JPH06322121A - 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06322121A JPH06322121A JP13243493A JP13243493A JPH06322121A JP H06322121 A JPH06322121 A JP H06322121A JP 13243493 A JP13243493 A JP 13243493A JP 13243493 A JP13243493 A JP 13243493A JP H06322121 A JPH06322121 A JP H06322121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- resin composition
- semiconductor
- semiconductor device
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
もに、可撓性、接着性、耐湿信頼性にも優れる半導体封
止用樹脂組成物、及びその半導体封止用樹脂組成物で封
止した半導体装置の提供。 【構成】 (A)式(I)に示す多官能ジヒドロベンゾ
オキサジン化合物100重量部、(B)溶融性二酸化ケ
イ素粉末200〜1200重量部並びに(C)硬化促進
剤、離型剤、接着性付与剤及び着色剤から選ばれる少な
くとも1種からなる添加剤0.5〜35重量部からなる
半導体封止用樹脂組成物、及びこの半導体封止用樹脂組
成物で封止した樹脂封止型半導体装置。 【化1】 (式中、nは1〜4の整数であり、R1はフェニル基、
置換フェニル基、メチル基又はシクロヘキシル基であ
り、R2は4〜1価の有機基である。)
Description
及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関し、特に1
種類の樹脂系で可撓性、難燃性、耐湿信頼性等の優れた
特性を与える新規な半導体封止用樹脂組成物及びそれを
用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
シ樹脂がそのバランスのとれた機械特性、耐熱性、生産
性の高い成形性等により広く用いられている。しかし、
半導体装置の薄型高密度化や表面実装方式の普及により
半導体装置に求められる特性はより厳しくなり、それに
伴ってエポキシ樹脂にもより優れた上記特性やより多く
の機能が必要とされるようになった。そのような要求に
応ずるためにとられてきたエポキシ樹脂の改質方法とし
ては、具体的には、臭素置換基の導入、可撓化剤による
変成・アロイ化、官能基密度の増加等が掲げられるがこ
れらの手法による改質も限界に近づきつつある。またさ
らに近年は、環境保全の観点から、難燃性を維持する上
で不可欠とされてきたハロゲン化物の添加量の低減が進
められており、この点からも新しい樹脂系の組成物が求
められている。
方法としていくつかの試みが為されている。例えば、特
開平2−3445号公報にはポリイミド樹脂を用いた組
成物が半導体封止用樹脂組成物として例示されている。
しかし、ポリイミド樹脂は可撓性、接着性が不十分であ
ることに加え極めて高価であり成形性も劣る。このよう
に、半導体封止用途において実用レベルでエポキシ樹脂
を凌駕する特性を持つ樹脂系は未だ見出されていない。
めに鋭意検討した結果、本発明者らは以下の新規な半導
体封止用樹脂組成物及びそれを用いる樹脂封止型半導体
装置の発明を完成するに至った。即ち、本発明は (A)式(I)に示す多官能ジヒドロベンゾオキサジン
化合物100重量部、(B)溶融性二酸化ケイ素粉末2
00〜1200重量部並びに(C)硬化促進剤、離型
剤、接着性付与剤及び着色剤から選ばれる少なくとも1
種からなる添加剤0.5〜35重量部からなる半導体封
止用樹脂組成物、及び半導体素子をこの樹脂組成物で封
止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置を提供す
るものである。
キサジン化合物は、対応する多官能フェノール、アミン
及びホルムアルデヒドから下記反応式(II)に従って
合成することができる。また米国特許第5152939
号明細書に示されるように、これら多官能ジヒドロベン
ゾオキサジン化合物は適当な加熱により開環重合反応を
起こし、揮発分を全く発することなく優れた特性を持つ
架橋構造を形成する。
する。)なお、R1の1種である置換フェニル基の例と
しては、メチルフェニル基及びビニルフェニル基が挙げ
られる。
物として具体的には、例えば、
用いることもできる。またこれらの多官能ジヒドロベン
ゾオキサジン化合物を予め80〜180℃、好ましくは
120〜160℃で30〜300分間熱処理することに
より、その一部を予備重合させ成形時の硬化速度や溶融
粘度を調節することもできる。
強及び熱膨張係数低減のために溶融性二酸化ケイ素粉末
が配合される。この溶融性二酸化ケイ素粉末としては、
球状のもの又は破砕状のもののいずれをも用いることが
でき、あるいは両者を併用することも可能である。その
粒径は0.5〜30μmが適当であり、この範囲を逸脱
すると期待すべき補強及び熱膨張係数低減効果が発揮さ
れないか、あるいは組成物溶融粘度が著しく上昇して成
形が困難となることがある。
含有量は、やはり同様の観点から多官能ジヒドロベンゾ
オキサジン100重量部に対して、200〜1200重
量部、好ましくは300〜600重量部が適当である。
ロベンゾオキサジン化合物及び溶融性二酸化ケイ素粉末
以外に、硬化促進剤、離型材、接着性付与剤及び着色剤
から選ばれる少なくとも1種からなる添加剤を含有す
る。これらの添加剤は、多官能ジヒドロベンゾオキサジ
ン化合物の硬化速度の増大、成形時の硬化物の金型から
の離型、樹脂(多官能ジヒドロベンゾオキサジン化合
物)/充填材(溶融性二酸化ケイ素粉末)間の界面接着
強度の増大等を目的として配合される。硬化促進剤とし
ては、例えば、カテコール、ビスフェノールA等の多官
能フェノール類やp−トルエンスルホン酸、p−フェノ
ールスルホン酸等のスルホン酸類のうち1種又は2種以
上の混合物が、離型剤としては、例えば、モンタン酸エ
ステルワックス、カルナバワックス等が、接着性付与剤
としては、例えば、トリメトキシエポキシシラン等のシ
ラン系カップリング剤が、着色剤としては、例えば、カ
ーボンブラック等を用いることができる。また、必要に
応じて更に難燃性向上剤として三酸化アンチモン等を添
加剤として用いることもできる。
のためのゴム粒子や難燃性を更に高めるためのハロゲン
化物を添加剤として添加することも可能ではあるが、こ
れらの効果は多官能ジヒドロベンゾオキサジン化合物の
みによって十分に達成されるものであり、むしろ金型の
汚染や燃焼時毒性の高いハロゲン化合物の副生等問題点
を増加させる事となり好ましくない。
に発揮し得る範囲で必要最小量を用いることが好まし
く、具体的には添加剤総量で多官能ジヒドロベンゾオキ
サジン化合物100重量部に対して0.5〜35重量
部、好ましくは2〜20重量部添加することが適切であ
る。
体素子を封止した樹脂封止型半導体装置も提供するもの
である。上記の樹脂封止型半導体装置の製造方法は特に
限定はされないが、通常、3成分を加熱ロール等により
60〜120℃で混練して樹脂組成物を調製し、然る後
に金型内に半導体素子を配置し、次いで得られた樹脂組
成物を180〜220℃、成形圧30〜120kgf/
cm2で3〜10分間移送成形することによって得られ
る。成形後、更に、180〜220℃で5〜120分間
後硬化させることにより、より良好な特性を有する樹脂
封止型半導体装置が得られる。
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
ールを用いて80℃で10分間混練後、混練物を粉砕
し、粉末状の樹脂組成物を作製した。次いで移送成形機
の金型キャビティ内に半導体素子を配置し、実施例1〜
6においては200℃、50kgf/cm2、8分間、
また比較例1〜3においては175℃、70kgf/c
m2、90秒間の条件で上記金型内で各樹脂組成物の移
送成形を行い、QFP54pin(外寸20×14×2
mm、リードフレーム材質42アロイ、半導体素子寸法
8×10mm)の半導体装置を得た。また、比較例1〜
3では、上記移送成形後、175℃、6時間の条件で後
硬化を行った。
燃性、接着性等の基本特性を知るため上記と同条件で板
状の硬化物である試験片も作製した。
についてはJIS−K6911に準じ、ガラス転移温度
は熱機械特性試験機(TMA)により、また難燃性につ
いてはUL−94に準じて測定した。
厚のアルミホイルを片面成形し、そのピール強度を測定
して評価した。成形品の可撓性は、試験片を−55℃及
び150℃に各30分間保持するヒートサイクル試験を
行い、所定のサイクル毎のクラック発生率(試験片10
個あたりのクラックの発生した試験片の数)を求めて評
価した。さらに、成形した半導体装置を85℃・85%
RHの条件下で吸湿させた後、215℃で90秒間の熱
処理を行い(リフローフラック試験)パッケージクラッ
クの発生率(半導体装置10個あたりのパッケージクラ
ックを生じた半導体装置の数)を求め、半導体装置の耐
湿信頼性を評価した。
ることにより、従来のエポキシ樹脂系組成物に匹敵又は
凌駕する可撓性、耐熱性、耐湿信頼性が得られ、また、
ハロゲン系難燃剤を用いずに難燃性を確保することがで
きる。また、同様にこの半導体封止用樹脂組成物を用い
た樹脂封止型半導体装置も非常に良好な可撓性、耐熱
性、耐湿信頼性を有する。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)式(I)に示す多官能ジヒドロベ
ンゾオキサジン化合物100重量部、(B)溶融性二酸
化ケイ素粉末200〜1200重量部並びに(C)硬化
促進剤、離型剤、接着性付与剤及び着色剤から選ばれる
少なくとも1種からなる添加剤0.5〜35重量部から
なる半導体封止用樹脂組成物。 【化1】 (式中、nは1〜4の整数であり、R1はフェニル基、
置換フェニル基、メチル基又はシクロヘキシル基であ
り、R2は 【化2】 であり、ただしmは1以上の整数である。) - 【請求項2】 半導体素子を請求項1記載の半導体封止
用樹脂組成物で封止したことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13243493A JP3353847B2 (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13243493A JP3353847B2 (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06322121A true JPH06322121A (ja) | 1994-11-22 |
JP3353847B2 JP3353847B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=15081283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13243493A Expired - Lifetime JP3353847B2 (ja) | 1993-05-12 | 1993-05-12 | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3353847B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057007A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Namics Corp | 液状の封止用樹脂組成物 |
JP2006227538A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびソルダーレジスト |
JP2010504386A (ja) * | 2006-09-21 | 2010-02-12 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 低温重合性/硬化性ベンゾオキサジン含有処方物 |
-
1993
- 1993-05-12 JP JP13243493A patent/JP3353847B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057007A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Namics Corp | 液状の封止用樹脂組成物 |
JP4570419B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-10-27 | ナミックス株式会社 | 液状の封止用樹脂組成物 |
JP2006227538A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびソルダーレジスト |
JP2010504386A (ja) * | 2006-09-21 | 2010-02-12 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 低温重合性/硬化性ベンゾオキサジン含有処方物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3353847B2 (ja) | 2002-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5164076B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
JPH08157561A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3353847B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP3432445B2 (ja) | 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3102276B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2000248151A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP3585615B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH11116775A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法 | |
JPH10176099A (ja) | エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JP3309688B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法 | |
JPH01188518A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPS61101523A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH1112442A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP3537859B2 (ja) | 半導体装置およびそれに用いられるエポキシ樹脂組成物 | |
JPH06177284A (ja) | 半導体装置 | |
JP3649893B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
KR100479853B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 제조방법 및 그조성물 | |
JPH03192113A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
JPH111543A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH11130837A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH11130943A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH08109311A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
JPS6333416A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH10176035A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH1180321A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080927 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110927 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120927 |