JPH06334449A - Multi-layered board for high frequency amplifier circuit - Google Patents

Multi-layered board for high frequency amplifier circuit

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JPH06334449A
JPH06334449A JP5146834A JP14683493A JPH06334449A JP H06334449 A JPH06334449 A JP H06334449A JP 5146834 A JP5146834 A JP 5146834A JP 14683493 A JP14683493 A JP 14683493A JP H06334449 A JPH06334449 A JP H06334449A
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JP
Japan
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frequency amplifier
circuit
amplifier circuit
input
output
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Application number
JP5146834A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasunobu Tsuji
康暢 辻
Katsuyuki Miyauchi
克行 宮内
Yutaka Taguchi
豊 田口
Kazuo Eda
和生 江田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a board possible for miniaturization while having excellent input output isolation by providing three or more ground layers among four or more dielectric layers and using a strip line between ground layers for an input side circuit and using a strip line between different ground layers for an output side circuit. CONSTITUTION:Ground layers 3-5 are formed among dielectric layers 6-11. Strip lines 1, 2 are respectively separated by the ground layers 3, 4 and connected to electrodes 14, 15 of a semiconductor element 16 through via-holes 12, 13. When the line 1 is used for an input side of a high frequency amplifier circuit and the line 2 is used for an output side, the oscillation due to direct propagation of the signal between the input side circuit and the output side circuit hardly takes place. Furthermore, it is not required to increase the distance between the lines 1 and 2 and miniaturization is attained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、入出力間のアイソレー
ションを必要とする高周波増幅器回路を構成する多層基
板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer substrate which constitutes a high frequency amplifier circuit which requires isolation between input and output.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、高周波増幅器回路を構成する多層
基板としては、誘電体層とグランド層とを多層構造に積
層して構成されており、例えば、図5は、従来の高周波
増幅器回路の構成図を示す。また、図6は、従来のアン
テナスイッチ回路の構成図を示すものである。図5およ
び図6において、22,23はストリップライン(一方が入
力側、他方が出力側)、24,25はグランド層、26,27,
28,29は誘電体層、30,31はビアホール、32,33は電
極、34は実装された半導体素子である。また、ビアホー
ル30,31は、多層基板上面の電極32,33とストリップラ
イン22,23とを接続するものであり、グランド層24と交
わる部分では、グランドを構成しているパターンと接触
しないようにしている。なお、図では説明のために、チ
ップコンデンサ、あるいはチップ抵抗の受動部品などの
高周波増幅器回路上、およびアンテナスイッチ回路上に
搭載される電子部品は省略している。以上のように構成
された従来の高周波増幅器回路(図5)、およびアンテ
ナスイッチ回路(図6)について、以下その動作につい
てそれぞれ説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a multilayer substrate constituting a high frequency amplifier circuit has been constructed by laminating a dielectric layer and a ground layer in a multilayer structure. For example, FIG. 5 shows the configuration of a conventional high frequency amplifier circuit. The figure is shown. Further, FIG. 6 shows a configuration diagram of a conventional antenna switch circuit. 5 and 6, 22 and 23 are strip lines (one is an input side, the other is an output side), 24 and 25 are ground layers, 26, 27,
28 and 29 are dielectric layers, 30 and 31 are via holes, 32 and 33 are electrodes, and 34 is a mounted semiconductor element. Further, the via holes 30 and 31 connect the electrodes 32 and 33 on the upper surface of the multilayer substrate to the strip lines 22 and 23, and at the portion intersecting with the ground layer 24, the via holes 30 and 31 should not come into contact with the pattern forming the ground. ing. For the sake of explanation, electronic components mounted on the high frequency amplifier circuit such as a chip capacitor or a passive component such as a chip resistor and on the antenna switch circuit are omitted in the figure. The operations of the conventional high-frequency amplifier circuit (FIG. 5) and the antenna switch circuit (FIG. 6) configured as described above will be described below.

【0003】従来の高周波増幅器回路は、図5に示すよ
うに、入力側回路、出力側回路にそれぞれストリップラ
イン22,23が用いられている。上記ストリップラインの
内、一方のストリップライン22は、ビアホール30により
多層基板上面の電極32に実装された半導体素子34と接続
されている。また、他方のストリップライン23はビアホ
ール31により多層基板上面の電極33に実装された半導体
素子34と接続され、高周波増幅器回路を構成している。
このようにストリップライン22,23を多層基板の中の同
層に設けると、ストリップライン22,23間で信号が直接
伝搬してしまい、良好な入出力間のアイソレーションが
得られず、入力端子から入った信号がストリップライン
22を通って半導体素子34だけでなく他方のストリップラ
イン23にも伝搬し、また、ストリップライン23を通る信
号も出力端子だけでなくストリップライン22にも伝搬し
て、信号がストリップライン22,23の間で往復するので
発振してしまう可能性を持っていた。それ故、良好な入
出力間のアイソレーションを得るため、ストリップライ
ン22,23をできるだけ距離を大きく取り、お互いの信号
の直接伝搬を避けていた。
In a conventional high frequency amplifier circuit, as shown in FIG. 5, strip lines 22 and 23 are used for an input side circuit and an output side circuit, respectively. One of the striplines 22 is connected to the semiconductor element 34 mounted on the electrode 32 on the upper surface of the multilayer substrate by the via hole 30. The other strip line 23 is connected to a semiconductor element 34 mounted on an electrode 33 on the upper surface of the multilayer substrate by a via hole 31 to form a high frequency amplifier circuit.
If the strip lines 22 and 23 are provided in the same layer in the multilayer substrate as described above, a signal directly propagates between the strip lines 22 and 23, and good isolation between input and output cannot be obtained, and the input terminal The signal coming from the strip line
The signal propagates to not only the semiconductor element 34 but also the other strip line 23 through 22 and the signal passing through the strip line 23 also propagates not only to the output terminal but also to the strip line 22. There was a possibility that it would oscillate because it reciprocates between. Therefore, in order to obtain a good isolation between the input and the output, the strip lines 22 and 23 are arranged as large as possible to avoid direct propagation of signals from each other.

【0004】また、従来のアンテナスイッチ回路にあっ
ては、図6に示す如く入力側回路、出力側回路にそれぞ
れストリップライン22,23が用いられ、一方のストリッ
プライン22はビアホール30により多層基板上面の電極32
に実装された半導体素子34と接続され、また、他方のス
トリップライン23はビアホール31により多層基板上面の
電極32に実装された半導体素子34と接続され、アンテナ
スイッチ回路を構成していた。スイッチの役目をするア
ンテナスイッチ回路は、ON状態のとき入力信号は増幅
されて出力し、また、OFF状態のとき入力信号は出力
されないような回路であるので、ON状態の出力とOF
F状態の出力間のアイソレーションが良好であることが
必要である。すなわち、OFF状態の入出力間のアイソ
レーションが十分大きい必要がある。しかし、上記スト
リップラインを多層基板の中の同層に設けると、ストリ
ップライン間で信号が伝搬してしまい、良好な入出力間
のアイソレーションが得られない。それ故、良好なアイ
ソレーションを得るため、ストリップライン22,23をで
きるだけ距離を大きく取り、信号の直接伝搬を避けてい
た。
Further, in the conventional antenna switch circuit, strip lines 22 and 23 are used for the input side circuit and the output side circuit, respectively, as shown in FIG. The electrode 32
And the other stripline 23 was connected to the semiconductor element 34 mounted on the electrode 32 on the upper surface of the multilayer substrate by the via hole 31 to form an antenna switch circuit. The antenna switch circuit, which functions as a switch, is a circuit that amplifies and outputs the input signal when it is in the ON state, and does not output the input signal when it is in the OFF state.
Good isolation between outputs in the F state is required. That is, the isolation between the input and the output in the OFF state needs to be sufficiently large. However, if the strip line is provided in the same layer of the multilayer substrate, a signal propagates between the strip lines, and good isolation between input and output cannot be obtained. Therefore, in order to obtain good isolation, the strip lines 22 and 23 are arranged as large as possible to avoid direct signal propagation.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
同層にストリップラインを設けているので、ストリップ
ライン間での信号の直接伝搬は避けられず、入出力間の
アイソレーションが少なからず劣化することにより、高
周波増幅器回路では発振する可能性を持っているという
問題点を有していた。また、アンテナスイッチ回路では
ON状態の出力とOFF状態の出力側のアイソレーショ
ンが良好に得られないという問題点を有していた。さら
に、上記従来の構成にあっては、高周波増幅器回路およ
びアンテナスイッチ回路のいずれの場合も、ストリップ
ライン間の信号の直接伝搬をできるだけ避けるため、そ
れぞれのストリップラインをできるだけ距離を離さなけ
ればならず、多層基板を使用することにより回路基板の
大きさを小型化するという本来の目的が達成できないと
いう問題点を有していた。
SUMMARY OF THE INVENTION In the above conventional configuration,
Since the stripline is provided in the same layer, direct signal propagation between the striplines is unavoidable, and the isolation between input and output deteriorates to some extent, which may cause oscillation in the high-frequency amplifier circuit. It had a problem that Further, in the antenna switch circuit, there is a problem that good isolation cannot be obtained between the output in the ON state and the output in the OFF state. Furthermore, in the above-described conventional configuration, in both the high frequency amplifier circuit and the antenna switch circuit, in order to avoid direct propagation of a signal between the strip lines as much as possible, each strip line must be separated as much as possible. However, there is a problem that the original purpose of reducing the size of the circuit board cannot be achieved by using the multilayer board.

【0006】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、良好な入出力間のアイソレーションが得られ、か
つ、多層基板による回路の小型化が十分達成可能である
高周波増幅器回路多層基板を提供することを目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art. A high-frequency amplifier circuit multi-layer substrate which can obtain good isolation between input and output and can sufficiently achieve miniaturization of the circuit by the multi-layer substrate. The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波増幅器回路多層基板は、入出力間の
アイソレーションを必要とした高周波増幅器回路を、任
意層数で積層した誘電体の多層基板を用いて構成した高
周波増幅器回路多層基板において、少なくとも4層以上
の誘電体層と誘電体層間に3か所以上のグランド層を有
し、その異なるグランド層間にストリップラインを有
し、一方のグランド層間のストリップラインを高周波増
幅器回路の入力側回路に、異なるグランド層間のストリ
ップラインを高周波増幅器回路の出力側回路に用いるこ
とを特徴とする高周波増幅器回路多層基板である。
In order to achieve the above object, a high frequency amplifier circuit multilayer substrate of the present invention is a dielectric body in which high frequency amplifier circuits requiring isolation between input and output are laminated in an arbitrary number of layers. In a high-frequency amplifier circuit multilayer substrate configured by using the multilayer substrate of, at least four or more dielectric layers and three or more ground layers between dielectric layers, and strip lines between the different ground layers, A high-frequency amplifier circuit multilayer substrate, wherein a strip line between one ground layer is used as an input side circuit of a high-frequency amplifier circuit and a strip line between different ground layers is used as an output-side circuit of a high-frequency amplifier circuit.

【0008】また、請求項2の本発明は、上記入出力間
のアイソレーションを必要とした高周波増幅器回路を、
特に、アンテナから見た受信側の入力インピーダンスを
変化させ、受信部に入力する信号レベルを変化させるア
ンテナスイッチ回路としたことを特徴とする高周波増幅
器回路多層基板である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a high frequency amplifier circuit which requires isolation between the input and the output.
In particular, the high frequency amplifier circuit multilayer substrate is characterized in that the antenna switch circuit changes the input impedance of the receiving side viewed from the antenna and changes the signal level input to the receiving section.

【0009】[0009]

【作用】したがって、本発明の高周波増幅器回路多層基
板によれば、それぞれのストリップラインは、グランド
層によって分離された独立した構成となり、信号の直接
伝搬は全く無いとみなすことができるので、良好な入出
力間のアイソレーションを得ることができ、高周波増幅
器回路では発振の可能性がなくなるものである。
Therefore, according to the high-frequency amplifier circuit multilayer substrate of the present invention, each stripline has an independent structure separated by the ground layer, and it can be considered that there is no direct signal propagation, which is preferable. The isolation between the input and output can be obtained, and the possibility of oscillation disappears in the high frequency amplifier circuit.

【0010】また、請求項2の本発明のアンテナスイッ
チ回路によれば、それぞれのストリップラインは、グラ
ンド層によって分離された独立した多層基板の構成とな
るので、送信側と受信側のストリップライン間における
信号の直接伝搬は全く無いとみなすことができるので、
アンテナスイッチがON状態の出力とOFF状態の出力
間の良好なアイソレーションが得られるようになる。
Further, according to the antenna switch circuit of the present invention as defined in claim 2, since each stripline has a structure of an independent multilayer substrate separated by the ground layer, the stripline between the transmitting side and the receiving side is provided. Since we can assume that there is no direct propagation of the signal at
Good isolation between the output when the antenna switch is ON and the output when the antenna switch is OFF can be obtained.

【0011】また、本発明の高周波増幅器回路多層基板
によれば、それぞれ異なるグランド層間にストリップラ
インを有しているので、独立したそれぞれのストリップ
ラインが、多層基板の中で上下のグランド層に分離して
配置されており、高周波増幅器回路多層基板による回路
や、多層基板によるアンテナスイッチ回路を小型化する
という本来の目的も十分実現できるものである。
Further, according to the high frequency amplifier circuit multi-layer substrate of the present invention, since the strip lines are provided between the different ground layers, each independent strip line is separated into the upper and lower ground layers in the multi-layer substrate. It is possible to sufficiently realize the original purpose of downsizing the circuit of the high frequency amplifier circuit multilayer substrate and the antenna switch circuit of the multilayer substrate.

【0012】[0012]

【実施例1】以下本発明の一実施例について、図面に従
って説明する。図1は、本発明の第1実施例に係る高周
波増幅器回路多層基板の実装断面図を示すものである。
図中において1,2はストリップライン(一方が入力
側、他方が出力側)、3,4,5はグランド層、6,
7,8,9,10,11は誘電体層、12,13はビアホール、
14,15は電極、16は実装された半導体素子である。ま
た、ビアホール12,13は多層基板上面の電極14,15とス
トリップライン1,2を接続するものであり、グランド
層3,4と交わる部分では、グランドを構成しているパ
ターンと接触しないようにしている。
Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a mounting cross-sectional view of a high frequency amplifier circuit multilayer substrate according to the first embodiment of the present invention.
In the figure, 1 and 2 are strip lines (one is an input side, the other is an output side), 3, 4, and 5 are ground layers, and 6,
7, 8, 9, 10, 11 are dielectric layers, 12 and 13 are via holes,
Reference numerals 14 and 15 are electrodes, and 16 is a mounted semiconductor element. Further, the via holes 12 and 13 connect the electrodes 14 and 15 on the upper surface of the multilayer substrate to the strip lines 1 and 2, and at the portions intersecting with the ground layers 3 and 4, prevent contact with the pattern forming the ground. ing.

【0013】以上のように構成された高周波増幅器回路
多層基板において、入力側回路、出力側回路にそれぞれ
ストリップライン1,2を用いると、ストリップライン
1はビアホール12により多層基板上面の電極14に実装さ
れた半導体素子16と接続され、ストリップライン2はビ
アホール13により多層基板上面の電極15に実装された半
導体素子16と接続され、高周波増幅器回路を実現してい
る。
In the high-frequency amplifier circuit multilayer board having the above-mentioned structure, if strip lines 1 and 2 are used for the input side circuit and the output side circuit, the strip line 1 is mounted on the electrode 14 on the upper surface of the multilayer board by the via hole 12. The stripline 2 is connected to the semiconductor element 16 mounted on the electrode 15 on the upper surface of the multilayer substrate by the via hole 13 to realize a high frequency amplifier circuit.

【0014】高周波増幅器の電気回路の実施例を図2に
示す。この回路の入力部の一部にストリップライン1、
出力部の一部にストリップライン2を用いており、スト
リップライン1,2を用いた高周波増幅器回路多層基板
に実装すると図1の様になる(図では、高周波増幅器回
路の一部のみを示している)。ただし、ここでは、半導
体素子16にFFTを用いている。
FIG. 2 shows an embodiment of the electric circuit of the high frequency amplifier. The strip line 1 is connected to a part of the input of this circuit.
The stripline 2 is used as a part of the output section, and when mounted on a high-frequency amplifier circuit multilayer substrate using the striplines 1 and 2, it becomes as shown in FIG. 1 (in the figure, only a part of the high-frequency amplifier circuit is shown. Exist). However, here, the FFT is used for the semiconductor element 16.

【0015】このようにストリップライン1,2をそれ
ぞれグランド層3,4によって分離した構造、すなわ
ち、入力側回路と出力側回路の間を信号が直接伝搬しな
いような構造にすると、従来構造で確認された入力側回
路と出力側回路間の信号の直接伝搬による発振現象がほ
とんど発生しなくなった。また、ストリップライン1,
2間の距離を大きく取る必要もなくなり、小型化が可能
になった。
When the strip lines 1 and 2 are thus separated by the ground layers 3 and 4, that is, the structure in which the signal does not directly propagate between the input side circuit and the output side circuit, the conventional structure is confirmed. The oscillation phenomenon due to the direct propagation of the signal between the input side circuit and the output side circuit almost disappeared. Also, stripline 1,
There is no need to increase the distance between the two, and it is possible to reduce the size.

【0016】なお上記実施例において、誘電体層6,
7,8,9,10,11は、少なくとも4層以上設けた構成
にしてあればよく、また、誘電体層間のグランド層3,
4,5は3か所以上の構成にしたものであればよい。ま
た、ストリップライン1,2は、その異なるグランド層
3,4,5間に分離独立して形成して用いるものであ
る。
In the above embodiment, the dielectric layers 6,
7,8,9,10,11 may have a structure in which at least four layers are provided, and the ground layer 3 between the dielectric layers 3 and
4 and 5 may have three or more configurations. The strip lines 1 and 2 are separately formed between the different ground layers 3, 4 and 5 for use.

【0017】[0017]

【実施例2】次に、本発明の第2の実施例について図面
を参照しながら説明する。図3は、本発明の第2の実施
例におけるアンテナスイッチ回路への多層基板の実装断
面図を示すものである。図中において1,2はストリッ
プライン(一方が入力側、他方が出力側)、3,4,5
はグランド層、6,7,8,9,10,11は誘電体層、1
2,13はビアホール、14,15は電極、16は実装された半
導体素子である。また、ビアホール12,13は多層基板上
面の電極14,15とストリップライン1,2を接続するも
のであり、グランド層3,4と交わる部分では、グラン
ドを構成しているパターンと接触しないようにしてい
る。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a sectional view showing the mounting of the multilayer substrate on the antenna switch circuit according to the second embodiment of the present invention. In the figure, 1 and 2 are strip lines (one is an input side, the other is an output side), 3, 4, and 5.
Is a ground layer, 6, 7, 8, 9, 10, 11 is a dielectric layer, 1
Reference numerals 2 and 13 are via holes, 14 and 15 are electrodes, and 16 is a mounted semiconductor element. Further, the via holes 12 and 13 connect the electrodes 14 and 15 on the upper surface of the multilayer substrate to the strip lines 1 and 2, and at the portions intersecting with the ground layers 3 and 4, prevent contact with the pattern forming the ground. ing.

【0018】以上のように構成されたアンテナスイッチ
回路多層基板において、入力側回路、出力側回路にそれ
ぞれストリップライン1,2を用いると、ストリップラ
イン1はビアホール12により多層基板上面の電極14に実
装された半導体素子16と接続され、ストリップライン2
はビアホール13により多層基板上面の電極15に実装され
た半導体素子16と接続され、アンテナスイッチ回路を実
現している。
In the antenna switch circuit multilayer substrate having the above-mentioned structure, if strip lines 1 and 2 are used for the input side circuit and the output side circuit, respectively, the strip line 1 is mounted on the electrode 14 on the upper surface of the multilayer substrate by the via hole 12. Connected to the semiconductor device 16 connected to the strip line 2
Is connected to a semiconductor element 16 mounted on an electrode 15 on the upper surface of the multilayer substrate by a via hole 13 to realize an antenna switch circuit.

【0019】アンテナスイッチ回路の実施例として、簡
素化したブロック図を、図4Aに示す。また、アンテナ
スイッチの電気回路の実施例を、図4Bに示す。アンテ
ナスイッチ回路は、送信部からアンテナへの信号と、ア
ンテナから受信部への信号を切り換えるスイッチ回路で
あり、図4Bに示したコントロールゲートによりアンテ
ナスイッチ回路のON状態、および、OFF状態が決定
される。すなわち、コントロールゲートに電圧をかけな
いときがON状態となり、アンテナからの受信信号が入
力され増幅し出力されて、受信部に受信信号を送る。ま
た、コントロールゲートに負の電圧をかけるとOFF状
態となり、送信部から見た受信側の入力反射係数が大き
くなりアンテナへのみ送信信号が送られる。すなわち、
アンテナから見た受信側の入力インピーダンスを変化さ
せ、受信部に入力する信号レベルを変化させて伝達させ
るアンテナスイッチ回路が構成されている。
As a preferred embodiment of the antenna switch circuit, a simplified block diagram is shown in FIG. 4A. An example of the electric circuit of the antenna switch is shown in FIG. 4B. The antenna switch circuit is a switch circuit that switches a signal from the transmission unit to the antenna and a signal from the antenna to the reception unit, and the ON state and the OFF state of the antenna switch circuit are determined by the control gate illustrated in FIG. 4B. It That is, when no voltage is applied to the control gate, it is turned on, and the received signal from the antenna is input, amplified and output, and the received signal is sent to the receiving unit. Further, when a negative voltage is applied to the control gate, the control gate is turned off, the input reflection coefficient on the receiving side as seen from the transmitting section increases, and the transmitting signal is sent only to the antenna. That is,
An antenna switch circuit is configured to change the input impedance on the receiving side as viewed from the antenna and change the signal level input to the receiving unit for transmission.

【0020】しかし、アンテナスイッチ回路の入出力間
のアイソレーションが良好でないと、OFF状態のとき
送信側からみた受信側の入力反射係数が小さくなり送信
信号が受信部へ送られることになるので、入出力間のア
イソレーションが良好であることが望まれる。図4Bで
は、このアンテナスイッチ回路の入力部の一部にストリ
ップライン1、出力部の一部にストリップライン2を用
いており、ストリップライン1,2を用いたアンテナス
イッチ回路を多層基板に実装すると図3のようになる
(図ではアンテナスイッチ回路の一部のみを図示してい
る)。ただし、ここでは、半導体素子16にFET(デュ
アルゲートタイプ)を用いている。
However, if the isolation between the input and output of the antenna switch circuit is not good, the input reflection coefficient of the receiving side when viewed from the transmitting side becomes small and the transmitting signal is sent to the receiving section when in the OFF state. Good isolation between input and output is desired. In FIG. 4B, a strip line 1 is used for a part of the input part and a strip line 2 is used for a part of the output part of the antenna switch circuit. When the antenna switch circuit using the strip lines 1 and 2 is mounted on a multilayer substrate, As shown in FIG. 3 (only a part of the antenna switch circuit is shown in the figure). However, here, an FET (dual gate type) is used for the semiconductor element 16.

【0021】このように、ストリップライン1,2をそ
れぞれグランド層3,4により分離した構造、すなわ
ち、入力側回路と出力側回路の間を直接信号が伝搬しな
いような構造にすると、従来構造で約45dBであったON
状態の出力とOFF状態の出力のアイソレーションが約
70dBと良好なアイソレーションが得られた。また、スト
リップライン1,2間の距離を大きく取る必要もなくな
り、小型化が可能となった。
As described above, when the strip lines 1 and 2 are separated by the ground layers 3 and 4, that is, the structure in which the signal does not directly propagate between the input side circuit and the output side circuit, the conventional structure is obtained. ON which was about 45 dB
The isolation of the output of the state and the output of the OFF state is about
A good isolation of 70 dB was obtained. Further, it is not necessary to set a large distance between the strip lines 1 and 2, and the size can be reduced.

【0022】なお、上記実施例2のアンテナスイッチ回
路の多層基板において、誘電体層6,7,8,9,10,
11は、少なくとも4層以上設けた構成にしてあればよ
く、また、誘電体層間のグランド層3,4,5は3か所
以上の構成にしたものであればよい。また、ストリップ
ライン1,2は、その異なるグランド層3,4,5間に
分離独立して形成して用いるものである。また、上記実
施例1,2では、入力側回路にストリップライン1を、
出力側回路にストリップライン2を用いたが、入力側と
出力側を反対にして、入力側回路にストリップライン2
を用い、出力側回路にストリップライン1を用いるよう
にしてもよい。
In the multi-layer substrate of the antenna switch circuit of the second embodiment, the dielectric layers 6, 7, 8, 9, 10,
It is sufficient for 11 to have a structure in which at least four layers are provided, and the ground layers 3, 4, and 5 between the dielectric layers may have three or more positions. The strip lines 1 and 2 are separately formed between the different ground layers 3, 4 and 5 for use. In the first and second embodiments, the strip line 1 is provided in the input side circuit.
Although the strip line 2 is used for the output side circuit, the strip line 2 is used for the input side circuit by reversing the input side and the output side.
Alternatively, the strip line 1 may be used for the output side circuit.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上述べた如く、本発明の請求項1の発
明は、入出力間のアイソレーションを必要とした高周波
増幅器回路を、任意の層数積層した誘電体の多層基板を
用いて構成した高周波増幅器回路多層基板において、少
なくとも4層以上の誘電体層と誘電体層間に3か所以上
のグランド層を有し、その異なるグランド層間にストリ
ップラインを有し、一方のグランド層間のストリップラ
インを高周波増幅器回路の入力側回路に、異なるグラン
ド層間のストリップラインを高周波増幅器回路の出力側
回路に用いることを特徴とする高周波増幅器回路多層基
板であるので、入力側回路と出力側回路をグランド層に
より分離し、別々の層に設けることにより、良好な入出
力間のアイソレーションを得ることができ、かつ、多層
基板を小型化できる優れた高周波増幅器回路多層基板を
実現できるものである。
As described above, according to the invention of claim 1 of the present invention, a high frequency amplifier circuit requiring isolation between input and output is constructed by using a dielectric multilayer substrate in which an arbitrary number of layers are laminated. In the high-frequency amplifier circuit multi-layer substrate, at least four or more dielectric layers and three or more ground layers are provided between the dielectric layers, and strip lines are provided between the different ground layers. Is used as an input side circuit of a high frequency amplifier circuit, and a strip line between different ground layers is used as an output side circuit of the high frequency amplifier circuit, so that the input side circuit and the output side circuit are connected to the ground layer. Separation by and providing on separate layers, good isolation between input and output can be obtained, and the multilayer board can be miniaturized. Those that can achieve excellent high-frequency amplifier circuit multilayer board.

【0024】また、請求項2の発明は、上記入出力間の
アイソレーションを必要とした高周波増幅器回路を、特
に、アンテナから見た受信側の入力インピーダンスを変
化させ、受信部に入力する信号レベルを変化させるアン
テナスイッチ回路としたことを特徴とする高周波増幅器
回路多層基板であるので、入力側回路と出力側回路をグ
ランド層により分離し、別々の層を設けることにより、
良好なON状態の出力とOFF状態の出力間のアイソレ
ーションを得ることができ、かつストリップラインの距
離を大きく取る必要もなくなるので、アンテナスイッチ
回路を小型化できる優れた高周波増幅器回路多層基板を
実現できるものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a high-frequency amplifier circuit which requires isolation between the input and the output, in particular, a signal level input to the receiving section by changing the input impedance of the receiving side viewed from the antenna. Since it is a high-frequency amplifier circuit multilayer substrate characterized by being an antenna switch circuit that changes the, the input side circuit and the output side circuit are separated by a ground layer, by providing a separate layer,
An excellent high-frequency amplifier circuit multi-layer substrate that can miniaturize the antenna switch circuit is realized because good isolation between the output in the ON state and the output in the OFF state can be obtained and it is not necessary to take a large stripline distance. It is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における高周波増幅器回
路多層基板の実装断面図、
FIG. 1 is a mounting cross-sectional view of a high-frequency amplifier circuit multilayer substrate according to a first embodiment of the present invention,

【図2】第1の実施例における高周波増幅器の電気回路
図、
FIG. 2 is an electric circuit diagram of the high-frequency amplifier according to the first embodiment,

【図3】本発明の第2の実施例におけるアンテナスイッ
チ回路多層基板の実装断面図、
FIG. 3 is a mounting cross-sectional view of an antenna switch circuit multilayer board according to a second embodiment of the present invention,

【図4】第2の実施例におけるアンテナスイッチ回路の
簡素化したブロック図、
FIG. 4 is a simplified block diagram of an antenna switch circuit according to a second embodiment,

【図5】第2の実施例におけるアンテナスイッチの電気
回路図、
FIG. 5 is an electric circuit diagram of an antenna switch according to a second embodiment,

【図6】従来の高周波増幅器回路多層基板の構成図、FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional high-frequency amplifier circuit multilayer substrate,

【図7】従来のアンテナスイッチ回路多層基板の構成
図、
FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional antenna switch circuit multilayer substrate,

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2. ストリップライン 3,4,5. グランド層 6,7,8,9,10,11. 誘電体層 12,13. ビアホール 14,15. 電極 16. 半導体素子 17. アンテナ 18. アンテナスイッチ回路 19. 受信部 20. 送信バンドバスフィルタ 21. 送信部 22,23. ストリップライン 24,25. グランド層 26,27,28,29. 誘電体層 30,31. ビアホール 32,33. 電極 34. 半導体素子 1,2. Strip line 3,4,5. Ground layer 6, 7, 8, 9, 10, 11. Dielectric layer 12,13. Beer hole 14,15. Electrode 16. Semiconductor device 17. Antenna 18. Antenna switch circuit 19. Receiver 20. Transmission band bus filter 21. Transmitter 22,23. Strip line 24,25. Ground layer 26,27,28,29. Dielectric layer 30,31. Beer holes 32, 33. Electrode 34. Semiconductor element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江田 和生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuo Eda 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入出力間のアイソレーションを必要とし
た高周波増幅器回路を、任意層数で積層した誘電体の多
層基板を用いて構成した高周波増幅器回路多層基板にお
いて、少なくとも4層以上の誘電体層と誘電体層間に3
か所以上のグランド層を有し、その異なるグランド層間
にストリップラインを有し、一方のグランド層間のスト
リップラインを高周波増幅器回路の入力側回路に、異な
るグランド層間のストリップラインを高周波増幅器回路
の出力側回路に用いることを特徴とする高周波増幅器回
路多層基板。
1. A high frequency amplifier circuit multi-layer substrate comprising a dielectric multi-layer substrate in which an arbitrary number of layers are laminated, the high frequency amplifier circuit requiring isolation between input and output, and at least four or more dielectric layers. 3 between layers and dielectric layer
It has more than one ground layer and has strip lines between different ground layers. The strip line between one ground layer is the input side circuit of the high frequency amplifier circuit and the strip line between different ground layers is the output of the high frequency amplifier circuit. A high-frequency amplifier circuit multilayer substrate, which is used for a side circuit.
【請求項2】 上記入出力間のアイソレーションを必要
とした高周波増幅器回路を、特に、アンテナから見た受
信側の入力インピーダンスを変化させ、受信部に入力す
る信号レベルを変化させるアンテナスイッチ回路とした
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波増幅器回路多
層基板。
2. A high-frequency amplifier circuit that requires isolation between the input and output, and in particular, an antenna switch circuit that changes the input impedance of the receiving side as viewed from the antenna and changes the signal level input to the receiving section. The high frequency amplifier circuit multilayer substrate according to claim 1, wherein
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