JPH06318836A - バンドパスフィルタ - Google Patents
バンドパスフィルタInfo
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- JPH06318836A JPH06318836A JP5108199A JP10819993A JPH06318836A JP H06318836 A JPH06318836 A JP H06318836A JP 5108199 A JP5108199 A JP 5108199A JP 10819993 A JP10819993 A JP 10819993A JP H06318836 A JPH06318836 A JP H06318836A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の通過帯域を選択でき、また小型で特性
バラツキの少ないバンドパスフィルタを得る。 【構成】 複数個結合されているＬＣ直列共振回路とＬ
Ｃ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬＣ直列共振回
路に並列にダイオードもしくはＦＥＴを接続し、かつ少
なくとも１つのＬＣ並列共振回路に直列にダイオードも
しくはＦＥＴを接続して、これらダイオードもしくはＦ
ＥＴに印加するバイアス電圧を制御する。また、バンド
パスフィルタを構成する各素子を、半導体基板上に半導
体プロセスを用い一体化して形成する。
バラツキの少ないバンドパスフィルタを得る。 【構成】 複数個結合されているＬＣ直列共振回路とＬ
Ｃ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬＣ直列共振回
路に並列にダイオードもしくはＦＥＴを接続し、かつ少
なくとも１つのＬＣ並列共振回路に直列にダイオードも
しくはＦＥＴを接続して、これらダイオードもしくはＦ
ＥＴに印加するバイアス電圧を制御する。また、バンド
パスフィルタを構成する各素子を、半導体基板上に半導
体プロセスを用い一体化して形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主にＵＨＦ帯及びそ
れ以上の周波数帯に使用されるバンドパスフィルタに関
するものである。
れ以上の周波数帯に使用されるバンドパスフィルタに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のバンドパスフィルタの等
価回路を示す図である。図７において、１はコイル、２
はコンデンサであり、コイル１ｉ及びコンデンサ２ｇに
よりＬＣ並列共振回路４ｃが、またコイル１ｋ及びコン
デンサ２ｉによりＬＣ直列共振回路５ｂが構成されてい
る。図８は、図７に示す従来のバンドパスフィルタの周
波数特性を示す図である。図９は、図７に示す従来のバ
ンドパスフィルタの構成図であり、１１は接続用パッ
ド、１２は誘電体基板である。
価回路を示す図である。図７において、１はコイル、２
はコンデンサであり、コイル１ｉ及びコンデンサ２ｇに
よりＬＣ並列共振回路４ｃが、またコイル１ｋ及びコン
デンサ２ｉによりＬＣ直列共振回路５ｂが構成されてい
る。図８は、図７に示す従来のバンドパスフィルタの周
波数特性を示す図である。図９は、図７に示す従来のバ
ンドパスフィルタの構成図であり、１１は接続用パッ
ド、１２は誘電体基板である。
【０００３】次に従来のバンドパスフィルタの動作につ
いて説明する。図７において、コイル１ｉ及びコンデン
サ２ｇからなるＬＣ並列共振回路４ｃ、コイル１ｋ及び
コンデンサ２ｉからなるＬＣ直列共振回路５ｂは各々共
振周波数ｆｏを有しており、これら２つの共振回路を結
合コンデンサ２ｈを介して容量結合をすることにより、
図８に示すような周波数特性をもつバンドパスフィルタ
を形成している。
いて説明する。図７において、コイル１ｉ及びコンデン
サ２ｇからなるＬＣ並列共振回路４ｃ、コイル１ｋ及び
コンデンサ２ｉからなるＬＣ直列共振回路５ｂは各々共
振周波数ｆｏを有しており、これら２つの共振回路を結
合コンデンサ２ｈを介して容量結合をすることにより、
図８に示すような周波数特性をもつバンドパスフィルタ
を形成している。
【０００４】ここで、異なる複数の周波数帯におけるフ
ィルタが必要となる場合は、必要な周波数帯域に回路定
数を定めた上記のようなバンドパスフィルタを、必要数
だけ複数個並列に構成し、各々のバンドパスフィルタを
スイッチ等で切り換えて選択・使用するフィルタバンク
を構成するのが一般的である。
ィルタが必要となる場合は、必要な周波数帯域に回路定
数を定めた上記のようなバンドパスフィルタを、必要数
だけ複数個並列に構成し、各々のバンドパスフィルタを
スイッチ等で切り換えて選択・使用するフィルタバンク
を構成するのが一般的である。
【０００５】また、従来のバンドパスフィルタの実装形
態は、図９に示すような誘電体基板１２上に配線用のパ
ターンを設け、そのパターン上にチップ部品１ｉ、１
ｊ、１ｋ、２ｇ、２ｈ、２ｉを固定するディスクリート
実装である。このような実装形態の場合、電気的特性に
与える誤差の主要因としてはチップ部品の諸元値のバラ
ツキが考えられ、一般的にそのバラツキ値は数％から数
十％となる。
態は、図９に示すような誘電体基板１２上に配線用のパ
ターンを設け、そのパターン上にチップ部品１ｉ、１
ｊ、１ｋ、２ｇ、２ｈ、２ｉを固定するディスクリート
実装である。このような実装形態の場合、電気的特性に
与える誤差の主要因としてはチップ部品の諸元値のバラ
ツキが考えられ、一般的にそのバラツキ値は数％から数
十％となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のバンドパスフィ
ルタは以上のように構成されているので、回路構成が固
定されており、必然的に１つのバンドパスフィルタで
は、１つの通過帯域しかもてない。そのため、複数の通
過帯域を選択して使用したいような場合は、帯域の異な
る複数のバンドパスフィルタからなるフィルタバンクを
構成する必要があり、回路の大型化を招くという課題が
あった。
ルタは以上のように構成されているので、回路構成が固
定されており、必然的に１つのバンドパスフィルタで
は、１つの通過帯域しかもてない。そのため、複数の通
過帯域を選択して使用したいような場合は、帯域の異な
る複数のバンドパスフィルタからなるフィルタバンクを
構成する必要があり、回路の大型化を招くという課題が
あった。
【０００７】また、フィルタを構成する回路素子の諸元
値の公差により、製造されたフィルタの特性が事前の計
算値と異なってしまったり、同じ回路定数をもつフィル
タを数多く製造した場合、規格は同一であっても部品の
実際の諸元値のバラツキにより均一な特性が得られにく
いという課題があった。
値の公差により、製造されたフィルタの特性が事前の計
算値と異なってしまったり、同じ回路定数をもつフィル
タを数多く製造した場合、規格は同一であっても部品の
実際の諸元値のバラツキにより均一な特性が得られにく
いという課題があった。
【０００８】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、異なる通過帯域を選択でき、かつ
小型であり、また特性のバラツキが少ないバンドパスフ
ィルタを得ることを目的とする。
めになされたもので、異なる通過帯域を選択でき、かつ
小型であり、また特性のバラツキが少ないバンドパスフ
ィルタを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るバンドパ
スフィルタにおいては、複数個結合されているＬＣ直列
共振回路とＬＣ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬ
Ｃ直列共振回路に並列にダイオードを接続し、かつ少な
くとも１つのＬＣ並列共振回路に直列にダイオードを接
続して、これらダイオードに印加する順方向バイアス電
圧と逆方向バイアス電圧とを制御する。
スフィルタにおいては、複数個結合されているＬＣ直列
共振回路とＬＣ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬ
Ｃ直列共振回路に並列にダイオードを接続し、かつ少な
くとも１つのＬＣ並列共振回路に直列にダイオードを接
続して、これらダイオードに印加する順方向バイアス電
圧と逆方向バイアス電圧とを制御する。
【００１０】また、複数個結合されているＬＣ直列共振
回路とＬＣ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬＣ直
列共振回路に並列にＦＥＴを接続し、かつ少なくとも１
つのＬＣ並列共振回路に直列にＦＥＴを接続して、これ
らＦＥＴのゲート端子に印加するバイアス電圧を制御す
る。
回路とＬＣ並列共振回路のうち少なくとも１つのＬＣ直
列共振回路に並列にＦＥＴを接続し、かつ少なくとも１
つのＬＣ並列共振回路に直列にＦＥＴを接続して、これ
らＦＥＴのゲート端子に印加するバイアス電圧を制御す
る。
【００１１】また、バンドパスフィルタを構成するコイ
ル、コンデンサ、ダイオードまたはＦＥＴを半導体プロ
セスを用いて同一半導体基板上に一体化して形成する。
ル、コンデンサ、ダイオードまたはＦＥＴを半導体プロ
セスを用いて同一半導体基板上に一体化して形成する。
【００１２】
【作用】この発明に係るバンドパスフィルタでは、ＬＣ
直列共振回路に並列に接続されたダイオードに順方向バ
イアスを印加すると、入力信号はダイオード側をなが
れ、ＬＣ直列共振回路は主線路に対し回路動作上接続さ
れていない状態となる。また逆方向バイアスを印加する
とダイオードはＯＦＦ状態となり、信号はＬＣ直列共振
回路側をながれる。一方ＬＣ並列共振回路に直列に接続
されたダイオードに順方向バイアスを印加するとダイオ
ードはＯＮ状態となり、ＬＣ並列共振回路は主線路に対
し回路動作上接続されている状態となる。また逆方向バ
イアスを印加するとダイオードはＯＦＦ状態となり、Ｌ
Ｃ並列共振回路は回路動作上接続されていない状態とな
る。
直列共振回路に並列に接続されたダイオードに順方向バ
イアスを印加すると、入力信号はダイオード側をなが
れ、ＬＣ直列共振回路は主線路に対し回路動作上接続さ
れていない状態となる。また逆方向バイアスを印加する
とダイオードはＯＦＦ状態となり、信号はＬＣ直列共振
回路側をながれる。一方ＬＣ並列共振回路に直列に接続
されたダイオードに順方向バイアスを印加するとダイオ
ードはＯＮ状態となり、ＬＣ並列共振回路は主線路に対
し回路動作上接続されている状態となる。また逆方向バ
イアスを印加するとダイオードはＯＦＦ状態となり、Ｌ
Ｃ並列共振回路は回路動作上接続されていない状態とな
る。
【００１３】また、ＬＣ直列共振回路に並列に接続され
たＦＥＴのゲート端子にドレイン端子とソース端子間が
ＯＮ状態になるようバイアスを印加すると、入力信号は
ＦＥＴ側をながれ、ＬＣ直列共振回路は主線路に対し回
路動作上接続されていない状態となる。また逆方向バイ
アスを印加するとＦＥＴはＯＦＦ状態となり、信号はＬ
Ｃ直列共振回路側をながれる。一方ＬＣ並列共振回路に
直列に接続されたＦＥＴのゲート端子にドレイン端子と
ソース端子間がＯＮ状態になるようバイアスを印加する
と、ＬＣ並列共振回路は主線路に対し回路動作上接続さ
れている状態となる。また逆方向バイアスを印加すると
ＦＥＴはＯＦＦ状態となり、ＬＣ並列共振回路は主線路
に対し回路動作上接続されていない状態となる。
たＦＥＴのゲート端子にドレイン端子とソース端子間が
ＯＮ状態になるようバイアスを印加すると、入力信号は
ＦＥＴ側をながれ、ＬＣ直列共振回路は主線路に対し回
路動作上接続されていない状態となる。また逆方向バイ
アスを印加するとＦＥＴはＯＦＦ状態となり、信号はＬ
Ｃ直列共振回路側をながれる。一方ＬＣ並列共振回路に
直列に接続されたＦＥＴのゲート端子にドレイン端子と
ソース端子間がＯＮ状態になるようバイアスを印加する
と、ＬＣ並列共振回路は主線路に対し回路動作上接続さ
れている状態となる。また逆方向バイアスを印加すると
ＦＥＴはＯＦＦ状態となり、ＬＣ並列共振回路は主線路
に対し回路動作上接続されていない状態となる。
【００１４】
実施例１．以下にこの発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１を示す回路図である。
図１において、コイル１ａおよびコンデンサ２ａにより
第１のＬＣ並列共振回路４ａを構成し、コイル１ｂ及び
コンデンサ２ｂによりＬＣ直列共振回路５ａを構成し、
コイル１ｃ及びコンデンサ２ｃにより第２のＬＣ並列共
振回路４ｂを構成している。３はバイアス回路、６ａは
第１のダイオード、６ｂは第２のダイオードである。図
２はダイオード６の等価回路を示す図であり、図３及び
図４は、図１の実施例１におけるバンドパスフィルタの
周波数特性を示す図である。
する。図１はこの発明の実施例１を示す回路図である。
図１において、コイル１ａおよびコンデンサ２ａにより
第１のＬＣ並列共振回路４ａを構成し、コイル１ｂ及び
コンデンサ２ｂによりＬＣ直列共振回路５ａを構成し、
コイル１ｃ及びコンデンサ２ｃにより第２のＬＣ並列共
振回路４ｂを構成している。３はバイアス回路、６ａは
第１のダイオード、６ｂは第２のダイオードである。図
２はダイオード６の等価回路を示す図であり、図３及び
図４は、図１の実施例１におけるバンドパスフィルタの
周波数特性を示す図である。
【００１５】ここで第１のダイオード６ａ及び第２のダ
イオード６ｂは、図２に示すような半導体接合部の接合
容量２ｆ、固定抵抗成分７ａ、印加バイアスにより変化
する可変抵抗７ｂを用いた等価回路で表わされる。図２
の等価回路において、ダイオードに順方向バイアスが印
加された場合、可変抵抗７ｂは数Ω以下の低抵抗値とな
り、一方逆方向バイアスが印加された場合は、可変抵抗
７ｂは数ＭΩ以上の高抵抗値と等価になる。
イオード６ｂは、図２に示すような半導体接合部の接合
容量２ｆ、固定抵抗成分７ａ、印加バイアスにより変化
する可変抵抗７ｂを用いた等価回路で表わされる。図２
の等価回路において、ダイオードに順方向バイアスが印
加された場合、可変抵抗７ｂは数Ω以下の低抵抗値とな
り、一方逆方向バイアスが印加された場合は、可変抵抗
７ｂは数ＭΩ以上の高抵抗値と等価になる。
【００１６】次に動作について説明する。バイアス回路
３により第１のダイオード６ａ及び第２のダイオード６
ｂに順方向バイアスが印加されると、第１のダイオード
６ａはＯＮ状態となり回路上で低インピーダンスとして
作用し、信号は第１のダイオード６ａを流れるため、Ｌ
Ｃ直列共振回路５ａは等価的に接続されていない状態と
なる。同様に第２のダイオード６ｂも低インピーダンス
として作用するため、第２のＬＣ並列共振回路４ｂは等
価的にコイル１ｅを介して接地されている状態となる。
このため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯域特
性に寄与する共振回路は第１のＬＣ並列共振回路４ａ及
び第２のＬＣ並列共振回路４ｂとなる。
３により第１のダイオード６ａ及び第２のダイオード６
ｂに順方向バイアスが印加されると、第１のダイオード
６ａはＯＮ状態となり回路上で低インピーダンスとして
作用し、信号は第１のダイオード６ａを流れるため、Ｌ
Ｃ直列共振回路５ａは等価的に接続されていない状態と
なる。同様に第２のダイオード６ｂも低インピーダンス
として作用するため、第２のＬＣ並列共振回路４ｂは等
価的にコイル１ｅを介して接地されている状態となる。
このため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯域特
性に寄与する共振回路は第１のＬＣ並列共振回路４ａ及
び第２のＬＣ並列共振回路４ｂとなる。
【００１７】一方、バイアス回路３により第１のダイオ
ード６ａ及び第２のダイオード６ｂに逆方向バイアスが
印加されると、第１のダイオード６ａはＯＦＦ状態とな
り、回路上でダイオードは高インピーダンスとして作用
し、信号は第１のダイオード６ａを流れないため、第１
のＬＣ直列共振回路５を通過する。一方第２のＬＣ並列
共振回路４ｂは、第２のダイオード６ｂが回路上で開放
端として作用するため、バンドパスフィルタの入出力間
を結ぶ主線路に対し等価的に接続されていない状態とな
る。このため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯
域特性に寄与する共振回路は、第１のＬＣ並列共振回路
４ａ及びＬＣ直列共振回路５ａとなる。
ード６ａ及び第２のダイオード６ｂに逆方向バイアスが
印加されると、第１のダイオード６ａはＯＦＦ状態とな
り、回路上でダイオードは高インピーダンスとして作用
し、信号は第１のダイオード６ａを流れないため、第１
のＬＣ直列共振回路５を通過する。一方第２のＬＣ並列
共振回路４ｂは、第２のダイオード６ｂが回路上で開放
端として作用するため、バンドパスフィルタの入出力間
を結ぶ主線路に対し等価的に接続されていない状態とな
る。このため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯
域特性に寄与する共振回路は、第１のＬＣ並列共振回路
４ａ及びＬＣ直列共振回路５ａとなる。
【００１８】図３は、上記の状態のうち第１のダイオー
ド６ａ及び第２のダイオード６ｂに順方向バイアスが印
加されている場合のバンドパスフィルタの周波数特性を
示し、図４は逆方向バンドパスフィルタが印加されてい
る場合のバンドパスフィルタの周波数特性を各々示して
いる。両図の比較から解るように、図３の場合中心周波
数ｆｏは２００ＭＨｚとなり、図４の場合は中心周波数
ｆｏが２２５ＭＨｚとなり、ダイオード６ａ及び６ｂの
印加バイアスの切り換えによりバンドパスフィルタとし
ての通過帯域を可変できることが確認される。
ド６ａ及び第２のダイオード６ｂに順方向バイアスが印
加されている場合のバンドパスフィルタの周波数特性を
示し、図４は逆方向バンドパスフィルタが印加されてい
る場合のバンドパスフィルタの周波数特性を各々示して
いる。両図の比較から解るように、図３の場合中心周波
数ｆｏは２００ＭＨｚとなり、図４の場合は中心周波数
ｆｏが２２５ＭＨｚとなり、ダイオード６ａ及び６ｂの
印加バイアスの切り換えによりバンドパスフィルタとし
ての通過帯域を可変できることが確認される。
【００１９】図３の周波数特性を得るための図１及び図
２における各回路定数は以下の通りである。 １ａ＝５（ｎＨ） １ｂ＝２７０（ｎＨ） １ｃ＝６（ｎＨ） １ｄ＝５（ｎＨ） １ｅ＝５（ｎＨ） １ｆ＝１（ｕＨ） １ｇ＝１（ｕＨ） １ｈ＝１（ｕＨ） ２ａ＝１００（ｐＦ） ２ｂ＝２（ｐＦ） ２ｃ＝１００（ｐＦ） ２ｄ＝２０（ｐＦ） ２ｅ＝５０（ｐＦ） ２ｆ＝０．１（ｐＦ） ７ａ＝０．８（Ω） ７ｂ＝０．１（Ω）
２における各回路定数は以下の通りである。 １ａ＝５（ｎＨ） １ｂ＝２７０（ｎＨ） １ｃ＝６（ｎＨ） １ｄ＝５（ｎＨ） １ｅ＝５（ｎＨ） １ｆ＝１（ｕＨ） １ｇ＝１（ｕＨ） １ｈ＝１（ｕＨ） ２ａ＝１００（ｐＦ） ２ｂ＝２（ｐＦ） ２ｃ＝１００（ｐＦ） ２ｄ＝２０（ｐＦ） ２ｅ＝５０（ｐＦ） ２ｆ＝０．１（ｐＦ） ７ａ＝０．８（Ω） ７ｂ＝０．１（Ω）
【００２０】図４の周波数特性を得るための図１及び図
２における各回路定数は以下の通りである。 １ａ＝５（ｎＨ） １ｂ＝２７０（ｎＨ） １ｃ＝６（ｎＨ） １ｄ＝５（ｎＨ） １ｅ＝５（ｎＨ） １ｆ＝１（ｕＨ） １ｇ＝１（ｕＨ） １ｈ＝１（ｕＨ） ２ａ＝１００（ｐＦ） ２ｂ＝２（ｐＦ） ２ｃ＝１００（ｐＦ） ２ｄ＝２０（ｐＦ） ２ｅ＝５０（ｐＦ） ２ｆ＝０．１（ｐＦ） ７ａ＝０．８（Ω） ７ｂ＝１０（ｋΩ）
２における各回路定数は以下の通りである。 １ａ＝５（ｎＨ） １ｂ＝２７０（ｎＨ） １ｃ＝６（ｎＨ） １ｄ＝５（ｎＨ） １ｅ＝５（ｎＨ） １ｆ＝１（ｕＨ） １ｇ＝１（ｕＨ） １ｈ＝１（ｕＨ） ２ａ＝１００（ｐＦ） ２ｂ＝２（ｐＦ） ２ｃ＝１００（ｐＦ） ２ｄ＝２０（ｐＦ） ２ｅ＝５０（ｐＦ） ２ｆ＝０．１（ｐＦ） ７ａ＝０．８（Ω） ７ｂ＝１０（ｋΩ）
【００２１】実施例２．図５はこの発明の実施例２を示
す回路図である。図５において、８ａは第１のＦＥＴ、
８ｂは第２のＦＥＴである。実施例２の場合は、実施例
１におけるダイオード６と同様の作用をＦＥＴ８を用い
行うもので、ＦＥＴ８の場合も図２に示す等価回路で表
わすことできる。図２において、ＦＥＴ８のゲート端子
にドレイン端子とソース端子間がＯＮ状態となるように
バイアスが印加された場合、可変抵抗７ｂは数Ω以下の
低抵抗値となり、一方ＯＦＦ状態となるようにゲート端
子にバイアスが印加された場合は、可変抵抗７ｂは数Ｍ
Ω以上の高抵抗値と等価になる。
す回路図である。図５において、８ａは第１のＦＥＴ、
８ｂは第２のＦＥＴである。実施例２の場合は、実施例
１におけるダイオード６と同様の作用をＦＥＴ８を用い
行うもので、ＦＥＴ８の場合も図２に示す等価回路で表
わすことできる。図２において、ＦＥＴ８のゲート端子
にドレイン端子とソース端子間がＯＮ状態となるように
バイアスが印加された場合、可変抵抗７ｂは数Ω以下の
低抵抗値となり、一方ＯＦＦ状態となるようにゲート端
子にバイアスが印加された場合は、可変抵抗７ｂは数Ｍ
Ω以上の高抵抗値と等価になる。
【００２２】次に動作について説明する。バイアス回路
３により第１のＦＥＴ８ａ及び第２のＦＥＴ８ｂがＯＮ
状態になるようにバイアスを印加する。すると各々のＦ
ＥＴ８ａ、８ｂはドレイン端子とソース端子間が導通状
態となり回路上低インピーダンスとして作用し、信号は
第１のＦＥＴ８ａのドレイン端子とソース端子間を流れ
るため、ＬＣ直列共振回路５ａは等価的に接続されてい
ない状態となる。同様に第２のＦＥＴ８ｂも低インピー
ダンスとして作用するため、第２のＬＣ並列共振回路４
ｂは等価的にコイル１ｅを介して接地されている状態と
なる。このためバンドパスフィルタ全体としての通過帯
域特性に寄与する共振回路は第１のＬＣ並列共振回路４
ａ及び第２のＬＣ並列共振回路４ｂとなる。
３により第１のＦＥＴ８ａ及び第２のＦＥＴ８ｂがＯＮ
状態になるようにバイアスを印加する。すると各々のＦ
ＥＴ８ａ、８ｂはドレイン端子とソース端子間が導通状
態となり回路上低インピーダンスとして作用し、信号は
第１のＦＥＴ８ａのドレイン端子とソース端子間を流れ
るため、ＬＣ直列共振回路５ａは等価的に接続されてい
ない状態となる。同様に第２のＦＥＴ８ｂも低インピー
ダンスとして作用するため、第２のＬＣ並列共振回路４
ｂは等価的にコイル１ｅを介して接地されている状態と
なる。このためバンドパスフィルタ全体としての通過帯
域特性に寄与する共振回路は第１のＬＣ並列共振回路４
ａ及び第２のＬＣ並列共振回路４ｂとなる。
【００２３】一方、バイアス回路３により第１のＦＥＴ
８ａ及び第２のＦＥＴ８ｂがＯＦＦ状態となるようにバ
イアスを印加すると、ＦＥＴ８ａは高インピーダンスと
して作用して信号は第１のＦＥＴ８ａを流れずに第１の
ＬＣ直列共振回路５ａを通過する。また第２のＬＣ並列
共振回路４ｂは第２のＦＥＴ８ｂが回路上で開放端とし
て作用するため、バンドパスフィルタの入出力間を結ぶ
主線路に対し等価的に接続されていない状態となる。こ
のため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯域特性
に寄与する共振回路は、第１のＬＣ並列共振回路４ａ及
びＬＣ直列共振回路５ａとなる。
８ａ及び第２のＦＥＴ８ｂがＯＦＦ状態となるようにバ
イアスを印加すると、ＦＥＴ８ａは高インピーダンスと
して作用して信号は第１のＦＥＴ８ａを流れずに第１の
ＬＣ直列共振回路５ａを通過する。また第２のＬＣ並列
共振回路４ｂは第２のＦＥＴ８ｂが回路上で開放端とし
て作用するため、バンドパスフィルタの入出力間を結ぶ
主線路に対し等価的に接続されていない状態となる。こ
のため、バンドパスフィルタ全体としての通過帯域特性
に寄与する共振回路は、第１のＬＣ並列共振回路４ａ及
びＬＣ直列共振回路５ａとなる。
【００２４】以上のように、ダイオード６ａ、６ｂの代
わりにＦＥＴ８ａ、８ｂを用いても、ＦＥＴの印加バイ
アスを制御することでバンドパスフィルタの通過帯域を
可変することが可能となる。
わりにＦＥＴ８ａ、８ｂを用いても、ＦＥＴの印加バイ
アスを制御することでバンドパスフィルタの通過帯域を
可変することが可能となる。
【００２５】実施例３．図６は実施例３を示す構成図で
あり、９はガリウムひ素基板、１０は半導体部である。
本実施例では、コイル１はスパイラルインダクタとし
て、またコンデンサ２はインターデジタルキャパシタと
してガリウムひ素基板９上に半導体プロセスを用い実現
してある。同様に、第１のダイオード６ａ及び第２のダ
イオード６ｂもしくは第１のＦＥＴ８ａ及び第２のＦＥ
Ｔ８ｂも半導体プロセスを用いガリウムひ素基板９上に
半導体部１０としてコイル１やコンデンサ２と一体化し
て形成している。
あり、９はガリウムひ素基板、１０は半導体部である。
本実施例では、コイル１はスパイラルインダクタとし
て、またコンデンサ２はインターデジタルキャパシタと
してガリウムひ素基板９上に半導体プロセスを用い実現
してある。同様に、第１のダイオード６ａ及び第２のダ
イオード６ｂもしくは第１のＦＥＴ８ａ及び第２のＦＥ
Ｔ８ｂも半導体プロセスを用いガリウムひ素基板９上に
半導体部１０としてコイル１やコンデンサ２と一体化し
て形成している。
【００２６】本実施例に示すスパイラルインダクタ及び
インターデジタルキャパシタは導体パターンによりイン
ダクタンス成分及び容量成分を実現しているものであ
り、製造過程における誤差要因としてはパターンの寸法
精度によるところが大きい。ここで、本実施例のように
半導体プロセスを用いた製造方法によれば、寸法公差で
数ミクロン以下が可能であり、ディスクリート部品の諸
元値のバラツキより更に小さい誤差を実現できる。また
半導体プロセスを利用するため、ダイオード６やＦＥＴ
８等の半導体素子も、コイル１及びコンデンサ２と同一
プロセスで一体化して形成することが可能となる。
インターデジタルキャパシタは導体パターンによりイン
ダクタンス成分及び容量成分を実現しているものであ
り、製造過程における誤差要因としてはパターンの寸法
精度によるところが大きい。ここで、本実施例のように
半導体プロセスを用いた製造方法によれば、寸法公差で
数ミクロン以下が可能であり、ディスクリート部品の諸
元値のバラツキより更に小さい誤差を実現できる。また
半導体プロセスを利用するため、ダイオード６やＦＥＴ
８等の半導体素子も、コイル１及びコンデンサ２と同一
プロセスで一体化して形成することが可能となる。
【００２７】なお、実施例１及び実施例２では、ＬＣ共
振回路を３段に結合させそのうち１つのＬＣ直列共振回
路に対しダイオードもしくはＦＥＴを並列に装荷し、か
つ１つのＬＣ並列共振回路に対しダイオードもしくはＦ
ＥＴを直列に装荷した場合について述べたが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しな
い範囲内において設計変更可能である。例えば、４個以
上のＬＣ共振回路を多段接続し、任意のＬＣ共振回路に
対しダイオードもしくはＦＥＴを装荷しても良い。
振回路を３段に結合させそのうち１つのＬＣ直列共振回
路に対しダイオードもしくはＦＥＴを並列に装荷し、か
つ１つのＬＣ並列共振回路に対しダイオードもしくはＦ
ＥＴを直列に装荷した場合について述べたが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しな
い範囲内において設計変更可能である。例えば、４個以
上のＬＣ共振回路を多段接続し、任意のＬＣ共振回路に
対しダイオードもしくはＦＥＴを装荷しても良い。
【００２８】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、以下に記載するような効果がある。
ので、以下に記載するような効果がある。
【００２９】ダイオードまたはＦＥＴの印加バイアスを
制御することで、バンドパスフィルタの通過帯域を可変
できるので、複数の帯域を有しながら小型なバンドパス
フィルタが得られる。
制御することで、バンドパスフィルタの通過帯域を可変
できるので、複数の帯域を有しながら小型なバンドパス
フィルタが得られる。
【００３０】また、バンドパスフィルタを構成する全て
の素子を、半導体プロセスを用い半導体基板上に作り込
むことで、部品の実装に関わる工作上の煩わしさがな
く、また回路構成素子間を最小距離で接続することがで
きるので小型なバンドパスフィルタが得られる。更に、
半導体プロセスのもつパターン寸法精度の良さにより、
特性のバラツキの少ないバンドパスフィルタが得られ
る。
の素子を、半導体プロセスを用い半導体基板上に作り込
むことで、部品の実装に関わる工作上の煩わしさがな
く、また回路構成素子間を最小距離で接続することがで
きるので小型なバンドパスフィルタが得られる。更に、
半導体プロセスのもつパターン寸法精度の良さにより、
特性のバラツキの少ないバンドパスフィルタが得られ
る。
【図１】この発明の実施例１を示す回路図である。
【図２】この発明の実施例１に用いるダイオード及び実
施例２に用いるＦＥＴの等価回路図である。
施例２に用いるＦＥＴの等価回路図である。
【図３】この発明の実施例１における周波数特性を示す
図である。
図である。
【図４】この発明の実施例１における周波数特性を示す
他の図である。
他の図である。
【図５】この発明の実施例２を示す回路図である。
【図６】この発明の実施例３を示す構成図である。
【図７】従来のバンドパスフィルタを示す回路図であ
る。
る。
【図８】従来のバンドパスフィルタにおける周波数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図９】従来のバンドパスフィルタを示す構成図であ
る。
る。
１ コイル ２ コンデンサ ３ バイアス回路 ４ 並列共振回路 ５ 直列共振回路 ６ ダイオード ７ 抵抗 ８ ＦＥＴ ９ 半導体基板 １０ 半導体部
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のコイルに第１のコンデンサが直列
に接続され、入出力間を結ぶ主線路に対し直列接続され
たＬＣ直列共振回路と、第２のコイルに第２のコンデン
サが並列に接続され、入出力間を結ぶ主線路に対し並列
接続されたＬＣ並列共振回路とを複数個結合すると共
に、前記ＬＣ直列共振回路の少なくとも１つの回路に対
し並列に第１のダイオードを接続し、また前記ＬＣ並列
共振回路の少なくとも１つの回路に対し直列に第２のダ
イオードを接続したことを特徴とするバンドパスフィル
タ。 - 【請求項２】 第１のコイルに第１のコンデンサが直列
に接続され、入出力間を結ぶ主線路に対し直列接続され
たＬＣ直列共振回路と、第２のコイルに第２のコンデン
サが並列に接続され、入出力間を結ぶ主線路に対し並列
接続されたＬＣ並列共振回路とを複数個結合すると共
に、前記ＬＣ直列共振回路の少なくとも１つの回路に対
し並列に第１のＦＥＴを接続し、また前記ＬＣ並列共振
回路の少なくとも１つの回路に対し直列に第２のＦＥＴ
を接続したことを特徴とするバンドパスフィルタ。 - 【請求項３】 第１のコイル及び第２のコイルと、第１
のコンデンサ及び第２のコンデンサと、第１のダイオー
ド又はＦＥＴ及び第２のダイオード又はＦＥＴとを半導
体基板上に一体化して形成したことを特徴とする請求項
１または２記載のバンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108199A JPH06318836A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | バンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5108199A JPH06318836A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318836A true JPH06318836A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14478535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5108199A Pending JPH06318836A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | バンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318836A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261561A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルタ部品 |
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2016181827A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社フジクラ | 高周波回路モジュール及び高周波回路基板 |
| US10567031B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter device and communication apparatus |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5108199A patent/JPH06318836A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261561A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルタ部品 |
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP4702178B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2016181827A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 株式会社フジクラ | 高周波回路モジュール及び高周波回路基板 |
| US10567031B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency filter device and communication apparatus |
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