JPH06326552A - 圧電性結晶要素 - Google Patents
圧電性結晶要素Info
- Publication number
- JPH06326552A JPH06326552A JP6033860A JP3386094A JPH06326552A JP H06326552 A JPH06326552 A JP H06326552A JP 6033860 A JP6033860 A JP 6033860A JP 3386094 A JP3386094 A JP 3386094A JP H06326552 A JPH06326552 A JP H06326552A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal element
- range
- temperature
- piezoelectric crystal
- acoustic wave
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度安定性が従来の材料よりも優れていて、
この温度安定性が高温でも維持される、弾性表面波用途
のための圧電性結晶要素を提供する。 【構成】 弾性表面波装置のために、一つ以上の平らな
面を有する温度補償圧電性結晶要素が使用される。結晶
要素１がＧａＰＯ4 で作られ、平らな面３が０°の範囲
のオイラー角度λ、４０〜７５°の範囲、好ましくは５
０〜６０°の範囲のオイラー角度μおよび０°の範囲の
オイラー角度θによって定められている。
この温度安定性が高温でも維持される、弾性表面波用途
のための圧電性結晶要素を提供する。 【構成】 弾性表面波装置のために、一つ以上の平らな
面を有する温度補償圧電性結晶要素が使用される。結晶
要素１がＧａＰＯ4 で作られ、平らな面３が０°の範囲
のオイラー角度λ、４０〜７５°の範囲、好ましくは５
０〜６０°の範囲のオイラー角度μおよび０°の範囲の
オイラー角度θによって定められている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置に使用
される、少なくとも一つのほぼ平らな面を有する圧電性
結晶要素に関する。
される、少なくとも一つのほぼ平らな面を有する圧電性
結晶要素に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電性材料の弾性表面波（ＳＡＷ）は、
非常に多くの要素において信号処理のために使用され
る。ＶＨＦとＵＨＦの領域での使用はフィルタ、オシレ
ータ、遅延線、コンボルバおよびいろいろな種類のセン
サに使用される。使用される種類の基板に依存する、Ｓ
ＡＷ要素の重要な品質判定基準は、遅延時間または中心
周波数の温度安定性、小さな挿入損失（信号経路への要
素の挿入による信号の減衰）および高い帯域幅である。
挿入損失と帯域幅は、高い圧電性結合によってのみ同時
に満足することができる。遅延時間の温度係数は、位相
速度の温度係数と経路の長さの温度係数の差によって決
まる。もし、二つの効果が互いに相殺されると、温度補
償カットが結果として生じる。しかし、このようなカッ
トは少数の材料の場合にしか得られない。
非常に多くの要素において信号処理のために使用され
る。ＶＨＦとＵＨＦの領域での使用はフィルタ、オシレ
ータ、遅延線、コンボルバおよびいろいろな種類のセン
サに使用される。使用される種類の基板に依存する、Ｓ
ＡＷ要素の重要な品質判定基準は、遅延時間または中心
周波数の温度安定性、小さな挿入損失（信号経路への要
素の挿入による信号の減衰）および高い帯域幅である。
挿入損失と帯域幅は、高い圧電性結合によってのみ同時
に満足することができる。遅延時間の温度係数は、位相
速度の温度係数と経路の長さの温度係数の差によって決
まる。もし、二つの効果が互いに相殺されると、温度補
償カットが結果として生じる。しかし、このようなカッ
トは少数の材料の場合にしか得られない。
【０００３】これに関連して使用される主たる基板材料
は、ＳＴ水晶やニオブ酸リチウムである。ＳＴ水晶は高
い温度安定性を有するが圧電性結合が弱い。ニオブ酸リ
チウムは結合が非常に強いが、遅延時間が温度と共に大
幅に増大する。この二つの要求間の妥協として、タンタ
ル酸リチュウムが使用されたが、その温度安定性は多く
の用途で不充分であった。
は、ＳＴ水晶やニオブ酸リチウムである。ＳＴ水晶は高
い温度安定性を有するが圧電性結合が弱い。ニオブ酸リ
チウムは結合が非常に強いが、遅延時間が温度と共に大
幅に増大する。この二つの要求間の妥協として、タンタ
ル酸リチュウムが使用されたが、その温度安定性は多く
の用途で不充分であった。
【０００４】強く圧電性結合と充分な温度安定性とを兼
ね備える材料の調査により、興味深い材料として、ベル
リニット（ＡｌＰＯ4 ）と四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ 7 ）が挙がった。両材料は水晶よりも高い結合係数
を有し、遅延時間の無視しうる第１の温度係数を有する
カットを有する。しかしながら、両材料共、第２の（二
次の）温度係数がＳＴ水晶よりもオーダー以上高い。こ
の理由から両基板は広く受け入れられなかった。
ね備える材料の調査により、興味深い材料として、ベル
リニット（ＡｌＰＯ4 ）と四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ
4 Ｏ 7 ）が挙がった。両材料は水晶よりも高い結合係数
を有し、遅延時間の無視しうる第１の温度係数を有する
カットを有する。しかしながら、両材料共、第２の（二
次の）温度係数がＳＴ水晶よりもオーダー以上高い。こ
の理由から両基板は広く受け入れられなかった。
【０００５】例えば米国特許第４，１０９，１７２号明
細書では、弾性表面波要素として、温度補償のベルリニ
ットが提案されている。このベルリニットの表面はオイ
ラー角度λ＝０°、μ＝８０．４°およびθ＝０°によ
って定められている。ヨーロッパ特許第０１４４５４４
号明細書には、ベルリニット結晶の温度補償配置方向が
開示されている。この平らな面はオイラー角度λ＝０
°、μ＝９４°およびθ＝０°によって定められてい
る。
細書では、弾性表面波要素として、温度補償のベルリニ
ットが提案されている。このベルリニットの表面はオイ
ラー角度λ＝０°、μ＝８０．４°およびθ＝０°によ
って定められている。ヨーロッパ特許第０１４４５４４
号明細書には、ベルリニット結晶の温度補償配置方向が
開示されている。この平らな面はオイラー角度λ＝０
°、μ＝９４°およびθ＝０°によって定められてい
る。
【０００６】上記の説明は軍事用または民間用の標準温
度範囲に関する。適当な基板材料の欠如は、２００〜９
００°Ｃの高温範囲において際立っている。なぜなら、
水晶とベルリニットの温度安定性が高温時に極端に悪化
するからである。５７３°Ｃと５８８°Ｃでのα−β移
相は、二つの材料の用途の上限を示す。この範囲はセン
サ装置にとって重要である。なぜなら、幾つかの用途が
この温度範囲にあり、ＳＡＷに基づく化学センサの応答
時間が温度と共に大きく減少するからである。
度範囲に関する。適当な基板材料の欠如は、２００〜９
００°Ｃの高温範囲において際立っている。なぜなら、
水晶とベルリニットの温度安定性が高温時に極端に悪化
するからである。５７３°Ｃと５８８°Ｃでのα−β移
相は、二つの材料の用途の上限を示す。この範囲はセン
サ装置にとって重要である。なぜなら、幾つかの用途が
この温度範囲にあり、ＳＡＷに基づく化学センサの応答
時間が温度と共に大きく減少するからである。
【０００７】ヨーロッパ特許出願公開第００６９１１２
号明細書に記載されているように、トータル分子式ＡＢ
Ｏ4 を有する結晶群３２の他の結晶は、重要な物理的特
性についてはるかに良好な温度安定性を有する。例え
ば、水晶に対するホモタイプであり、ベルリニットに対
してイソタイプである正リン酸ガリウムの低温形態は、
この水晶やベルリニットと異なり、α−β移相を示さな
いが、９３０°Ｃまで安定している。水晶よりも高い圧
電結合係数を有する共振器用温度補償配置方向は、例え
ばオーストリア特許第３９０，８５３号明細書に記載さ
れている。しかし、このような配置方向はＳＡＷ用途に
は適していない。
号明細書に記載されているように、トータル分子式ＡＢ
Ｏ4 を有する結晶群３２の他の結晶は、重要な物理的特
性についてはるかに良好な温度安定性を有する。例え
ば、水晶に対するホモタイプであり、ベルリニットに対
してイソタイプである正リン酸ガリウムの低温形態は、
この水晶やベルリニットと異なり、α−β移相を示さな
いが、９３０°Ｃまで安定している。水晶よりも高い圧
電結合係数を有する共振器用温度補償配置方向は、例え
ばオーストリア特許第３９０，８５３号明細書に記載さ
れている。しかし、このような配置方向はＳＡＷ用途に
は適していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、温度
安定性が従来の材料よりも優れていて、この温度安定性
が高温でも維持される、弾性表面波用途のための圧電性
結晶要素を提供することである。
安定性が従来の材料よりも優れていて、この温度安定性
が高温でも維持される、弾性表面波用途のための圧電性
結晶要素を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明では、
結晶要素のためにＧａＰＯ4 を使用し、平らな面を０°
の範囲のオイラー角度λ、４０〜７５°の範囲、好まし
くは５０〜６０°の範囲のオイラー角度μおよび０°の
範囲のオイラー角度θによって定めることによって達成
される。驚くべきことに、ＧａＰＯ4 を使用するＳＡＷ
要素のための最適な温度補償カッティング角度が、これ
に関連して検査した類似材料、すなわちベルリニット
（オイラー角度μ＝８０〜１０４°）で示された範囲の
はるか外側にあることが判った。オイラー角度λ，θの
誤差は約プラスマイナス５°である。
結晶要素のためにＧａＰＯ4 を使用し、平らな面を０°
の範囲のオイラー角度λ、４０〜７５°の範囲、好まし
くは５０〜６０°の範囲のオイラー角度μおよび０°の
範囲のオイラー角度θによって定めることによって達成
される。驚くべきことに、ＧａＰＯ4 を使用するＳＡＷ
要素のための最適な温度補償カッティング角度が、これ
に関連して検査した類似材料、すなわちベルリニット
（オイラー角度μ＝８０〜１０４°）で示された範囲の
はるか外側にあることが判った。オイラー角度λ，θの
誤差は約プラスマイナス５°である。
【００１０】本発明によって提供された結晶要素の他の
利点は、インターデジタル変換器の周期長さと弾性表面
波装置の中心周波数との積が、２，２５０〜２，４００
μｍＭＨｚであることである。この積は水晶やベルリニ
ットの積よりも非常に小さいので、同じ中心周波数の場
合、コンパクトで材料が少なくて済む構造を可能にす
る。
利点は、インターデジタル変換器の周期長さと弾性表面
波装置の中心周波数との積が、２，２５０〜２，４００
μｍＭＨｚであることである。この積は水晶やベルリニ
ットの積よりも非常に小さいので、同じ中心周波数の場
合、コンパクトで材料が少なくて済む構造を可能にす
る。
【００１１】電子回路、例えばインターデジタル変換器
が形成される結晶要素の少なくとも一つの表面は、滑ら
かに研磨されている。一方、他の表面はあまり重要では
なく、事情によっては実体波の影響を小さくするため
に、粗くてもよいし、第１の表面に対して正確に平行に
する必要はない。特に、結晶要素をほぼウェーハの形に
形成することができる。このウェーハの厚さと輪郭は重
要ではない。
が形成される結晶要素の少なくとも一つの表面は、滑ら
かに研磨されている。一方、他の表面はあまり重要では
なく、事情によっては実体波の影響を小さくするため
に、粗くてもよいし、第１の表面に対して正確に平行に
する必要はない。特に、結晶要素をほぼウェーハの形に
形成することができる。このウェーハの厚さと輪郭は重
要ではない。
【００１２】本発明の他の発展形態では、結晶要素が化
学センサの構成要素であり、その全部または一部が感知
層、場合によっては基準層によって覆われている。感知
層は９００°Ｃまでの熱に耐えるよう作られ、従って問
題なく加熱することができる。
学センサの構成要素であり、その全部または一部が感知
層、場合によっては基準層によって覆われている。感知
層は９００°Ｃまでの熱に耐えるよう作られ、従って問
題なく加熱することができる。
【００１３】ＧａＰＯ4 の場合、ベルリニットと異な
り、μ＝９０°とμ＝１３０°の間の最大圧電結合領域
が周波数の高い温度係数を有することが判った。従っ
て、ＧａＰＯ4 結晶要素に基づく温度センサを提供する
ことができる。この場合、結晶要素の平らな表面は０°
の範囲のオイラー角度λ、９０〜１３０°の範囲のオイ
ラー角度μおよび０°の範囲のオイラー角度θによって
定められる。
り、μ＝９０°とμ＝１３０°の間の最大圧電結合領域
が周波数の高い温度係数を有することが判った。従っ
て、ＧａＰＯ4 結晶要素に基づく温度センサを提供する
ことができる。この場合、結晶要素の平らな表面は０°
の範囲のオイラー角度λ、９０〜１３０°の範囲のオイ
ラー角度μおよび０°の範囲のオイラー角度θによって
定められる。
【００１４】
【実施例】次に、図に基づいて本発明を詳しく説明す
る。ＧａＰＯ4 結晶２における圧電性結晶要素１の配置
方向（位置）は、オイラー角度λ、μおよびθによって
定義される。これらの角度は、座標系ｘ′，ｙ′，ｚ′
がその第３、第１および第３の軸線回りに続けて回転す
る角度である。この座標系の軸線はその前は３本の結晶
軸線Ｘ，Ｙ，Ｚに一致している。その際、回転する系の
第１の軸線ｘ′はＳＡＷの位相速度を示し、第３の軸線
ｚ′は結晶要素１の表面３の垂線を示す。本発明によっ
て提案されたカットを含むいわゆるＸブールカットの場
合には、λ＝θ＝０°であるので、位相速度の方向は
ｘ′軸線に一致する。ＧａＰＯ4 の場合、この軸線が二
重の結晶学的対称軸線であるので、群速度もｘ′内にあ
り、その値はこの領域において極値を有する。これは二
つの所望な結果をもたらす。すなわち、ビームステアリ
ングと、θに関しての方向のずれに対する低い感度をも
たらす。
る。ＧａＰＯ4 結晶２における圧電性結晶要素１の配置
方向（位置）は、オイラー角度λ、μおよびθによって
定義される。これらの角度は、座標系ｘ′，ｙ′，ｚ′
がその第３、第１および第３の軸線回りに続けて回転す
る角度である。この座標系の軸線はその前は３本の結晶
軸線Ｘ，Ｙ，Ｚに一致している。その際、回転する系の
第１の軸線ｘ′はＳＡＷの位相速度を示し、第３の軸線
ｚ′は結晶要素１の表面３の垂線を示す。本発明によっ
て提案されたカットを含むいわゆるＸブールカットの場
合には、λ＝θ＝０°であるので、位相速度の方向は
ｘ′軸線に一致する。ＧａＰＯ4 の場合、この軸線が二
重の結晶学的対称軸線であるので、群速度もｘ′内にあ
り、その値はこの領域において極値を有する。これは二
つの所望な結果をもたらす。すなわち、ビームステアリ
ングと、θに関しての方向のずれに対する低い感度をも
たらす。
【００１５】単一回転のカットであるので、特に大量生
産の場合に、結晶要素の配向とカッティングが非常に容
易である。本発明は主として、多くの電子的用途のため
に３０ＭＨｚから３ＧＨｚまでの周波数範囲で使用する
ことができる。簡単な例はトランスバーサルフィルタ
（図２）である。この場合、２個のインターデジタル変
換器Ｉｅ，Ｉａが圧電性結晶要素１の平らな表面３に取
付けられている。入力変換器Ｉｅの電気的な信号は圧電
性結合部（圧電性カップリング）を介して物質の弾性表
面波を励起する。この弾性表面波は表面３に沿って出力
変換器Ｉａの方へ移動し、そこで電気的な出力信号を発
生する。変換器の変形によって、フィルタの通過特性を
最適にすることができる。
産の場合に、結晶要素の配向とカッティングが非常に容
易である。本発明は主として、多くの電子的用途のため
に３０ＭＨｚから３ＧＨｚまでの周波数範囲で使用する
ことができる。簡単な例はトランスバーサルフィルタ
（図２）である。この場合、２個のインターデジタル変
換器Ｉｅ，Ｉａが圧電性結晶要素１の平らな表面３に取
付けられている。入力変換器Ｉｅの電気的な信号は圧電
性結合部（圧電性カップリング）を介して物質の弾性表
面波を励起する。この弾性表面波は表面３に沿って出力
変換器Ｉａの方へ移動し、そこで電気的な出力信号を発
生する。変換器の変形によって、フィルタの通過特性を
最適にすることができる。
【００１６】本発明の他の用途は、ＳＡＷに基づく化学
センサである。このような構造体は図３に示してある。
その際、変換器Ｉｅ，Ｉａの間の領域または変換器近く
の領域は、選択吸収層４によって覆われている。測定周
波数Ｍと、基準構造（変換器Ｉｅ′，Ｉａ′と基準層
４′）の基準周波数Ｒは、信号処理ユニット５に供給さ
れる。この信号処理ユニットでは、周波数の差Ｄが実際
の測定信号として得られる。吸収による表面の多量の負
荷によって、入力信号と出力信号の間の位相のずれが変
化する。従って、振動性回路を使用することによって、
例えば気体の濃度を測定することができる。ＧａＰＯ4
を備えたセンサは、その高い温度安定性によって、９０
０°Ｃまでの温度で操作または加熱することができる。
センサである。このような構造体は図３に示してある。
その際、変換器Ｉｅ，Ｉａの間の領域または変換器近く
の領域は、選択吸収層４によって覆われている。測定周
波数Ｍと、基準構造（変換器Ｉｅ′，Ｉａ′と基準層
４′）の基準周波数Ｒは、信号処理ユニット５に供給さ
れる。この信号処理ユニットでは、周波数の差Ｄが実際
の測定信号として得られる。吸収による表面の多量の負
荷によって、入力信号と出力信号の間の位相のずれが変
化する。従って、振動性回路を使用することによって、
例えば気体の濃度を測定することができる。ＧａＰＯ4
を備えたセンサは、その高い温度安定性によって、９０
０°Ｃまでの温度で操作または加熱することができる。
【００１７】波減衰とパラメータ変動を低減するため
に、領域をきれいにした結晶材料、特に未加工の結晶ブ
ロック２の（０００１）面の成長領域からなる結晶材料
を使用すると有利である。更に、ＯＨの濃度を示す基準
として用いられる３μｍの波長範囲における赤外線吸収
は、できるだけ少なくすべきである。
に、領域をきれいにした結晶材料、特に未加工の結晶ブ
ロック２の（０００１）面の成長領域からなる結晶材料
を使用すると有利である。更に、ＯＨの濃度を示す基準
として用いられる３μｍの波長範囲における赤外線吸収
は、できるだけ少なくすべきである。
【００１８】上述の範囲内の角度μは、遅延時間または
中心周波数の温度依存性ができるだけ小さくなるよう
に、温度範囲に依存して選択すべきである。最も適切な
範囲は、工業仕様用の標準範囲（２０〜８５°Ｃ）、軍
事仕様用の標準範囲（−５５〜１２５°Ｃ）およびセン
サ用途のための高い温度までの他の範囲、例えば２０〜
９００°Ｃである。重要な温度範囲において、遅延時間
の最大値と最小値の差は好ましくは、選択した角度につ
いて、最小であるべきである。
中心周波数の温度依存性ができるだけ小さくなるよう
に、温度範囲に依存して選択すべきである。最も適切な
範囲は、工業仕様用の標準範囲（２０〜８５°Ｃ）、軍
事仕様用の標準範囲（−５５〜１２５°Ｃ）およびセン
サ用途のための高い温度までの他の範囲、例えば２０〜
９００°Ｃである。重要な温度範囲において、遅延時間
の最大値と最小値の差は好ましくは、選択した角度につ
いて、最小であるべきである。
【００１９】中心周波数が温度にかなり依存することに
より、温度センサの製作を可能にする（Ｆ．Ｍｏｅｌｌ
ｅｒ、Ｊ．Ｋｕｈｎ共著、センサおよびアクチュエータ
Ａ、３０（１９９２）、７３〜７５参照）ＳＡＷ要素に
ついて説明したが、基板としてのＧａＰＯ4 の使用と、
請求項６のカッティング角度は、９００°Ｃまでの測定
範囲の延長をもたらすという利点がある。
より、温度センサの製作を可能にする（Ｆ．Ｍｏｅｌｌ
ｅｒ、Ｊ．Ｋｕｈｎ共著、センサおよびアクチュエータ
Ａ、３０（１９９２）、７３〜７５参照）ＳＡＷ要素に
ついて説明したが、基板としてのＧａＰＯ4 の使用と、
請求項６のカッティング角度は、９００°Ｃまでの測定
範囲の延長をもたらすという利点がある。
【００２０】
【発明の効果】本発明による弾性表面波用途のための圧
電性結晶要素は、温度安定性が従来の材料よりも優れて
いて、この温度安定性が高温でも維持されるという利点
がある。
電性結晶要素は、温度安定性が従来の材料よりも優れて
いて、この温度安定性が高温でも維持されるという利点
がある。
【図１】ＧａＰＯ4 結晶内での本発明による圧電性結晶
要素の位置を示す。
要素の位置を示す。
【図２】弾性表面波フィルタを備えた本発明による結晶
要素を示す図である。
要素を示す図である。
【図３】図２に示した圧電性結晶要素を基礎とした化学
センサの概略図である。
センサの概略図である。
１ 結晶要素 ２ ＧａＰＯ4 結晶 ３ 平らな面 ４ 感知層 ４′ 基準層 Ｉａ，Ｉｅ インターデジタル変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペーター・ヴェー・クレムプル オーストリア国、8047 グラーツ／ラグニ ッツ、カインバッハ、211
Claims (6)
- 【請求項１】 弾性表面波装置に使用される、少なくと
も一つのほぼ平らな面を有する圧電性結晶要素におい
て、結晶要素（１）がＧａＰＯ4 からなり、平らな面
（３）が０°の範囲のオイラー角度λ、４０〜７５°の
範囲、好ましくは５０〜６０°の範囲のオイラー角度μ
および０°の範囲のオイラー角度θによって定められて
いることを特徴とする圧電性結晶要素。 - 【請求項２】 インターデジタル変換器（Ｉａ，Ｉｅ）
の周期長さと、弾性表面波装置の中心周波数との積が、
２，２５０〜２，４００μｍ ＭＨｚであることを特徴
とする請求項１の結晶要素。 - 【請求項３】 結晶要素（１）がほぼウェーハの形をし
ていることを特徴とする請求項１または２の結晶要素。 - 【請求項４】 結晶要素（１）が化学センサの一部であ
り、感知層（４）、必要とあらば基準層（４′）によっ
て、その全部または一部が覆われていることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか一つの結晶要素。 - 【請求項５】 感知層（４）が９００°Ｃまでの熱に耐
えることを特徴とする請求項４の結晶要素。 - 【請求項６】 温度測定に使用される、少なくとも一つ
のほぼ平らな面を有する圧電性結晶要素において、結晶
要素（１）がＧａＰＯ4 からなり、平らな面（３）が０
°の範囲のオイラー角度λ、９０〜１３０°の範囲のオ
イラー角度μおよび０°の範囲のオイラー角度θによっ
て定められていることを特徴とする圧電性結晶要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0042293A AT401837B (de) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Piezoelektrisches kristallelement |
| AT422/93 | 1993-03-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326552A true JPH06326552A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=3490205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6033860A Pending JPH06326552A (ja) | 1993-03-04 | 1994-03-03 | 圧電性結晶要素 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5369327A (ja) |
| EP (1) | EP0614271B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06326552A (ja) |
| AT (1) | AT401837B (ja) |
| DE (1) | DE59404182D1 (ja) |
| RU (1) | RU2127484C1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0635938B1 (de) * | 1993-07-20 | 1998-04-15 | AVL List GmbH | Piezoelektrisches Kristallelement |
| FR2732768B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-05-16 | Thomson Csf | Capteur chimique haute temperature |
| DE19518704C2 (de) * | 1995-05-22 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Galliumorthophosphat |
| DE19532602C1 (de) * | 1995-09-04 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Langasit |
| FR2837636B1 (fr) * | 2002-03-19 | 2004-09-24 | Thales Sa | Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium |
| JP4249502B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2009-04-02 | 日本電波工業株式会社 | 圧電結晶材料及び圧電振動子 |
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