JPH06348781A - Layout vertification device - Google Patents

Layout vertification device

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Publication number
JPH06348781A
JPH06348781A JP5140715A JP14071593A JPH06348781A JP H06348781 A JPH06348781 A JP H06348781A JP 5140715 A JP5140715 A JP 5140715A JP 14071593 A JP14071593 A JP 14071593A JP H06348781 A JPH06348781 A JP H06348781A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential
layout pattern
circuit
island
netlist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5140715A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Miyoshi
義弘 三好
Shuhei Nishida
修平 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5140715A priority Critical patent/JPH06348781A/en
Publication of JPH06348781A publication Critical patent/JPH06348781A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To easily form a layout pattern with high reliability without generating a parasitic element by employing such constitution to verify the potential of the forming layer of a P-diffused resistor which comprises a semiconductor integrated circuit. CONSTITUTION:A net list extraction part 16 generates layout pattern drawing net list data 17 and an island free net information file 18 based on a layout pattern drawing net list inputted from a circuit diagram and layout pattern drawing input/output part 1. A circuit simulator 19 performs circuit simulation based on the data 17, and an island potential verification part 21 verifies the potential of an island based on a circuit simulation result 20, the file 18, and the data 17. In such a manner, the potential at both terminals of the P-diffused resistor are compared with that of the forming layer of the P-diffused resistor, thereby, the potential of the forming layer of the P-diffused resistor can be verified. In this way, it is possible to verify the potential of the forming layer of the P-diffused resistor which comprises the semiconductor integrated circuit with high accuracy by the circuit simulation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基板上に分離形成さ
れるエピタキシャル層や基板内のN拡散層等にP拡散に
より形成されるP拡散抵抗を含む半導体集積回路のレイ
アウト検証装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a layout verification device for a semiconductor integrated circuit including a P diffusion resistance formed by P diffusion in an epitaxial layer formed separately on a substrate or an N diffusion layer in a substrate. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来の半導体集積回路のレイアウ
ト検証装置の構成図であり、図において、1は半導体集
積回路図およびそのレイアウトパターン図を入力し表示
する回路図、レイアウトパターン図入出力部、3は回路
図、レイアウトパターン図入出力部1から入力された回
路図を表示するための回路図データ2からその回路を構
成する素子のインスタンス番号とその素子を接続する配
線のネット番号からなる回路図ネットリストデータ4を
作成するネットリスト抽出部、6は回路図、レイアウト
パターン図入出力部1から入力されたレイアウトパター
ン図を表示するためのレイアウトパターン図データ5か
らレイアウトパターン図ネットリストデータ7を作成す
るネットリスト抽出部、8はネットリスト比較部、9は
ネットリスト比較データ、10はネットリスト比較結果
リストである。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit layout verification apparatus. In the figure, reference numeral 1 is a circuit diagram for inputting and displaying a semiconductor integrated circuit diagram and its layout pattern diagram, and layout pattern diagram input / output. And 3 are the circuit diagram and the layout pattern diagram. From the circuit diagram data 2 for displaying the circuit diagram input from the input / output unit 1, from the instance number of the element that constitutes the circuit and the net number of the wiring that connects the element. A netlist extraction unit for creating the circuit diagram netlist data 4 and a layout pattern diagram netlist 6 for displaying the layout pattern diagram input from the circuit diagram / layout pattern diagram input / output unit 1 Netlist extraction unit for creating data 7, 8 netlist comparison unit, 9 netlist comparison Over data, 10 is a net list comparison results list.

【0003】次に動作について説明する。回路図、レイ
アウトパターン図入出力部1によって描かれ表示された
回路図およびそのレイアウトパターン図の上記回路図デ
ータ2はネットリスト抽出部3に入力され、ネットリス
ト抽出部3において、回路図ネットリストデータ4が作
成されネットリスト比較部8に入力される。また、一
方、上記レイアウトパターン図のレイアウトパターン図
データ5はネットリスト抽出部6に入力され、ネットリ
スト抽出部6においてレイアウトパターン図ネットリス
トデータ7が作成されネットリスト比較部8に入力され
る。そして、ネットリスト比較部8において上記レイア
ウトパターン図ネットリストデータ7と回路図ネットリ
ストデータ4とが比較され、ネットリスト比較結果デー
タ8は記憶部(図示せず)に記憶されると共にプリント
されてリスト出力10され接続状態が検証される。
Next, the operation will be described. Circuit diagram, layout pattern diagram The circuit diagram drawn and displayed by the input / output unit 1 and the circuit diagram data 2 of the layout pattern diagram are input to the netlist extracting unit 3, and in the netlist extracting unit 3, the circuit diagram netlist is displayed. Data 4 is created and input to the netlist comparison unit 8. On the other hand, the layout pattern diagram data 5 of the layout pattern diagram is input to the netlist extraction unit 6, the layout pattern diagram netlist data 7 is created in the netlist extraction unit 6, and is input to the netlist comparison unit 8. Then, the layout pattern diagram netlist data 7 is compared with the circuit diagram netlist data 4 in the netlist comparison unit 8, and the netlist comparison result data 8 is stored in a storage unit (not shown) and printed. The list output 10 is performed and the connection state is verified.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のレイアウト検証
装置は以上のように構成されているので、集積回路を構
成しているP拡散抵抗の接続状態は検証されるが、上記
P拡散抵抗11は図7に示されるように基板12上に分
離用P拡散部14によって分離形成されたエピタキシャ
ル層(以下島と称する)13にP拡散によって形成され
ており、上記島13の電位は検証されないので、島13
の電位がP拡散抵抗11の両端の電位よりも低くなって
いると図8に破線で示されるようにトランジスタ等の寄
生素子15が発生し正常動作しなくなる等の問題点があ
った。
Since the conventional layout verifying apparatus is constructed as described above, the connection state of the P diffusion resistance forming the integrated circuit is verified, but the P diffusion resistance 11 is As shown in FIG. 7, since it is formed by P diffusion in the epitaxial layer (hereinafter referred to as an island) 13 that is separated and formed by the separation P diffusion portion 14 on the substrate 12, the potential of the island 13 is not verified, Island 13
If the potential of 2 is lower than the potentials of both ends of the P diffused resistor 11, there is a problem that a parasitic element 15 such as a transistor is generated as shown by a broken line in FIG.

【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体集積回路の接続状態が検
証できると共に上記半導体集積回路を構成するP拡散抵
抗の形成層の電位の検証をもできるレイアウト検証装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to verify the connection state of the semiconductor integrated circuit and verify the potential of the P diffusion resistance forming layer constituting the semiconductor integrated circuit. It is an object of the present invention to provide a layout verification device that can also be used.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係るレイアウ
ト検証装置は半導体集積回路のレイアウトパターン図ネ
ットリストを基に回路シュミレーションを行ない上記半
導体集積回路を構成するP拡散抵抗の両端の電位と上記
P拡散抵抗の形成層の電位とを求め、上記P拡散抵抗の
両端の電位と上記P拡散抵抗の形成層の電位とを比較し
上記P拡散抵抗の形成層電位を検証するようにしたもの
である。
A layout verification device according to the present invention performs circuit simulation based on a layout pattern diagram netlist of a semiconductor integrated circuit, and the potential across the P diffusion resistor and the P diffusion resistor forming the semiconductor integrated circuit. The potential of the diffusion diffusion layer is obtained, the potentials at both ends of the P diffusion resistor are compared with the potential of the diffusion layer formation layer, and the potential of the diffusion layer formation layer is verified. .

【0007】[0007]

【作用】この発明におけるレイアウト検証装置は半導体
集積回路を構成するP拡散抵抗の形成層の電位が回路シ
ミュレーションにより精度高く検証される。
In the layout verifying device according to the present invention, the potential of the layer in which the P diffusion resistance forming the semiconductor integrated circuit is formed is accurately verified by circuit simulation.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

実施例1.以下、図1に示されるこの発明の一実施例に
よるレイアウト検証装置の構成図について説明する。図
1において図6と同一符号は相当部分を示すのでその説
明を省略する。16は回路図、レイアウトパターン図入
出力部1から入力されたレイアウトパターン図ネットリ
ストに基づき図2に示されるレイオウトパターン図ネッ
トリストデータ17および図3に示される島つりネット
情報ファイル18を作成するネットリスト抽出部、19
はレイアウトパターン図ネットリストデータ17に基づ
き回路シュミレーションを行う回路シュミレータ、21
は回路シュミレーション結果20と島つり情報ファイル
18およびレイアウトパターン図ネットリストデータ1
7とに基づき上記島13の電位を検証する抵抗の島電位
検証部である。
Example 1. The configuration diagram of the layout verification apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be described below. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. Reference numeral 16 is a circuit diagram and a layout pattern diagram netlist data 17 shown in FIG. 2 and an island fishing net information file 18 shown in FIG. 3 are created based on the layout pattern diagram netlist input from the layout pattern diagram input / output unit 1. Netlist extraction unit, 19
Is a circuit simulator for performing circuit simulation based on the layout pattern diagram netlist data 17, 21
Is the circuit simulation result 20, the island fishing information file 18, and the layout pattern diagram netlist data 1
7 is a resistance island potential verification unit for verifying the potential of the island 13 on the basis of FIG.

【0009】次に動作について説明する。回路図、レイ
アウトパターン図入出力部1によって描かれ表示された
回路図およびそのレイアウトパターン図の上記回路図デ
ータ2はネットリスト抽出部3に入力され、ネットリス
ト抽出部3において、回路図ネットリスト4が作成され
る。また、一方、上記レイアウトパターン図のレイアウ
トパターン図データ5はネットリスト抽出部6に入力さ
れる。ネットリスト抽出部16において入力されたレイ
アウトパターン図データ15に基づき、図7に示される
島13にP拡散によって形成されるP拡散抵抗のインス
タンス番号と上記P拡散抵抗の両端に接続される配線の
ネット番号および上記島13の端子13aに接続される
配線のネット番号(以後、島つりネット番号と称する)
からなる図2に示されるレイアウトパターン図ネットリ
ストデータ17、および、上記島13にP拡散によって
形成されるP拡散抵抗11のインスタンス番号と上記島
つりネット番号からなる図3に示される島つりネット情
報ファイル18が作成される。そして、従来と同様にネ
ットリスト比較部8において上記回路図ネットリストデ
ータ4とレイアウトパターン図ネットリストデータ17
とが比較され配線状態が検証される。一方、回路シュミ
レータ19は入力されたレイアウトパターン図ネットリ
ストデータ17を基に回路シュミレーションを実行す
る。回路シュミレーション結果20は抵抗の島電位検証
部21に入力され、抵抗の島電位検証部21においてシ
ュミレーション結果ファイル20と島つりネット情報フ
ァイル18およびレイアウトパターン図ネットリストデ
ータ17に基づき島のネット電位(島電位)が、島にP
拡散によって形成されるP拡散抵抗の両端のネット電位
と同電位か、もしくは高電位かを判断され島電位が検証
される。
Next, the operation will be described. Circuit diagram, layout pattern diagram The circuit diagram drawn and displayed by the input / output unit 1 and the circuit diagram data 2 of the layout pattern diagram are input to the netlist extracting unit 3, and in the netlist extracting unit 3, the circuit diagram netlist is displayed. 4 is created. On the other hand, the layout pattern diagram data 5 of the layout pattern diagram is input to the netlist extraction unit 6. Based on the layout pattern diagram data 15 input in the netlist extraction unit 16, the instance number of the P diffusion resistance formed by the P diffusion in the island 13 shown in FIG. 7 and the wiring connected to both ends of the P diffusion resistance. Net number and net number of wiring connected to the terminal 13a of the island 13 (hereinafter referred to as island fishing net number)
2 including the layout pattern diagram netlist data 17 shown in FIG. 2 and the island fishing net shown in FIG. 3 which is composed of the instance number of the P diffusion resistor 11 formed by P diffusion on the island 13 and the island fishing net number. The information file 18 is created. Then, as in the conventional case, the circuit list netlist data 4 and the layout pattern diagram netlist data 17 are used in the netlist comparison unit 8.
And are compared to verify the wiring state. On the other hand, the circuit simulator 19 executes circuit simulation based on the input layout pattern diagram netlist data 17. The circuit simulation result 20 is input to the resistance island potential verification unit 21, and the resistance island potential verification unit 21 calculates the island net potential (based on the simulation result file 20, the island fishing net information file 18 and the layout pattern diagram netlist data 17). Island potential)
The island potential is verified by determining whether it is the same potential as the net potential at both ends of the P diffusion resistance formed by diffusion or a high potential.

【0010】抵抗の島電位検証部21の判断動作は図4
のフローチャートに示される通り、島つりネット情報フ
ァイル18から島に形成されるP拡散抵抗のインスタン
ス番号とP拡散抵抗の島つりネット番号を読み、回路シ
ュミレーション結果ファイル20からネット番号と電圧
値を読み込み(ステップA)、島つりネット情報ファイ
ル18のネット番号Nに対応したシュミレーション結果
ファイル20のネット番号nを探す(N=n)。よっ
て、P拡散抵抗の島つりネット電位(島電位)がVnで
あることが判明する(N=Vn)(ステップB)。次
に、島つりネット情報ファイル18の島つりネット番号
Nに対応したP拡散抵抗のインスタンス番号RNを読み
出し、レイアウトパターン図ネットリスト17より上記
インスタンス番号RNの両端のネット番号20、25を
読み出し、回路シュミレーション結果ファイル20のネ
ット番号20、25から上記P拡散抵抗RNの両端の電
圧値V20、V25を求める(ステップC)。次に、島電位
VnとP拡散抵抗RNの両端の電圧値V20、V25とを比
較し、VnがV20、V25よりも大きい場合、あるいは同
じ場合は島つりネット番号は正常であると判断され、ま
た、VnがV20、V25よりも小さい場合は島つりネット
番号は誤りであると判断され、誤りであると判断された
場合のみレイアウトパターン図データ15にその検証結
果データ22が戻される(ステップD)。
The judgment operation of the resistance island potential verification unit 21 is shown in FIG.
As shown in the flowchart of FIG. 5, the instance number of the P diffusion resistance and the island fishing net number of the P diffusion resistance formed on the island are read from the island fishing net information file 18, and the net number and the voltage value are read from the circuit simulation result file 20. (Step A), the net number n of the simulation result file 20 corresponding to the net number N of the island fishing net information file 18 is searched (N = n). Therefore, it is found that the island fishing net potential (island potential) of the P diffusion resistance is Vn (N = Vn) (step B). Next, the instance number RN of the P diffusion resistance corresponding to the island fishing net number N in the island fishing net information file 18 is read, and the net numbers 20 and 25 at both ends of the instance number RN are read from the layout pattern diagram net list 17. From the net numbers 20 and 25 of the circuit simulation result file 20, the voltage values V 20 and V 25 across the P diffusion resistance RN are obtained (step C). Next, the island potential Vn is compared with the voltage values V 20 and V 25 across the P diffusion resistance RN. If Vn is larger than V 20 and V 25 , or the same, the island net number is normal. If Vn is smaller than V 20 and V 25 , the islanding net number is judged to be erroneous, and only if it is judged to be erroneous, the verification result data 22 is added to the layout pattern diagram data 15. Are returned (step D).

【0011】実施例2.なお、上記実施例1では半導体
集積回路を構成するP拡散抵抗を基板上に分離形成され
たエピタキシャル層にP拡散によって形成したものにつ
いて述べたが、これに限らず、図5に示されるように上
記P拡散抵抗を基板12内のN拡散層にP拡散によって
形成したものであっても良く、前述の実施例1によるレ
イアウト検証装置により同様にして検証することができ
同様の効果を奏する。
Embodiment 2. Although the P-diffusion resistor forming the semiconductor integrated circuit is formed by P-diffusion in the epitaxial layer formed separately on the substrate in the first embodiment, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. The P diffused resistor may be formed in the N diffused layer in the substrate 12 by P diffusion, and can be verified in the same manner by the layout verifying device according to the first embodiment, and the same effect can be obtained.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば半導体
集積回路を構成するP拡散抵抗の形成層の電位を検証す
るように構成したので、寄生素子を発生しない信頼性の
高いレイアウトパターンの形成が容易となる。
As described above, according to the present invention, since the potential of the formation layer of the P diffusion resistance forming the semiconductor integrated circuit is verified, a highly reliable layout pattern in which parasitic elements are not generated can be obtained. Easy to form.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例によるレイアウト検証装置
を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a layout verification apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】レイアウトパターン図ネットリストの一例を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a layout pattern diagram net list.

【図3】島つりネット情報ファイルの一例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an island fishing net information file.

【図4】図1に示される抵抗の島電位検証部21の動作
の一例を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing an example of the operation of the resistance island potential verification unit 21 shown in FIG.

【図5】P拡散抵抗を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing P diffusion resistance.

【図6】従来のレイアウト検証装置を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a conventional layout verification device.

【図7】P拡散抵抗を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing P diffusion resistance.

【図8】寄生素子の発生の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of generation of parasitic elements.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回路図、レイオウトパターン図入出力装置 2 回路図データ 3 ネットリスト抽出部 4 回路図ネットリスト 8 ネットリスト比較部 9 ネットリスト比較結果データ 15 レイアウトパターン図データ 16 ネットリスト抽出部 17 レイアウトパターン図ネットリスト 18 島つりネット情報ファイル 19 回路シミュレータ 20 回路シミュレーション結果 21 抵抗の島電位検証部 1 circuit diagram, layout pattern input / output device 2 circuit diagram data 3 netlist extraction unit 4 circuit diagram netlist 8 netlist comparison unit 9 netlist comparison result data 15 layout pattern diagram data 16 netlist extraction unit 17 layout pattern diagram Netlist 18 Island fishing net information file 19 Circuit simulator 20 Circuit simulation result 21 Resistor island potential verification unit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に分離形成されるエピタキシャル
層や基板内のN拡散層等にP拡散により形成されるP拡
散抵抗を含む半導体集積回路の回路図とそのレイアウト
パターン図入出力部からの回路図データを基に回路図ネ
ットリストを抽出すると共に上記回路図とそのレイアウ
トパターン図入出力部からのレイアウトパターン図デー
タを基にレイアウトパターン図ネットリストを抽出し、
上記両ネットリストを比較しレイアウト検証するものに
おいて、上記レイアウトパターン図ネットリストを基に
回路シュミレーションを行ない上記P拡散抵抗の両端の
電位と上記P拡散抵抗の形成層の電位とを求める回路シ
ュミレータと、上記回路シュミレータで求められたP拡
散抵抗の両端の電位と上記P拡散抵抗の形成層の電位と
を比較し上記P拡散抵抗の形成層電位を検証するP拡散
抵抗の形成層電位検証手段を設けたことを特徴とするレ
イアウト検証装置。
1. A circuit diagram of a semiconductor integrated circuit including a P diffusion resistor formed by P diffusion in an epitaxial layer formed separately on a substrate, an N diffusion layer in a substrate, and the like, and its layout pattern diagram from an input / output section. A circuit diagram netlist is extracted based on the circuit diagram data, and a layout pattern diagram netlist is extracted based on the circuit diagram and the layout pattern diagram data from the layout pattern diagram input / output unit.
A circuit simulator for comparing the two netlists and performing a layout verification, in which a circuit simulation is performed based on the layout pattern diagram netlist to obtain the potentials at both ends of the P diffusion resistance and the potential of the formation layer of the P diffusion resistance. P diffusion resistance formation layer potential verification means for comparing the potentials of both ends of the P diffusion resistance obtained by the circuit simulator with the potentials of the formation layer of the P diffusion resistance to verify the formation layer potential of the P diffusion resistance. A layout verification device characterized by being provided.
JP5140715A 1993-06-11 1993-06-11 Layout vertification device Pending JPH06348781A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072816B1 (en) * 1999-09-30 2006-07-04 International Business Machines Corporation Method and system for providing hierarchical self-checking in ASIC simulation

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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