Further, a stable operation of the circuit after reduction can be achieved by generating a wiring and setting the gate potential of the unused transistor generated by the reduction process to a fixed potential.

【0035】さらに、本発明はレイアウト図の金属配線
部のみを変更するものであるため、マスタスライスLS
Iには好適なものであり、そのプロセスフローに容易に
適用することができる効果がある。
Further, since the present invention changes only the metal wiring portion of the layout diagram, the master slice LS
I is suitable and has an effect that it can be easily applied to the process flow.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例によるトランジスタリダクシ
ョン装置のブロック構成図。
FIG. 1 is a block configuration diagram of a transistor reduction device according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記トランジスタリダクション装置のリダクシ
ョン処理を示すフロー図。
FIG. 2 is a flowchart showing a reduction process of the transistor reduction device.

【図3】出力ピンが空ピンとなっているリダクション対
象マクロセルを有するトランジスタ回路の一部を示す
図。
FIG. 3 is a diagram showing a part of a transistor circuit including a reduction-target macro cell whose output pin is an empty pin.

【図4】上記トランジスタ回路に対応するレイアウト
図。
FIG. 4 is a layout diagram corresponding to the transistor circuit.

【図5】上記レイアウト図を第1の実施例の手法により
変更して得られる新たなレイアウトパターン図。
FIG. 5 is a new layout pattern diagram obtained by modifying the layout diagram according to the method of the first embodiment.

【図6】入力ピンが固定電位となっているリダクション
対象マクロセルを有するトランジスタ回路の一部を示す
図。
FIG. 6 is a diagram showing a part of a transistor circuit including a reduction-target macro cell in which an input pin has a fixed potential.

【図7】上記トランジスタ回路に対応するレイアウト
図。
FIG. 7 is a layout diagram corresponding to the transistor circuit.

【図8】上記レイアウト図を第2の実施例の手法により
変更して得られる新たなレイアウトパターン図。
FIG. 8 is a new layout pattern diagram obtained by changing the layout diagram according to the method of the second embodiment.

【図9】図7のレイアウト図を第3の実施例の手法によ
り変更して得られるさらに新たなレイアウトパターン
図。
FIG. 9 is a new layout pattern diagram obtained by modifying the layout diagram of FIG. 7 by the method of the third embodiment.

【図10】従来のトランジスタリダクション装置のブロ
ック構成図。
FIG. 10 is a block configuration diagram of a conventional transistor reduction device.

【図11】上記従来のトランジスタリダクション装置の
リダクション処理を示すフロー図。
FIG. 11 is a flowchart showing reduction processing of the conventional transistor reduction device.

【図12】従来のトランジスタリダクション装置を用い
てリダクションが行われるネットリストの一例を示す
図。
FIG. 12 is a diagram showing an example of a netlist in which reduction is performed using a conventional transistor reduction device.

【図13】上記ネットリストをリダクションして得られ
た新たなネットリストを示す図。
FIG. 13 is a diagram showing a new netlist obtained by reduction of the netlist.

【符号の説明】 1 リダクション対象マクロセル探索部 2 分岐部 3 リダクション実行部 4 ネットリスト 5 リダクション用データベース 6 レイアウト部 7 レイアウト図 8 マクロセル 9 トランジスタ(群) 10 接続線 11 トランジスタゲート 12 金属配線 13 電源電位供給配線 14 接地電位供給配線 15 不要配線 16 不要トランジスタ 17 追加配線 M1 第1の記憶手段 M2 第2の記憶手段 M3 検索手段 M4 リダクション実行手段 M5 第3の記憶手段[Explanation of Codes] 1 Reduction target macrocell search unit 2 Branching unit 3 Reduction execution unit 4 Netlist 5 Reduction database 6 Layout unit 7 Layout diagram 8 Macrocell 9 Transistor (group) 10 Connection line 11 Transistor gate 12 Metal wiring 13 Power supply potential Supply wiring 14 Ground potential supply wiring 15 Unnecessary wiring 16 Unnecessary transistor 17 Additional wiring M1 First storage means M2 Second storage means M3 Search means M4 Reduction execution means M5 Third storage means

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスタ工程においてトランジスタ素子を
形成し、スライス工程で配線を行うマスタスライス方式
のLSIを製造する際の、トランジスタ素子からなる不
要な機能ブロックを設計段階で削減するためのトランジ
スタリダクション装置において、 複数のトランジスタからなる機能ブロックであるマクロ
セル間の接続情報をネットリストとして格納している第
1の記憶手段と、 上記ネットリストに応じたトランジスタレベルの配線接
続情報をレイアウト図として格納している第2の記憶手
段と、 上記第1の記憶手段のネットリストからリダクション対
象となるマクロセルを検索する検索手段と、 上記リダクション対象となるマクロセルと同一機能を有
するマクロセルの情報を格納している第3の記憶手段
と、 上記検索手段出力を受けてリダクション対象マクロセル
の有無を判断し、上記第2の記憶手段に格納されている
レイアウト図の配線接続情報を、上記第3の記憶手段出
力に基づいて変更するリダクション実行手段とを備えた
ことを特徴とするトランジスタリダクション装置。
1. A transistor reduction device for reducing unnecessary functional blocks composed of transistor elements at the design stage when manufacturing a master slice type LSI in which a transistor element is formed in a master step and wiring is performed in a slice step. In a first storage means for storing connection information between macro cells, which is a functional block composed of a plurality of transistors, as a netlist, and wiring connection information at a transistor level corresponding to the netlist as a layout diagram. A second storage means, a search means for searching the reduction target macro cell from the net list of the first storage means, and a macro cell having the same function as the reduction target macro cell. 3 storage means and the search means output described above are received. Reduction execution means for determining the presence or absence of the reduction target macro cell and changing the wiring connection information of the layout diagram stored in the second storage means based on the output of the third storage means. Characteristic transistor reduction device.
【請求項2】 請求項1記載のトランジスタリダクショ
ン装置において、 上記検索手段は、上記ネットリスト中のマクロセルから
その出力ピンが未接続となっているものを検索し、 上記リダクション実行手段は上記レイアウト図から、上
記検索された出力ピンが未接続となっているマクロセル
の出力ピンの論理を構成するためにのみ使用されている
トランジスタを判断し、該トランジスタの接続にのみ使
用されている配線を上記レイアウト図より削除するもの
であることを特徴とするトランジスタリダクション装
置。
2. The transistor reduction device according to claim 1, wherein the search means searches a macro cell in the netlist for which the output pin is not connected, and the reduction execution means is the layout diagram. From the above, determine the transistor used only to configure the logic of the output pin of the macro cell in which the searched output pin is not connected, and arrange the wiring used only for connecting the transistor in the layout A transistor reduction device characterized by being deleted from the figure.
【請求項3】 請求項1記載のトランジスタリダクショ
ン装置において、 上記検索手段は、上記ネットリスト中のマクロセルから
その入力ピンが電位固定されているものを検索し、 上記リダクション実行手段は上記レイアウト図から、上
記検索された入力ピンに接続されているトランジスタを
判断し、該トランジスタが上記電位固定により導通状態
となっている場合には、該トランジスタのソース−ドレ
イン間を追加配線により短絡するとともに、そのゲート
への接続にのみに使用されている配線を削除する、ある
いは該トランジスタが上記電位固定により非導通状態と
なっている場合には、該トランジスタゲートへの接続に
のみに使用されている配線を削除するものであることを
特徴とするトランジスタリダクション装置。
3. The transistor reduction device according to claim 1, wherein the search means searches a macro cell in the netlist for which the input pin has a fixed potential, and the reduction execution means uses the layout diagram. , Determining the transistor connected to the searched input pin, and if the transistor is in a conducting state by fixing the potential, short-circuit between the source and drain of the transistor with an additional wiring, and Delete the wiring that is used only for connecting to the gate, or if the transistor is non-conducting due to the above potential fixing, replace the wiring that is used only for connecting to the gate of the transistor. A transistor reduction device characterized by being removed.
【請求項4】 請求項3記載のトランジスタリダクショ
ン装置において、 上記リダクション実行手段は、上記リダクション処理に
より上記レイアウト図から配線を削除した結果、そのソ
ース−ドレイン間の電位が常に同電位となっているトラ
ンジスタ、またはソースあるいはドレインの一方が少な
くとも開放となっているトランジスタが生じた場合、該
トランジスタの接続にのみ使用されている配線を上記レ
イアウトパターン図より削除する機能を有するものであ
ることを特徴とするトランジスタリダクション装置。
4. The transistor reduction device according to claim 3, wherein the reduction execution means removes the wiring from the layout diagram by the reduction process, and as a result, the potential between the source and the drain is always the same potential. In the case where a transistor or a transistor in which at least one of a source and a drain is opened is formed, a wiring used only for connecting the transistor is deleted from the layout pattern diagram. Transistor reduction device to do.
【請求項5】 請求項3記載のトランジスタリダクショ
ン装置において、 上記レイアウト図の配線を処理することにより、該当マ
クロセル中のトランジスタで、ソース−ドレイン間の電
位が常に同電位となっているトランジスタ、またはソー
スあるいはドレインのいずれか少なくとも一方が開放と
なっているトランジスタが生じた場合、該トランジスタ
の接続にのみ使用されている配線をレイアウトパターン
図より削除する機能を付加したことを特徴とするトラン
ジスタリダクション装置。
5. The transistor reduction device according to claim 3, wherein the wiring in the layout diagram is processed so that the source-drain potential of the transistors in the corresponding macrocell is always the same. A transistor reduction device having a function of deleting a wiring used only for connection of the transistor from the layout pattern diagram when a transistor having at least one of the source and the drain opened is formed. .
【請求項6】 請求項2ないし5のいずれかに記載のト
ランジスタリダクション装置において、 上記リダクション処理において配線が削除れることで、
未使用状態となったトランジスタのゲートを、該トラン
ジスタのソース−ドレイン間が非導通状態となる電位に
固定するための追加配線を上記レイアウト図中に生成す
るものであることを特徴とするトランジスタリダクショ
ン装置。
6. The transistor reduction device according to claim 2, wherein the wiring is deleted in the reduction process,
A transistor reduction characterized in that an additional wiring for fixing the gate of an unused transistor to a potential at which the source-drain of the transistor becomes non-conductive is generated in the layout diagram. apparatus.
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