JPH06326552A - 圧電性結晶要素 - Google Patents
圧電性結晶要素Info
- Publication number
- JPH06326552A JPH06326552A JP6033860A JP3386094A JPH06326552A JP H06326552 A JPH06326552 A JP H06326552A JP 6033860 A JP6033860 A JP 6033860A JP 3386094 A JP3386094 A JP 3386094A JP H06326552 A JPH06326552 A JP H06326552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal element
- range
- temperature
- piezoelectric crystal
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度安定性が従来の材料よりも優れていて、
この温度安定性が高温でも維持される、弾性表面波用途
のための圧電性結晶要素を提供する。 【構成】 弾性表面波装置のために、一つ以上の平らな
面を有する温度補償圧電性結晶要素が使用される。結晶
要素1がGaPO4 で作られ、平らな面3が0°の範囲
のオイラー角度λ、40〜75°の範囲、好ましくは5
0〜60°の範囲のオイラー角度μおよび0°の範囲の
オイラー角度θによって定められている。
この温度安定性が高温でも維持される、弾性表面波用途
のための圧電性結晶要素を提供する。 【構成】 弾性表面波装置のために、一つ以上の平らな
面を有する温度補償圧電性結晶要素が使用される。結晶
要素1がGaPO4 で作られ、平らな面3が0°の範囲
のオイラー角度λ、40〜75°の範囲、好ましくは5
0〜60°の範囲のオイラー角度μおよび0°の範囲の
オイラー角度θによって定められている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置に使用
される、少なくとも一つのほぼ平らな面を有する圧電性
結晶要素に関する。
される、少なくとも一つのほぼ平らな面を有する圧電性
結晶要素に関する。
【0002】
【従来の技術】圧電性材料の弾性表面波(SAW)は、
非常に多くの要素において信号処理のために使用され
る。VHFとUHFの領域での使用はフィルタ、オシレ
ータ、遅延線、コンボルバおよびいろいろな種類のセン
サに使用される。使用される種類の基板に依存する、S
AW要素の重要な品質判定基準は、遅延時間または中心
周波数の温度安定性、小さな挿入損失(信号経路への要
素の挿入による信号の減衰)および高い帯域幅である。
挿入損失と帯域幅は、高い圧電性結合によってのみ同時
に満足することができる。遅延時間の温度係数は、位相
速度の温度係数と経路の長さの温度係数の差によって決
まる。もし、二つの効果が互いに相殺されると、温度補
償カットが結果として生じる。しかし、このようなカッ
トは少数の材料の場合にしか得られない。
非常に多くの要素において信号処理のために使用され
る。VHFとUHFの領域での使用はフィルタ、オシレ
ータ、遅延線、コンボルバおよびいろいろな種類のセン
サに使用される。使用される種類の基板に依存する、S
AW要素の重要な品質判定基準は、遅延時間または中心
周波数の温度安定性、小さな挿入損失(信号経路への要
素の挿入による信号の減衰)および高い帯域幅である。
挿入損失と帯域幅は、高い圧電性結合によってのみ同時
に満足することができる。遅延時間の温度係数は、位相
速度の温度係数と経路の長さの温度係数の差によって決
まる。もし、二つの効果が互いに相殺されると、温度補
償カットが結果として生じる。しかし、このようなカッ
トは少数の材料の場合にしか得られない。
【0003】これに関連して使用される主たる基板材料
は、ST水晶やニオブ酸リチウムである。ST水晶は高
い温度安定性を有するが圧電性結合が弱い。ニオブ酸リ
チウムは結合が非常に強いが、遅延時間が温度と共に大
幅に増大する。この二つの要求間の妥協として、タンタ
ル酸リチュウムが使用されたが、その温度安定性は多く
の用途で不充分であった。
は、ST水晶やニオブ酸リチウムである。ST水晶は高
い温度安定性を有するが圧電性結合が弱い。ニオブ酸リ
チウムは結合が非常に強いが、遅延時間が温度と共に大
幅に増大する。この二つの要求間の妥協として、タンタ
ル酸リチュウムが使用されたが、その温度安定性は多く
の用途で不充分であった。
【0004】強く圧電性結合と充分な温度安定性とを兼
ね備える材料の調査により、興味深い材料として、ベル
リニット(AlPO4 )と四ホウ酸リチウム(Li2 B
4 O 7 )が挙がった。両材料は水晶よりも高い結合係数
を有し、遅延時間の無視しうる第1の温度係数を有する
カットを有する。しかしながら、両材料共、第2の(二
次の)温度係数がST水晶よりもオーダー以上高い。こ
の理由から両基板は広く受け入れられなかった。
ね備える材料の調査により、興味深い材料として、ベル
リニット(AlPO4 )と四ホウ酸リチウム(Li2 B
4 O 7 )が挙がった。両材料は水晶よりも高い結合係数
を有し、遅延時間の無視しうる第1の温度係数を有する
カットを有する。しかしながら、両材料共、第2の(二
次の)温度係数がST水晶よりもオーダー以上高い。こ
の理由から両基板は広く受け入れられなかった。
【0005】例えば米国特許第4,109,172号明
細書では、弾性表面波要素として、温度補償のベルリニ
ットが提案されている。このベルリニットの表面はオイ
ラー角度λ=0°、μ=80.4°およびθ=0°によ
って定められている。ヨーロッパ特許第0144544
号明細書には、ベルリニット結晶の温度補償配置方向が
開示されている。この平らな面はオイラー角度λ=0
°、μ=94°およびθ=0°によって定められてい
る。
細書では、弾性表面波要素として、温度補償のベルリニ
ットが提案されている。このベルリニットの表面はオイ
ラー角度λ=0°、μ=80.4°およびθ=0°によ
って定められている。ヨーロッパ特許第0144544
号明細書には、ベルリニット結晶の温度補償配置方向が
開示されている。この平らな面はオイラー角度λ=0
°、μ=94°およびθ=0°によって定められてい
る。
【0006】上記の説明は軍事用または民間用の標準温
度範囲に関する。適当な基板材料の欠如は、200〜9
00°Cの高温範囲において際立っている。なぜなら、
水晶とベルリニットの温度安定性が高温時に極端に悪化
するからである。573°Cと588°Cでのα−β移
相は、二つの材料の用途の上限を示す。この範囲はセン
サ装置にとって重要である。なぜなら、幾つかの用途が
この温度範囲にあり、SAWに基づく化学センサの応答
時間が温度と共に大きく減少するからである。
度範囲に関する。適当な基板材料の欠如は、200〜9
00°Cの高温範囲において際立っている。なぜなら、
水晶とベルリニットの温度安定性が高温時に極端に悪化
するからである。573°Cと588°Cでのα−β移
相は、二つの材料の用途の上限を示す。この範囲はセン
サ装置にとって重要である。なぜなら、幾つかの用途が
この温度範囲にあり、SAWに基づく化学センサの応答
時間が温度と共に大きく減少するからである。
【0007】ヨーロッパ特許出願公開第0069112
号明細書に記載されているように、トータル分子式AB
O4 を有する結晶群32の他の結晶は、重要な物理的特
性についてはるかに良好な温度安定性を有する。例え
ば、水晶に対するホモタイプであり、ベルリニットに対
してイソタイプである正リン酸ガリウムの低温形態は、
この水晶やベルリニットと異なり、α−β移相を示さな
いが、930°Cまで安定している。水晶よりも高い圧
電結合係数を有する共振器用温度補償配置方向は、例え
ばオーストリア特許第390,853号明細書に記載さ
れている。しかし、このような配置方向はSAW用途に
は適していない。
号明細書に記載されているように、トータル分子式AB
O4 を有する結晶群32の他の結晶は、重要な物理的特
性についてはるかに良好な温度安定性を有する。例え
ば、水晶に対するホモタイプであり、ベルリニットに対
してイソタイプである正リン酸ガリウムの低温形態は、
この水晶やベルリニットと異なり、α−β移相を示さな
いが、930°Cまで安定している。水晶よりも高い圧
電結合係数を有する共振器用温度補償配置方向は、例え
ばオーストリア特許第390,853号明細書に記載さ
れている。しかし、このような配置方向はSAW用途に
は適していない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、温度
安定性が従来の材料よりも優れていて、この温度安定性
が高温でも維持される、弾性表面波用途のための圧電性
結晶要素を提供することである。
安定性が従来の材料よりも優れていて、この温度安定性
が高温でも維持される、弾性表面波用途のための圧電性
結晶要素を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明では、
結晶要素のためにGaPO4 を使用し、平らな面を0°
の範囲のオイラー角度λ、40〜75°の範囲、好まし
くは50〜60°の範囲のオイラー角度μおよび0°の
範囲のオイラー角度θによって定めることによって達成
される。驚くべきことに、GaPO4 を使用するSAW
要素のための最適な温度補償カッティング角度が、これ
に関連して検査した類似材料、すなわちベルリニット
(オイラー角度μ=80〜104°)で示された範囲の
はるか外側にあることが判った。オイラー角度λ,θの
誤差は約プラスマイナス5°である。
結晶要素のためにGaPO4 を使用し、平らな面を0°
の範囲のオイラー角度λ、40〜75°の範囲、好まし
くは50〜60°の範囲のオイラー角度μおよび0°の
範囲のオイラー角度θによって定めることによって達成
される。驚くべきことに、GaPO4 を使用するSAW
要素のための最適な温度補償カッティング角度が、これ
に関連して検査した類似材料、すなわちベルリニット
(オイラー角度μ=80〜104°)で示された範囲の
はるか外側にあることが判った。オイラー角度λ,θの
誤差は約プラスマイナス5°である。
【0010】本発明によって提供された結晶要素の他の
利点は、インターデジタル変換器の周期長さと弾性表面
波装置の中心周波数との積が、2,250〜2,400
μmMHzであることである。この積は水晶やベルリニ
ットの積よりも非常に小さいので、同じ中心周波数の場
合、コンパクトで材料が少なくて済む構造を可能にす
る。
利点は、インターデジタル変換器の周期長さと弾性表面
波装置の中心周波数との積が、2,250〜2,400
μmMHzであることである。この積は水晶やベルリニ
ットの積よりも非常に小さいので、同じ中心周波数の場
合、コンパクトで材料が少なくて済む構造を可能にす
る。
【0011】電子回路、例えばインターデジタル変換器
が形成される結晶要素の少なくとも一つの表面は、滑ら
かに研磨されている。一方、他の表面はあまり重要では
なく、事情によっては実体波の影響を小さくするため
に、粗くてもよいし、第1の表面に対して正確に平行に
する必要はない。特に、結晶要素をほぼウェーハの形に
形成することができる。このウェーハの厚さと輪郭は重
要ではない。
が形成される結晶要素の少なくとも一つの表面は、滑ら
かに研磨されている。一方、他の表面はあまり重要では
なく、事情によっては実体波の影響を小さくするため
に、粗くてもよいし、第1の表面に対して正確に平行に
する必要はない。特に、結晶要素をほぼウェーハの形に
形成することができる。このウェーハの厚さと輪郭は重
要ではない。
【0012】本発明の他の発展形態では、結晶要素が化
学センサの構成要素であり、その全部または一部が感知
層、場合によっては基準層によって覆われている。感知
層は900°Cまでの熱に耐えるよう作られ、従って問
題なく加熱することができる。
学センサの構成要素であり、その全部または一部が感知
層、場合によっては基準層によって覆われている。感知
層は900°Cまでの熱に耐えるよう作られ、従って問
題なく加熱することができる。
【0013】GaPO4 の場合、ベルリニットと異な
り、μ=90°とμ=130°の間の最大圧電結合領域
が周波数の高い温度係数を有することが判った。従っ
て、GaPO4 結晶要素に基づく温度センサを提供する
ことができる。この場合、結晶要素の平らな表面は0°
の範囲のオイラー角度λ、90〜130°の範囲のオイ
ラー角度μおよび0°の範囲のオイラー角度θによって
定められる。
り、μ=90°とμ=130°の間の最大圧電結合領域
が周波数の高い温度係数を有することが判った。従っ
て、GaPO4 結晶要素に基づく温度センサを提供する
ことができる。この場合、結晶要素の平らな表面は0°
の範囲のオイラー角度λ、90〜130°の範囲のオイ
ラー角度μおよび0°の範囲のオイラー角度θによって
定められる。
【0014】
【実施例】次に、図に基づいて本発明を詳しく説明す
る。GaPO4 結晶2における圧電性結晶要素1の配置
方向(位置)は、オイラー角度λ、μおよびθによって
定義される。これらの角度は、座標系x′,y′,z′
がその第3、第1および第3の軸線回りに続けて回転す
る角度である。この座標系の軸線はその前は3本の結晶
軸線X,Y,Zに一致している。その際、回転する系の
第1の軸線x′はSAWの位相速度を示し、第3の軸線
z′は結晶要素1の表面3の垂線を示す。本発明によっ
て提案されたカットを含むいわゆるXブールカットの場
合には、λ=θ=0°であるので、位相速度の方向は
x′軸線に一致する。GaPO4 の場合、この軸線が二
重の結晶学的対称軸線であるので、群速度もx′内にあ
り、その値はこの領域において極値を有する。これは二
つの所望な結果をもたらす。すなわち、ビームステアリ
ングと、θに関しての方向のずれに対する低い感度をも
たらす。
る。GaPO4 結晶2における圧電性結晶要素1の配置
方向(位置)は、オイラー角度λ、μおよびθによって
定義される。これらの角度は、座標系x′,y′,z′
がその第3、第1および第3の軸線回りに続けて回転す
る角度である。この座標系の軸線はその前は3本の結晶
軸線X,Y,Zに一致している。その際、回転する系の
第1の軸線x′はSAWの位相速度を示し、第3の軸線
z′は結晶要素1の表面3の垂線を示す。本発明によっ
て提案されたカットを含むいわゆるXブールカットの場
合には、λ=θ=0°であるので、位相速度の方向は
x′軸線に一致する。GaPO4 の場合、この軸線が二
重の結晶学的対称軸線であるので、群速度もx′内にあ
り、その値はこの領域において極値を有する。これは二
つの所望な結果をもたらす。すなわち、ビームステアリ
ングと、θに関しての方向のずれに対する低い感度をも
たらす。
【0015】単一回転のカットであるので、特に大量生
産の場合に、結晶要素の配向とカッティングが非常に容
易である。本発明は主として、多くの電子的用途のため
に30MHzから3GHzまでの周波数範囲で使用する
ことができる。簡単な例はトランスバーサルフィルタ
(図2)である。この場合、2個のインターデジタル変
換器Ie,Iaが圧電性結晶要素1の平らな表面3に取
付けられている。入力変換器Ieの電気的な信号は圧電
性結合部(圧電性カップリング)を介して物質の弾性表
面波を励起する。この弾性表面波は表面3に沿って出力
変換器Iaの方へ移動し、そこで電気的な出力信号を発
生する。変換器の変形によって、フィルタの通過特性を
最適にすることができる。
産の場合に、結晶要素の配向とカッティングが非常に容
易である。本発明は主として、多くの電子的用途のため
に30MHzから3GHzまでの周波数範囲で使用する
ことができる。簡単な例はトランスバーサルフィルタ
(図2)である。この場合、2個のインターデジタル変
換器Ie,Iaが圧電性結晶要素1の平らな表面3に取
付けられている。入力変換器Ieの電気的な信号は圧電
性結合部(圧電性カップリング)を介して物質の弾性表
面波を励起する。この弾性表面波は表面3に沿って出力
変換器Iaの方へ移動し、そこで電気的な出力信号を発
生する。変換器の変形によって、フィルタの通過特性を
最適にすることができる。
【0016】本発明の他の用途は、SAWに基づく化学
センサである。このような構造体は図3に示してある。
その際、変換器Ie,Iaの間の領域または変換器近く
の領域は、選択吸収層4によって覆われている。測定周
波数Mと、基準構造(変換器Ie′,Ia′と基準層
4′)の基準周波数Rは、信号処理ユニット5に供給さ
れる。この信号処理ユニットでは、周波数の差Dが実際
の測定信号として得られる。吸収による表面の多量の負
荷によって、入力信号と出力信号の間の位相のずれが変
化する。従って、振動性回路を使用することによって、
例えば気体の濃度を測定することができる。GaPO4
を備えたセンサは、その高い温度安定性によって、90
0°Cまでの温度で操作または加熱することができる。
センサである。このような構造体は図3に示してある。
その際、変換器Ie,Iaの間の領域または変換器近く
の領域は、選択吸収層4によって覆われている。測定周
波数Mと、基準構造(変換器Ie′,Ia′と基準層
4′)の基準周波数Rは、信号処理ユニット5に供給さ
れる。この信号処理ユニットでは、周波数の差Dが実際
の測定信号として得られる。吸収による表面の多量の負
荷によって、入力信号と出力信号の間の位相のずれが変
化する。従って、振動性回路を使用することによって、
例えば気体の濃度を測定することができる。GaPO4
を備えたセンサは、その高い温度安定性によって、90
0°Cまでの温度で操作または加熱することができる。
【0017】波減衰とパラメータ変動を低減するため
に、領域をきれいにした結晶材料、特に未加工の結晶ブ
ロック2の(0001)面の成長領域からなる結晶材料
を使用すると有利である。更に、OHの濃度を示す基準
として用いられる3μmの波長範囲における赤外線吸収
は、できるだけ少なくすべきである。
に、領域をきれいにした結晶材料、特に未加工の結晶ブ
ロック2の(0001)面の成長領域からなる結晶材料
を使用すると有利である。更に、OHの濃度を示す基準
として用いられる3μmの波長範囲における赤外線吸収
は、できるだけ少なくすべきである。
【0018】上述の範囲内の角度μは、遅延時間または
中心周波数の温度依存性ができるだけ小さくなるよう
に、温度範囲に依存して選択すべきである。最も適切な
範囲は、工業仕様用の標準範囲(20〜85°C)、軍
事仕様用の標準範囲(−55〜125°C)およびセン
サ用途のための高い温度までの他の範囲、例えば20〜
900°Cである。重要な温度範囲において、遅延時間
の最大値と最小値の差は好ましくは、選択した角度につ
いて、最小であるべきである。
中心周波数の温度依存性ができるだけ小さくなるよう
に、温度範囲に依存して選択すべきである。最も適切な
範囲は、工業仕様用の標準範囲(20〜85°C)、軍
事仕様用の標準範囲(−55〜125°C)およびセン
サ用途のための高い温度までの他の範囲、例えば20〜
900°Cである。重要な温度範囲において、遅延時間
の最大値と最小値の差は好ましくは、選択した角度につ
いて、最小であるべきである。
【0019】中心周波数が温度にかなり依存することに
より、温度センサの製作を可能にする(F.Moell
er、J.Kuhn共著、センサおよびアクチュエータ
A、30(1992)、73〜75参照)SAW要素に
ついて説明したが、基板としてのGaPO4 の使用と、
請求項6のカッティング角度は、900°Cまでの測定
範囲の延長をもたらすという利点がある。
より、温度センサの製作を可能にする(F.Moell
er、J.Kuhn共著、センサおよびアクチュエータ
A、30(1992)、73〜75参照)SAW要素に
ついて説明したが、基板としてのGaPO4 の使用と、
請求項6のカッティング角度は、900°Cまでの測定
範囲の延長をもたらすという利点がある。
【0020】
【発明の効果】本発明による弾性表面波用途のための圧
電性結晶要素は、温度安定性が従来の材料よりも優れて
いて、この温度安定性が高温でも維持されるという利点
がある。
電性結晶要素は、温度安定性が従来の材料よりも優れて
いて、この温度安定性が高温でも維持されるという利点
がある。
【図1】GaPO4 結晶内での本発明による圧電性結晶
要素の位置を示す。
要素の位置を示す。
【図2】弾性表面波フィルタを備えた本発明による結晶
要素を示す図である。
要素を示す図である。
【図3】図2に示した圧電性結晶要素を基礎とした化学
センサの概略図である。
センサの概略図である。
1 結晶要素 2 GaPO4 結晶 3 平らな面 4 感知層 4′ 基準層 Ia,Ie インターデジタル変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペーター・ヴェー・クレムプル オーストリア国、8047 グラーツ/ラグニ ッツ、カインバッハ、211
Claims (6)
- 【請求項1】 弾性表面波装置に使用される、少なくと
も一つのほぼ平らな面を有する圧電性結晶要素におい
て、結晶要素(1)がGaPO4 からなり、平らな面
(3)が0°の範囲のオイラー角度λ、40〜75°の
範囲、好ましくは50〜60°の範囲のオイラー角度μ
および0°の範囲のオイラー角度θによって定められて
いることを特徴とする圧電性結晶要素。 - 【請求項2】 インターデジタル変換器(Ia,Ie)
の周期長さと、弾性表面波装置の中心周波数との積が、
2,250〜2,400μm MHzであることを特徴
とする請求項1の結晶要素。 - 【請求項3】 結晶要素(1)がほぼウェーハの形をし
ていることを特徴とする請求項1または2の結晶要素。 - 【請求項4】 結晶要素(1)が化学センサの一部であ
り、感知層(4)、必要とあらば基準層(4′)によっ
て、その全部または一部が覆われていることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれか一つの結晶要素。 - 【請求項5】 感知層(4)が900°Cまでの熱に耐
えることを特徴とする請求項4の結晶要素。 - 【請求項6】 温度測定に使用される、少なくとも一つ
のほぼ平らな面を有する圧電性結晶要素において、結晶
要素(1)がGaPO4 からなり、平らな面(3)が0
°の範囲のオイラー角度λ、90〜130°の範囲のオ
イラー角度μおよび0°の範囲のオイラー角度θによっ
て定められていることを特徴とする圧電性結晶要素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0042293A AT401837B (de) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Piezoelektrisches kristallelement |
AT422/93 | 1993-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06326552A true JPH06326552A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=3490205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6033860A Pending JPH06326552A (ja) | 1993-03-04 | 1994-03-03 | 圧電性結晶要素 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5369327A (ja) |
EP (1) | EP0614271B1 (ja) |
JP (1) | JPH06326552A (ja) |
AT (1) | AT401837B (ja) |
DE (1) | DE59404182D1 (ja) |
RU (1) | RU2127484C1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59405686D1 (de) * | 1993-07-20 | 1998-05-20 | Avl List Gmbh | Piezoelektrisches Kristallelement |
FR2732768B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-05-16 | Thomson Csf | Capteur chimique haute temperature |
DE19518704C2 (de) * | 1995-05-22 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Galliumorthophosphat |
DE19532602C1 (de) * | 1995-09-04 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Langasit |
FR2837636B1 (fr) * | 2002-03-19 | 2004-09-24 | Thales Sa | Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium |
JP4249502B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2009-04-02 | 日本電波工業株式会社 | 圧電結晶材料及び圧電振動子 |
JP4864370B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2012-02-01 | 日本電波工業株式会社 | 温度センサ |
US7434989B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-10-14 | Applied Sensor Research & Development Corporation | SAW temperature sensor and system |
US20070188717A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Melcher Charles L | Method for producing crystal elements having strategically oriented faces for enhancing performance |
DE102007021172B4 (de) * | 2007-05-05 | 2010-11-18 | Refractory Intellectual Property Gmbh & Co. Kg | Verwendung eines Sensors |
EP2590325A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Résonateur thermocompensé en céramique |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814588A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-27 | ハンス・リスト | 圧電素子備え込み器具 |
JPS58114518A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 表面波素子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4026994A (en) * | 1975-02-17 | 1977-05-31 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium phosphide |
US4109172A (en) * | 1977-08-19 | 1978-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High piezoelectric coupling-temperature compensated berlinite substrate member for surface acoustic wave devices |
US4559208A (en) * | 1981-01-30 | 1985-12-17 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing apparatus |
US4324773A (en) * | 1981-01-30 | 1982-04-13 | Allied Corporation | Hydrothermal process and apparatus for synthesizing crystalline powders |
US4481069A (en) * | 1981-01-30 | 1984-11-06 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing process |
US4382840A (en) * | 1981-01-30 | 1983-05-10 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing process and apparatus |
US4554136A (en) * | 1981-01-30 | 1985-11-19 | Allied Corporation | Hydrothermal apparatus for synthesizing crystalline powders |
DE3270962D1 (en) * | 1981-06-24 | 1986-06-12 | List Hans | Piezo electric element |
US4578146A (en) * | 1983-04-28 | 1986-03-25 | Allied Corporation | Process for growing a large single crystal from multiple seed crystals |
US4670680A (en) * | 1986-07-29 | 1987-06-02 | R. F. Monolithics, Inc. | Doubly rotated orientations of cut angles for quartz crystal for novel surface acoustic wave devices |
US4670681A (en) * | 1986-07-29 | 1987-06-02 | R. F. Monolithics, Inc. | Singly rotated orientation of quartz crystals for novel surface acoustic wave devices |
US4868444A (en) * | 1987-10-19 | 1989-09-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
AT393182B (de) * | 1987-11-11 | 1991-08-26 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Piezoelektrisches kristallelement und verfahren zur herstellung |
AT390853B (de) * | 1988-11-25 | 1990-07-10 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Piezoelektrisches kristallelement auf der basis von gapo4 |
US5051645A (en) * | 1990-01-30 | 1991-09-24 | Johnson Service Company | Acoustic wave H2 O phase-change sensor capable of self-cleaning and distinguishing air, water, dew, frost and ice |
FR2668948B1 (fr) * | 1990-11-13 | 1993-04-23 | Cepe | Procede de dissolution d'un materiau cristallin. |
-
1993
- 1993-03-04 AT AT0042293A patent/AT401837B/de not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-07 DE DE59404182T patent/DE59404182D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-07 EP EP94890032A patent/EP0614271B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-17 US US08/197,805 patent/US5369327A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-02 RU RU94006806A patent/RU2127484C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1994-03-03 JP JP6033860A patent/JPH06326552A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814588A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-27 | ハンス・リスト | 圧電素子備え込み器具 |
JPS58114518A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 表面波素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5369327A (en) | 1994-11-29 |
RU2127484C1 (ru) | 1999-03-10 |
EP0614271B1 (de) | 1997-10-01 |
AT401837B (de) | 1996-12-27 |
EP0614271A1 (de) | 1994-09-07 |
DE59404182D1 (de) | 1997-11-06 |
ATA42293A (de) | 1996-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Malocha et al. | Recent measurements of material constants versus temperature for langatate, langanite and langasite | |
US10270420B2 (en) | Surface elastic wave device comprising a single-crystal piezoelectric film and a crystalline substrate with low visoelastic coefficients | |
Kushibiki et al. | Accurate measurements of the acoustical physical constants of synthetic/spl alpha/-quartz for SAW devices | |
Kadota | Surface acoustic wave characteristics of a ZnO/quartz substrate structure having a large electromechanical coupling factor and a small temperature coefficient | |
CA1108746A (en) | Acoustic wave devices employing surface skimming bulk waves | |
Herrmann et al. | Properties of sensors based on shear-horizontal surface acoustic waves in LiTaO/sub 3//SiO/sub 2/and quartz/SiO/sub 2/structures | |
Talbi et al. | ZnO/quartz structure potentiality for surface acoustic wave pressure sensor | |
JPH06326552A (ja) | 圧電性結晶要素 | |
Ohashi et al. | Ultrasonic microspectroscopy characterization of AlN single crystals | |
US8810106B2 (en) | HBAR resonator with a high level of integration | |
US5440188A (en) | Piezoelectric crystal element | |
CA1115791A (en) | Surface acoustic wave devices | |
EP0255361B1 (en) | Quartz crystal for surface acoustic wave device | |
Buchanan | Handbook of piezoelectric crystals for radio equipment designers | |
Kadota | Combination of ZnO film and quartz to realize large coupling factor and excellent temperature coefficient for SAW devices | |
US4609843A (en) | Temperature compensated berlinite for surface acoustic wave devices | |
US20020017828A1 (en) | Substrate lamina made of langasite or langatate | |
CA1217853A (en) | Temperature compensated orientation of berlinite for surface acoustic wave devices | |
US4525643A (en) | Temperature compensated orientations of berlinite for surface acoustic wave devices | |
Kushibiki et al. | Comparison of acoustic properties between natural and synthetic α-quartz crystals | |
JP3198300B2 (ja) | KNbO3圧電素子 | |
Bilobran et al. | Thermally tunable surface acoustic wave cavities | |
Hickernell | The SAW properties of sputtered SiO/sub 2/on X-112/spl deg/Y LiTaO/sub 3 | |
Sinha et al. | Temperature derivative of stress coefficients of SAW resonator frequency from pressure sensor measurements | |
Kalantar-Zadeh et al. | Design and fabrication of a SiO/sub 2//ST-cut quartz Love mode surface acoustic wave transducer for operation in liquid media |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970729 |