RU2127484C1 - Пьезоэлектрический кристаллический элемент - Google Patents
Пьезоэлектрический кристаллический элемент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2127484C1 RU2127484C1 RU94006806A RU94006806A RU2127484C1 RU 2127484 C1 RU2127484 C1 RU 2127484C1 RU 94006806 A RU94006806 A RU 94006806A RU 94006806 A RU94006806 A RU 94006806A RU 2127484 C1 RU2127484 C1 RU 2127484C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- crystal
- element according
- gapo
- flat surface
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017119 AlPO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010396 two-hybrid screening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Для акустических систем поверхностных волн используют термокомпенсированные пьезоэлектрические кристаллические элементы с по меньшей мере одной плоской поверхностью. Элемент кристалла состоит из GaPO4 и его плоская поверхность определена углами Эйлера: λ в области 0o, μ в области 40-75o, предпочтительно 50-60o, и θ в области 0o. Техническим результатом является повышение термостабильности. 2 c. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к пьезоэлектрическому элементу, содержащему кристалл с по меньшей мере одной, в основном плоской плоскостью для акустического использования поверхностных волн.
Акустические поверхностные волны /AOW/ на пьезоэлектрике применяются в многочисленных конструктивных элементах для обработки сигналов. Эти применения в области YHF (ВУ) и UHF(УКВ) охватывает фильтры, осцилляторы, линии задержки, конвольверы и различные виды датчиков. Важнейшими критериями качества конструктивных элементов для AOW, зависящими соответственно от используемой подложки, является термостабильность времени прохождения или средней частоты, низкое вносимое затухание /ослабление сигналы благодаря вмонтированию конструктивного элемента в тракт сигнала/, а также высокое значение ширины полосы пропускания. Оба последних критерия могут быть выполнены совместно лишь с помощью высокого значения пьезоэлектрической связи. Температурный коэффициент времени прохождения получается из разницы температурных коэффициентов скорости волн и длины пути. Если оба взаимно уничтожаются, то говорят о термокомпенсированном сечении. Подобные сечения могут быть реализованы лишь для немногих материалов.
В качестве материала подложки используются в основном ST-кварц и ниобат лития. Первый обладает высокой термостабильностью, но слабой пьезоэлектрической связью. Напротив, ниобат лития имеет очень высокое значение связи, однако время прохождения очень сильно увеличивается с температурой. В качестве компромиссного решения между обоими требованиями используют также танталат лития, термостабильность, однако, также и здесь слишком мала для многих случаев применения.
Поиск материалов, в которых высокая пьезоэлектрическая связь соединяется с остаточной термостабильностью, дал в качестве наиболее интересных материалов берлинит /AlPO4/ и тетраборат лития / Li2B4O7/. Оба материала имеют более высокое значение связи, чем кварц, и обладают соответственно сечениями с исчезающими, обращающимися в нуль температурными коэффициентами времени прохождения. Второй /квадратичный/ температурный коэффициент, однако, в каждом случае более чем на порядок величин выше, чем в JT - кварце. Оба субстрата поэтому едва имели успех.
В патенте США US-PS 4109172 предлагают, например, термокомпенсированную полупроводниковую пластину /Kafer/ из берлинита в качестве элемента для поверхностных волн, поверхность которой определена углами Эйлера λ = 0o μ = 80,4o и θ = 0o. Далее из европейского патента EP 0144544 известна термокомпенсированная ориентация кристалла берлинита, плоская поверхность которого определена углами по Эйлеру λ = 0o, μ около 94-104" и θ = 0o.
Прежние варианты выполнения касались стандартного диапазона температур для применения в военных или коммерческих целях. Еще сильнее выражена недостаточность пригодных материалов для высокотемпературной области от 100 до 900oC, так как термостабильность кварца и берлинита при повышенных температурах значительно ухудшается. Верхний предел их применимости определяет фазовый переход α-β при температурах 573oC и 588oC. Этот диапазон может быть, однако, интересен для сенсорных устройств, так как, с одной стороны, некоторые области применения находятся в этом диапазоне температур, а с другой стороны, время срабатывания химических чувствительных элементов на основе акустических поверхностных волн сильно снижается с температурой.
Как уже описано в европейском патенте EP-A 0060112, другие кристаллы 32-го класса точечной симметрии с суммарной химической формулой ABO4 обладают значительно более высокой термостойкостью в отношении важных физических свойств. Например, низкотемпературная форма ортофосфата галлия /GaPO4/, которая является гомеотипичной кварцу и изотипичной берлиниту, в противоположность им не проявляет фазового перехода α-β, является стабильной до 930oC. Термокомпенсированная ориентация для резонаторов с более высокой пьезоэлектрической связью, чем у кварца, описана, например, в AP-PS 390853. Разумеется, эти ориентации непригодны для использования акустических поверхностных волн.
Задачей изобретения является предложить пьезоэлектрические элементы на кристаллах для акустических применений поверхностных волн, которые по своей термостабильности превосходили бы прежние материалы, и эта термостабильность, по возможности, сохранялась бы также при высоких температурах.
Согласно изобретению, эта задача решается благодаря тому, что кристалл состоит из GaPO4 и плоская поверхность определена углами Эйлера λ в области 0o, μ в области 40-75o, предпочтительно 50-60o, и θ в области 0o. Оптимальная термокомпенсированная область угла сечения в целях использования AOW для кристаллов GaPO4 расположена неожиданным образом явно вне области, полученной для подобного, исследованного в этой взаимосвязи материала берлинита /углы Эйлера μ = 80-104o/. Допуски для углов Эйлера λ и θ составляют примерно ± 5o.
В качестве другого преимущества элемента на кристалле согласно изобретению следовало бы выделить, что произведение длины периода гибридного цифрового преобразователя и средней частоты системы поверхностных волн находится в пределах между 2250 и 2400 мкм - Мгц. Это произведение ясно ниже, чем для кварца и берлинита и позволяет поэтому при той же средней частоте создать более компактное и требующее меньше материала устройство.
Наружная поверхность кристалла, на которой установлена электронная схема, например гибридный цифровой преобразователь, выполнена гладко полированной, в то время, как другие поверхности выполнены менее тщательно, а при некоторых обстоятельствах им даже придается шероховатость для снижения влияния отражения объемных волн, и может быть выполнена не совсем параллельно по отношению к другим плоскостям. В частности также возможно, чтобы кристалл имел форму пластины из полупроводника. Толщина и контур пластины при этом не играет большой роли.
В другом варианте выполнения изобретения предусмотрено, что кристалл является составляющей частью химического датчика и полностью или частично покрыт чувствительным слоем. При этом чувствительный слой может быть термостойким до 900oC и поэтому может подвергаться нагреву без проблем.
Далее получается, что в GaPO4 область максимальной пьезоэлектрической связи между μ = 90o и μ = 130o, в противоположность берлиниту, имеет высокий температурный коэффициент частоты. Поэтому моно создать датчик температуры на базе кристалла из GaPO4, причем плоская поверхность кристалла определена углами Эйлера λ в области 0o, μ в области 90-130o и θ в области 0o.
На фиг. 1 показано положение пьезоэлектрического элемента согласно изобретению, в кристалле из GaPO4; на фиг. 2 показан элемент на кристалле согласно изобретению с акустическим фильтром поверхностных волн; на фиг. 3 - химический датчик на базе пъезоэлектрического элемента по фиг. 2 в схематическом изображении.
Ориентация пьезоэлектрического элемента 1 в кристалле из GaPO4 2 определяется тремя углами Эйлера λ, μ и θ. Они обозначают углы, на которые система координат x', y', z', оси которой вначале совпадают с тремя осями кристалла x, y, z, поворачивается друг за другом вокруг его третьей, первой и третьей оси. При этом первая ось x' повернутой системы определяет направление скорости фаз AOW, а третья ось Z' - нормаль на поверхность 3 элемента 1. В так называемых X - Булевских сечениях, к которым относятся также сечения согласно изобретению, направление скорости фаз из-за λ = θ = 0o совпадает с осью x'. Так как она для GaPO4 является двузначной кристаллографической осью симметрии, то групповая скорость также лежит в направлении x' и ее величина имеет там экстремальное значение. Это приводит к двум благоприятным свойствам: во-первых, это не приводит к скошенному ходу потока /beam sbegring/, а во-вторых приводит к незначительной чувствительности к ошибочной ориентации относительно θ.
Тот факт, что здесь речь идет о просто повернутом сечении, облегчает ориентацию и размера элемента кристалла, особенно в случае массового производства.
Тот факт, что здесь речь идет о просто повернутом сечении, облегчает ориентацию и размера элемента кристалла, особенно в случае массового производства.
Изобретение моно использовать для многочисленных электронных устройств в области частот от 30 МГц до 3 ГТц. Простым примером является поперечный фильтр /фиг. 2/. При этом на плоскую поверхность 3 пьэзоэлектрического кристаллического элемента 1 наносятся два гибридных цифровых преобразователя 1e, 1a. Электрический сигнал на входном преобразователе 1e с помощью пьезоэлектрической связи возбуждает в субстрате акустическую поверхностную волну. Она движется вдоль поверхности 3 к выходному преобразователю 1a и вызывает там электрический выходной сигнал. Путем варьирования преобразователя можно оптимизировать пропускательную способность фильтра.
Другое возможное выполнение изобретения относится к химическому датчику на базе AOW. Такое устройство показано, к примеру, на фиг. 3 в виде эскиза. При этом поверхность между или в области преобразователей 1a, 1e покрыта селективно абсорбирующим слоем 4. Измеряемая частота М и получающаяся в опорном устройстве /преобразователи 1e, 1a и опорный слой 4'/ опорная частота R направляются в устройство для обработки сигнала 5, где получают разностную частоту D в качестве собственно измеренного сигнала. Благодаря обусловленному абсорбцией массовому заряду поверхности, изменяется сдвиг фаз между входным и выходным сигналом. С помощью схемы осциллятора можно таким образом измерить концентрацию, например, газов. Благодаря высокой термостабильностью GaPO4 модно использовать такой датчик на этом субстрате при температурах до 900oC или подогревать до такой температуры.
Для снижения затухания волн и колебаний параметров дает преимущества применение богатого зонами кристаллического материала предпочтительно из зоны роста плоскости /COOl/ слитка сырого кристалла 2. Кроме того, инфракрасное поглощение в диапазоне длины волны 3 мкм, которое представляет меру концентрации мест помех OH, должно быть по возможности незначительным.
В зависимости от диапазона температур следует так выбирать угол μ внутри нагруженной области, чтобы зависимость от температуры времени прохождения или средней частоты была по возможности незначительной. Наиболее важными областями являются нормальные области для промышленных /20-85oC/ и военных /55-125o/ спецификациий, а также другие области вплоть до высоких температур применения датчиков, например 20-900oC. Предпочтительно при этом, чтобы разница между максимальным и минимальным значением времени прохождения в интересующей области температур при выбранном угле была минимальной.
Уже известны AOW элементы, средняя частота которых проявляет четкую зависимость от температуры, так что тем самым можно выполнить температурные датчики (Ф.Меллер, и Дж.Кун, Датчики и актуаторы А, 30 /1992/ 73-75), с помощью применения GaPO4 в качестве подложки и углов сечения, приведенных в п. 6 формулы изобретения возможно расширение диапазона измерений предпочтительно до 900oC.
Claims (8)
1. Пьезоэлектрический кристаллический элемент с по меньшей мере одной плоской поверхностью, отличающийся тем, что кристалл 1 состоит из GaPO4 и плоская поверхность 3 определена углами Эйлера λ - в области 0o, μ - в области от 40 до 75o и θ - в области 0o.
2. Элемент по п. 1, отличающийся тем, что значение угла μ лежит в области, предпочтительно от 50 до 60o.
3. Элемент по п.1, отличающийся тем, что предусмотрены гибридные цифровые преобразователи, причем, произведение длины периодов гибридных цифровых преобразователей 1а, 1е и средней частоты распространения поверхностных волн лежит между 2250 и 2400 мкм • МГц.
4. Элемент по одному из пп.1 - 3, отличающийся тем, что кристалл 1 имеет форму пластины из полупроводника.
5. Элемент по одному из пп.1 - 4, отличающийся тем, что кристалл 1 является составляющей частью химического датчика, и полностью или частично покрыт чувствительным слоем 4.
6. Элемент по одному из пп.1 - 5, отличающийся тем, что чувствительный слой 4 покрыт контрольным слоем 4'.
7. Элемент по п.4, отличающийся тем, что чувствительный слой 4 обладает термостойкостью до 900oC.
8. Пьезоэлектрический кристаллический элемент с по меньшей мере одной плоской поверхностью, отличающийся тем, что кристалл 1 состоит из GaPO4 и поверхность 3 определена углами Эйлера λ - в области 0o, μ - в области от 90 до 130o и θ - в области 0o.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATA422/93 | 1993-03-04 | ||
AT0042293A AT401837B (de) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Piezoelektrisches kristallelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94006806A RU94006806A (ru) | 1995-12-20 |
RU2127484C1 true RU2127484C1 (ru) | 1999-03-10 |
Family
ID=3490205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94006806A RU2127484C1 (ru) | 1993-03-04 | 1994-03-02 | Пьезоэлектрический кристаллический элемент |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5369327A (ru) |
EP (1) | EP0614271B1 (ru) |
JP (1) | JPH06326552A (ru) |
AT (1) | AT401837B (ru) |
DE (1) | DE59404182D1 (ru) |
RU (1) | RU2127484C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2573275C2 (ru) * | 2011-11-04 | 2016-01-20 | Те Свотч Груп Рисерч Энд Дивелопмент Лтд | Керамический термокомпенсированный резонатор |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0635938B1 (de) * | 1993-07-20 | 1998-04-15 | AVL List GmbH | Piezoelektrisches Kristallelement |
FR2732768B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-05-16 | Thomson Csf | Capteur chimique haute temperature |
DE19518704C2 (de) * | 1995-05-22 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Galliumorthophosphat |
DE19532602C1 (de) * | 1995-09-04 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Kristallelement aus Langasit |
FR2837636B1 (fr) * | 2002-03-19 | 2004-09-24 | Thales Sa | Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium |
JP4249502B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2009-04-02 | 日本電波工業株式会社 | 圧電結晶材料及び圧電振動子 |
JP4864370B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2012-02-01 | 日本電波工業株式会社 | 温度センサ |
US7434989B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-10-14 | Applied Sensor Research & Development Corporation | SAW temperature sensor and system |
US20070188717A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Melcher Charles L | Method for producing crystal elements having strategically oriented faces for enhancing performance |
DE102007021172B4 (de) * | 2007-05-05 | 2010-11-18 | Refractory Intellectual Property Gmbh & Co. Kg | Verwendung eines Sensors |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4026994A (en) * | 1975-02-17 | 1977-05-31 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium phosphide |
US4109172A (en) * | 1977-08-19 | 1978-08-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High piezoelectric coupling-temperature compensated berlinite substrate member for surface acoustic wave devices |
US4382840A (en) * | 1981-01-30 | 1983-05-10 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing process and apparatus |
US4481069A (en) * | 1981-01-30 | 1984-11-06 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing process |
US4554136A (en) * | 1981-01-30 | 1985-11-19 | Allied Corporation | Hydrothermal apparatus for synthesizing crystalline powders |
US4324773A (en) * | 1981-01-30 | 1982-04-13 | Allied Corporation | Hydrothermal process and apparatus for synthesizing crystalline powders |
US4559208A (en) * | 1981-01-30 | 1985-12-17 | Allied Corporation | Hydrothermal crystal growing apparatus |
EP0069112B1 (de) * | 1981-06-24 | 1986-05-07 | List, Hans | Piezoelektrisches Element |
AT370523B (de) * | 1981-06-24 | 1983-04-11 | List Hans | Piezoelektrischer messwertaufnehmer |
JPS58114518A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 表面波素子 |
US4578146A (en) * | 1983-04-28 | 1986-03-25 | Allied Corporation | Process for growing a large single crystal from multiple seed crystals |
US4670680A (en) * | 1986-07-29 | 1987-06-02 | R. F. Monolithics, Inc. | Doubly rotated orientations of cut angles for quartz crystal for novel surface acoustic wave devices |
US4670681A (en) * | 1986-07-29 | 1987-06-02 | R. F. Monolithics, Inc. | Singly rotated orientation of quartz crystals for novel surface acoustic wave devices |
US4868444A (en) * | 1987-10-19 | 1989-09-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
AT393182B (de) * | 1987-11-11 | 1991-08-26 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Piezoelektrisches kristallelement und verfahren zur herstellung |
AT390853B (de) * | 1988-11-25 | 1990-07-10 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Piezoelektrisches kristallelement auf der basis von gapo4 |
US5051645A (en) * | 1990-01-30 | 1991-09-24 | Johnson Service Company | Acoustic wave H2 O phase-change sensor capable of self-cleaning and distinguishing air, water, dew, frost and ice |
FR2668948B1 (fr) * | 1990-11-13 | 1993-04-23 | Cepe | Procede de dissolution d'un materiau cristallin. |
-
1993
- 1993-03-04 AT AT0042293A patent/AT401837B/de not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-07 DE DE59404182T patent/DE59404182D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-07 EP EP94890032A patent/EP0614271B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-17 US US08/197,805 patent/US5369327A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-02 RU RU94006806A patent/RU2127484C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1994-03-03 JP JP6033860A patent/JPH06326552A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2573275C2 (ru) * | 2011-11-04 | 2016-01-20 | Те Свотч Груп Рисерч Энд Дивелопмент Лтд | Керамический термокомпенсированный резонатор |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATA42293A (de) | 1996-04-15 |
EP0614271B1 (de) | 1997-10-01 |
DE59404182D1 (de) | 1997-11-06 |
AT401837B (de) | 1996-12-27 |
US5369327A (en) | 1994-11-29 |
EP0614271A1 (de) | 1994-09-07 |
JPH06326552A (ja) | 1994-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2127484C1 (ru) | Пьезоэлектрический кристаллический элемент | |
JP3844414B2 (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
CA1108746A (en) | Acoustic wave devices employing surface skimming bulk waves | |
US8829764B2 (en) | HBAR resonator with high temperature stability | |
US20040135650A1 (en) | Surface acoustic wave device and filter using the same | |
US4634913A (en) | Application of lithium tetraborate to electronic devices | |
KR20200140281A (ko) | 알에프아이디(rfid) 및 센서 애플리케이션을 위한 표면 탄성파 태그용 복합 기판 | |
EP0034351A2 (en) | Surface acoustic wave device | |
Naumenko | Temperature behavior of SAW resonators based on LiNbO₃/quartz and LiTaO₃/quartz substrates | |
US8810106B2 (en) | HBAR resonator with a high level of integration | |
US4523119A (en) | Application of lithium tetraborate to saw devices | |
US4109172A (en) | High piezoelectric coupling-temperature compensated berlinite substrate member for surface acoustic wave devices | |
US5440188A (en) | Piezoelectric crystal element | |
CA1115791A (en) | Surface acoustic wave devices | |
US4232240A (en) | High piezoelectric coupling X-cuts of lead potassium niobate, Pb2 Knb5 O15 , for surface acoustic wave applications | |
US4333842A (en) | Piezoelectric single crystal and surface acoustic wave element employing the same | |
US4109173A (en) | High piezoelectric coupling, low diffraction loss, temperature compensated berlinite substrate members for surface acoustic wave devices | |
JPH04109709A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JPS63120511A (ja) | 弾性表面波デバイス用単一回転方位切断角を有する水晶結晶体並びにその水晶結晶体上に形成した弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
JPS63146507A (ja) | 弾性表面波デバイス用二重回転方位切断角を有する水晶結晶体並びにその水晶結晶体上に形成した弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
US4019074A (en) | LiNbO3 saw device | |
US4511817A (en) | Temperature compensated orientation of berlinite for surface acoustic wave devices | |
JPH0244169B2 (ru) | ||
US3772618A (en) | Low velocity zero temperature coefficient acoustic surface wave delay line | |
US4224548A (en) | Singly rotated cut of Y-axis boule lead potassium niobate, Pb2 KNb.sub. O15, for surface acoustic wave applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050303 |