JPH06334024A - Substrate retainer - Google Patents
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- JPH06334024A JPH06334024A JP14554693A JP14554693A JPH06334024A JP H06334024 A JPH06334024 A JP H06334024A JP 14554693 A JP14554693 A JP 14554693A JP 14554693 A JP14554693 A JP 14554693A JP H06334024 A JPH06334024 A JP H06334024A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置、イオンビームエッチング装置、薄膜形成装置等に用
いられるものであって、基板を静電気によって吸着する
静電チャックを用いた基板保持装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate holding device using an electrostatic chuck for attracting a substrate by static electricity, which is used in, for example, an ion implantation device, an ion beam etching device, a thin film forming device and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】イオン注入装置等においては、現在、基
板表面へのパーティクル付着の問題がクローズアップさ
れており、基板を注入（処理）位置に固定する時に、基
板の上面に他の物が触れない固定手段が求められてい
る。その一つに静電チャックがある。2. Description of the Related Art In ion implantation equipment and the like, the problem of particles adhering to the surface of a substrate is currently being highlighted. When fixing the substrate at the implantation (processing) position, another object touches the upper surface of the substrate. No fixing means are sought. One of them is an electrostatic chuck.
【０００３】図３は、静電チャックを用いた従来の基板
保持装置を示す図である。この基板保持装置は、基板
（例えばウェーハ）１０を静電気によって吸着する静電
チャック２と、それに吸着用の電圧＋Ｖおよび−Ｖを供
給する吸着用電源１２とで構成されている。FIG. 3 is a diagram showing a conventional substrate holding device using an electrostatic chuck. This substrate holding device is composed of an electrostatic chuck 2 that attracts a substrate (for example, a wafer) 10 by static electricity, and an adsorption power supply 12 that supplies adsorption voltages + V and -V to the electrostatic chuck 2.
【０００４】静電チャックには、電極が二つの双極型
と、電極が一つの単極型とがあるが、前者の方がイオン
注入装置等においては良く使用されている。図示例の静
電チャック２も、双極型であり、例えばセラミックのよ
うな絶縁物４内の表面近くに、共に半円形をした二つの
電極６および８が相対向して円形を成すように埋め込ま
れている。The electrostatic chuck is classified into a bipolar type having two electrodes and a monopolar type having one electrode. The former type is more often used in an ion implantation apparatus or the like. The electrostatic chuck 2 of the illustrated example is also of a bipolar type, and two electrodes 6 and 8 each having a semicircular shape are embedded near a surface in an insulator 4 such as a ceramic so as to face each other and form a circular shape. Has been.
【０００５】吸着用電源１２は、この例では、設定器１
４、それで設定された電圧を非反転増幅する差動増幅器
１６および反転増幅する差動増幅器１８とを備えてお
り、両差動増幅器１６、１８から出力される正負の直流
電圧＋Ｖおよび−Ｖが、静電チャック２の電極６および
８にそれぞれ印加される。The suction power source 12 is, in this example, the setting device 1.
4. The differential amplifier 16 for non-inverting amplification of the voltage set by it and the differential amplifier 18 for inverting amplification are provided, and the positive and negative DC voltages + V and −V output from both differential amplifiers 16 and 18 are , And are applied to the electrodes 6 and 8 of the electrostatic chuck 2, respectively.
【０００６】また、この例では、吸着用電源１２からの
出力電圧のオンオフを行うために、基板１０の搬送を制
御する制御装置２０から、吸着指令信号Ｓ1 を吸着用電
源１２に（より具体的にはその差動増幅器１６および１
８に）与えて、これによって両差動増幅器１６、１８の
オンオフを行うようにしている。Further, in this example, in order to turn on / off the output voltage from the suction power supply 12, the suction control signal S 1 is sent to the suction power supply 12 from the control device 20 which controls the transfer of the substrate 10 (more specifically, The differential amplifiers 16 and 1
8) to thereby turn on and off both differential amplifiers 16 and 18.
【０００７】全体的な動作例を説明すると、制御装置２
０から吸着用電源１２に吸着指令信号Ｓ1 が与えられる
と、両差動増幅器１６、１８が能動化され、吸着用電源
１２から、設定器１４で予め設定された正負の電圧が出
力され、これが静電チャック２の電極６、８にそれぞれ
印加される。これによって、基板１０と電極６、８間に
正負の電荷が溜まり、その間に働くクーロン力によって
基板１０が吸着保持される。その状態で、基板１０に対
して例えばイオンビームを照射する等して処理を施すこ
とができる。制御装置２０からの吸着指令信号Ｓ1 をオ
フすると、吸着用電源１２からの出力電圧がオフされ、
それによって静電チャック２における吸着力が無くなる
ので、基板１０を離脱させることができる。An example of the overall operation will be described. The control device 2
When the adsorption command signal S 1 is applied to the adsorption power source 12 from 0, both the differential amplifiers 16 and 18 are activated, and the adsorption power source 12 outputs a positive / negative voltage preset by the setting device 14, This is applied to the electrodes 6 and 8 of the electrostatic chuck 2, respectively. As a result, positive and negative charges are accumulated between the substrate 10 and the electrodes 6 and 8, and the substrate 10 is adsorbed and held by the Coulomb force acting between them. In this state, the substrate 10 can be processed by, for example, irradiating it with an ion beam. When the adsorption command signal S 1 from the control device 20 is turned off, the output voltage from the adsorption power supply 12 is turned off,
As a result, the attraction force on the electrostatic chuck 2 disappears, and the substrate 10 can be detached.
【０００８】なお、静電チャック２への電圧の印加方法
は、上記例以外にも色々ある。例えば、オフセット電圧
を持った高周波電圧を印加する方法もある。また、静電
チャックが前述した単極型の場合は、その電極とグラウ
ンド間に吸着用の電圧が印加される。There are various methods of applying a voltage to the electrostatic chuck 2 other than the above example. For example, there is a method of applying a high frequency voltage having an offset voltage. When the electrostatic chuck is of the monopolar type described above, a voltage for attraction is applied between the electrode and the ground.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記基板保持装置にお
いては、吸着時は、吸着用電源１２において予め設定さ
れた電圧によるクーロン力で基板１０が静電チャック２
に吸着される。このときの吸着力は、基本的には、吸着
対象物である基板１０や周りの雰囲気（例えば真空度や
湿度等）が同じであれば、印加電圧にほぼ比例する。In the above substrate holding apparatus, the substrate 10 is electrostatically chucked by the Coulomb force due to the voltage preset in the attracting power source 12 during attraction.
Is adsorbed on. The attracting force at this time is basically proportional to the applied voltage if the substrate 10 as the object to be attracted and the surrounding atmosphere (for example, the degree of vacuum and humidity) are the same.
【００１０】しかし、実際の使用においては、基板１０
の表面状態が変化することがあり、また、周りの真空度
や湿度等が変化することもあり、従って静電チャック２
に一定の電圧を印加したのでは、静電チャック２から基
板１０に加えられる吸着力を一定に保つことができない
という問題がある。その結果例えば、吸着力がある大き
さより低下すると、基板１０が静電チャック２上で位置
ずれを起こしたり、基板１０と静電チャック２間の熱的
接触が十分でなくなり、イオンビーム照射等に伴う加熱
によって基板１０の温度が異常に上昇する等の不具合が
発生する。However, in actual use, the substrate 10
The surface condition of the electrostatic chuck 2 may change, and the degree of vacuum and humidity around it may change.
If a constant voltage is applied to the substrate 10, there is a problem that the attraction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 cannot be kept constant. As a result, for example, when the attracting force becomes lower than a certain level, the substrate 10 may be displaced on the electrostatic chuck 2 or the thermal contact between the substrate 10 and the electrostatic chuck 2 may not be sufficient, which may cause ion beam irradiation or the like. Due to the accompanying heating, a problem such as an abnormal rise in the temperature of the substrate 10 occurs.
【００１１】そこでこの発明は、基板の表面状態や周り
の雰囲気が変化しても、静電チャックから基板に加えら
れる吸着力を一定に保つことができるようにした基板保
持装置を提供することを主たる目的とする。Therefore, the present invention provides a substrate holding device capable of maintaining a constant attraction force applied from an electrostatic chuck to a substrate even when the surface condition of the substrate and the surrounding atmosphere are changed. The main purpose.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の基板保持装置は、前記静電チャックから
基板に加えられる吸着力を計測してそれに応じた計測信
号を出力するセンサーと、この計測信号と設定値との間
の差を求めてその差が０に近づくように、前記吸着用電
源から出力する電圧を制御する吸着制御回路とを備える
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, a substrate holding device of the present invention comprises a sensor for measuring an attraction force applied to a substrate from the electrostatic chuck and outputting a measurement signal corresponding thereto. An adsorption control circuit for controlling the voltage output from the adsorption power source so that the difference between the measurement signal and the set value is obtained and the difference approaches 0.
【００１３】[0013]
【作用】上記構成によれば、基板の表面状態や周りの雰
囲気が変化して、静電チャックから基板に加えられる吸
着力がある一定の値からずれると、吸着制御回路におけ
る設定値と計測信号との間に差が生じる。そしてこの差
が０に近づくように、吸着制御回路によって、吸着用電
源から出力する電圧が制御され、ひいては静電チャック
における吸着力が制御される。その結果、静電チャック
から基板に加えられる吸着力を一定に保つことができ
る。According to the above construction, when the surface condition of the substrate and the surrounding atmosphere change and the attraction force applied from the electrostatic chuck to the substrate deviates from a certain value, the set value and the measurement signal in the attraction control circuit There is a difference between and. Then, the adsorption control circuit controls the voltage output from the adsorption power supply so that the difference approaches 0, and thus the adsorption force in the electrostatic chuck is controlled. As a result, the attraction force applied to the substrate from the electrostatic chuck can be kept constant.
【００１４】[0014]
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る基板保持
装置を示す図である。図３の従来例と同一または相当す
る部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例
との相違点を主に説明する。1 is a view showing a substrate holding device according to an embodiment of the present invention. The same or corresponding portions as those of the conventional example in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the differences from the conventional example will be mainly described below.
【００１５】この実施例においては、前述した静電チャ
ック２の中心部に貫通穴５を設け、その裏面側に、静電
チャック２から基板１０に加えられる吸着力を計測して
それに応じた計測信号Ｓ2 を出力するセンサー２２を取
り付けている。In this embodiment, the through hole 5 is provided at the center of the electrostatic chuck 2 described above, and the suction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 is measured on the back surface side of the through hole 5 and the corresponding measurement is performed. A sensor 22 that outputs a signal S 2 is attached.
【００１６】このセンサー２２は、この実施例では荷重
センサーであり、荷重計測用のピン２４を有していて、
このピン２４を静電チャック２の上記貫通穴５に通して
その頭部を静電チャック２の表面にわずかに露出させ、
このピン２４の上下方向の動きで基板１０から加えられ
る荷重（即ち静電チャック２から基板１０に加えられる
吸着力）を計測して、その荷重に比例した大きさの電気
信号（例えば０から１０Ｖの電圧信号）を計測信号Ｓ2
として出力する。This sensor 22 is a load sensor in this embodiment, and has a pin 24 for measuring load,
The pin 24 is passed through the through hole 5 of the electrostatic chuck 2 so that its head is slightly exposed on the surface of the electrostatic chuck 2.
The load applied from the substrate 10 (that is, the attraction force applied to the substrate 10 from the electrostatic chuck 2) is measured by the vertical movement of the pin 24, and an electric signal (for example, 0 to 10 V) having a magnitude proportional to the load is measured. Voltage signal of the measurement signal S 2
Output as.
【００１７】センサー２２からの計測信号Ｓ2 は、吸着
制御回路２６に入力される。この吸着制御回路２６は、
この例では設定器２８および差動増幅器３０を有してお
り、センサー２２から与えられる計測信号Ｓ2 と、設定
器２８によって予め設定した設定値Ｋ2 との差（Ｓ2 −
Ｋ2 ）を差動増幅器３０において求め、その差に比例し
た吸着力制御信号Ｓ3 を出力する。より具体的には、こ
の実施例では、設定器２８による設定値Ｋ2 と入力され
た計測信号Ｓ2 の大きさが等しければ０Ｖ、計測信号Ｓ
2 が大きければその量に比例した正の電圧、小さければ
負の電圧を吸着力制御信号Ｓ3 として出力する非反転型
の差動増幅器３０を用いている。The measurement signal S 2 from the sensor 22 is input to the adsorption control circuit 26. This adsorption control circuit 26
In this example, the setting device 28 and the differential amplifier 30 are included, and the difference (S 2 − between the measurement signal S 2 given from the sensor 22 and the set value K 2 preset by the setting device 28).
K 2 ) is obtained by the differential amplifier 30, and the suction force control signal S 3 proportional to the difference is output. More specifically, in this embodiment, if the set value K 2 set by the setter 28 and the input measurement signal S 2 have the same magnitude, the measurement signal S is 0 V.
The non-inverting type differential amplifier 30 that outputs a positive voltage proportional to the amount when 2 is large and a negative voltage when it is small as the attraction force control signal S 3 is used.
【００１８】この吸着制御回路２６からの吸着力制御信
号Ｓ3 は、吸着用電源１２ａに入力される。この吸着用
電源１２ａと先に図３で説明した吸着用電源１２とはほ
ぼ同じ構成であるが、違うのはこの吸着用電源１２ａで
は差動増幅器１６の負入力端子および差動増幅器１８の
正入力端子に吸着力制御信号Ｓ3 が入力されることであ
る。The suction force control signal S 3 from the suction control circuit 26 is input to the suction power supply 12a. The suction power supply 12a and the suction power supply 12 described above with reference to FIG. 3 have almost the same configuration, but the difference is that the suction power supply 12a has a negative input terminal of the differential amplifier 16 and a positive input of the differential amplifier 18. That is, the suction force control signal S 3 is input to the input terminal.
【００１９】従って、この吸着用電源１２ａでは、差動
増幅器１６が反転型の差動増幅器、差動増幅器１８が非
反転型の差動増幅器となっており、設定器１４による設
定値をＫ3 とすると、差動増幅器１６の出力電圧＋Ｖは
（Ｋ3 −Ｓ3 ）に比例し、差動増幅器１８の出力電圧−
Ｖは（Ｓ3 −Ｋ3 ）に比例する。Therefore, in this adsorption power supply 12a, the differential amplifier 16 is an inverting type differential amplifier, and the differential amplifier 18 is a non-inverting type differential amplifier, and the set value by the setter 14 is K 3 Then, the output voltage + V of the differential amplifier 16 is proportional to (K 3 −S 3 ), and the output voltage of the differential amplifier 18 −
V is proportional to (S 3 -K 3).
【００２０】これを差動増幅器１６側を例により詳しく
説明すると、基板１０に加わる吸着力が設定されたもの
である場合は、前述したように吸着力制御信号Ｓ3 は０
Ｖであり、従って差動増幅器１６からは設定器１４で設
定した設定値Ｋ3 に比例した電圧が出力される。基板１
０に加わる吸着力が設定値に達していない場合は、前述
したように吸着力制御信号Ｓ3 は負になり、従って差動
増幅器１６からは設定値Ｋ3 にＳ3 を上乗せした電圧が
出力される。その結果、静電チャック２から基板１０に
加えられる吸着力が増大する。基板１０に加わる吸着力
が設定値を越えていると、前述したように吸着力制御信
号Ｓ3 は正になり、従って差動増幅器１６からは設定値
Ｋ3 からＳ3 を差し引いた電圧が出力される。その結
果、静電チャック２から基板１０に加えられる吸着力が
減少する。This will be described in detail by taking the differential amplifier 16 side as an example. When the suction force applied to the substrate 10 is set, the suction force control signal S 3 is 0 as described above.
Therefore, the differential amplifier 16 outputs a voltage proportional to the set value K 3 set by the setter 14. Board 1
When the attracting force applied to 0 has not reached the set value, the attracting force control signal S 3 becomes negative as described above, and therefore the differential amplifier 16 outputs a voltage obtained by adding S 3 to the set value K 3. To be done. As a result, the attraction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 increases. When the attracting force applied to the substrate 10 exceeds the set value, the attracting force control signal S 3 becomes positive as described above, and therefore the voltage obtained by subtracting S 3 from the set value K 3 is output from the differential amplifier 16. To be done. As a result, the attraction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 is reduced.
【００２１】差動増幅器１８側の動作も、出力電圧が負
である以外は、上記差動増幅器１６側の動作と同じであ
るので、ここでは重複説明を省略する。The operation on the side of the differential amplifier 18 is the same as that on the side of the differential amplifier 16 except that the output voltage is negative.
【００２２】上記のような動作により、基板１０の表面
状態や周りの雰囲気（真空度や湿度等）が変化しても、
静電チャック２から基板１０に加えられる吸着力を一定
に（即ち設定値に）保つことができる。その結果、吸着
力不足による基板１０の位置ずれや、静電チャック２に
対する熱的接触が不足することによる基板１０の異常な
温度上昇が起こるのを防止することができる。By the above operation, even if the surface condition of the substrate 10 and the surrounding atmosphere (vacuum degree, humidity, etc.) are changed,
The attraction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 can be kept constant (that is, a set value). As a result, it is possible to prevent the displacement of the substrate 10 due to the insufficient suction force and the abnormal temperature rise of the substrate 10 due to the insufficient thermal contact with the electrostatic chuck 2.
【００２３】なお、この実施例の場合も、吸着用電源１
２ａから吸着用の電圧を出力するか否かは、従来例の場
合と同様に、制御装置２０からの吸着指令信号Ｓ1 によ
って制御されるようにしているが、そのようにすること
は必須ではない。In the case of this embodiment as well, the adsorption power source 1
Whether or not to output the adsorption voltage from 2a is controlled by the adsorption command signal S 1 from the control device 20 as in the case of the conventional example, but it is not essential to do so. Absent.
【００２４】また、上記計測信号Ｓ2 を用いれば、基板
１０に対する吸着力が搬送可能レベル（例えばほぼ０）
になったことを検出することができるので、この計測信
号Ｓ2 を、基板搬送のタイミングを決めたり、基板搬送
のインターロックを取ることに使用しても良い。即ち、
静電チャック２から基板１０の搬送（搬出）を行う場
合、吸着力が残っている状態で基板１０を静電チャック
２から持ち上げて搬送しようとすると、基板１０が跳ね
たり破損したりする恐れがある。これに対して、上記計
測信号Ｓ2 を、図１中に２点鎖線で示すように制御装置
２０にも取り込むことによって、基板１０に加わってい
る吸着力をモニタしておいて、吸着力が無くなった、あ
るいは基板搬送に問題のないレベルまで下がったことを
確認して基板搬送の指令を出すようにしても良く、その
ようにすれば、上記のような不都合を避けることができ
る。If the measurement signal S 2 is used, the suction force with respect to the substrate 10 can be conveyed at a level (eg, almost 0).
Since it can be detected that this has occurred, this measurement signal S 2 may be used for determining the timing of substrate transfer or for interlocking the substrate transfer. That is,
When carrying (carrying out) the substrate 10 from the electrostatic chuck 2, if the substrate 10 is lifted from the electrostatic chuck 2 and carried while the suction force remains, the substrate 10 may bounce or be damaged. is there. On the other hand, by incorporating the measurement signal S 2 into the control device 20 as indicated by the chain double-dashed line in FIG. 1, the suction force applied to the substrate 10 is monitored and the suction force is It is also possible to issue a substrate transfer command after confirming that it is no longer present or has lowered to a level at which there is no problem in substrate transfer. By doing so, the above inconvenience can be avoided.
【００２５】また、吸着用電源は、図２に示す吸着用電
源１２ｂのように、設定器３２、差動増幅器３４、非反
転増幅器３６および反転増幅器３８で構成しても良い。
この場合、差動増幅器３４からは設定器３２による設定
値Ｋ3 と前記吸着制御回路２６からの吸着力制御信号Ｓ
3 との差（Ｋ3 −Ｓ3 ）が出力され、それが非反転増幅
器３６で非反転増幅されて静電チャック２の電極６に印
加され、また反転増幅器３８で反転増幅されて電極８に
印加されるので、これに関しては図１に示した吸着用電
源１２ａの場合と同様である。勿論この場合も、制御装
置２０からの吸着指令信号Ｓ1 を取り込んでそれで出力
をオンオフするようにしても良い。The attraction power source may be composed of a setting device 32, a differential amplifier 34, a non-inverting amplifier 36 and an inverting amplifier 38 like the attraction power source 12b shown in FIG.
In this case, the differential amplifier 34 outputs the set value K 3 from the setter 32 and the suction force control signal S from the suction control circuit 26.
3 and is output difference (K 3 -S 3) of which is applied to the electrodes 6 of the non-inverting amplified by the electrostatic chuck 2 in a non-inverting amplifier 36, also in the electrode 8 is inverted and amplified by inverting amplifier 38 Since it is applied, this is the same as in the case of the adsorption power supply 12a shown in FIG. Of course, also in this case, the suction command signal S 1 from the control device 20 may be taken in and the output may be turned on / off.
【００２６】また、上記例では、演算増幅器を利用した
差動増幅器等によってフィードバックおよび吸着用電圧
の制御を行っているが、それと同様の考えに基づく制御
を、Ａ／ＤコンバータおよびＤ／Ａコンバータを含むデ
ィジタル回路およびコンピュータを利用したコンピュー
タ制御によって行うようにしても良い。即ち、フィード
バック制御回路は、アナログ、ディジタルのどちらでも
良い。また、吸着制御回路と吸着用電源とを一体にした
り、更にそれらと上記のような制御装置２０とを一体に
しても良い。Further, in the above example, the feedback and the adsorption voltage are controlled by the differential amplifier using the operational amplifier, but the control based on the same idea as that is performed by the A / D converter and the D / A converter. It may be performed by computer control using a digital circuit including a computer and a computer. That is, the feedback control circuit may be either analog or digital. Further, the adsorption control circuit and the adsorption power supply may be integrated, or they may be integrated with the control device 20 as described above.
【００２７】また、センサー２２としても、上記例のよ
うな荷重センサーの他に、静電チャック２から基板１０
に加えられる吸着力を圧力、歪量等の形で計測するセン
サーを用いても良い。Also, as the sensor 22, in addition to the load sensor as in the above example, the electrostatic chuck 2 to the substrate 10 are used.
It is also possible to use a sensor that measures the suction force applied to the device in the form of pressure, strain, or the like.
【００２８】また、薄型のセンサーを静電チャック２の
表面部に直接埋め込み、これによって静電チャック２か
ら基板１０に加えられる吸着力を計測するようにしても
良い。Alternatively, a thin sensor may be directly embedded in the surface of the electrostatic chuck 2 to measure the attraction force applied from the electrostatic chuck 2 to the substrate 10.
【００２９】また、静電チャック２は、前述したよう
に、電極が一つの単極型のものもあり、その場合にも勿
論この発明を適用することができる。As described above, the electrostatic chuck 2 may be of the unipolar type having one electrode, and of course, the present invention can be applied to that case as well.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板の
表面状態や周りの真空度、湿度等の雰囲気が変化して
も、静電チャックから基板に加えられる吸着力を一定に
保つことができる。その結果、吸着力不足による基板の
位置ずれや、静電チャックに対する熱的接触が不足する
ことによる基板の異常な温度上昇が起こるのを防止する
ことができる。As described above, according to the present invention, even if the surface condition of the substrate and the surrounding atmosphere such as vacuum degree and humidity are changed, the attraction force applied from the electrostatic chuck to the substrate can be kept constant. You can As a result, it is possible to prevent the displacement of the substrate due to the insufficient adsorption force and the abnormal temperature rise of the substrate due to the insufficient thermal contact with the electrostatic chuck.
【図１】この発明の一実施例に係る基板保持装置を示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a substrate holding device according to an embodiment of the present invention.
【図２】吸着用電源の構成の他の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another example of the configuration of a suction power supply.
【図３】従来の基板保持装置の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional substrate holding device.
２ 静電チャック ６，８ 電極 １０ 基板 １２ａ，１２ｂ 吸着用電源 ２２ センサー ２６ 吸着制御回路 2 Electrostatic chuck 6,8 Electrode 10 Substrate 12a, 12b Adsorption power supply 22 Sensor 26 Adsorption control circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/317 Ｂ 9172−5Ｅ Ｈ０１Ｌ 21/265 // Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H01J 37/317 B 9172-5E H01L 21/265 // H01L 21/302 B
Claims (1)
ックと、この静電チャックに吸着用の電圧を供給する吸
着用電源とを備える基板保持装置において、前記静電チ
ャックから基板に加えられる吸着力を計測してそれに応
じた計測信号を出力するセンサーと、この計測信号と設
定値との間の差を求めてその差が０に近づくように、前
記吸着用電源から出力する電圧を制御する吸着制御回路
とを備えることを特徴とする基板保持装置。1. A substrate holding device comprising an electrostatic chuck that attracts a substrate by static electricity, and an attraction power supply that supplies an attraction voltage to the electrostatic chuck. An attraction force applied to the substrate from the electrostatic chuck. And an adsorption sensor that controls the voltage output from the adsorption power source so that the difference between the measurement signal and the set value is obtained and the difference approaches 0. A substrate holding device comprising: a control circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14554693A JPH06334024A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Substrate retainer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14554693A JPH06334024A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Substrate retainer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334024A true JPH06334024A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=15387686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14554693A Pending JPH06334024A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Substrate retainer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334024A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027567A (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nissin Electric Co Ltd | Substrate holding device |
| WO2012018013A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 旭硝子株式会社 | Support substrate |
| WO2024075377A1 (en) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | Film forming device, detection device, and method for controlling film forming device |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP14554693A patent/JPH06334024A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027567A (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nissin Electric Co Ltd | Substrate holding device |
| WO2012018013A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | 旭硝子株式会社 | Support substrate |
| WO2024075377A1 (en) * | 2022-10-05 | 2024-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | Film forming device, detection device, and method for controlling film forming device |
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