JPH06333930A - Formation of solder bump on ic wafer - Google Patents
Formation of solder bump on ic waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣウエハにハンダバ
ンプを形成する方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming solder bumps on an IC wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５はＩＣウエハにおける従来のハンダ
バンプの形成方法の流れを示す説明図であり、まず、従
来の方法によりハンダバンプを形成する過程で必要な構
成要素の説明を行う。図において、１はＩＣウエハ、２
はＩＣウエハ１の表面上に形成されている複数のパッド
であり、このパッド２は、例えばＣｕ等で形成される。2. Description of the Related Art FIG. 5 is an explanatory diagram showing the flow of a conventional method for forming solder bumps on an IC wafer. First, the components required in the process of forming solder bumps by the conventional method will be described. In the figure, 1 is an IC wafer, 2
Are a plurality of pads formed on the surface of the IC wafer 1, and the pads 2 are made of, for example, Cu.
【０００３】３はＩＣウエハ１の表面上のパッド２を含
む全面に塗布されたフラックスである。４はセラミック
や金属等により形成されるマスク、５はこのマスク４に
開けられた穴、６はハンダボールで、この穴５は前記パ
ッド２の配列に合わせて開けられているとともに、その
直径はハンダボール６の直径より大きく、かつハンダボ
ール６が一個以上入らない大きさとする。また、穴５に
ハンダボール６が重ねて一個以上入らない深さとなるよ
うにマスク４に厚さが設定されている。Reference numeral 3 is a flux applied on the entire surface of the IC wafer 1 including the pads 2. Reference numeral 4 is a mask formed of ceramic or metal, 5 is a hole formed in the mask 4, 6 is a solder ball, and the hole 5 is formed in accordance with the arrangement of the pads 2 and has a diameter of The size is larger than the diameter of the solder balls 6 and one or more solder balls 6 do not enter. Further, the thickness of the mask 4 is set so that the solder balls 6 overlap the holes 5 and one or more solder balls 6 do not enter.
【０００４】以下に、この図５を用いて従来のハンダバ
ンプの形成方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すよ
うに、所定の位置にパッド２が形成されているＩＣウエ
ハ１の表面上の全面にフラックス３を塗布する。次に、
図５（ｂ）に示すように、マスク４のそれぞれの穴５が
パッド２と対応する位置となるように該マスク４をＩＣ
ウエハ１に搭載する。A conventional solder bump forming method will be described below with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A, the flux 3 is applied to the entire surface of the IC wafer 1 having the pads 2 formed at predetermined positions. next,
As shown in FIG. 5B, the mask 4 is placed in an IC so that the holes 5 of the mask 4 are located at positions corresponding to the pads 2.
It is mounted on the wafer 1.
【０００５】そして、マスク４上にハンダボール６をふ
りかけると、マスク４のそれぞれの穴５には、ハンダボ
ール６が一個ずつ入り込み、ＩＣウエハ１上に塗布され
ているフラックス３に接触して該ウエハ１上に接着され
る。なお、余分なハンダボール６は、マスク４表面に風
を送る等によって除去する。次に、ハンダボール６が溶
解する温度にＩＣウエハ１全体を加熱する。これによ
り、ハンダボール６およびパッド２はフラックス３によ
り活性化し、溶けたハンダボール６はパッド２に付着す
る。When the solder balls 6 are sprinkled on the mask 4, one solder ball 6 enters each hole 5 of the mask 4 and comes into contact with the flux 3 applied on the IC wafer 1. It is bonded on the wafer 1. The excess solder balls 6 are removed by blowing air on the surface of the mask 4. Next, the entire IC wafer 1 is heated to a temperature at which the solder balls 6 melt. As a result, the solder balls 6 and the pads 2 are activated by the flux 3, and the melted solder balls 6 adhere to the pads 2.
【０００６】そして、冷却後にマスク４をＩＣウエハ１
上から引き剥がすと、図５（ｃ）に示すような状態とな
って、ＩＣウエハ１のパッド２上にハンダボール６によ
るハンダバンプを形成することができる。ここで、ハン
ダバンプは一個のハンダボール６により形成されるた
め、ハンダボール６の直径（体積）によりハンダバンプ
のサイズを制御することができ、また、ハンダボール６
の大きさのバラツキを小さくすれば、ハンダバンプのサ
イズのバラツキを小さくすることができる。After cooling, the mask 4 is attached to the IC wafer 1
When peeled off from above, a state as shown in FIG. 5C is obtained, and solder bumps by the solder balls 6 can be formed on the pads 2 of the IC wafer 1. Here, since the solder bump is formed by one solder ball 6, the size of the solder bump can be controlled by the diameter (volume) of the solder ball 6, and the solder ball 6 can be controlled.
By reducing the variation in the size of, it is possible to reduce the variation in the size of the solder bump.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のハンダバンプの形成方法では、ハンダボールの
位置決めのためにＩＣウエハ毎にマスクが必要となり、
同時に複数枚のＩＣウエハにハンダバンプを形成する時
には、ＩＣウエハと同じ枚数のマスクが必要で、コスト
アップとなるという問題がある。However, in the conventional solder bump forming method described above, a mask is required for each IC wafer for positioning the solder balls,
When solder bumps are formed on a plurality of IC wafers at the same time, the same number of masks as IC wafers are required, which causes a problem of cost increase.
【０００８】また、ハンダボールによるハンダバンプが
形成された後、マスクをＩＣウエハから剥がす作業が必
要であるが、このときハンダバンプにダメージを与えな
いように行わなければならず、作業性が悪いという問題
を有する。さらに、ハンダボールを溶解させるための加
熱時に、ＩＣウエハ，ハンダボール以外のマスクも加熱
されるので、加熱のためのエネルギーが増加するという
問題がある。[0008] Further, after the solder bumps are formed by the solder balls, it is necessary to peel off the mask from the IC wafer, but at this time, the work must be carried out so as not to damage the solder bumps, resulting in poor workability. Have. Furthermore, since the IC wafer and the mask other than the solder balls are also heated at the time of heating for melting the solder balls, there is a problem that energy for heating increases.
【０００９】また、ＩＣウエハとマスクとの熱膨張係数
の差による加熱時のＩＣウエハ上のパッドとマスクの穴
との相対的な位置ずれを低減するため、マスクを構成す
る材質として、ＩＣウエハの熱膨張係数に近い熱膨張係
数を持つものを選択しなければならず、マスク設計の自
由度が低く、コストアップになるという問題がある。本
発明は、以上述べたようにハンダボールの位置決めのた
めにマスクが必要であることに起因する、ハンダバンプ
形成時にＩＣウエハ毎に高価なマスクが必要であるとい
う問題、ハンダバンプ形成後にこのハンダバンプにダメ
ージを与えないようにマスクを剥がさなければならず作
業性が悪いという問題、およびマスクも加熱しなければ
ならず熱エネルギーを余分に必要とするという問題を解
決するためになされたものであり、ハンダボールの位置
決めをマスクを用いずに行うことが可能なＩＣウエハの
ハンダバンプ形成方法を提供することを目的とする。Further, in order to reduce the relative positional deviation between the pad on the IC wafer and the hole of the mask at the time of heating due to the difference in thermal expansion coefficient between the IC wafer and the mask, the IC wafer is used as a material for the mask. It is necessary to select a material having a coefficient of thermal expansion close to the coefficient of thermal expansion, and there is a problem that the degree of freedom in mask design is low and the cost is increased. The present invention has a problem that an expensive mask is required for each IC wafer at the time of forming solder bumps, which is caused by the need for a mask for positioning the solder balls as described above. It was made to solve the problem that the workability is poor because the mask must be peeled off so as not to give heat, and the problem that the mask also needs to be heated and requires additional heat energy. It is an object of the present invention to provide a solder bump forming method for an IC wafer, which enables ball positioning without using a mask.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ＩＣウエハの表面に形成した複数のパッ
ド上にのみ、ハンダボールが一個以上付着しない量のフ
ラックスを塗布し、少なくとも一個のハンダボールが各
パッド上を通過するように、パッドの数と同数以上のハ
ンダボールを前記ＩＣウエハ上を万遍なく転がして、各
パッド上にフラックスによりハンダボールを一個ずつ付
着させることを特徴とする。In order to achieve this object, the present invention applies at least one flux to a plurality of pads formed on the surface of an IC wafer by an amount of flux such that one or more solder balls do not adhere. The same number of solder balls as the number of pads are evenly rolled on the IC wafer so that each solder ball passes on each pad, and the solder balls are attached to each pad one by one by flux. And
【００１１】[0011]
【作用】上述した本発明は、ＩＣウエハの表面に形成し
た複数のパッド上にのみ、ハンダボールが一個以上付着
しない量のフラックスを塗布し、このＩＣウエハ上にパ
ッドの数と同数以上のハンダボールを転がす。このと
き、ハンダボールがパッド上を通過すると、各パッドに
はハンダボールが一個以上付着しないような量のフラッ
クスが塗布されているので、一個のハンダボールがフラ
ックスによりパッド上に付着して位置決めされ、ＩＣウ
エハ上にパッドの数と同数以上のハンダボールを万遍な
く転がすことで、それぞれのパッド上に一個ずつハンダ
ボールが付着して位置決めされる。According to the present invention described above, flux is applied to only a plurality of pads formed on the surface of an IC wafer in an amount such that one or more solder balls do not adhere to the IC wafer. Roll the ball. At this time, when the solder balls pass over the pads, the flux is applied to each pad in such an amount that one or more solder balls do not adhere to the pads, so one solder ball adheres to the pads by the flux and is positioned. By rolling the same number or more of solder balls as the number of pads on the IC wafer, one solder ball is attached and positioned on each pad.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して実施例を説明する。図
１はＩＣウエハにおける本発明の第１の実施例のハンダ
バンプの形成方法の流れを示す説明図であり、まず、本
発明の方法によりハンダバンプを形成する過程で必要な
構成要素の説明を行う。Embodiments Embodiments will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing the flow of a method for forming solder bumps according to the first embodiment of the present invention on an IC wafer. First, components necessary in the process of forming solder bumps by the method of the present invention will be described.
【００１３】図において、１はＩＣウエハ、２はＩＣウ
エハ１の表面上に所定の配置で形成されている複数のパ
ッドであり、このパッド２は、例えばＣｕ等で形成され
る。６は球状のハンダボール、７は各パッド２上にハン
ダボール６が一個以上付着しないように塗布されている
フラックスである。図２は上記フラックスの塗布量の設
定概念を示す説明図で、図２（ａ）は全体図、図２
（ｂ）は図２（ａ）の要部拡大図である。In the figure, 1 is an IC wafer, 2 is a plurality of pads formed on the surface of the IC wafer 1 in a predetermined arrangement, and the pads 2 are made of, for example, Cu or the like. 6 is a spherical solder ball, and 7 is a flux applied so that one or more solder balls 6 do not adhere to each pad 2. 2 is an explanatory view showing the concept of setting the coating amount of the flux, FIG. 2 (a) is an overall view, and FIG.
2B is an enlarged view of a main part of FIG.
【００１４】８は２個のハンダボール６を接触する状態
で同一平面上に並べた場合に、両方のハンダボール６の
外周面に接する半円であり、この半円８で覆われる範囲
が、パッド２上に塗布されたフラックス７が半円状にな
るとした場合の該フラックス７の最大塗布半径を示し、
この半円８内の領域に収まるようにフラックス７を塗布
すれば、２個あるいはそれ以上のハンダボール６が１つ
のパッド２に付着しないことがわかる。Reference numeral 8 denotes a semicircle which is in contact with the outer peripheral surfaces of both solder balls 6 when the two solder balls 6 are arranged on the same plane so as to be in contact with each other. Shows the maximum coating radius of the flux 7 when the flux 7 coated on the pad 2 has a semicircular shape,
It can be seen that if the flux 7 is applied so as to be contained in the area within the semicircle 8, two or more solder balls 6 do not adhere to one pad 2.
【００１５】そして、このフラックス７の最大塗布半径
は以下のように求められる。フラックス７の最大塗布半
径をＡ、ハンダボール６の半径をＢ、ハンダボール６の
中心Ｏから該ハンダボール６が接する平面までの距離、
すなわち、ハンダボール６の中心Ｏから該ハンダボール
６とＩＣウエハ１との接点Ｐまでの距離をＣ、ハンダボ
ール６とＩＣウエハ１との接点Ｐからフラックス７の中
心Ｑまでの距離をＤとすると、三角形ＯＰＱは辺ＯＱを
底辺、辺ＯＰと辺ＰＱとを等しい２辺とする二等辺三角
形であり、∠ＯＰＱ＝９０°で底辺ＯＱはＡ＋Ｂである
ので、Ａ＋Ｂ＝√２×Ｃとなる。Then, the maximum coating radius of the flux 7 is obtained as follows. The maximum coating radius of the flux 7 is A, the radius of the solder ball 6 is B, and the distance from the center O of the solder ball 6 to the plane in contact with the solder ball 6,
That is, the distance from the center O of the solder ball 6 to the contact point P between the solder ball 6 and the IC wafer 1 is C, and the distance from the contact point P between the solder ball 6 and the IC wafer 1 to the center Q of the flux 7 is D. Then, the triangle OPQ is an isosceles triangle in which the side OQ is the base and the sides OP and PQ are the same two sides. Since ∠OPQ = 90 ° and the base OQ is A + B, A + B = √2 × C. .
【００１６】すなわち、フラックス７の最大塗布半径Ａ
＝√２×Ｃ−Ｂとなるが、辺ＯＰと辺ＰＱはハンダボー
ル６の半径Ｂと等しく、Ｂ＝Ｃ＝Ｄであるので、フラッ
クス７の最大塗布半径Ａ＝√２×Ｂ−Ｂとなる。このよ
うに、フラックス７の最大塗布半径Ａは、ハンダボール
６の半径Ｂにより求めることができ、使用するハンダボ
ール６の半径からパッド２上に１個のハンダボール６を
付着させるためのフラックス７の最大塗布高さおよび半
径を求めることができる。That is, the maximum coating radius A of the flux 7
However, since the side OP and the side PQ are equal to the radius B of the solder ball 6 and B = C = D, the maximum coating radius A of the flux 7 is A = √2 × BB. Become. As described above, the maximum coating radius A of the flux 7 can be obtained from the radius B of the solder ball 6, and the flux 7 for attaching one solder ball 6 onto the pad 2 from the radius of the solder ball 6 to be used. The maximum coating height and radius of can be determined.
【００１７】以下に、図１を用いて本発明の第１の実施
例のハンダバンプの形成方法を説明する。まず、図１
（ａ）に示すように、所定の位置にパッド２が形成され
ているＩＣウエハ１の該パッド２上にのみ、ハンダボー
ル６が一個以上付着しない量のフラックス７を塗布す
る。なお、ハンダボール６が一個以上付着しないフラッ
クスの量は上述した図２の説明により求められる。A method of forming solder bumps according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. First, Fig. 1
As shown in (a), the flux 7 is applied only on the pad 2 of the IC wafer 1 having the pad 2 formed at a predetermined position so that one or more solder balls 6 do not adhere thereto. It should be noted that the amount of flux at which one or more solder balls 6 do not adhere can be obtained from the above description of FIG.
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、上記の如
くフラックス７を塗布したＩＣウエハ１の中央部にパッ
ド２の数以上のハンダボール６を載せる。そして、図１
（ｃ）に示すように、中央部に複数のハンダボール６を
載せたＩＣウエハ１を傾斜状態（図１（ｃ）では右側を
下にした状態）とする。これにより、ハンダボール６は
ＩＣウエハ１上を図１（ｃ）においては右方向に転がる
が、ハンダボール６がパッド２上を通過すると、各パッ
ド２にはハンダボール６が一個以上付着しないような量
のフラックス７が塗布されているので、一個のハンダボ
ール６がフラックス７によりパッド２上に付着して位置
決めされる。Next, as shown in FIG. 1 (b), solder balls 6 of the number equal to or larger than the number of pads 2 are placed on the central portion of the IC wafer 1 coated with the flux 7 as described above. And FIG.
As shown in (c), the IC wafer 1 on which a plurality of solder balls 6 are placed in the central portion is set in an inclined state (the state in which the right side is downward in FIG. 1C). As a result, the solder balls 6 roll on the IC wafer 1 to the right in FIG. 1C, but when the solder balls 6 pass over the pads 2, one or more solder balls 6 do not adhere to each pad 2. Since a large amount of flux 7 is applied, one solder ball 6 is attached and positioned on the pad 2 by the flux 7.
【００１９】次に、図１（ｄ）に示すように、ＩＣウエ
ハ１を図１（ｃ）とは逆側、すなわち、左側が下となる
傾斜状態とする。これにより、ハンダボール６がＩＣウ
エハ１上を図１（ｄ）においては左方向に転がり、まだ
ハンダボール６が付着していないパッド２上を通過する
ことで、図１（ｃ）の場合と同様にして一個のハンダボ
ール６がフラックス７によりパッド２上に付着して位置
決めされる。Next, as shown in FIG. 1D, the IC wafer 1 is placed in an inclined state in which the side opposite to that in FIG. 1C, that is, the left side is downward. As a result, the solder ball 6 rolls on the IC wafer 1 to the left in FIG. 1D, and passes over the pad 2 to which the solder ball 6 is not attached. Similarly, one solder ball 6 is attached to and positioned on the pad 2 by the flux 7.
【００２０】そして、上述した図１（ｂ）〜図１（ｄ）
の処理を繰り返し行うことで、図１（ｅ）に示すよう
に、ＩＣウエハ１の全パッド２上にハンダボール６をフ
ラックス７により付着させることができる。次に、ハン
ダボール６が溶解する温度にＩＣウエハ１，ハンダボー
ル６を加熱する。これにより、ハンダボール６およびパ
ッド２はフラックス７により活性化し、溶けたハンダボ
ール６はパッド２に付着して、各パッド２上にハンダバ
ンプを形成することができる。Then, the above-mentioned FIGS. 1 (b) to 1 (d) are used.
By repeating the above process, the solder balls 6 can be attached by the flux 7 onto all the pads 2 of the IC wafer 1 as shown in FIG. Next, the IC wafer 1 and the solder balls 6 are heated to a temperature at which the solder balls 6 melt. As a result, the solder balls 6 and the pads 2 are activated by the flux 7, and the melted solder balls 6 adhere to the pads 2 and solder bumps can be formed on each pad 2.
【００２１】図３は本発明の第２の実施例のハンダバン
プの形成方法の流れを示す説明図であり、以下に図３を
用いて第２の実施例のハンダバンプの形成方法を説明す
る。まず、図３（ａ）に示すように、所定の位置にパッ
ド２が形成されているＩＣウエハ１の該パッド２上にの
み、ハンダボール６が一個以上付着しない量のフラック
ス７を塗布する。FIG. 3 is an explanatory view showing the flow of the solder bump forming method of the second embodiment of the present invention. The solder bump forming method of the second embodiment will be described below with reference to FIG. First, as shown in FIG. 3A, the flux 7 is applied only on the pads 2 of the IC wafer 1 having the pads 2 formed at predetermined positions so that one or more solder balls 6 do not adhere thereto.
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、上記の如
くフラックス７を塗布したＩＣウエハ１の全面を覆うよ
うに、パッド２の数以上のハンダボール６を落とす。図
３（ｃ）は、ＩＣウエハ１の全面がハンダボール６で覆
われた状態を示し、この状態から図３（ｄ）に示すよう
に、ＩＣウエハ１を傾斜状態（図３（ｄ）では右側を下
にした状態）とする。これにより、ＩＣウエハ１のフラ
ックス７の塗布されていない部分に位置しているハンダ
ボール６はＩＣウエハ１上を図３（ｃ）においては右方
向に転がり、ＩＣウエハ１上から落下する。そして、Ｉ
Ｃウエハ１のフラックス７の塗布されている部分、すな
わち、パッド２上に位置しているハンダボール６は、フ
ラックス７により該パッド２に付着する。ここで、各パ
ッド２にはハンダボール６が一個以上付着しないような
量のフラックス７が塗布されているので、一個のハンダ
ボール６がフラックス７によりパッド２上に付着して位
置決めされる。Next, as shown in FIG. 3B, the solder balls 6 of which the number is equal to or larger than the number of the pads 2 are dropped so as to cover the entire surface of the IC wafer 1 coated with the flux 7 as described above. FIG. 3C shows a state in which the entire surface of the IC wafer 1 is covered with the solder balls 6, and from this state, as shown in FIG. 3D, the IC wafer 1 is inclined (in FIG. Right side down). As a result, the solder balls 6 located in the portions of the IC wafer 1 not coated with the flux 7 roll on the IC wafer 1 to the right in FIG. 3C and fall from the IC wafer 1. And I
The portion of the C wafer 1 to which the flux 7 is applied, that is, the solder ball 6 located on the pad 2 is attached to the pad 2 by the flux 7. Here, since each pad 2 is coated with the flux 7 in an amount such that one or more solder balls 6 do not adhere, one solder ball 6 is adhered and positioned on the pad 2 by the flux 7.
【００２３】これにより、図３（ｅ）に示すように、Ｉ
Ｃウエハ１の全パッド２上にハンダボール６をフラック
ス７により付着させることができる。次に、ハンダボー
ル６が溶解する温度にＩＣウエハ１，ハンダボール６を
加熱する。これにより、ハンダボール６およびパッド２
はフラックス７により活性化し、溶けたハンダボール６
はパッド２に付着して、各パッド２上にハンダバンプを
形成することができる。As a result, as shown in FIG. 3 (e), I
The solder balls 6 can be attached to all the pads 2 of the C wafer 1 by the flux 7. Next, the IC wafer 1 and the solder balls 6 are heated to a temperature at which the solder balls 6 melt. As a result, the solder ball 6 and the pad 2
Is activated by flux 7 and melted solder balls 6
Can be attached to the pads 2 to form solder bumps on each pad 2.
【００２４】図４は本発明の第３の実施例のハンダバン
プの形成方法の流れを示す説明図であり、以下に図４を
用いて第３の実施例のハンダバンプの形成方法を説明す
る。ここで、９はハンダボール６を一定位置に落下させ
るためのノズルである。まず、図４（ａ）に示すよう
に、所定の位置にパッド２が形成されているＩＣウエハ
１の該パッド２上にのみ、ハンダボール６が一個以上付
着しない量のフラックス７を塗布する。FIG. 4 is an explanatory view showing the flow of a method for forming solder bumps according to the third embodiment of the present invention. The method for forming solder bumps according to the third embodiment will be described below with reference to FIG. Here, 9 is a nozzle for dropping the solder ball 6 to a fixed position. First, as shown in FIG. 4A, the flux 7 is applied only to the pads 2 of the IC wafer 1 having the pads 2 formed at predetermined positions so that one or more solder balls 6 do not adhere to the pads 2.
【００２５】次に、図４（ｂ）に示すように、上記の如
くフラックス７を塗布したＩＣウエハ１を傾斜状態（図
４（ｄ）では右側を下にした状態）とし、ノズル９によ
りＩＣウエハ１の左側、すなわち、高さが高い側にハン
ダボール６を順次落下させる。これにより、ハンダボー
ル６はＩＣウエハ１上を右方向に転がる。このとき、ハ
ンダボール６がパッド２上を通過すると、各パッド２に
はハンダボール６が一個以上付着しないような量のフラ
ックス７が塗布されているので、一個のハンダボール６
がフラックス７によりパッド２上に付着して位置決めさ
れる。Next, as shown in FIG. 4 (b), the IC wafer 1 coated with the flux 7 as described above is tilted (in FIG. 4 (d), the right side is down) and the nozzle 9 is used for IC The solder balls 6 are sequentially dropped to the left side of the wafer 1, that is, the side where the height is high. As a result, the solder balls 6 roll to the right on the IC wafer 1. At this time, when the solder balls 6 pass over the pads 2, the flux 7 is applied to each pad 2 in an amount such that one or more solder balls 6 do not adhere to each pad 2.
Are adhered and positioned on the pad 2 by the flux 7.
【００２６】そして、図４（ｃ）および図４（ｄ）に示
すように、ノズル９を左右に移動させることで、ハンダ
ボール６はＩＣウエハ１上を万遍なく右方向に転がり、
ハンダボール６がまだハンダボール６が付着していない
パッド２上を通過すると、フラックス７により該パッド
２上に付着して位置決めされる。これにより、図４
（ｅ）に示すように、ＩＣウエハ１の全パッド２上にハ
ンダボール６をフラックス７により付着させることがで
きる。Then, as shown in FIGS. 4 (c) and 4 (d), by moving the nozzle 9 left and right, the solder balls 6 roll on the IC wafer 1 to the right all over,
When the solder balls 6 pass over the pads 2 to which the solder balls 6 are not yet attached, the flux 7 attaches to the pads 2 and is positioned by the flux 7. As a result, FIG.
As shown in (e), the solder balls 6 can be attached to all the pads 2 of the IC wafer 1 by the flux 7.
【００２７】次に、ハンダボール６が溶解する温度にＩ
Ｃウエハ１，ハンダボール６を加熱する。これにより、
ハンダボール６およびパッド２はフラックス７により活
性化し、溶けたハンダボール６はパッド２に付着して、
各パッド２上にハンダバンプを形成することができる。
なお、上述した各実施例においては、ＩＣウエハ上にハ
ンダバンプを形成する場合を説明したが、ハンダバンプ
による接続をするハイブリットＩＣ等の基板へのハンダ
バンプ形成に適用することも可能である。Next, at a temperature at which the solder balls 6 melt, I
The C wafer 1 and the solder balls 6 are heated. This allows
The solder balls 6 and the pads 2 are activated by the flux 7, and the melted solder balls 6 adhere to the pads 2,
Solder bumps can be formed on each pad 2.
In each of the above-described embodiments, the case where the solder bumps are formed on the IC wafer has been described, but the present invention can be applied to the formation of solder bumps on a substrate such as a hybrid IC that is connected by the solder bumps.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ハンダ
バンプの形成時にマスクを使用することがないので、従
来のように複数枚のＩＣウエハ上に同時にハンダバンプ
を形成する際に、同時に処理を行うＩＣウエハと同じ数
のマスクを必要とするということがなくなり、製造設備
のコストダウンを図ることができるという効果を有す
る。As described above, according to the present invention, a mask is not used when forming solder bumps. Therefore, when forming solder bumps on a plurality of IC wafers at the same time as in the conventional case, processing is performed simultaneously. There is no need to use the same number of masks as the number of IC wafers to be used, which has the effect of reducing the cost of manufacturing equipment.
【００２９】また、マスクの材質の設定，設計が不要で
あるので、コストダウンを図ることができるという効果
を有する。さらに、ハンダボールを溶解させるための加
熱時に、マスクを使用しないので加熱するのはＩＣウエ
ハとハンダボールのみで済み、熱エネルギーを低減でき
るという効果を有する。Further, since it is unnecessary to set and design the material of the mask, there is an effect that the cost can be reduced. Furthermore, since no mask is used during heating for melting the solder balls, only the IC wafer and the solder balls need to be heated, which has the effect of reducing thermal energy.
【００３０】また、ハンダバンプ形成後にマスクを剥が
す必要がないので、ハンダバンプにダメージを与える可
能性がなくなり、ハンダバンプにダメージを与えないよ
うにマスクを剥がすという作業がなくなるので、作業性
を向上させることができるという効果を有する。Further, since it is not necessary to peel off the mask after forming the solder bumps, there is no possibility of damaging the solder bumps, and the work of peeling off the mask so as not to damage the solder bumps is eliminated, so that workability can be improved. It has the effect of being able to.
【図１】本発明の第１の実施例におけるハンダバンプの
形成方法の流れを示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a flow of a method of forming a solder bump in a first embodiment of the present invention.
【図２】本実施例のフラックスの塗布量の設定概念を示
す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a concept of setting a flux coating amount according to the present embodiment.
【図３】本発明の第２の実施例におけるハンダバンプの
形成方法の流れを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a flow of a solder bump forming method according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３の実施例におけるハンダバンプの
形成方法の流れを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a flow of a solder bump forming method in a third embodiment of the present invention.
【図５】従来のハンダバンプの形成方法の流れを示す説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a flow of a conventional solder bump forming method.
１ ＩＣウエハ ２ パッド ６ ハンダボール ７ フラックス 1 IC wafer 2 Pad 6 Solder ball 7 Flux
Claims (1)
ド上にのみ、ハンダボールが一個以上付着しない量のフ
ラックスを塗布し、 少なくとも一個のハンダボールが各パッド上を通過する
ように、パッドの数と同数以上のハンダボールを前記Ｉ
Ｃウエハ上を万遍なく転がして、各パッド上にフラック
スによりハンダボールを一個ずつ付着させることを特徴
とするＩＣウエハのハンダバンプ形成方法。1. A flux of an amount such that at least one solder ball does not adhere is applied only on a plurality of pads formed on the surface of an IC wafer, and at least one solder ball passes over each pad. The same number of solder balls as the number I
A method for forming solder bumps on an IC wafer, which comprises rolling the C wafer evenly and attaching one solder ball to each pad by flux.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12558493A JPH06333930A (en) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | Formation of solder bump on ic wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12558493A JPH06333930A (en) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | Formation of solder bump on ic wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333930A true JPH06333930A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=14913800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12558493A Pending JPH06333930A (en) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | Formation of solder bump on ic wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333930A (en) |
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-
1993
- 1993-05-27 JP JP12558493A patent/JPH06333930A/en active Pending
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