JPH063563B2 - Amplifier element parallel operation circuit - Google Patents

Amplifier element parallel operation circuit

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JPH063563B2
JPH063563B2 JP57010330A JP1033082A JPH063563B2 JP H063563 B2 JPH063563 B2 JP H063563B2 JP 57010330 A JP57010330 A JP 57010330A JP 1033082 A JP1033082 A JP 1033082A JP H063563 B2 JPH063563 B2 JP H063563B2
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terminal
resistor
deviation
parallel operation
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恒男 池上
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良忠 畑
修 遠藤
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Tohoku Ricoh Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、定電流・定電圧負荷、直流安定化電源装置に
適用して好適な増幅素子並列運転回路に関する。
The present invention relates to an amplifier element parallel operation circuit suitable for application to a constant current / constant voltage load and a stabilized DC power supply device.

従来、例えばトランジスタで大電力を制御する場合、直
列又は並列接続によって行うことが多かったが、いずれ
の場合も個々のトランジスタの損失を平均化するには問
題があった。特に大電流の処理をしなければならない場
合は並列接続する必要があるが、トランジスタの温度係
数が負であるため、何らかの原因でトランジスタ間に温
度差が生ずると、温度の上昇したトランジスタの電流が
集中して制御不能となる所謂暴走を惹起する。その結
果、トランジスタが破壊されることがある。これを防ぐ
ため、従来は、例えば第1図に示す如く、トランジスタ
1〜Qnのエミッタ側に抵抗器r1〜rnを挿入し、この
抵抗両端電圧を負帰還電圧とすることによって電流の集
中を防ぐのが一般的な解決法である。
Conventionally, for example, when controlling a large amount of power with a transistor, it is often done by connecting in series or in parallel, but in either case, there is a problem in averaging the loss of each transistor. In particular, it is necessary to connect in parallel if high current processing is required, but since the temperature coefficient of the transistors is negative, if the temperature difference between the transistors occurs for some reason, the current of the transistor whose temperature has risen It causes a so-called runaway that becomes concentrated and out of control. As a result, the transistor may be destroyed. In order to prevent this, conventionally, for example, as shown in FIG. 1 , resistors r 1 to r n are inserted on the emitter side of the transistors Q 1 to Q n , and the voltage across these resistors is used as a negative feedback voltage to generate a current. A common solution is to prevent the concentration of

しかし負帰還による効果を充分に得るためには抵抗を大
きくする必要がある。抵抗を大きくすれば抵抗発熱が大
となり、その放熱に考慮が必要となる。また抵抗両端電
圧が大きくなると、コレクタ・エミッタ間電圧VCEとの
和が回路の最小電圧を決定するため、定電圧大電流回路
における電流配分は極めて困難となる。
However, in order to sufficiently obtain the effect of negative feedback, it is necessary to increase the resistance. If the resistance is increased, the resistance heat generation becomes large, and it is necessary to consider the heat dissipation. Further, when the voltage across the resistor increases, the sum of the collector-emitter voltage V CE and the minimum voltage of the circuit determines the minimum voltage of the circuit, which makes it extremely difficult to distribute the current in the constant voltage large current circuit.

第2図は、電力トランジスタとして異るロット番号の2
SD−555を無選別に4個取り出し、第1図に示す如
き回路を構成したときの実験値を示す。曲線A,Bは夫
々第1図においてエミッタ抵抗r1〜r4を12Ω、3.5
Ωとした場合のエミッタ電流の平均値に対する最大偏差
を示している。曲線A,Bにより明らかな如く、電流の
ばらつきを小さく抑えるには、大きなエミッタ抵抗を必
要とする。また電子負荷又は電源等に使用する場合、エ
ミッタ電流を可変とする必要があるが、例えば1〜10
A間で常に2%以内に誤差を抑えるためには12Ωの抵
抗器を要し、このときの抵抗両端電圧(120V)及び
抵抗における損失(1200W)に鑑みると実用性に乏
しい。
Figure 2 shows different lot number 2 for power transistors.
The experimental values obtained when four SD-555s were taken out without selection and a circuit as shown in FIG. 1 was constructed are shown. Curves A and B show emitter resistances r 1 to r 4 in FIG.
The maximum deviation from the average value of the emitter current when Ω is shown. As is clear from the curves A and B, a large emitter resistance is required in order to suppress the current variation to be small. When used for an electronic load or a power source, it is necessary to change the emitter current.
A resistor of 12Ω is required to suppress the error between A and 2% at all times, and it is not practical in view of the voltage across the resistor (120 V) and the loss in the resistor (1200 W).

本発明はかかる点に鑑み、電流バランスと熱損失との双
方を一挙に解決することができるこの種増幅素子並列運
転回路を提案することを主たる目的とする。
In view of the above point, the present invention has as its main object to propose this kind of amplifier element parallel operation circuit capable of solving both current balance and heat loss at once.

第3図は本発明の原理の説明に供する回路図である。こ
の回路は、並列運転を行う電力トランジスタQ1〜Qn
各電力トランジスタのエミッタ電流を別々に検出するた
めの抵抗器r1〜rn及び各抵抗器と各エミッタとの接続
点VA1〜VAnを各入力としトランジスタのベースを各出力
とする偏差増幅器Adから成る。偏差増幅器Adは、入
力電圧の平均値に対する各入力電圧の偏差を1段又は2
段以上の増幅器によって反転増幅したものを各出力とす
るものである。
FIG. 3 is a circuit diagram for explaining the principle of the present invention. This circuit includes power transistors Q 1 to Q n that operate in parallel,
Resistor r 1 ~r n and deviation amplifier the base to the transistor and the input connection points V A1 ~V An between each resistor and the emitter and the output for detecting the emitter current of each power transistor separately Composed of Ad. The deviation amplifier Ad outputs the deviation of each input voltage from the average value of the input voltage by one stage or two.
Each output is obtained by inverting and amplifying by an amplifier of more than stages.

第4図は偏差増幅器Adの一例を示す図である。各入力
端ei1〜ei1は各抵抗器ra11〜ra1nを通して互いに接続
され、この接続点をMとする。M点から抵抗器ra21〜ra
2nを通して各オペアンプA1〜Anの正の入力端に接続され
る。また各入力端ei1〜ei1は抵抗器rf11〜rf1nを通して
各オペアンプA1〜Anの負の入力端に接続される。更に抵
抗器rf21〜rf2nが各オペアンプA1〜Anの負の入力端及び
出力端eo1〜eonに接続され、抵抗器ra11〜ra1nと共にオ
ペアンプA1〜Anの増幅率を決定している。この場合、抵
抗器ra11〜ra1nの値が全て等しければ、M点には入力e
i1〜einの平均値が現われ、その平均値がオペアンプA1
〜Anの正の入力電圧となる。一方、各オペアンプA1〜An
の負の入力電圧はei1〜einとなり、上記の条件を満たす
こと明らかである。
FIG. 4 is a diagram showing an example of the deviation amplifier Ad. The input terminals e i1 to e i1 are connected to each other through the resistors ra 11 ~ra 1n, to the connection point with the M. From point M, resistor ra 21 ~ ra
It is connected to the positive input terminal of each operational amplifier A 1 to A n through 2n . Further the input terminals e i1 to e i1 is connected through a resistor rf 11 ~rf 1n to the negative input terminal of the operational amplifier A 1 to A n. Further resistor rf 21 ~rf 2n is connected to the negative input terminal and an output terminal eo 1 ~eo n of the operational amplifiers A 1 to A n, resistor ra 11 to Ra amplification factor of the operational amplifier A 1 to A n with 1n Has been decided. In this case, if the resistors ra 11 to ra 1n are all equal in value, the input e
The average value of i1 to e in appears, and the average value is the operational amplifier A 1
~ A n positive input voltage. On the other hand, each operational amplifier A 1 to A n
The negative input voltage of is e i1 to e in , and it is clear that the above condition is satisfied.

第5図は偏差増幅器Adの他の例を示す回路図である。複
数のトランジスタTr1〜Trnのエミッタを共通とし、共通
エミッタ抵抗REEを通して電源の負端子に接続され、コ
レクタは夫々抵抗器RL1〜RLnを通して正の電源端子に接
続される。入力は各トランジスタTr1〜Trnのベースに与
えられ、出力が各トランジスタTr1〜Trnのコレクタ電圧
として取り出される回路に構成している。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of the deviation amplifier Ad. The emitters of the plurality of transistors Tr 1 to Tr n are common, connected to the negative terminal of the power supply through the common emitter resistance R EE , and the collectors are connected to the positive power supply terminal through the resistors R L1 to R Ln , respectively. An input is given to the bases of the transistors Tr 1 to Tr n , and an output is formed as a collector voltage of the transistors Tr 1 to Tr n .

この場合、素子数が2(n=2)の回路は平衡増幅器と
して知られ、解析も行われているが、3端子以上の回路
については明らかではない。そこで3端子以上の回路に
ついて各々の定数を任意とし、解析を行った結果、次に
示すような結果を得た。
In this case, a circuit having two elements (n = 2) is known as a balanced amplifier and has been analyzed, but it is not clear about a circuit having three or more terminals. Therefore, the following results were obtained as a result of performing an analysis with each constant being arbitrary for a circuit having three or more terminals.

第5図に示す如き回路の出力eol(l=1,2…n)
は、 但し Bl=(1−α)rbl+rel α=トランジスタTrlのベース接地電流利得 rbl=トランジスタTrlの内部ベース抵抗 rel=トランジスタTrlの内部エミッタ抵抗 ここで、各トランジスタTrl〜Trnの諸定数及びRL1〜RLn
が全て等しいと仮定すると、 第(1)式は、 但しA=αRL/B REE≫Bとする。
Output e ol (l = 1, 2, ... n) of the circuit as shown in FIG.
Is However B l = (1-α l ) r bl + r el α l = common base current gain of the transistor T rl r bl = transistor Tr l internal base resistance r el = where internal emitter resistance of the transistor Tr l of each transistor Tr l ~ Tr n constants and R L1 ~ R Ln
Assuming that are all equal, then equation (1) becomes However the A = αR L / B R EE »B.

よって第5図例は第(2)式を満足すること明らかであ
る。従って、第3図例の回路を用いることにより、エミ
ッタ抵抗器r1〜rnの両端電圧は、第1図例に示すエミッ
タ抵抗の両端電圧に較べ、1/A程度で同じ効果を有す
る。従ってエミッタ抵抗r1〜rnが第1図例におけるエミ
ッタ抵抗に較べ1/Aより小さければその均一化の精度
は第1図例に較べ良くなるため、エミッタ抵抗r1〜rn
おける損失が小さければ熱損失を抑えられ、均一の電力
トランジスタQ1〜Qnの電流配分均等化の精度向上及
び抵抗損失の減少を同時に満足することができる。
Therefore, it is clear that the example of FIG. 5 satisfies the equation (2). Therefore, by using the circuit of the example of FIG. 3, the voltage across the emitter resistors r 1 to r n has the same effect as that of the voltage across the emitter resistor shown in FIG. Therefore, if the emitter resistances r 1 to r n are smaller than 1 / A as compared with the emitter resistance in the example of FIG. 1, the accuracy of the homogenization becomes better than that in the example of FIG. 1, and the loss in the emitter resistances r 1 to r n is If it is small, the heat loss can be suppressed, and it is possible to simultaneously satisfy the uniform accuracy improvement of the current distribution of the power transistors Q1 to Qn and the reduction of the resistance loss.

第6図はトランジスタ並列運転回路の具体的な一例を示
す回路図である。尚、説明の簡略化のため電力素子が3
個の場合について説明する。本例は電力負荷又は定電流
回路等に使用される形式であり、第4図に示す如き偏差
増幅器を用い、全体の電流を制御する回路を加えたもの
である。即ち、全体の電流を検出するための抵抗器R、
基準電圧Vref及び抵抗器Rの両端に生じた電圧とVref
入力とする誤差増幅器Aerrを加えている。誤差増幅器A
errの出力は、抵抗器r21〜r23を通して、また偏差増幅
器Adの出力はr11〜r13を通して夫々電力トランジスタ
1〜Q3のベースに接続されている。従って各トランジ
スタQ1〜Q3のベースには偏差増幅器Adと誤差増幅器
Aerrの出力の加重平均値が加わり、電流均等化と総電流
制御が同時に行われることになる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a specific example of the transistor parallel operation circuit. For simplification of explanation, the power element is 3
The case of individual pieces will be described. This example is of a type used for a power load or a constant current circuit, in which a deviation amplifier as shown in FIG. 4 is used and a circuit for controlling the entire current is added. That is, a resistor R for detecting the total current,
An error amplifier A err that receives V ref as a reference voltage V ref and the voltage generated across the resistor R and V ref is added. Error amplifier A
The output of err, through a resistor r 21 ~r 23, and the output of the deviation amplifier Ad is connected to the base of each power transistor Q 1 to Q 3 through r 11 ~r 13. Therefore, the deviation amplifier Ad and the error amplifier are provided at the bases of the respective transistors Q 1 to Q 3.
A weighted average value of the output of A err is added, and current equalization and total current control are performed at the same time.

第7図は、偏差増幅器Adとして第5図例の回路を用い
る外は第6図例の構成とほぼ同様である。
FIG. 7 is almost the same as the configuration of FIG. 6 except that the circuit of FIG. 5 is used as the deviation amplifier Ad.

尚、簡略化のため、偏差増幅器として第5図例を用いた
例について説明するが、第4図例と置換し得ることは勿
論である。
For simplification, an example using the example of FIG. 5 as the deviation amplifier will be described, but it goes without saying that it can be replaced with the example of FIG.

第8図は、第7図例におけるエミッタ抵抗REEの代りに
電流制御素子(トランジスタ)Traを挿入し、Traの電流
制御端子のベースに誤差増幅器Aerrの出力端を接続した
ものである。この場合、第7図例におけるように加重平
均値がトランジスタQ1〜Q3のベースに加わるのではな
いから、偏差増幅器の出力は減衰することなくトランジ
スタQ1〜Q3のベースに加えられ、電流配分の均等化の
精度が向上することになる。また誤差増幅器Aerrの出力
はTraの電流増幅率によって増幅され、偏差増幅器Ad
の各素子のエミッタ入力となるから、この増幅率と誤差
増幅器の増幅率との積が減衰することなく各トランジス
タQ1〜Q3のベースに加えられる。従って、総電流制御
の帰還増幅率は、第7図例に較べて飛躍的に増大し、よ
って制御精度が著しく向上することになる。
In FIG. 8, a current control element (transistor) Tra is inserted in place of the emitter resistance R EE in the example of FIG. 7, and the output end of the error amplifier A err is connected to the base of the current control terminal of Tra. In this case, since the weighted average value is not added to the bases of the transistors Q 1 to Q 3 as in the example of FIG. 7, the output of the deviation amplifier is added to the bases of the transistors Q 1 to Q 3 without being attenuated, The accuracy of equalizing the current distribution is improved. Further, the output of the error amplifier A err is amplified by the current amplification factor of Tra, and the deviation amplifier Ad
Since the emitter input of the elements of the product of the amplification factor of the amplification factor and the error amplifier is applied to the base of each transistor Q 1 to Q 3 without attenuation. Therefore, the feedback amplification factor of the total current control is remarkably increased as compared with the example of FIG. 7, and the control accuracy is remarkably improved.

第9図は本発明の更に他の例を示す回路図である。本例
は第7図例における偏差増幅器AdのトランジスタTr1
〜Tr3をPNP形に置換し、その出力にエミッタホロワ
を加えると共に、出力レベルをシフト可能にした例を示
している。エミッタホロアはトランジスタQ1〜Q3の前
に2段設けてインピーダンス変換を行っている。そして
エミッタ抵抗r1〜r3=0.1Ωとして第1図例に示す如
き同じトランジスタを用い、エミッタ電流と最大偏差と
の関係を示したものを第2図中、曲線Cとして表わされ
る。この結果、エミッタ電流の誤差は極めて小さく、ま
たその電流変動に対しても誤差が常に2%以下を示して
いる。従って第2図を参照して明らかな如く、第1図例
と較べて本発明の効果が顕著であることがわかる。
FIG. 9 is a circuit diagram showing still another example of the present invention. This example is a transistor Tr 1 of the deviation amplifier Ad in the example of FIG.
Replacing to Tr 3 to the PNP type, the added emitter follower to the output shows an example that enables shifting the output level. Emitter follower has performed impedance conversion is provided two-stage prior to the transistor Q 1 to Q 3. The same transistor as shown in FIG. 1 is used as the emitter resistances r 1 to r 3 = 0.1Ω, and the relationship between the emitter current and the maximum deviation is shown as a curve C in FIG. As a result, the error of the emitter current is extremely small, and the error is always less than 2% with respect to the current fluctuation. Therefore, as is apparent from FIG. 2, the effect of the present invention is remarkable as compared with the example of FIG.

第10図は更に別の例を示し、大電流負荷の場合に負荷
自体の構成から1つの負荷を並列小負荷に分割したもの
である。Z1〜Z3は分割された小負荷を示している。
尚、小負荷が同じインピーダンスであれば、上述例の方
法で制御することができる。Z1〜Z3のインピーダンス
が等しいときはトランジスタQ1〜Q3の電流が等しいな
らば、そのインピーダンスによって生ずる電圧降下が等
しいため、接続線a(破線図示)を除いても各トランジ
スタQ1〜Q3の消費電力の均等化を達成することができ
る。
FIG. 10 shows still another example, in the case of a large current load, one load is divided into parallel small loads from the configuration of the load itself. Z 1 to Z 3 indicate divided small loads.
Incidentally, if the small loads have the same impedance, it can be controlled by the method of the above example. If when the impedance of Z 1 to Z 3 are equal current of the transistor Q 1 to Q 3 are equal, the voltage drop caused by the impedance are equal, the connecting line a (broken line shown) except the transistors Q 1 be ~ Equalization of the power consumption of Q 3 can be achieved.

第11図は高電圧電力負荷に適用した例を示す回路図で
ある。高電圧負荷の場合は、トランジスタQ1〜Q3のコ
レクタ電圧が異常に高くなる危険を考慮して電力真空管
1〜V3を介して制御するのが例である。V1〜V3のグ
リッドG1〜G3は同一バイアス電圧を加えることによ
り、そのカソード電圧がほぼ等しくなり、よって上述例
と同様の構成とすることができる。但し、実際にはV1
〜V3の個々の定数の相違からグリッド電圧を調整する
必要があり、G1〜G3に与えるバイアス電圧は各トラン
ジスタQ1〜Q3のコレクタ電圧が等しくなるように調整
された電源から供給される。尚、図示例は高電圧電力負
荷として複数の極を有する放電管を示している。よっ
て、総電流の制御及び各電極電流の均等化を高い精度で
行うことができると共に、トランジスタQ1〜Q3の印加
電圧及び消費電力が均等化されて保護される。各真空管
1〜V3のカソード電圧の不一致が容易に矯正されない
ときは、各カソード電圧を別の偏差増幅器に入力し、出
力をグリッドバイアスの各電源に帰還することにより、
安定的に均一化を図ることができる。
FIG. 11 is a circuit diagram showing an example applied to a high voltage power load. In the case of a high voltage load, it is an example that control is performed via the power vacuum tubes V 1 to V 3 in consideration of the risk that the collector voltages of the transistors Q 1 to Q 3 become abnormally high. By grid G 1 ~G 3 of V 1 ~V 3 is added the same bias voltage, the cathode voltage is substantially equal, thus can be the similar to the above configuration example. However, in reality, V 1
Need to adjust the grid voltage from the difference in the individual constants of ~V 3, the bias voltage applied to the G 1 ~G 3 is supplied from a power source which is adjusted to the collector voltage of the transistors Q 1 to Q 3 is equal To be done. The illustrated example shows a discharge tube having a plurality of poles as a high-voltage power load. Therefore, the total current can be controlled and the respective electrode currents can be equalized with high accuracy, and the applied voltage and power consumption of the transistors Q 1 to Q 3 can be equalized and protected. When the mismatch of the cathode voltages of the vacuum tubes V 1 to V 3 is not easily corrected, each cathode voltage is input to another deviation amplifier, and the output is fed back to each power source of the grid bias.
Stable homogenization can be achieved.

第12図は本発明の更に他の例を示す回路図である。本
例においては、エミッタ電流を高い精度で均等化して
も、取付け位置又は通気性の差等により、トランジスタ
1〜Q3の温度が均一にならない点に鑑み、温度影響を
受ける位置に温度検出素子を配設したものを示してい
る。温度検出素子は正の温度特性をもつ素子及び負の温
度特性をもつ素子があるが、いずれのものを用いること
ができる。以下二端子素子としてダイオードを用いた例
につき説明する。供給電源VDAからダイオードD1〜D3
の順方向電圧を引いた電圧を偏差増幅器Ad′の入力と
している。ダイオードの順方向電圧は負の温度係数をも
っているため、温度の高いトランジスタに密着又は内蔵
されたダイオードのカソード電位即ち偏差増幅器Ad′
の入力電位が上がり、偏差増幅器Ad′の動作により、
トランジスタのベース電位が下がり、よって温度が均等
化されることになる。
FIG. 12 is a circuit diagram showing still another example of the present invention. In this example, even if the emitter currents are equalized with high accuracy, the temperature of the transistors Q 1 to Q 3 is not uniform due to the difference in the mounting position or the air permeability. The figure shows the arrangement of elements. As the temperature detecting element, there are an element having a positive temperature characteristic and an element having a negative temperature characteristic, and either one can be used. An example using a diode as the two-terminal element will be described below. Supply power V DA to diodes D 1 to D 3
The voltage obtained by subtracting the forward voltage is used as the input of the deviation amplifier Ad '. Since the forward voltage of the diode has a negative temperature coefficient, the cathode potential of the diode closely attached to or built in the transistor having a high temperature, that is, the deviation amplifier Ad '.
Input potential rises and the operation of the deviation amplifier Ad 'causes
The base potential of the transistor is lowered, and the temperature is equalized.

第13図は、電流配分と温度配分との双方を用途に即し
た比率で混合制御するため、温度配分用偏差増幅器Ad
(T)の出力を直列抵抗器r31〜r33を通して電流配分用偏
差増幅器Ad′(I)の出力に結合し、かつトランジスタ
1〜Q3のベースに供給するように構成したものであ
る。その他の構成は第12図例と同様であるので、説明
を省略する。
In FIG. 13, since both the current distribution and the temperature distribution are mixed and controlled in a ratio according to the application, the deviation amplifier Ad for temperature distribution is used.
The output of (T) coupled to the output of the series resistor r 31 ~r 33 through current sharing for deviation amplifier Ad '(I), and those configured to supply to the base of the transistor Q 1 to Q 3 . The other structure is the same as that of the example shown in FIG.

第14図は、第13図における供給電源VDAをVA1〜V
A3に置換することにより、上記二つの偏差増幅器と同様
の制御を一つの偏差増幅器Ad′によって行わせた回路
図である。偏差増幅器Ad′の入力電圧Vinはよく知ら
れた近似式(下記(3)式)によって計算される。ここ
で、電力トランジスタQnのエミッタ電流をIn、エミッ
タ抵抗をrn、ダイオードDnの温度係数をα、周囲温度
をT及びT=25℃におけるダイオードDnの電圧降下を
VnT=25とすると、 Vin=In rn+VnT=25{1+α(T−25)}………
(3) n=1,2,3 と表わされる。
FIG. 14 shows the power supply V DA in FIG. 13 as V A1 -V
FIG. 9 is a circuit diagram in which one deviation amplifier Ad ′ performs the same control as the above two deviation amplifiers by replacing with A3 . Input voltage V in of the deviation amplifier Ad 'is calculated by the well-known approximate equation (the following equation (3)). Here, the emitter current of the power transistor Q n is I n , the emitter resistance is r n , the temperature coefficient of the diode D n is α n , the ambient temperature is T, and the voltage drop of the diode D n at T = 25 ° C.
If V nT = 25 , V in = I n r n + V nT = 25 {1 + α n (T-25)} ………
(3) It is expressed as n = 1, 2, 3.

二端子素子がダイオードのように負の温度係数をもつ素
子を用いたときはVnT=25,αは共に負である。実際
には第(2)式に示される如く、エミッタ電流配分の制御
と同時に温度配分の制御が加わることが理解される。正
の温度特性をもつ素子を用いるときは、供給電源VAn
逆極性とすることにより、同様の動作を得ることができ
る。
When a two-terminal element such as a diode having a negative temperature coefficient is used, both V nT = 25 and α n are negative. In fact, as shown in the equation (2), it is understood that the temperature distribution control is added at the same time as the emitter current distribution control. When an element having a positive temperature characteristic is used, the same operation can be obtained by setting the supply voltage V An to the opposite polarity.

第15図は、ダイオードD1〜D3に代えて偏差増幅器内
の各トランジスタTr1〜Tr3におけるPN接合の順方向電
圧の温度係数を利用した例を示している。尚、第12図
乃至第15図例において、各トランジスタQ1〜Q3とダ
イオードD1〜D3又はトランジスタTr1〜Tr3とは密着状
態を表わすため、破線図示としている。本例の構成によ
れば、上記第8図例及び第9図例の構成に較べて簡略で
ありながら、同等の効果を得ることができる。
Figure 15 shows an example of using the temperature coefficient of the forward voltage of the PN junction in each transistor Tr 1 to Tr 3 in the deviation amplifier instead of the diode D 1 to D 3. In the examples of FIGS. 12 to 15, the transistors Q 1 to Q 3 and the diodes D 1 to D 3 or the transistors Tr 1 to Tr 3 are shown in broken lines to show the close contact state. According to the configuration of this example, the same effect can be obtained while being simpler than the configurations of the above-described examples of FIG. 8 and FIG.

尚、上述の各実施例としてトランジスタを用いて説明し
たが、電界効果トランジスタ又は真空管等の増幅素子を
用いることを妨げない。すなわち以上の説明では、増幅
素子をトランジスタとし、その陽極部はトランジスタの
コレクタに対応し、増幅素子の陰極部はトランジスタの
エミッタに対応し、増幅素子の制御電極部はトランジス
タのベースに対応しているが、電界効果トランジスタで
は、その陽極部はドレインに対応し、増幅素子の陰極部
はソースに対応し、増幅素子の制御電極部はゲートに対
応し、真空管では、その陽極部はプレートに対応し、増
幅素子の陰極部はカソードに対応し、増幅素子の制御電
極部はグリッドに対応していることになる。また温度検
出素子としてダイオードを用いた例を示しているが、熱
電対等その他の二端子素子を用いることができる。
It should be noted that although the description has been given using the transistor as each of the above-described embodiments, the use of an amplifying element such as a field effect transistor or a vacuum tube may be prevented. That is, in the above description, the amplification element is a transistor, the anode part thereof corresponds to the collector of the transistor, the cathode part of the amplification element corresponds to the emitter of the transistor, and the control electrode part of the amplification element corresponds to the base of the transistor. However, in the field effect transistor, the anode part corresponds to the drain, the cathode part of the amplifying element corresponds to the source, the control electrode part of the amplifying element corresponds to the gate, and in the vacuum tube, the anode part corresponds to the plate. However, the cathode part of the amplification element corresponds to the cathode, and the control electrode part of the amplification element corresponds to the grid. Although an example using a diode as the temperature detecting element is shown, other two-terminal elements such as a thermocouple can be used.

以上述べた如く本発明によれば、各陰極部が検出抵抗器
を介して共通接続され、各陽極部が直接又は夫々負荷を
介して共通接続され3個以上n個の増幅素子並列運転回
路において、複数の入力端と同数の出力端を有し、入力
電圧の平均値と各入力電圧との偏差を増幅して各出力と
する偏差増幅器の各入力端を上記陽極部と上記検出抵抗
器との各接続点に接続し、偏差増幅器の各出力端を各増
幅素子の制御電極部に接続したので、 陰極部の抵抗の両端電圧が小さくなると共に、並列回路
中の各増幅素子に流れる電流値をばらつきなく抑制する
ことができることは勿論、増幅素子の陰極側の負帰環用
抵抗値が小であっても電流集中が抑制されるので、熱損
失が抑制されることになる。
As described above, according to the present invention, in each of the three or more n amplifying element parallel operation circuits, the cathode portions are commonly connected through the detection resistor, and the anode portions are commonly connected directly or respectively through the load. , Having a plurality of input terminals and the same number of output terminals, and amplifying the deviation between the average value of the input voltage and each input voltage to each output, each input terminal of the deviation amplifier is the anode section and the detection resistor. Since each output terminal of the deviation amplifier is connected to the control electrode section of each amplification element, the voltage across the resistance of the cathode section becomes smaller and the current value flowing in each amplification element in the parallel circuit. Of course, even if the negative feedback resistance on the cathode side of the amplification element is small, current concentration is suppressed, so that heat loss is suppressed.

また各陰極部が共通接続され、各陽極部が共通接続され
た3個以上n個の増幅素子並列運転回路において、各増
幅素子の温度影響を受ける位置に各温度検出二端子素子
を配設し、上記二端子素子の陽極側を正の供給電圧端に
接続し、陰極側を夫々抵抗器を介して負の供給電圧端に
接続し、 上記陰極側と上記抵抗器との各接続点と、複数の入力端
と同数の出力端を有し入力電圧の平均値と各入力電圧と
の偏差を増幅して各出力とする偏差増幅器の各入力端と
を接続し、上記増幅素子の制御電極部と上記偏差増幅器
の各出力端とを接続したので上記増幅素子の取付位置又
は通気性の影響により温度にばらつきを生ずる場合で
も、上記二端子素子の出力を上記偏差増幅器の入力に印
加されるため、増幅素子の制御電極部電位が下がり、温
度が均等化される。
Further, in a parallel operation circuit of three or more n amplification elements in which each cathode section is commonly connected and each anode section is commonly connected, each temperature detection two-terminal element is arranged at a position affected by the temperature of each amplification element. , The anode side of the two-terminal element is connected to a positive supply voltage terminal, the cathode side is connected to a negative supply voltage terminal via a resistor, respectively, each connection point of the cathode side and the resistor, A control electrode unit of the amplification element, which has a plurality of input terminals and the same number of output terminals, is connected to each input terminal of a deviation amplifier that amplifies a deviation between an average value of the input voltage and each input voltage and outputs each output. Since the output terminals of the deviation amplifier are connected to each other, the output of the two-terminal element is applied to the input of the deviation amplifier even if the temperature varies due to the mounting position of the amplification element or the influence of air permeability. , The control electrode potential of the amplifier is lowered and the temperature is equalized To be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は従来の並列運転回路の一例を示す図、第2図は
動作特性の説明に供する図、第3図は本発明の原理の説
明に供する図、第4図及び第5図は夫々偏差増幅器の例
を示す図、第6図は本発明の一例を示す回路図、第7
図、第8図、第9図、第9図、第10図、第11図、第
12図、第13図、第14図及び第15図は夫々本発明
の他の例を示す回路図である。 Q1〜Q…増幅素子、r1〜r…検出抵抗器、Ad,A
d′…偏差増幅器、D1〜D3…二端子素子。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a conventional parallel operation circuit, FIG. 2 is a diagram for explaining operating characteristics, FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are respectively FIG. 6 is a diagram showing an example of a deviation amplifier, FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of the present invention, and FIG.
FIG. 8, FIG. 9, FIG. 9, FIG. 9, FIG. 10, FIG. 11, FIG. 12, FIG. 12, FIG. 13, FIG. 14, and FIG. 15 are circuit diagrams showing other examples of the present invention. is there. Q 1 to Q ... Amplifying element, r 1 to r ... Detection resistor, Ad, A
d '... deviation amplifier, D 1 ~D 3 ... two-terminal elements.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池上 恒男 宮城県仙台市一番町1−14−6 (72)発明者 小野寺 桂三 宮城県柴田郡柴田町大字中名生字神明堂3 番地1 東北リコ−株式会社内 (72)発明者 畑 良忠 東京都目黒区中目黒二丁目9番13号 スタ ンレ−電気株式会社内 (72)発明者 遠藤 修 東京都大田区千鳥二丁目9番18号 ミクロ ン機器株式会社内 (56)参考文献 特公 昭52−17225(JP,B2) 実公 昭52−27356(JP,Y1) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tsuneo Ikegami 1-14-6 Ichibancho, Sendai City, Miyagi Prefecture (72) Inventor Keizo Onodera 3 Meijido, Nakameisei, Shibata-cho, Shibata-gun, Miyagi Prefecture 1 Tohoku Rico- Incorporated (72) Inventor Yoshitada Hata 2-9-13 Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo Stanley Electric Co., Ltd. (72) Inventor Osamu Endo 2-9-18 Chidori, Ota-ku, Tokyo Micron Equipment Within the corporation (56) References Japanese Patent Publication Sho 52-17225 (JP, B2) Actual Publication 52-27356 (JP, Y1)

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】各陰極部が検出抵抗器を介して共通接続さ
れ、各陽極部が直接又は夫々負荷を介して共通接続され
た3個以上n個の増幅素子並列運転回路において、 複数の入力端と同数の出力端を有し、入力電圧の平均値
と各入力電圧との偏差を増幅して各出力とする偏差増幅
器の各入力端を上記各増幅素子の陽極部と上記検出抵抗
器との各接続点に接続し、偏差増幅器の各出力端を各増
幅素子の制御電極部に接続したことを特徴とする増幅素
子並列運転回路。
1. A plurality of inputs in a parallel operation circuit of 3 or more n amplification elements in which each cathode portion is commonly connected through a detection resistor and each anode portion is commonly connected directly or through a load respectively. Each of the input terminals of the deviation amplifier, which has the same number of output terminals as the output terminals and which amplifies the deviation between the average value of the input voltage and each input voltage to obtain each output, is connected to the anode part of each amplification element and the detection resistor. An amplifier element parallel operation circuit, characterized in that each output terminal of the deviation amplifier is connected to a control electrode portion of each amplifier element.
【請求項2】各陰極部が共通接続され、各陽極部が共通
接続された3個以上n個の増幅素子並列運転回路におい
て、 各増幅素子の温度影響を受ける位置に各温度検出二端子
素子を配設し、上記二端子素子の陽極側を正の供給電圧
端に接続し、陰極側を夫々抵抗器を介して負の供給電圧
端に接続し、 上記陰極側と上記抵抗器との各接続点と、複数の入力端
と同数の出力端を有し入力電圧の平均値と各入力電圧と
の偏差を増幅して各出力とする偏差増幅器の各入力端と
を接続し、 上記増幅素子の制御電極部と上記偏差増幅器の各出力端
とを接続したことを特徴とする増幅素子並列運転回路。
2. A temperature detecting two-terminal element at a position affected by the temperature of each amplifying element in a parallel operation circuit of three or more n amplifying elements in which each cathode section is commonly connected and each anode section is commonly connected. , The anode side of the two-terminal element is connected to the positive supply voltage terminal, the cathode side is connected to the negative supply voltage terminal via a resistor, respectively, the cathode side and the resistor The connection point is connected to each input terminal of a deviation amplifier that has the same number of output terminals as the plurality of input terminals and amplifies the deviation between the average value of the input voltage and each input voltage to obtain each output, A parallel driving circuit for amplifying elements, characterized in that the control electrode portion of (1) and each output terminal of the deviation amplifier are connected.
【請求項3】各陰極部が抵抗器を介して共通接続され、
各陽極部が共通接続された3個以上n個の増幅素子並列
運転回路において、 複数の入力端と同数の出力端を有し入力電圧の平均値と
各入力電圧との偏差を増幅して各出力とする電流配分用
偏差増幅器の各入力端と上記陰極部及び上記抵抗器の各
接続端とを接続し、上記各増幅素子の温度影響を受ける
位置に各温度検出二端子素子を配設し、該二端子素子の
陽極側を正の供給電圧端に接続すると共に陰極側を夫々
抵抗器を介して負の供給電圧端に接続し、 上記陰極側及び上記抵抗器の接続点と、複数の入力端と
同数の出力端を有し入力電圧の平均値と各入力電圧との
偏差を増幅して各出力とする温度配分用偏差増幅器の各
入力端とを接続し、上記電流配分用及び温度配分用偏差
増幅器の各出力端と上記増幅素子の制御電極部とを夫々
接続したことを特徴とする増幅素子並列運転回路。
3. The cathode parts are commonly connected via a resistor,
In three or more n amplifier element parallel operation circuits in which the respective anode parts are commonly connected, each of the amplifier elements has the same number of output terminals as the plurality of input terminals and amplifies the deviation between the average value of the input voltage and each input voltage. Each input terminal of the deviation amplifier for current distribution to be output is connected to each connection terminal of the cathode part and the resistor, and each temperature detection two-terminal element is arranged at a position where the temperature of each amplification element is affected. , The anode side of the two-terminal element is connected to a positive supply voltage terminal and the cathode side is connected to a negative supply voltage terminal via a resistor, respectively, and a connection point of the cathode side and the resistor, and a plurality of It has the same number of output terminals as the input terminals, and connects each input terminal of the temperature distribution deviation amplifier that amplifies the deviation between the average value of the input voltage and each input voltage to each output, and connects the current distribution and temperature. Each output terminal of the distribution deviation amplifier was connected to the control electrode section of the amplification element. Amplifying element parallel operation circuit characterized and.
【請求項4】各陰極部が抵抗器を介して共通接続され、
各陽極部が共通接続された3個以上n個の増幅素子並列
運転回路において、 上記各増幅素子の温度影響を受ける位置に各温度検出二
端子素子を配設し、該二端子素子の陽極側を上記増幅素
子の陰極部と抵抗器との各接続点に接続すると共に、陰
極側を抵抗を介して上記増幅素子の陽極部に生ずる電圧
より低い供給電圧端に接続し、上記陰極側及び上記抵抗
の各接続点と偏差増幅器の各入力端とを接続し、上記各
増幅素子の制御電極部と上記偏差増幅器の各出力端とを
接続したことを特徴とする増幅素子並列運転回路。
4. Each cathode part is commonly connected through a resistor,
In three or more n amplification element parallel operation circuits in which each anode part is commonly connected, each temperature detection two-terminal element is arranged at a position affected by the temperature of each amplification element, and the anode side of the two-terminal element is arranged. Is connected to each connection point of the cathode portion of the amplification element and the resistor, the cathode side is connected through a resistor to a supply voltage end lower than the voltage generated at the anode portion of the amplification element, the cathode side and the above. An amplifier element parallel operation circuit characterized in that each connection point of a resistor is connected to each input terminal of a deviation amplifier, and a control electrode portion of each amplification element is connected to each output terminal of the deviation amplifier.
【請求項5】上記増幅素子並列運転回路の電流検出抵抗
器の両端間の電圧と基準電圧とを入力とする誤差増幅器
を付加し、誤差増幅器の出力端は上記偏差増幅器の出力
端と上記増幅素子の制御電極部との間に接続した特許請
求の範囲第1項記載の増幅素子並列運転回路。
5. An error amplifier that receives the voltage across the current detection resistor of the amplifier element parallel operation circuit and a reference voltage as an input is added, and the output terminal of the error amplifier is the output terminal of the deviation amplifier and the amplifier. The amplifier element parallel operation circuit according to claim 1, which is connected between the element and the control electrode portion.
【請求項6】上記並列運転回路の電流検出抵抗器の両端
間の電圧と基準電圧とを入力とする誤差増幅器を付加
し、誤差増幅器の出力端は偏差増幅器の各出力端と上記
各増幅素子の制御電極部との間に接続した特許請求の範
囲第1項記載の増幅素子並列運転回路。
6. An error amplifier, which receives the voltage between both ends of a current detection resistor of the parallel operation circuit and a reference voltage, is added, and the output end of the error amplifier is each output end of the deviation amplifier and each amplification element. The amplifier element parallel operation circuit according to claim 1, which is connected between the control electrode section and the control electrode section.
【請求項7】上記二端子素子を負の温度係数をもつ素子
で構成した特許請求の範囲第2項、第3項又は第4項記
載の増幅素子並列運転回路。
7. The amplification element parallel operation circuit according to claim 2, 3, or 4, wherein the two-terminal element is an element having a negative temperature coefficient.
【請求項8】上記二端子素子を正の温度係数をもつ素子
で構成し、上記供給電圧の極性を逆にした特許請求の範
囲第2項、第3項又は第4項記載の増幅素子並列運転回
路。
8. The amplifier element parallel according to claim 2, 3, or 4, wherein the two-terminal element is constituted by an element having a positive temperature coefficient, and the polarities of the supply voltages are reversed. Driving circuit.
【請求項9】上記二端子素子を熱電対で構成し、該熱電
対の起電力に応じて上記供給電圧の極性を整えた特許請
求の範囲第2項、第3項又は第4項記載の増幅素子並列
運転回路。
9. The method according to claim 2, wherein the two-terminal element is composed of a thermocouple, and the polarity of the supply voltage is adjusted according to the electromotive force of the thermocouple. Amplifier element parallel operation circuit.
【請求項10】上記増幅素子はトランジスタ、電界効果
トランジスタ又は真空管で構成した特許請求の範囲第1
項、第2項、第3項又は第4項記載の増幅素子並列運転
回路。
10. The amplifying element comprises a transistor, a field effect transistor, or a vacuum tube.
The amplifier element parallel operation circuit according to item (2), item (3) or item (4).
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