JPH06309054A - Voltage source circuit - Google Patents

Voltage source circuit

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JPH06309054A
JPH06309054A JP9151993A JP9151993A JPH06309054A JP H06309054 A JPH06309054 A JP H06309054A JP 9151993 A JP9151993 A JP 9151993A JP 9151993 A JP9151993 A JP 9151993A JP H06309054 A JPH06309054 A JP H06309054A
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JP
Japan
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transistor
current
collector
base
emitter
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JP9151993A
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Japanese (ja)
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Satoshi Sasaki
智 佐々木
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Abstract

PURPOSE:To provide the voltage source circuit which does not decrease in maximum output voltage and can maintain an output voltage without being affected by the output current. CONSTITUTION:In the voltage source circuit which holds the output voltage at an output terminal OUT constant by supplying equal currents by a 1st current mirror circuit between the emitters and collectors of 1st and 2nd transistors(TR) Q11 and Q12 having their common-connected bases connected to resistors R3 and R4 dividing the voltage at the output terminal OUT, a current supplied from a 1st current mirror circuit side to the collector of the 2nd TR Q12 is reduced by as much as the base current supplied from a TR Q26. Further, a 2nd current mirror circuit 2, a 3rd current mirror circuit 3, etc., are provided so as to equalize the collector current of the 1st TR Q1 to the collector current of the 2nd TR Q12.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【従来の技術】一般に、電子機器には、安定な動作を保
つ等のために電圧源回路が広く用いられる。図3は従来
例の電圧源回路31を示す。図3の回路構成は以下のよ
うになっている。Q11〜Q13はNPNトランジスタ、Q
21〜Q23はPNPトランジスタ、R1〜R4は抵抗、I1
は定電流源である。
2. Description of the Related Art Generally, a voltage source circuit is widely used in electronic equipment in order to maintain stable operation. FIG. 3 shows a conventional voltage source circuit 31. The circuit configuration of FIG. 3 is as follows. Q11 to Q13 are NPN transistors, Q
21 to Q23 are PNP transistors, R1 to R4 are resistors, and I1
Is a constant current source.

【0002】図3において、カレントミラー回路を構成
するベース・コレクタ短絡のトランジスタQ21のエミッ
タは正の電源端Vccに接続され、このトランジスタQ21
のベースはトランジスタQ22のベースに接続されてい
る。トランジスタQ21のコレクタはトランジスタQ11の
コレクタに接続されている。
In FIG. 3, the emitter of a base-collector short-circuited transistor Q21 forming a current mirror circuit is connected to a positive power supply terminal Vcc, and this transistor Q21 is used.
Is connected to the base of the transistor Q22. The collector of the transistor Q21 is connected to the collector of the transistor Q11.

【0003】トランジスタQ11のエミッタは抵抗R1の
一端に接続され、抵抗R1の他端はトランジスタQ12の
エミッタ及び抵抗R2の一端に接続されている。抵抗R2
の他端はGNDに接地されている。またトランジスタQ
11のベースはトランジスタQ12のベースに接続されると
共に、Vref端子に接続されている。また抵抗R3及びR
4の一端はVref端子に接続されている。
The emitter of the transistor Q11 is connected to one end of the resistor R1, and the other end of the resistor R1 is connected to the emitter of the transistor Q12 and one end of the resistor R2. Resistance R2
The other end of is grounded to GND. Also transistor Q
The base of 11 is connected to the base of the transistor Q12 and also to the Vref terminal. Also, resistors R3 and R
One end of 4 is connected to the Vref terminal.

【0004】またトランジスタQ22のエミッタはVccに
接続されている。トランジスタQ22のコレクタはトラン
ジスタQ12のコレクタに接続されると共に、トランジス
タQ23のベースに接続されている。トランジスタQ23の
エミッタは、トランジスタQ13のベースに接続されると
共に、定電流源I1を介して電源端Vccに接続されてい
る。
The emitter of the transistor Q22 is connected to Vcc. The collector of the transistor Q22 is connected to the collector of the transistor Q12 and the base of the transistor Q23. The emitter of the transistor Q23 is connected to the base of the transistor Q13 and also connected to the power source terminal Vcc via the constant current source I1.

【0005】トランジスタQ23のコレクタはGNDに接
地されている。トランジスタQ13のコレクタは電源端V
ccに接続され、トランジスタQ13のエミッタは出力端子
OUTに接続されている。抵抗R3の他端は出力端子O
UTに接続され、抵抗R4の他端はGNDに接地されて
いる。次にこの従来例の動作について説明する。
The collector of the transistor Q23 is grounded to GND. The collector of the transistor Q13 is the power supply terminal V
It is connected to cc, and the emitter of the transistor Q13 is connected to the output terminal OUT. The other end of the resistor R3 is the output terminal O
It is connected to UT and the other end of the resistor R4 is grounded to GND. Next, the operation of this conventional example will be described.

【0006】まず、トランジスタQ11のコレクタ電流を
IC(Q11)、トランジスタQ11のベース・エミッタ間
電圧をVBE(Q11)、トランジスタQ12のベース・エミ
ッタ間電圧をVBE(Q12)とすると、トランジスタQ11
とQ12のベース電位の関係は R1・IC(Q11)+VBE(Q11)=VBE(Q12)…(1) となる。ここでトランジスタQ21とQ22のカレントミラ
ー回路構成により、トランジスタQ11のコレクタ電流I
C(Q11)及びトランジスタQ12のコレクタ電流IC(Q
12)の関係は、トランジスタQ23のベース電流を無視す
ると、互いに等しい電流が流れる。つまり、 IC(Q11)=IC(Q12) …(2) となる。よって(1)、(2)式からトランジスタQ11
のコレクタ電流は、エミッタ面積を基本サイズの例えば
10倍、つまりエリア数を10とすると、 R1・IC(Q11)+VT ln{IC(Q11)/10・Is} = VT lnIC(Q12)/Is R1・IC(Q11)= VT ln 10 IC(Q11)= IC(Q12)=(VT/R1) ln 10 …(3) となる。ここでVref端子の電圧を Vref=Vr …(4) とすると、A点の電位関係は 2×Ic(Q11)×R2=Vr−VBE(Q12) …(5) となり、よってVrは Vr=2×IC(Q11)×R2+VBE(Q12) …(6) となる。よって出力電圧Voutは Vout=(R3+R4)Vr/R4 となる。
First, assuming that the collector current of the transistor Q11 is IC (Q11), the base-emitter voltage of the transistor Q11 is VBE (Q11), and the base-emitter voltage of the transistor Q12 is VBE (Q12).
And the base potential of Q12 is R1 * IC (Q11) + VBE (Q11) = VBE (Q12) ... (1). Here, due to the current mirror circuit configuration of the transistors Q21 and Q22, the collector current I of the transistor Q11 is
C (Q11) and collector current IC (Q of transistor Q12
Regarding the relationship of 12), when the base current of the transistor Q23 is ignored, currents equal to each other flow. That is, IC (Q11) = IC (Q12) (2). Therefore, from equations (1) and (2), the transistor Q11
Assuming that the emitter area is 10 times the basic size, that is, the number of areas is 10, the collector current of R1 · IC (Q11) + VT ln {IC (Q11) / 10 · Is} = VT lnIC (Q12) / Is R1 IC (Q11) = VT ln 10 IC (Q11) = IC (Q12) = (VT / R1) ln 10 (3) Assuming that the voltage at the Vref terminal is Vref = Vr (4), the potential relationship at point A is 2 × Ic (Q11) × R2 = Vr−VBE (Q12) (5), and thus Vr is Vr = 2. × IC (Q11) × R2 + VBE (Q12) (6) Therefore, the output voltage Vout is Vout = (R3 + R4) Vr / R4.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、出力電流の能
力が必要な場合、出力電圧に問題が生じる。そこで出力
電流が流れた場合の動作について説明する。
However, when output current capability is required, output voltage problems arise. Therefore, the operation when the output current flows will be described.

【0008】出力電流をIout、トランジスタQ13の電
流増幅率をβ(Q13)とし、抵抗R3、R4に流れる電流
を無視すると、トランジスタQ15のベース電流IB(Q1
3)は IB(Q13)= Iout/β(Q13) となる。よって定電流源I1に流れる電流をIとする
と、トランジスタQ23のエミッタ電流IE(Q23)は、 IE(Q23)=IーIout/β(Q13) となり、トランジスタQ23のベース電流IB(Q23)は IB(Q23)=(IーIout/β(Q13))/β(Q23) =I/β(Q23)ーIout/(β(Q13)β(Q23)…(10) となる。ここでIC(Q22)+IB(Q23)とIC(Q1
2)が等しくなるように負帰還がかかりVrefが決定され
る。しかし(10)式よりIoutが増えれば、IB(Q2
3)が小さくなり、よって、IC(Q12)が小さくなる。
この結果、Vrefの電位が下がり、出力電圧Voutが変動
してしまう欠点がある。
If the output current is Iout, the current amplification factor of the transistor Q13 is β (Q13), and the currents flowing through the resistors R3 and R4 are ignored, the base current IB (Q1 of the transistor Q15).
In 3), IB (Q13) = Iout / β (Q13). Therefore, assuming that the current flowing through the constant current source I1 is I, the emitter current IE (Q23) of the transistor Q23 is IE (Q23) = I-Iout / β (Q13), and the base current IB (Q23) of the transistor Q23 is IB (Q23) = (I−Iout / β (Q13)) / β (Q23) = I / β (Q23) −Iout / (β (Q13) β (Q23) ... (10) where IC (Q22 ) + IB (Q23) and IC (Q1
Negative feedback is applied and Vref is determined so that 2) becomes equal. However, if Iout increases from equation (10), IB (Q2
3) becomes small, and thus IC (Q12) becomes small.
As a result, there is a drawback that the potential of Vref drops and the output voltage Vout fluctuates.

【0009】また、出力電圧がIoutの影響を受けない
ように図4のようにトランジスタQ13のエミッタと出力
端OUTの間にNPNトランジスタQ18のベースを抵抗
Rを介してNPNトランジスタQ18のエミッタに接続
し、このNPNトランジスタQ18のコレクタを電源端V
ccに接続した回路構成にすることが考えられる。
In order to prevent the output voltage from being affected by Iout, the base of the NPN transistor Q18 is connected to the emitter of the NPN transistor Q18 via the resistor R between the emitter of the transistor Q13 and the output terminal OUT as shown in FIG. The collector of this NPN transistor Q18 to the power supply terminal V
A circuit configuration connected to cc can be considered.

【0010】この回路は出力部をダーリントン接続にし
てあるので、図3の回路よりはIoutの影響を受けなく
なる。しかし最大設定可能電圧について考えると次のよ
うな問題点がある。
Since the output section of this circuit is connected to Darlington, it is less affected by Iout than the circuit of FIG. However, considering the maximum settable voltage, there are the following problems.

【0011】定電流源I1はPNPトランジスタで構成
されているので、このPNPトランジスタの飽和状態の
エミッタ・コレクタ間電圧を、VCEPNPsatとすると、図
3の回路の最大設定可能電圧Voutmaxは Voutmax=Vcc−VBE(Q13)−VCEPNPsat ≒Vcc−1.0 [V] …(12) となる。しかし図4の回路のVoutmaxは Voutmax=Vcc−VBE(Q18)−VBE(Q13)−VCEPNPsat ≒Vcc−1.7 [V] …(13) となり図3より、新たに設けたNPNトランジスタQ18
のベース・エミッタ間電圧VBE(Q18)分、設定電圧の
範囲が狭くなるという欠点がある。
Since the constant current source I1 is composed of a PNP transistor, if the saturated emitter-collector voltage of the PNP transistor is VCEPNPsat, the maximum settable voltage Voutmax of the circuit of FIG. 3 is Voutmax = Vcc- VBE (Q13) -VCEPNPsat.apprxeq.Vcc-1.0 [V] (12). However, the Voutmax of the circuit of FIG. 4 becomes Voutmax = Vcc-VBE (Q18) -VBE (Q13) -VCEPNPsat.apprxeq.Vcc-1.7 [V] (13), and the NPN transistor Q18 newly provided from FIG.
However, there is a drawback that the range of the set voltage is narrowed by the base-emitter voltage VBE (Q18).

【0012】本発明は上述した点にかんがみてなされた
もので、出力電圧が狭くなることなく、かつ出力電圧が
出力電流の影響を受けない電圧源回路を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a voltage source circuit in which the output voltage is not narrowed and the output voltage is not influenced by the output current.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するために、共通にされたベースが出力端の電圧を分
圧する抵抗に接続された第1及び第2のトランジスタの
エミッタ・コレクタ間を等しい電流が流れるようにする
1対のトランジスタで形成された第1のカレントミラー
回路と、前記エミッタ・コレクタ間を流れる電流をGN
Dに導く第1及び第2の抵抗と、前記出力端と電源端に
それぞれエミッタ及びコレクタが接続された第3のトラ
ンジスタと、前記電源端に一端が接続され、他端が前記
第3のトランジスタのベースに接続された定電流源と、
前記定電流源の他端とGNDにそれぞれエミッタ及びコ
レクタが接続された第4のトランジスタと、前記第4の
トランジスタのベースが前記第1のカレントミラー回路
と第2のトランジスタとの接続点に接続される電圧源回
路において、前記第4のトランジスタのコレクタとGN
D間に、第2のカレントミラー回路を配置し、前記第4
のトランジスタのエミッタ・コレクタ間を流れる電流と
等しい電流を第3のカレントミラー回路の一方の電流路
に流し、前記第3のカレントミラー回路の他方の電流路
から前記第1のカレントミラー回路のベースに前記一方
の電流路に流れる電流と等しい電流を供給し、かつ前記
第1のカレントミラー回路のベースから前記第1のトラ
ンジスタのエミッタ・コレクタ間に前記第4のトランジ
スタのベース電流に等しい電流を供給する第5のトラン
ジスタを設けた回路構成になっている。
In order to solve the above problems, in order to solve the above problems, the common base is connected between the emitter and collector of the first and second transistors connected to the resistor for dividing the voltage at the output end. A first current mirror circuit formed of a pair of transistors for allowing equal currents to flow, and a current flowing between the emitter and collector to GN
First and second resistors leading to D, a third transistor whose emitter and collector are connected to the output end and power supply end, respectively, one end of which is connected to the power supply end, and the other end of which is the third transistor A constant current source connected to the base of
A fourth transistor whose emitter and collector are connected to the other end of the constant current source and GND, respectively, and a base of the fourth transistor is connected to a connection point between the first current mirror circuit and the second transistor. In the voltage source circuit, the collector of the fourth transistor and the GN
A second current mirror circuit is arranged between D and
A current equal to the current flowing between the emitter and the collector of the transistor of the third current mirror circuit is passed through one current path of the third current mirror circuit, and the other current path of the third current mirror circuit is applied to the base of the first current mirror circuit. A current equal to the current flowing through the one current path, and a current equal to the base current of the fourth transistor between the base of the first current mirror circuit and the emitter / collector of the first transistor. It has a circuit configuration in which a fifth transistor to be supplied is provided.

【0014】以上の構成により、第4のトランジスタの
ベースを介して第2のトランジスタのエミッタ・コレク
タ間に供給されるベース電流と等しい電流分だけ、第1
のカレントミラー回路側から供給される電流量を減らし
て、第2のトランジスタのエミッタ・コレクタ間を流れ
る電流が出力端から負荷側に流れる電流値に依存しない
ように設定でき、かつ第2のトランジスタのエミッタ・
コレクタ間を流れる電流と、第1のトランジスタのエミ
ッタ・コレクタ間を流れる電流とを等しく保たれるよう
にしている。さらに、出力端から負荷側に供給される最
大出力電圧の低下を防止している。
With the above configuration, the first current is equal to the base current supplied between the emitter and collector of the second transistor through the base of the fourth transistor.
The amount of current supplied from the current mirror circuit side of the second transistor can be reduced so that the current flowing between the emitter and collector of the second transistor does not depend on the current value flowing from the output end to the load side, and the second transistor The emitter of
The current flowing between the collector and the current flowing between the emitter and collector of the first transistor is kept equal. Furthermore, the maximum output voltage supplied from the output terminal to the load side is prevented from decreasing.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の第1実施例を図1に示す。本発明の
第1実施例の回路構成について以下に述べる。Q11〜Q
15はNPNトランジスタ、Q21〜Q26はPNPトランジ
スタ、R1〜R4は抵抗、I1は定電流源である。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The circuit configuration of the first embodiment of the present invention will be described below. Q11 ~ Q
Reference numeral 15 is an NPN transistor, Q21 to Q26 are PNP transistors, R1 to R4 are resistors, and I1 is a constant current source.

【0016】図1に示すように第1実施例の電圧源回路
1は、図3に示す従来例の電圧源回路1において、トラ
ンジスタQ23のコレクタ・GND間に一方の電流路側を
配置した第1のカレントミラー回路2を設けている。ま
た、このカレントミラー回路2の他方の電流路側は、第
2のカレントミラー回路3における一方の電流路側と接
続されている。
As shown in FIG. 1, the voltage source circuit 1 of the first embodiment is similar to the voltage source circuit 1 of the conventional example shown in FIG. 3 in which one current path side is arranged between the collector and the ground of the transistor Q23. Current mirror circuit 2 is provided. The other current path side of the current mirror circuit 2 is connected to the one current path side of the second current mirror circuit 3.

【0017】上記第2のカレントミラー回路3は図3に
おけるカレントミラー回路を構成するトランジスタQ2
1及びQ22のベース・電源端Vcc間に他方の電流路側
を配置している。
The second current mirror circuit 3 is a transistor Q2 forming the current mirror circuit in FIG.
The other current path side is arranged between the base and the power source terminal Vcc of 1 and Q22.

【0018】より詳しく述べると、トランジスタQ23の
コレクタは、第1のカレントミラー回路2を構成するト
ランジスタQ15のベース・コレクタに接続され、このト
ランジスタQ15のエミッタは接地され、このトランジス
タQ15のベースは対となるトランジスタQ14のベースに
接続され、このトランジスタQ14のエミッタは接地さ
れ、このトランジスタQ14のコレクタは、第2のカレン
トミラー回路3を構成する一方のトランジスタQ26のベ
ース・コレクタに接続されている。
More specifically, the collector of the transistor Q23 is connected to the base-collector of the transistor Q15 forming the first current mirror circuit 2, the emitter of the transistor Q15 is grounded, and the base of the transistor Q15 is a pair. Is connected to the base of the transistor Q14, the emitter of the transistor Q14 is grounded, and the collector of the transistor Q14 is connected to the base / collector of one transistor Q26 forming the second current mirror circuit 3.

【0019】このトランジスタQ26のエミッタは電源端
Vccに接続され、このトランジスタQ26のベースは対と
なるトランジスタQ25のベースに接続され、このトラン
ジスタQ25のエミッタは電源端Vccに接続され、このト
ランジスタQ25のコレクタはトランジスタQ21のベース
に接続されている。
The emitter of the transistor Q26 is connected to the power supply terminal Vcc, the base of the transistor Q26 is connected to the base of the paired transistor Q25, and the emitter of the transistor Q25 is connected to the power supply terminal Vcc. The collector is connected to the base of the transistor Q21.

【0020】さらに、図3においてカレントミラー回路
を構成しているトランジスタQ21のベース・コレクタ間
にPNPトランジスタQ24のエミッタ・ベースを接続
し、このトランジスタQ24のコレクタをGNDに接続し
ている。その他の構成は図3に示す電圧源回路31と同
じ構成である。
Further, in FIG. 3, the emitter / base of a PNP transistor Q24 is connected between the base and collector of a transistor Q21 forming a current mirror circuit, and the collector of this transistor Q24 is connected to GND. Other configurations are the same as those of the voltage source circuit 31 shown in FIG.

【0021】つまりトランジスタQ21のエミッタは電源
端Vccに接続され、トランジスタQ21のコレクタはトラ
ンジスタQ24のベースに接続されると共に、トランジス
タQ11のコレクタに接続されている。トランジスタQ11
のエミッタは抵抗R1の一端に接続され、この抵抗R1の
他端は抵抗R2の一端に接続されていると共に、トラン
ジスタQ12のエミッタに接続されている。
That is, the emitter of the transistor Q21 is connected to the power source terminal Vcc, the collector of the transistor Q21 is connected to the base of the transistor Q24 and the collector of the transistor Q11. Transistor Q11
The emitter of is connected to one end of the resistor R1, and the other end of the resistor R1 is connected to one end of the resistor R2 and also to the emitter of the transistor Q12.

【0022】抵抗R2の他端は、GNDに接地され、ト
ランジスタQ24のコレクタもGNDに接地されている。
トランジスタQ22のエミッタは電源端Vccに接続され、
トランジスタQ22のコレクタはトランジスタQ23のベー
ス及びトランジスタQ12のコレクタに接続されている。
The other end of the resistor R2 is grounded to GND, and the collector of the transistor Q24 is also grounded to GND.
The emitter of the transistor Q22 is connected to the power source terminal Vcc,
The collector of the transistor Q22 is connected to the base of the transistor Q23 and the collector of the transistor Q12.

【0023】トランジスタQ11のベースはトランジスタ
Q12のベース及びVref端子に接続され、さらに抵抗R3
及びR4の一端に接続されている。抵抗R3の他端は出力
端OUTに接続され、抵抗R4の他端はGNDに接地さ
れている。トランジスタQ22のエミッタはVccに接続さ
れ、トランジスタQ23のエミッタはトランジスタQ13の
ベースに接続されると共に、定電流源I1を介して電源
端Vccに接続されている。
The base of the transistor Q11 is connected to the base of the transistor Q12 and the Vref terminal, and the resistor R3
, And R4 at one end. The other end of the resistor R3 is connected to the output end OUT, and the other end of the resistor R4 is grounded to GND. The emitter of the transistor Q22 is connected to Vcc, the emitter of the transistor Q23 is connected to the base of the transistor Q13, and is also connected to the power supply terminal Vcc via the constant current source I1.

【0024】トランジスタQ13のコレクタは電源端Vcc
に接続され、このトランジスタQ13のエミッタは出力端
OUTに接続されている。
The collector of the transistor Q13 is the power source terminal Vcc.
The emitter of the transistor Q13 is connected to the output terminal OUT.

【0025】次にこの実施例の動作を説明する。出力電
流をIout、トランジスタQ13の電流増幅率をβ(Q1
3)とし、抵抗R3、R4に流れる電流を無視すると、ト
ランジスタQ13のベース電流IB(Q13)は IB(Q13)= Iout/β(Q13) …(14) となる。
Next, the operation of this embodiment will be described. The output current is Iout, and the current amplification factor of the transistor Q13 is β (Q1
3) and neglecting the current flowing through the resistors R3 and R4, the base current IB (Q13) of the transistor Q13 becomes IB (Q13) = Iout / β (Q13) (14).

【0026】よって定電流源I1に流れる電流をIとす
ると、トランジスタQ23のエミッタ電流IE(Q23)は IE(Q23)=IーIB(Q13)=IーIout/β(Q13) …(15) となる。よってトランジスタQ23の電流増幅率をβ(Q
23)とすると、トランジスタQ23のベース電流IB(Q2
3)は IB(Q23)=IE(Q23)/β(Q23) =(IーIout/β(Q13))/β(Q23) …(16) となる。
Therefore, assuming that the current flowing through the constant current source I1 is I, the emitter current IE (Q23) of the transistor Q23 is IE (Q23) = I−IB (Q13) = I−Iout / β (Q13) (15) Becomes Therefore, the current amplification factor of the transistor Q23 is β (Q
23), the base current IB of the transistor Q23 (Q2
3) is IB (Q23) = IE (Q23) / β (Q23) = (I−Iout / β (Q13)) / β (Q23) (16)

【0027】また、トランジスタQ23のコレクタ電流I
C(Q23)、トランジスタQ26 のコレクタ電流IC(Q2
6)トランジスタQ21のコレクタ電流IC(Q21)の関係
はカレントミラーの特性により、 IC(Q23)=IC(Q26)=IC(Q25) …(17) となる。よって(17)式から、 IC(Q25)=IC(Q23)=IーIout/β(Q13) …(18) となる。
Further, the collector current I of the transistor Q23
C (Q23), collector current IC of transistor Q26 (Q2
6) The collector current IC (Q21) of the transistor Q21 has the following relationship due to the characteristics of the current mirror: IC (Q23) = IC (Q26) = IC (Q25) (17). Therefore, from the equation (17), Ic (Q25) = Ic (Q23) = I-Iout / β (Q13) (18)

【0028】よってトランジスタQ21及びQ22のベース
電流を無視すると、トランジスタQ24のベース電流IB
(Q24)は IB(Q24)=(IーIout/β(Q13))/β(Q24) …(19) となる。またトランジスタQ24とQ23の電流増幅率の関
係は同じ特性の素子を使用することにより β(Q24)=β(Q23) となる。
Therefore, ignoring the base currents of the transistors Q21 and Q22, the base current IB of the transistor Q24 is
(Q24) becomes IB (Q24) = (I-Iout / β (Q13)) / β (Q24) (19). The relationship between the current amplification factors of the transistors Q24 and Q23 is β (Q24) = β (Q23) by using the elements having the same characteristics.

【0029】よってトランジスタQ24とQ23のベース電
流の関係は(16)、(19)式よ り IB(Q24)=IB(Q23) …(20 ) となり、よってトランジスタQ21のコレクタ電流IC
(Q21)は IC(Q21)=IC(Q11)−IB(Q24) …(21) となる。よって、トランジスタQ22のコレクタ電流IC
(Q22)は IC(Q22)=IC(Q11)−IB(Q24) …(22) となる。
Therefore, the relation between the base currents of the transistors Q24 and Q23 is IB (Q24) = IB (Q23) (20) according to the equations (16) and (19), and thus the collector current IC of the transistor Q21.
(Q21) becomes IC (Q21) = IC (Q11) -IB (Q24) (21). Therefore, the collector current IC of the transistor Q22
(Q22) becomes IC (Q22) = IC (Q11) -IB (Q24) (22).

【0030】コレクタ電流IC(Q22)とベース電流IB
(Q23)を加えたものをIAとすると、トランジスタQ1
2のコレクタ電流IC(Q12)とIAが等しくなるように
抵抗R3及びR4の接続点のVref端子の電圧が決定す
る。したがって(20)、(22)式より IA=IC(Q22)+IB(Q23) =IC(Q11)−IB(Q24)+IB(Q23) =IC(Q11) …(23) となる。
Collector current IC (Q22) and base current IB
Let IA be the sum of (Q23) and transistor Q1.
The voltage of the Vref terminal at the connection point of the resistors R3 and R4 is determined so that the collector current IC (Q12) of 2 and IA become equal. Therefore, from equations (20) and (22), IA = IC (Q22) + IB (Q23) = IC (Q11) -IB (Q24) + IB (Q23) = IC (Q11) (23).

【0031】従って、出力電流が増えたとしても、トラ
ンジスタQ11及びQ12のコレクタに流れる電流IAは変
化しないので、Vref端子の電圧は変動しない。よって
出力電圧も変動しない。また、この電圧源回路1の最大
設定可能電圧Voutmaxは図3と同じとなり、図4のよう
に狭くなることもない。
Therefore, even if the output current increases, the current IA flowing through the collectors of the transistors Q11 and Q12 does not change, so the voltage at the Vref terminal does not change. Therefore, the output voltage does not change. Further, the maximum settable voltage Voutmax of the voltage source circuit 1 is the same as that in FIG. 3, and does not become narrow as in FIG.

【0032】図2は本発明の第2実施例の電圧源回路1
1を示す。この実施例は第1実施例をもとにトランジス
タQ21、Q22のコレクタ・エミッタ間電圧を等しくし、
アーリ効果(現象)も受けない回路構成にしたものであ
る。
FIG. 2 shows a voltage source circuit 1 according to the second embodiment of the present invention.
1 is shown. In this embodiment, the collector-emitter voltages of the transistors Q21 and Q22 are equalized based on the first embodiment,
It has a circuit configuration that is not subject to the Early effect (phenomenon).

【0033】つまり、図1において、トランジスタQ21
のベースとトランジスタQ24のエミッタの間にコレクタ
及びエミッタを接続したNPNトランジスタQ16を設
け、このトランジスタQ16のベースをトランジスタQ13
のベースに接続し、さらにトランジスタQ13のベースと
トランジスタQ23のエミッタとの間にコレクタ及びエミ
ッタを接続したNPNトランジスタQ17を設け、このN
PNトランジスタQ17のベースはそのコレクタと短絡し
ている。
That is, in FIG. 1, the transistor Q21
An NPN transistor Q16 having a collector and an emitter connected between the base of the transistor Q24 and the emitter of the transistor Q24, and the base of the transistor Q16 is connected to the transistor Q13.
And an NPN transistor Q17 having a collector and an emitter connected between the base of the transistor Q13 and the emitter of the transistor Q23.
The base of PN transistor Q17 is shorted to its collector.

【0034】その他の構成は図1と同じである。アーリ
現象を防止できる効果の他は第1実施例と同様の作用及
び効果を有する。
The other structure is the same as that of FIG. Except for the effect of preventing the Early phenomenon, it has the same operation and effect as the first embodiment.

【0035】なお、図1等の実施例におけるNPNトラ
ンジスタQ11〜Q15をPNPトランジスタに置換し、P
NPトランジスタQ21〜Q26をNPNトランジスタに置
換し、かつ正の電源端Vccを負の電源端に置換した構成
にして、負の電圧を出力する構成にしても良い。
Note that the NPN transistors Q11 to Q15 in the embodiment of FIG.
The NP transistors Q21 to Q26 may be replaced by NPN transistors, and the positive power supply terminal Vcc may be replaced by a negative power supply terminal to output a negative voltage.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば設定
可能電圧範囲を損なわず出力電圧が出力電流の影響を受
けない回路を得ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a circuit in which the output voltage is not affected by the output current without impairing the settable voltage range.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の第1実施例の電圧源回路の回路
図。
FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage source circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2は本発明の第2実施例の電圧源回路の回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage source circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図3は従来例の電圧源回路の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional voltage source circuit.

【図4】図4は従来例の変形例の電圧源回路の回路図。FIG. 4 is a circuit diagram of a voltage source circuit of a modification of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電圧源回路 2、3…カレントミラー回路 Q11〜Q15…NPNトランジスタ Q21〜Q26…PNPトランジスタ R1〜R4…抵抗 I1…定電流源 OUT…出力端 1 ... Voltage source circuit 2, 3 ... Current mirror circuit Q11 to Q15 ... NPN transistor Q21 to Q26 ... PNP transistor R1 to R4 ... Resistor I1 ... Constant current source OUT ... Output terminal

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 共通にされたベースが出力端の電圧を分
圧する抵抗に接続された第1及び第2のトランジスタの
エミッタ・コレクタ間を等しい電流が流れるようにする
1対のトランジスタで形成された第1のカレントミラー
回路と、前記エミッタ・コレクタ間を流れる電流をGN
Dに導く第1及び第2の抵抗と、前記出力端と電源端に
それぞれエミッタ及びコレクタが接続された第3のトラ
ンジスタと、前記電源端に一端が接続され、他端が前記
第3のトランジスタのベースに接続された定電流源と、
前記定電流源の他端とGNDにそれぞれエミッタ及びコ
レクタが接続された第4のトランジスタと、前記第4の
トランジスタのベースが前記第1のカレントミラー回路
と第2のトランジスタとの接続点に接続される電圧源回
路において、 前記第4のトランジスタのコレクタとGND間に、第2
のカレントミラー回路を配置し、前記第4のトランジス
タのエミッタ・コレクタ間を流れる電流と等しい電流を
第3のカレントミラー回路の一方の電流路に流し、前記
第3のカレントミラー回路の他方の電流路から前記第1
のカレントミラー回路のベースに前記一方の電流路に流
れる電流と等しい電流を供給し、かつ前記第1のカレン
トミラー回路のベースから前記第1のトランジスタのエ
ミッタ・コレクタ間に前記第4のトランジスタのベース
電流に等しい電流を供給する第5のトランジスタを設け
たことを特徴とする電圧源回路。
1. A common base is formed by a pair of transistors that allow equal currents to flow between the emitter and collector of first and second transistors connected to a resistor that divides the voltage at the output. The current flowing between the first current mirror circuit and the emitter / collector is
First and second resistors leading to D, a third transistor whose emitter and collector are connected to the output end and power supply end, respectively, one end of which is connected to the power supply end, and the other end of which is the third transistor A constant current source connected to the base of
A fourth transistor whose emitter and collector are connected to the other end of the constant current source and GND, respectively, and a base of the fourth transistor is connected to a connection point between the first current mirror circuit and the second transistor. In the voltage source circuit described above, a second voltage is provided between the collector of the fourth transistor and GND.
Current mirror circuit is arranged, and a current equal to the current flowing between the emitter and collector of the fourth transistor is caused to flow through one current path of the third current mirror circuit, and the other current of the third current mirror circuit is supplied. From the road to the first
A current equal to the current flowing in the one current path is supplied to the base of the current mirror circuit, and the fourth transistor is connected between the base of the first current mirror circuit and the emitter / collector of the first transistor. A voltage source circuit comprising a fifth transistor for supplying a current equal to a base current.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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