JPH06310251A - サージアブソーバ - Google Patents
サージアブソーバInfo
- Publication number
- JPH06310251A JPH06310251A JP10225593A JP10225593A JPH06310251A JP H06310251 A JPH06310251 A JP H06310251A JP 10225593 A JP10225593 A JP 10225593A JP 10225593 A JP10225593 A JP 10225593A JP H06310251 A JPH06310251 A JP H06310251A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- surge
- pair
- arc discharge
- cap
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロギャップ、導電性皮膜及びキャップ
電極が劣化しにくく寿命が長い。またアーク放電吸収用
電極の位置決め精度が高く、その取付けが容易で破壊電
流値を向上し得る。 【構成】 ガラス管１５にサージ吸収素子１３を入れ、
不活性ガス１４を入れた状態で封止電極１１，１２によ
りガラス管を封着してサージアブソーバ１０が作られ
る。セラミック素体１３ｂの半径方向に導電性皮膜１３
ａと間隔をあけてこの導電性皮膜１３ａを包囲する一対
のキャップ状、円筒状等の環状のアーク放電吸収用電極
１６，１７が相対向して一対の封止電極１１，１２にそ
れぞれ電気的に接続して設けられる。
電極が劣化しにくく寿命が長い。またアーク放電吸収用
電極の位置決め精度が高く、その取付けが容易で破壊電
流値を向上し得る。 【構成】 ガラス管１５にサージ吸収素子１３を入れ、
不活性ガス１４を入れた状態で封止電極１１，１２によ
りガラス管を封着してサージアブソーバ１０が作られ
る。セラミック素体１３ｂの半径方向に導電性皮膜１３
ａと間隔をあけてこの導電性皮膜１３ａを包囲する一対
のキャップ状、円筒状等の環状のアーク放電吸収用電極
１６，１７が相対向して一対の封止電極１１，１２にそ
れぞれ電気的に接続して設けられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアーク放電吸収用電極を
備えたサージアブソーバに関する。更に詳しくはマイク
ロギャップ式サージ吸収素子をガラス管内にハーメチッ
クシール（hermetic seal）したサージアブソーバに関
するものである。
備えたサージアブソーバに関する。更に詳しくはマイク
ロギャップ式サージ吸収素子をガラス管内にハーメチッ
クシール（hermetic seal）したサージアブソーバに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハーメチックシールしたサージアブソー
バには、図６に示すようにマイクロギャップ式サージ吸
収素子１を一対のリード線６，７付きの封止電極２，３
により挟持した状態でガラス管４に封止したサージアブ
ソーバ９ａや、図７に示すようにマイクロギャップ式サ
ージ吸収素子１の両端のキャップ電極１ｄ，１ｅに接続
したリード線６，７とともにこのサージ吸収素子１をガ
ラス管８で封止したサージアブソーバ９ｂが知られてい
る。上記サージアブソーバ９ａ又は９ｂでは雷サージ等
に起因してリード線６，７に異常電圧が印加すると、最
初に円柱状のセラミック素体１ｂを被包する導電性皮膜
１ａに沿ってグロー放電が起こり、最終的に一対のキャ
ップ電極１ｄ，１ｅ間でのアーク放電に移行してサージ
電圧を吸収する。このアーク放電も導電性皮膜１ａに沿
って生じるため、サージ電圧が繰り返し印加すると、マ
イクロギャップ１ｃ、導電性皮膜１ａ及びキャップ電極
１ｄ，１ｅが劣化してサージ吸収性能が低下し易い。
バには、図６に示すようにマイクロギャップ式サージ吸
収素子１を一対のリード線６，７付きの封止電極２，３
により挟持した状態でガラス管４に封止したサージアブ
ソーバ９ａや、図７に示すようにマイクロギャップ式サ
ージ吸収素子１の両端のキャップ電極１ｄ，１ｅに接続
したリード線６，７とともにこのサージ吸収素子１をガ
ラス管８で封止したサージアブソーバ９ｂが知られてい
る。上記サージアブソーバ９ａ又は９ｂでは雷サージ等
に起因してリード線６，７に異常電圧が印加すると、最
初に円柱状のセラミック素体１ｂを被包する導電性皮膜
１ａに沿ってグロー放電が起こり、最終的に一対のキャ
ップ電極１ｄ，１ｅ間でのアーク放電に移行してサージ
電圧を吸収する。このアーク放電も導電性皮膜１ａに沿
って生じるため、サージ電圧が繰り返し印加すると、マ
イクロギャップ１ｃ、導電性皮膜１ａ及びキャップ電極
１ｄ，１ｅが劣化してサージ吸収性能が低下し易い。
【０００３】この点を解決したサージアブソーバとし
て、本出願人は図８に示すように略Ｌ字型に曲げた線状
の一対のアーク放電吸収用電極５ａ，５ｂの各基端をリ
ード線６，７にそれぞれ固着し、電極本体及びその先端
をキャップ電極１ｄ，１ｅ及び導電性皮膜１ａと間隔を
あけて配置したサージアブソーバ９ｃを提案した（特開
平１−９３０８２)。このサージアブソーバ９ｃによれ
ば、アーク放電は導電性皮膜１ａと離れたアーク放電吸
収用電極５ａとキャップ電極１ｅ又はアーク放電吸収用
電極５ｂとキャップ電極１ｄの間で行われるため、導電
性皮膜１ａに沿った放電がなくなり、マイクロギャップ
１ｃ、導電性皮膜１ａ及びキャップ電極１ｄ，１ｅが劣
化しにくくなる。
て、本出願人は図８に示すように略Ｌ字型に曲げた線状
の一対のアーク放電吸収用電極５ａ，５ｂの各基端をリ
ード線６，７にそれぞれ固着し、電極本体及びその先端
をキャップ電極１ｄ，１ｅ及び導電性皮膜１ａと間隔を
あけて配置したサージアブソーバ９ｃを提案した（特開
平１−９３０８２)。このサージアブソーバ９ｃによれ
ば、アーク放電は導電性皮膜１ａと離れたアーク放電吸
収用電極５ａとキャップ電極１ｅ又はアーク放電吸収用
電極５ｂとキャップ電極１ｄの間で行われるため、導電
性皮膜１ａに沿った放電がなくなり、マイクロギャップ
１ｃ、導電性皮膜１ａ及びキャップ電極１ｄ，１ｅが劣
化しにくくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のサ
ージアブソーバ９ｃのアーク放電吸収用電極５ａ，５ｂ
は金属線状体であって、しかもその電極５ａ，５ｂの基
端をリード線６，７に金属バンド５ｃ，５ｄをかしめ
て、又はスポット溶接により取付けているため、電極の
位置がばらつき易く、その取付けには熟練を要する。
ージアブソーバ９ｃのアーク放電吸収用電極５ａ，５ｂ
は金属線状体であって、しかもその電極５ａ，５ｂの基
端をリード線６，７に金属バンド５ｃ，５ｄをかしめ
て、又はスポット溶接により取付けているため、電極の
位置がばらつき易く、その取付けには熟練を要する。
【０００５】本発明の目的は、マイクロギャップ、導電
性皮膜及びキャップ電極が劣化しにくく寿命の長いサー
ジアブソーバを提供することにある。本発明の別の目的
は、アーク放電吸収用電極の位置決め精度が高く、その
取付けが容易で破壊電流値を向上し得るサージアブソー
バを提供することにある。
性皮膜及びキャップ電極が劣化しにくく寿命の長いサー
ジアブソーバを提供することにある。本発明の別の目的
は、アーク放電吸収用電極の位置決め精度が高く、その
取付けが容易で破壊電流値を向上し得るサージアブソー
バを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１に示すように、本発
明のサージアブソーバ１０はガラス管１５と、マイクロ
ギャップ式サージ吸収素子１３と、一対の封止電極１
１，１２とを備える。サージ吸収素子１３はガラス管１
５内に収容され、導電性皮膜１３ａで被包した円柱状の
セラミック素体１３ｂの周面にマイクロギャップ１３ｃ
が形成され、このセラミック素体１３ｂの両端に一対の
キャップ電極１３ｄ，１３ｅが嵌着する。また一対の封
止電極１１，１２はガラス管１５の両端に封着可能に構
成され、封着した状態で不活性ガス１４を封入してサー
ジ吸収素子１３を固定し、かつ一対のキャップ電極１３
ｄ，１３ｅに電気的に接続される。本発明の特徴ある構
成は、セラミック素体１３ｂの半径方向に導電性皮膜１
３ａと間隔をあけてこの導電性皮膜１３ａを包囲する一
対の環状のアーク放電吸収用電極１６，１７が相対向し
て一対の封止電極１１，１２にそれぞれ電気的に接続し
て設けられたことにある。
明のサージアブソーバ１０はガラス管１５と、マイクロ
ギャップ式サージ吸収素子１３と、一対の封止電極１
１，１２とを備える。サージ吸収素子１３はガラス管１
５内に収容され、導電性皮膜１３ａで被包した円柱状の
セラミック素体１３ｂの周面にマイクロギャップ１３ｃ
が形成され、このセラミック素体１３ｂの両端に一対の
キャップ電極１３ｄ，１３ｅが嵌着する。また一対の封
止電極１１，１２はガラス管１５の両端に封着可能に構
成され、封着した状態で不活性ガス１４を封入してサー
ジ吸収素子１３を固定し、かつ一対のキャップ電極１３
ｄ，１３ｅに電気的に接続される。本発明の特徴ある構
成は、セラミック素体１３ｂの半径方向に導電性皮膜１
３ａと間隔をあけてこの導電性皮膜１３ａを包囲する一
対の環状のアーク放電吸収用電極１６，１７が相対向し
て一対の封止電極１１，１２にそれぞれ電気的に接続し
て設けられたことにある。
【０００７】
【作用】アーク放電吸収用電極１６，１７が相対向して
導電性皮膜１３ａと間隔をあけてこの皮膜１３ａを包囲
したので、アーク放電が導電性皮膜１３ａから浮上した
電極１６，１７間で行われる。これによりマイクロギャ
ップ１３ｃ、導電性皮膜１３ａ及びキャップ電極１３
ｄ，１３ｅの劣化が防止される。アーク放電吸収用電極
１６，１７を環状にしたので、その取付けが容易になる
とともにアーク放電が均一に発生し、破壊電流値がより
一層向上する。
導電性皮膜１３ａと間隔をあけてこの皮膜１３ａを包囲
したので、アーク放電が導電性皮膜１３ａから浮上した
電極１６，１７間で行われる。これによりマイクロギャ
ップ１３ｃ、導電性皮膜１３ａ及びキャップ電極１３
ｄ，１３ｅの劣化が防止される。アーク放電吸収用電極
１６，１７を環状にしたので、その取付けが容易になる
とともにアーク放電が均一に発生し、破壊電流値がより
一層向上する。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を比較例とともに図面
に基づいて詳しく説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、ムライトから
なる長さ５．５ｍｍで直径１．７ｍｍの円柱状のセラミ
ック素体１３ｂの全面にスパッタリングにより導電性皮
膜１３ａが形成される。このセラミック素体１３ｂの両
端にはそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．１ｍｍ、長さ
１．５ｍｍの一対のキャップ電極１３ｄ，１３ｅが圧入
される。更にセラミック素体１３ｂの周面中央には数１
０μｍ幅のマイクロギャップ１３ｃがレーザにより形成
される。これによりマイクロギャップ式サージ吸収素子
１３が作られる。
に基づいて詳しく説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、ムライトから
なる長さ５．５ｍｍで直径１．７ｍｍの円柱状のセラミ
ック素体１３ｂの全面にスパッタリングにより導電性皮
膜１３ａが形成される。このセラミック素体１３ｂの両
端にはそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．１ｍｍ、長さ
１．５ｍｍの一対のキャップ電極１３ｄ，１３ｅが圧入
される。更にセラミック素体１３ｂの周面中央には数１
０μｍ幅のマイクロギャップ１３ｃがレーザにより形成
される。これによりマイクロギャップ式サージ吸収素子
１３が作られる。
【０００９】このサージ吸収素子１３の両端にはそれぞ
れ内径３．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ、長さ２．０ｍｍの
キャップ状の一対のアーク放電吸収用電極１６，１７が
嵌合する。アーク放電吸収用電極１６，１７はＦｅ，Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏの金属又はこれらの合金、或
いはステンレススチール等から選ばれて形成される。こ
の例では電極１６、１７の材質はＦｅである。一対の封
止電極１１，１２の各外面にはリード線１８，１９がそ
れぞれ溶着される。一対の封止電極１１，１２でアーク
放電吸収用電極１６，１７を挟持してサージ吸収素子１
３を鉛ガラスからなる内径２．８ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ、長さ１２．０ｍｍのガラス管１５内に挿入する。封
止電極１１，１２は直径約２．６ｍｍのジュメット線を
長さ約２．５ｍｍに輪切りしたものである。この状態で
ガラス管内の空気をアルゴンガスで置換して所定の圧力
にした後、加熱することにより封止電極１１，１２によ
りガラス管１５が封止される。図１において、ｍ＝約
２．１ｍｍ、ｎ＝約２．９ｍｍである。
れ内径３．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ、長さ２．０ｍｍの
キャップ状の一対のアーク放電吸収用電極１６，１７が
嵌合する。アーク放電吸収用電極１６，１７はＦｅ，Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏの金属又はこれらの合金、或
いはステンレススチール等から選ばれて形成される。こ
の例では電極１６、１７の材質はＦｅである。一対の封
止電極１１，１２の各外面にはリード線１８，１９がそ
れぞれ溶着される。一対の封止電極１１，１２でアーク
放電吸収用電極１６，１７を挟持してサージ吸収素子１
３を鉛ガラスからなる内径２．８ｍｍ、厚さ０．８ｍ
ｍ、長さ１２．０ｍｍのガラス管１５内に挿入する。封
止電極１１，１２は直径約２．６ｍｍのジュメット線を
長さ約２．５ｍｍに輪切りしたものである。この状態で
ガラス管内の空気をアルゴンガスで置換して所定の圧力
にした後、加熱することにより封止電極１１，１２によ
りガラス管１５が封止される。図１において、ｍ＝約
２．１ｍｍ、ｎ＝約２．９ｍｍである。
【００１０】＜実施例２＞図３及び図４に示すように、
この例ではキャップ電極を除いて実施例１と同一のマイ
クロギャップ式サージ吸収素子２３を用いる。図３及び
図４において、図１及び図２と同一符号は同一構成部品
を示す。サージ吸収素子の符号については図１及び図２
のものに１０を加えて示す。このセラミック素体２３ｂ
の両端にはキャップ電極２３ｄ，２３ｅが圧入される。
このキャップ電極２３ｄ，２３ｅの端部周縁には円筒状
のアーク放電吸収用電極２６，２７が一体的に設けられ
る。このキャップ電極とアーク放電吸収用電極によりハ
ット状の電極が形成される。キャップ電極２３ｄ，２３
ｅはそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．１ｍｍ、外面長
さ１．５ｍｍをなし、アーク放電吸収用電極２６，２７
はそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．２ｍｍ、外面長さ
０．４ｍｍをなす。実施例１のアーク放電吸収用電極１
６，１７を設けない分だけ実施例１のガラス管１５より
短いガラス管２５を用い、かつキャップ電極とアーク放
電吸収用電極を一体化した以外は実施例１と同様にして
サージアブソーバ２０を作製した。
この例ではキャップ電極を除いて実施例１と同一のマイ
クロギャップ式サージ吸収素子２３を用いる。図３及び
図４において、図１及び図２と同一符号は同一構成部品
を示す。サージ吸収素子の符号については図１及び図２
のものに１０を加えて示す。このセラミック素体２３ｂ
の両端にはキャップ電極２３ｄ，２３ｅが圧入される。
このキャップ電極２３ｄ，２３ｅの端部周縁には円筒状
のアーク放電吸収用電極２６，２７が一体的に設けられ
る。このキャップ電極とアーク放電吸収用電極によりハ
ット状の電極が形成される。キャップ電極２３ｄ，２３
ｅはそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．１ｍｍ、外面長
さ１．５ｍｍをなし、アーク放電吸収用電極２６，２７
はそれぞれ厚さ０．２ｍｍ、外径２．２ｍｍ、外面長さ
０．４ｍｍをなす。実施例１のアーク放電吸収用電極１
６，１７を設けない分だけ実施例１のガラス管１５より
短いガラス管２５を用い、かつキャップ電極とアーク放
電吸収用電極を一体化した以外は実施例１と同様にして
サージアブソーバ２０を作製した。
【００１１】＜比較例１＞図８に示される前述したサー
ジアブソーバ９ｃを比較例１とした。このサージアブソ
ーバ９ｃのガラス管８には実施例１と同一のサージ吸収
素子１がアルゴンガスとともに封止される。アーク放電
吸収用電極５ａ，５ｂには実施例１と同じ材質のＦｅを
用いた。
ジアブソーバ９ｃを比較例１とした。このサージアブソ
ーバ９ｃのガラス管８には実施例１と同一のサージ吸収
素子１がアルゴンガスとともに封止される。アーク放電
吸収用電極５ａ，５ｂには実施例１と同じ材質のＦｅを
用いた。
【００１２】＜比較例２＞図６に示される前述したサー
ジアブソーバ９ａを比較例２とした。このサージアブソ
ーバ９ａのガラス管４には実施例１と同一のサージ吸収
素子１がアルゴンガスとともに封止される。封止電極
２，３は実施例１と同じジュメット線を用いた。
ジアブソーバ９ａを比較例２とした。このサージアブソ
ーバ９ａのガラス管４には実施例１と同一のサージ吸収
素子１がアルゴンガスとともに封止される。封止電極
２，３は実施例１と同じジュメット線を用いた。
【００１３】実施例１、実施例２、比較例１及び比較例
２のサージアブソーバの直流放電開始電圧、サージ応答
電圧、サージ破壊耐量及びサージ寿命特性を調べた。直
流放電開始電圧、サージ応答電圧及びサージ破壊耐量に
ついては、その結果を表１に、サージ寿命特性について
はその結果を図５にそれぞれ示す。なお、サージ応答電
圧は（１．２×５０）μｓｅｃ−５ｋＶのサージ電圧を
２０個のサージアブソーバについて１個当り５回ずつ印
加して、応答する電圧の平均値を求めた。またサージ破
壊耐量はＪＥＣ−２１２（電気学会、電気規格調査会標
準規格）に規定される（８×２０）μｓｅｃのサージ電
流をその値を変えて測定し、サージアブソーバが破壊さ
れる電流値から求めた。更にサージ寿命特性は（８×２
０）μｓｅｃ−１００Ａのサージ電流を繰り返し印加し
て、印加回数によってその絶縁抵抗値が低下する状況か
ら調べた。
２のサージアブソーバの直流放電開始電圧、サージ応答
電圧、サージ破壊耐量及びサージ寿命特性を調べた。直
流放電開始電圧、サージ応答電圧及びサージ破壊耐量に
ついては、その結果を表１に、サージ寿命特性について
はその結果を図５にそれぞれ示す。なお、サージ応答電
圧は（１．２×５０）μｓｅｃ−５ｋＶのサージ電圧を
２０個のサージアブソーバについて１個当り５回ずつ印
加して、応答する電圧の平均値を求めた。またサージ破
壊耐量はＪＥＣ−２１２（電気学会、電気規格調査会標
準規格）に規定される（８×２０）μｓｅｃのサージ電
流をその値を変えて測定し、サージアブソーバが破壊さ
れる電流値から求めた。更にサージ寿命特性は（８×２
０）μｓｅｃ−１００Ａのサージ電流を繰り返し印加し
て、印加回数によってその絶縁抵抗値が低下する状況か
ら調べた。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から明かなように、実施例１、２及び
比較例１、２のサージアブソーバとも直流放電開始電圧
とサージ応答電圧はそれぞれ同一の値を示した。しかし
サージ破壊耐量は比較例１及び２が４５００Ａ以下であ
るのに対して、実施例１及び２が５０００Ａ以上であ
り、実施例の方が比較例より破壊されにくいことが判明
した。
比較例１、２のサージアブソーバとも直流放電開始電圧
とサージ応答電圧はそれぞれ同一の値を示した。しかし
サージ破壊耐量は比較例１及び２が４５００Ａ以下であ
るのに対して、実施例１及び２が５０００Ａ以上であ
り、実施例の方が比較例より破壊されにくいことが判明
した。
【００１６】また図５から明かなように、実施例１と実
施例２とは同じサージ寿命特性を示した。また５００回
までのサージ電圧の印加では実施例及び比較例の絶縁抵
抗値はそれぞれ同一であったが、１０００回を越すに従
って、実施例１及び実施例２の方が比較例１及び２より
抵抗値の低下程度は少なかった。即ち、５０００回印加
後の比較例２のサージアブソーバの抵抗値がその初期値
より約１００分の１に低下するのに対して、実施例１及
び実施例２のサージアブソーバの抵抗値はその初期値よ
り約１５分の１に低下するに過ぎなかった。
施例２とは同じサージ寿命特性を示した。また５００回
までのサージ電圧の印加では実施例及び比較例の絶縁抵
抗値はそれぞれ同一であったが、１０００回を越すに従
って、実施例１及び実施例２の方が比較例１及び２より
抵抗値の低下程度は少なかった。即ち、５０００回印加
後の比較例２のサージアブソーバの抵抗値がその初期値
より約１００分の１に低下するのに対して、実施例１及
び実施例２のサージアブソーバの抵抗値はその初期値よ
り約１５分の１に低下するに過ぎなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
の効果を奏する。 本発明のアーク放電吸収用電極をキャップ状（図
２）、円筒状（図４）等の環状にしたので、従来の金属
線状（図８）のものと比べて本発明のアーク放電吸収用
電極の取付けに際してかしめ、スポット溶接をする必要
がなく、簡単にアーク放電吸収用電極付きサージアブソ
ーバを作製することができる。 導電性皮膜と間隔をあけて、即ち導電性皮膜から浮
上した位置にアーク放電吸収用電極を相対向して設けた
ので、マイクロギャップ、導電性皮膜及びキャップ電極
の疲労又は劣化を軽減し、サージ寿命特性を向上するこ
とができる。 アーク放電吸収用電極を環状にしたことから、金属
線状のものと比べてアーク放電が均一に生じるため、サ
ージアブソーバの破壊電流値をより一層向上することが
できる。
の効果を奏する。 本発明のアーク放電吸収用電極をキャップ状（図
２）、円筒状（図４）等の環状にしたので、従来の金属
線状（図８）のものと比べて本発明のアーク放電吸収用
電極の取付けに際してかしめ、スポット溶接をする必要
がなく、簡単にアーク放電吸収用電極付きサージアブソ
ーバを作製することができる。 導電性皮膜と間隔をあけて、即ち導電性皮膜から浮
上した位置にアーク放電吸収用電極を相対向して設けた
ので、マイクロギャップ、導電性皮膜及びキャップ電極
の疲労又は劣化を軽減し、サージ寿命特性を向上するこ
とができる。 アーク放電吸収用電極を環状にしたことから、金属
線状のものと比べてアーク放電が均一に生じるため、サ
ージアブソーバの破壊電流値をより一層向上することが
できる。
【図１】本発明実施例１のサージアブソーバの中央断面
図。
図。
【図２】その外観斜視図。
【図３】本発明実施例２のサージアブソーバの中央断面
図。
図。
【図４】その外観斜視図。
【図５】実施例及び比較例のサージアブソーバのサージ
寿命特性図。
寿命特性図。
【図６】従来例サージアブソーバの中央断面図。
【図７】別の従来例サージアブソーバの断面図。
【図８】更に別の従来例サージアブソーバの断面図。
１０，２０ サージアブソーバ １１，１２ 封止電極 １３，２３ マイクロギャップ式サージ吸収素子 １３ａ，２３ａ 導電性皮膜 １３ｂ，２３ｂ セラミック素体 １３ｃ，２３ｃ マイクロギャップ １３ｄ，２３ｄ キャップ電極 １４ アルゴンガス（不活性ガス） １６，１７，２６，２７ アーク放電吸収用電極 １８，１９ リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 隆明 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス研究所 内
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス管(15,25)と、 前記ガラス管(15,25)内に収容され、導電性皮膜(13a,23
a)で被包した円柱状のセラミック素体(13b,23b)の周面
にマイクロギャップ(13c,23c)が形成され、前記セラミ
ック素体(13b,23b)の両端に一対のキャップ電極(13d,13
e,23d,23e)が嵌着するサージ吸収素子(13,23)と、 前記ガラス管(15,25)の両端に封着可能に構成され、封
着した状態で不活性ガス(14)を封入して前記サージ吸収
素子(13,23)を固定し、かつ前記一対のキャップ電極(13
d,13e,23d,23e)に電気的に接続された一対の封止電極(1
1,12)とを備えたサージアブソーバにおいて、 前記セラミック素体(13b,23b)の半径方向に前記導電性
皮膜(13a,23a)と間隔をあけて前記導電性皮膜(13a,23a)
を包囲する一対の環状のアーク放電吸収用電極(16,17,2
6,27)が相対向して前記一対の封止電極(11,12)にそれぞ
れ電気的に接続して設けられたことを特徴とするサージ
アブソーバ。 - 【請求項２】 アーク放電吸収用電極(16,17)がキャッ
プ電極(13d,13e)の外径より大きな内径を有するキャッ
プ状に形成されて前記キャップ電極(13d,13e)と前記封
止電極(11,12)との間に設けられた請求項１記載のサー
ジアブソーバ。 - 【請求項３】 一対のアーク放電吸収用電極(16,17)の
間隔(m)が一対のキャップ電極(13d,13e)の間隔(n)より
小さい請求項２記載のサージアブソーバ。 - 【請求項４】 アーク放電吸収用電極(26,27)がキャッ
プ電極(23d,23e)の端部周縁に前記キャップ電極(23d,23
e)と一体的に形成された請求項１記載のサージアブソー
バ。 - 【請求項５】 アーク放電吸収用電極(16,17,26,27)が
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏの金属又はこれらの
合金、或いはステンレススチールにより形成された請求
項１ないし４いずれか記載のサージアブソーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10225593A JPH06310251A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | サージアブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10225593A JPH06310251A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | サージアブソーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310251A true JPH06310251A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14322492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10225593A Pending JPH06310251A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | サージアブソーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8922958B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-12-30 | General Electric Company | Method and systems for discharging energy from an electrical fault |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10225593A patent/JPH06310251A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8922958B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-12-30 | General Electric Company | Method and systems for discharging energy from an electrical fault |
| KR101538212B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2015-07-20 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 전기적 결함으로부터 에너지를 방출하기 위한 방법 및 시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001101 |