JPH06301066A - ミラーアレーおよびその製法 - Google Patents
ミラーアレーおよびその製法Info
- Publication number
- JPH06301066A JPH06301066A JP6052213A JP5221394A JPH06301066A JP H06301066 A JPH06301066 A JP H06301066A JP 6052213 A JP6052213 A JP 6052213A JP 5221394 A JP5221394 A JP 5221394A JP H06301066 A JPH06301066 A JP H06301066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror array
- array
- mirror
- actuator
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気分解を用いず接着性エポキシ樹脂を用い
て製造工程が簡単なミラーアレーおよびその製法を提供
する。 【構成】 本発明によるミラーアレーの各々のミラーは
結合されたアクチュエータの変形にしたがって入射され
た光を反射して反射された光の光経路を変調する反射体
と、反射体およびアクチュエータとのあいだに位置する
か反射体上に位置して反射体の平坦度を保持するための
接着性エポキシ樹脂または可視光に透明なエポキシ樹脂
からなる支持体を含む。
て製造工程が簡単なミラーアレーおよびその製法を提供
する。 【構成】 本発明によるミラーアレーの各々のミラーは
結合されたアクチュエータの変形にしたがって入射され
た光を反射して反射された光の光経路を変調する反射体
と、反射体およびアクチュエータとのあいだに位置する
か反射体上に位置して反射体の平坦度を保持するための
接着性エポキシ樹脂または可視光に透明なエポキシ樹脂
からなる支持体を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビデオディスプレーシス
テムに関し、とくに光投射システムに用いるための改善
されたミラーアレーおよびその製法に関する。
テムに関し、とくに光投射システムに用いるための改善
されたミラーアレーおよびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】当該
技術分野で知られている多様なビデオディスプレーシス
テムのうち、光投射システムは高品質の大画面ディスプ
レーを提供しうるシステムということが知られている。
かかる光投射システムにおいて、ランプからの光は、た
とえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレーを照明
する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、すなわ
ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータア
レー上に、各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられている。これらのアクチュエータ
は印加される電気信号にしたがって変形される圧電物質
またはエレクトロストリクチブ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒ
ｉｃｔｉｖｅ）物質のようなエレクトロディスプレーシ
ブ（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ）物質からな
っている。
技術分野で知られている多様なビデオディスプレーシス
テムのうち、光投射システムは高品質の大画面ディスプ
レーを提供しうるシステムということが知られている。
かかる光投射システムにおいて、ランプからの光は、た
とえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレーを照明
する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、すなわ
ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータア
レー上に、各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられている。これらのアクチュエータ
は印加される電気信号にしたがって変形される圧電物質
またはエレクトロストリクチブ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒ
ｉｃｔｉｖｅ）物質のようなエレクトロディスプレーシ
ブ（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ）物質からな
っている。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バフル
（ｂａｆｆｌｅ）の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に入射さ
れる。各々のアクチュエータに電気信号を印加すること
によって、各々のミラーの入射光ビームに対する相対的
な位置が変化されて各々のミラーから反射された光の光
経路が変更される。各々の反射された光の光経路が変わ
り開口を通過する各々のミラーから反射された光量が変
わることにより光速の強さが変調される。開口を通過し
た変調された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
ｌｅｎｓ） のような光装置を通じて投射スクリーン
上へ伝達されて映像を表すことになる。
（ｂａｆｆｌｅ）の開口（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に入射さ
れる。各々のアクチュエータに電気信号を印加すること
によって、各々のミラーの入射光ビームに対する相対的
な位置が変化されて各々のミラーから反射された光の光
経路が変更される。各々の反射された光の光経路が変わ
り開口を通過する各々のミラーから反射された光量が変
わることにより光速の強さが変調される。開口を通過し
た変調された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
ｌｅｎｓ） のような光装置を通じて投射スクリーン
上へ伝達されて映像を表すことになる。
【０００４】図３〜４には、従来のミラーアレー製造過
程が示されている。まず、図３（Ａ）に示されている通
り、分離層３を平坦な基板上に形成する。分離層３の形
成はフォトレジストを回転塗布（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉ
ｎｇ）して行う。そののち、スパッタリングなどの方法
によって第１金属層５を分離層３上に堆積する。第１金
属層５は入射光を反射するためのもので、たとえば、Ａ
ｌのような高い反射率を有する金属から形成される。た
とえば、Ａｌのような高い反射率を有する金属からな
る。そののち、第１金属層５を形成するのに用いた方法
と同じ方法によって第２および第３金属層６、７を第１
金属層５の上部に形成する。第２金属層６は第１金属層
５と第３金属層７とのあいだの付着力を向上させるため
の媒介層として作用する。通常、第２金属層６および第
３金属層７にはＣｕおよびＮｉが各々用いられる。
程が示されている。まず、図３（Ａ）に示されている通
り、分離層３を平坦な基板上に形成する。分離層３の形
成はフォトレジストを回転塗布（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉ
ｎｇ）して行う。そののち、スパッタリングなどの方法
によって第１金属層５を分離層３上に堆積する。第１金
属層５は入射光を反射するためのもので、たとえば、Ａ
ｌのような高い反射率を有する金属から形成される。た
とえば、Ａｌのような高い反射率を有する金属からな
る。そののち、第１金属層５を形成するのに用いた方法
と同じ方法によって第２および第３金属層６、７を第１
金属層５の上部に形成する。第２金属層６は第１金属層
５と第３金属層７とのあいだの付着力を向上させるため
の媒介層として作用する。通常、第２金属層６および第
３金属層７にはＣｕおよびＮｉが各々用いられる。
【０００５】そののち、通常的なフォトリソグラフィプ
ロセスによって金属層５、６および７をミラーアレー構
造にパターニングする（図３（Ｂ））。そののち、図３
（Ｃ）に示されるように、図３（Ａ）および図３（Ｂ）
で処理された構造上に、分離層３に用いたことと同じフ
ォトレジストから形成されたフォトレジスト層１１を形
成したのち、第３金属層７の上部表面が露出されるよう
に規定する。露出された表面は後続電気鍍金プロセスで
シードとして作用する。
ロセスによって金属層５、６および７をミラーアレー構
造にパターニングする（図３（Ｂ））。そののち、図３
（Ｃ）に示されるように、図３（Ａ）および図３（Ｂ）
で処理された構造上に、分離層３に用いたことと同じフ
ォトレジストから形成されたフォトレジスト層１１を形
成したのち、第３金属層７の上部表面が露出されるよう
に規定する。露出された表面は後続電気鍍金プロセスで
シードとして作用する。
【０００６】次に、図４（Ｄ）に示されたように、フォ
トレジスト層１１により覆われない第３金属層７の表面
に、第３金属層７で用いたものと同じ金属を電気鍍金し
て第４金属層１３を形成する。そののち、図４（Ｅ）に
示されるように、各々のミラーが各々のアクチュエータ
に整列されるように、アクチュエータアレー１５が、第
４金属層１３の表面に接着される。前記各々のミラーは
金属層５、６、７および１３を含む。
トレジスト層１１により覆われない第３金属層７の表面
に、第３金属層７で用いたものと同じ金属を電気鍍金し
て第４金属層１３を形成する。そののち、図４（Ｅ）に
示されるように、各々のミラーが各々のアクチュエータ
に整列されるように、アクチュエータアレー１５が、第
４金属層１３の表面に接着される。前記各々のミラーは
金属層５、６、７および１３を含む。
【０００７】そののち、フォトレジスト層１１を分離層
３と共に除去して基板１を分離することにより、図４
（Ｆ）に示されるようにミラーアレーの形成が終了す
る。第４金属層１３はアクチュエータより大きい表面積
を有する第１金属層５が曲がることを防止する支持層の
役割をする。したがって、第４金属層１３の形成はかか
る目的に充分な厚さを提供しうる電気鍍金法により行わ
れる。
３と共に除去して基板１を分離することにより、図４
（Ｆ）に示されるようにミラーアレーの形成が終了す
る。第４金属層１３はアクチュエータより大きい表面積
を有する第１金属層５が曲がることを防止する支持層の
役割をする。したがって、第４金属層１３の形成はかか
る目的に充分な厚さを提供しうる電気鍍金法により行わ
れる。
【０００８】前述の通り、従来技術によるミラーアレー
形成方法は、多数の金属層を形成するための、面倒で複
雑な一連のプロセスを伴う。
形成方法は、多数の金属層を形成するための、面倒で複
雑な一連のプロセスを伴う。
【０００９】したがって、本発明の目的は電気鍍金を必
要とせず、ミラーの支持層として接着性エポキシ樹脂を
用いて、全般的な製造プロセスを大きく単純化しうるミ
ラーアレーおよびその製法を提供することである。
要とせず、ミラーの支持層として接着性エポキシ樹脂を
用いて、全般的な製造プロセスを大きく単純化しうるミ
ラーアレーおよびその製法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によれば、光投射システム（ｏｐｔｉｃａｌ
ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）と用いるため
のミラーアレーをアクチュエータアレーの上部表面上に
製造する方法であって、前記アクチュエータアレーは同
じ大きさを有する多数のアクチュエータから構成され、
前記各々のアクチュエータは印加される電気信号にした
がって変形するエレクトロディスプレーシブ物質からな
り、前記ミラーアレーは前記アクチュエータと同数であ
り同じ大きさを有する多数のミラーから構成され、前記
各々のミラーは入射する光を前記各々のミラーに結合さ
れた前記各々のアクチュエータの変形にしたがって反射
するための平坦な表面を有して、反射された光の光経路
を変調する反射体と、前記反射体を平坦に保持するため
の支持体とを含み、前記各々のミラーの上部表面は前記
各々のアクチュエータの上部表面より広いミラーアレー
の製法において、（ａ）基板上に分離層を形成する工程
と、（ｂ）前記分離層上に反射層を堆積する工程と、
（ｃ）前記反射層を反射体アレーに規定する工程と、
（ｄ）前記工程（ａ）ないし（ｃ）にしたがって処理さ
れた前記基板上に支持層を設ける工程と、（ｅ）前記各
々のアクチュエータが前記工程（ｃ）によって規定され
た各々の反射体と整列されるように前記アクチュエータ
アレーを前記支持層上に接着する工程と、（ｆ）前記分
離層を除去して前記基板を前記支持層および前記反射体
アレーから遊離する工程と、（ｇ）前記支持層を各々前
記各々の反射体と一致する前記多数の支持体でパターニ
ングする工程とを含むミラーアレー製法が提供される。
に、本発明によれば、光投射システム（ｏｐｔｉｃａｌ
ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）と用いるため
のミラーアレーをアクチュエータアレーの上部表面上に
製造する方法であって、前記アクチュエータアレーは同
じ大きさを有する多数のアクチュエータから構成され、
前記各々のアクチュエータは印加される電気信号にした
がって変形するエレクトロディスプレーシブ物質からな
り、前記ミラーアレーは前記アクチュエータと同数であ
り同じ大きさを有する多数のミラーから構成され、前記
各々のミラーは入射する光を前記各々のミラーに結合さ
れた前記各々のアクチュエータの変形にしたがって反射
するための平坦な表面を有して、反射された光の光経路
を変調する反射体と、前記反射体を平坦に保持するため
の支持体とを含み、前記各々のミラーの上部表面は前記
各々のアクチュエータの上部表面より広いミラーアレー
の製法において、（ａ）基板上に分離層を形成する工程
と、（ｂ）前記分離層上に反射層を堆積する工程と、
（ｃ）前記反射層を反射体アレーに規定する工程と、
（ｄ）前記工程（ａ）ないし（ｃ）にしたがって処理さ
れた前記基板上に支持層を設ける工程と、（ｅ）前記各
々のアクチュエータが前記工程（ｃ）によって規定され
た各々の反射体と整列されるように前記アクチュエータ
アレーを前記支持層上に接着する工程と、（ｆ）前記分
離層を除去して前記基板を前記支持層および前記反射体
アレーから遊離する工程と、（ｇ）前記支持層を各々前
記各々の反射体と一致する前記多数の支持体でパターニ
ングする工程とを含むミラーアレー製法が提供される。
【００１１】
【実施例】図１および図２を参照して本発明にしたがっ
て、電気鍍金を用いずアクチュエータアレーに結合され
たミラーアレーを製造するプロセスを説明する。
て、電気鍍金を用いずアクチュエータアレーに結合され
たミラーアレーを製造するプロセスを説明する。
【００１２】図１（Ａ）に示されるように、平坦な表面
を有する基板２１の上部に分離層２３を形成する。分離
層２３はフォトレジストを回転塗布して形成され、基板
２１は数回用いるために、望ましくは耐化学性のガラス
から形成されている。そののち、反射層を分離層２３上
に堆積し、通常のフォトリソグラフィプロセスにより図
１（Ａ）のように多数、たとえば、Ｍ×Ｎ個の分離され
た反射体のアレーにパターニングする。
を有する基板２１の上部に分離層２３を形成する。分離
層２３はフォトレジストを回転塗布して形成され、基板
２１は数回用いるために、望ましくは耐化学性のガラス
から形成されている。そののち、反射層を分離層２３上
に堆積し、通常のフォトリソグラフィプロセスにより図
１（Ａ）のように多数、たとえば、Ｍ×Ｎ個の分離され
た反射体のアレーにパターニングする。
【００１３】隣接する反射体を分離する間隔は、各々の
反射体２５の反射表面積を最大化させるために最小化さ
れて光効率を増加させる。反射層はＡｌのような高い反
射率を有する金属性物質から形成されることが望まし
い。Ａｌを反射層に用いるばあい、スパッタリングや熱
蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒｔｉｏｎ）技法に
より堆積を行いうる。
反射体２５の反射表面積を最大化させるために最小化さ
れて光効率を増加させる。反射層はＡｌのような高い反
射率を有する金属性物質から形成されることが望まし
い。Ａｌを反射層に用いるばあい、スパッタリングや熱
蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒｔｉｏｎ）技法に
より堆積を行いうる。
【００１４】ついで、図１（Ａ）に示されるように処理
された構造の全表面に回転塗布またはスクリーン印刷法
を用いて接着性エポキシを図１（Ｂ）に示されるよう
に、設けて支持層２７を形成する。望ましい支持層の厚
さは１０〜３０μｍ程度である。そののち、別の接着剤
を用いずに直接支持層２７上にアクチュエータアレー２
９を接着される。ここで、アクチュエータアレー２９は
反射体アレーと同じアクチュエータアレー構造を有し、
また同じ数、たとえば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータ３１
と、これらアクチュエータをその位置にあるようにし
て、これらアクチュエータに電気信号を提供するベース
３０とを含む。これらアクチュエータはこれらに結合さ
れた電極を通じて印加される電気信号にしたがって変形
する圧電体またはエレクトロディスプレーシブ物質のよ
うなエレクトロディスプレーシブ物質からなる。また、
各アクチュエータ３１の表面積は通常、各反射体２５の
表面積より小さい。アクチュエータアレー２９の接合は
各アクチュエータ３１が各反射体２５に整列されるよう
に行われる。
された構造の全表面に回転塗布またはスクリーン印刷法
を用いて接着性エポキシを図１（Ｂ）に示されるよう
に、設けて支持層２７を形成する。望ましい支持層の厚
さは１０〜３０μｍ程度である。そののち、別の接着剤
を用いずに直接支持層２７上にアクチュエータアレー２
９を接着される。ここで、アクチュエータアレー２９は
反射体アレーと同じアクチュエータアレー構造を有し、
また同じ数、たとえば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータ３１
と、これらアクチュエータをその位置にあるようにし
て、これらアクチュエータに電気信号を提供するベース
３０とを含む。これらアクチュエータはこれらに結合さ
れた電極を通じて印加される電気信号にしたがって変形
する圧電体またはエレクトロディスプレーシブ物質のよ
うなエレクトロディスプレーシブ物質からなる。また、
各アクチュエータ３１の表面積は通常、各反射体２５の
表面積より小さい。アクチュエータアレー２９の接合は
各アクチュエータ３１が各反射体２５に整列されるよう
に行われる。
【００１５】そののち、分離層２３を適切な溶媒によっ
て除去して、基板２１を図１（Ｂ）２Ｂに示されるよう
に処理された構造から分離する。そののち、図１（Ｃ）
に示されるように支持層２７を多数の分離された支持体
３２に規定して、支持体３２が反射体２５と同じパター
ンを有するようにする。支持体３２の規定はレーザ加工
や反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ
ｅｔｄｈｉｎｇ）またはプラズマエッチング（ｐｌａ
ｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ）のようなドライエッチング
（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）方法で行われうる。図１
（Ｃ）はアクチュエータアレー２９上に製造されたミラ
ーアレーを示し、ここでミラーアレーは多数のミラーア
レー３３を含み、各々のミラーは支持体３２および反射
体２５を含む。また、各々のミラー３３はアクチュエー
タアレー２９内の各々のアクチュエータ３１に結合され
ている。
て除去して、基板２１を図１（Ｂ）２Ｂに示されるよう
に処理された構造から分離する。そののち、図１（Ｃ）
に示されるように支持層２７を多数の分離された支持体
３２に規定して、支持体３２が反射体２５と同じパター
ンを有するようにする。支持体３２の規定はレーザ加工
や反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ
ｅｔｄｈｉｎｇ）またはプラズマエッチング（ｐｌａ
ｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ）のようなドライエッチング
（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）方法で行われうる。図１
（Ｃ）はアクチュエータアレー２９上に製造されたミラ
ーアレーを示し、ここでミラーアレーは多数のミラーア
レー３３を含み、各々のミラーは支持体３２および反射
体２５を含む。また、各々のミラー３３はアクチュエー
タアレー２９内の各々のアクチュエータ３１に結合され
ている。
【００１６】反射体２５または支持体３２の形成は、前
記工程以外の他の処理工程中に行ってもいい。たとえ
ば、アクチュエータアレー２９を接着する工程の前に支
持層２７をパターニングしうる。また、反射体２５およ
び支持体３２の形成はアクチュエータアレー２９を接着
する工程より先に行われるか、分離層２３を除去する工
程後に同時に行われることもできる。
記工程以外の他の処理工程中に行ってもいい。たとえ
ば、アクチュエータアレー２９を接着する工程の前に支
持層２７をパターニングしうる。また、反射体２５およ
び支持体３２の形成はアクチュエータアレー２９を接着
する工程より先に行われるか、分離層２３を除去する工
程後に同時に行われることもできる。
【００１７】また、支持層２７はアクチュエータ３１が
その上部表面上に基準電極およびバイアシング（ｂｉａ
ｓｉｎｇ）電極を有する構造であるばあい、電気的不導
体からなるべきである。
その上部表面上に基準電極およびバイアシング（ｂｉａ
ｓｉｎｇ）電極を有する構造であるばあい、電気的不導
体からなるべきである。
【００１８】図２（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、本発明の
他の実施例によるミラーアレーの製法を説明する。この
プロセスにおいては、分離層２３を基板２１上に形成し
たのち、図２（Ａ）のように支持層２７を形成する。つ
ぎに、支持層２７上に反射層を堆積し、この反射層と支
持層２７を図２（Ｂ）に示されるように各々分離された
反射体２５および支持体３２のアレーに規定する。
他の実施例によるミラーアレーの製法を説明する。この
プロセスにおいては、分離層２３を基板２１上に形成し
たのち、図２（Ａ）のように支持層２７を形成する。つ
ぎに、支持層２７上に反射層を堆積し、この反射層と支
持層２７を図２（Ｂ）に示されるように各々分離された
反射体２５および支持体３２のアレーに規定する。
【００１９】そののち、図２（Ｃ）に示されたように、
接着剤を用いてアクチュエータアレー２９を反射体アレ
ー上に実装し、分離層２３を除去して基板２１を分離す
ることによってミラーアレーの製造工程を終了する。ア
クチュエータが基準およびバイアシング電極を全てその
上部表面に有するばあい、接着剤は非電導性でなければ
ならない。
接着剤を用いてアクチュエータアレー２９を反射体アレ
ー上に実装し、分離層２３を除去して基板２１を分離す
ることによってミラーアレーの製造工程を終了する。ア
クチュエータが基準およびバイアシング電極を全てその
上部表面に有するばあい、接着剤は非電導性でなければ
ならない。
【００２０】反射層２５および支持体３２の形成は、前
記したようにアクチュエータアレー２９を実装する工程
前に行われる代わり、分離層２３を除去したのち行われ
ることもできる。
記したようにアクチュエータアレー２９を実装する工程
前に行われる代わり、分離層２３を除去したのち行われ
ることもできる。
【００２１】また、支持層２７は接着性エポキシ樹脂で
ある必要はないが、可視光に透明でなければならない。
ある必要はないが、可視光に透明でなければならない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、従来のように多数の金
属層および電気鍍金を用いずに接着性エポキシ樹脂およ
び一つの金属性を用いてミラーアレーが製造されるの
で、製造工程が簡単となる。
属層および電気鍍金を用いずに接着性エポキシ樹脂およ
び一つの金属性を用いてミラーアレーが製造されるの
で、製造工程が簡単となる。
【図１】本発明の一実施例によるミラーアレーの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例によるミラーアレーの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】従来技術によるミラーアレー製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】従来技術によるミラーアレー製造工程を示す断
面図である。
面図である。
２１ 基板 ２３ 分離層 ２５ 反射体 ２７ 支持層 ２９ アクチュエータアレー ３０ ベース ３１ アクチュエータ ３２ 支持体 ３３ ミラー
Claims (21)
- 【請求項１】 印加される電気信号にしたがって変形す
るエレクトロディスプレーシブ物質から成り、同じ大き
さを有する多数のアクチュエータから構成されているア
クチュエータアレーと共に用いるための光投射システム
のミラーアレーであって、前記ミラーアレーは前記アク
チュエータと同数であり、同じ大きさを有するミラーか
ら構成され、前記各々のミラーの上部表面は各々のアク
チュエータの上部表面より広いが、前記ミラーは互いに
接触したり重なったりせず、前記各々のミラーは、 入射した光を前記各々のアクチュエータの変形にしたが
って反射するために平坦な表面を有して、反射された光
の光経路を変調し、前記各々のアクチュエータに結合さ
れた反射体と、 接着性エポキシ樹脂からなり、前記反射体と前記各々の
アクチュエータの前記上部表面とのあいだに位置し、前
記上部の表面積が前記反射体の上部表面積とほぼ同じ大
きさであり、前記反射体を平坦に保持する支持体とを含
むミラーアレー。 - 【請求項２】 前記反射体が金属性の物質からなる請求
項１記載のミラーアレー。 - 【請求項３】 前記金属性の物質がＡｌである請求項２
記載のミラーアレー。 - 【請求項４】 印加される電気信号にしたがって変形す
るエレクトロディスプレーシブ物質からなり、同じ大き
さを有する多数のアクチュエータから構成されているア
クチュエータアレーと共に用いるための光投射システム
のミラーアレーであって、前記ミラーアレーは前記アク
チュエータと同数であり、多数の同じ大きさを有するミ
ラーから構成され、各々のミラーの上部表面は各々のア
クチュエータの上部表面より広いが、前記ミラーは互い
に接したり重なることなく、前記各々のミラーは、 前記各々のアクチュエータの前記上部表面に実装され、
入射された光を結合されている前記各々のアクチュエー
タの変形にしたがって反射するための平坦な表面を有し
反射された光の光経路を変調する反射体と、 上部表面積が前記反射体の上部表面積とほぼ同じ大きさ
であり、可視光に透明であり、前記反射体の上部表面上
に位置し、前記反射体を平坦に保持する支持体とを含む
ミラーアレー。 - 【請求項５】 前記反射体が金属性の物質からなる請求
項４記載のミラーアレー。 - 【請求項６】 前記金属性の物質がＡｌである請求項５
記載のミラーアレー。 - 【請求項７】 光投射システムと用いるためのミラーア
レーをアクチュエータアレーの上部表面上に製造する方
法であって、前記アクチュエータアレーは同じ大きさを
有する多数のアクチュエータから構成され、前記各々の
アクチュエータは印加される電気信号にしたがって変形
するエレクトロディスプレーシブ物質からなり、前記ミ
ラーアレーは前記アクチュエータと同数であり同じ大き
さを有する多数のミラーから構成され、前記各々のミラ
ーは入射された光を前記各々のミラーに結合された前記
各々のアクチュエータの変形にしたがって反射するため
の平坦な表面を有して、反射された光の光経路を変調す
る反射体と、前記反射体を平坦に保持するための支持体
とを含み、前記各々のミラーの上部表面は前記各々のア
クチュエータの上部表面より広いミラーアレーの製法に
おいて、 （ａ）基板上に分離層を形成する工程と、 （ｂ）前記分離層上に反射層を堆積する工程と、 （ｃ）前記反射層を反射体アレーに規定する工程と、 （ｄ）前記工程（ａ）ないし（ｃ）にしたがって処理さ
れた前記基板上に支持層を設ける工程と、 （ｅ）前記各々のアクチュエータが前記工程（ｃ）によ
って規定された各々の反射体と整列されるように前記ア
クチュエータアレーを前記支持層上に接着する工程と、 （ｆ）前記分離層を除去して前記基板を前記支持層およ
び前記反射体アレーから遊離する工程と、 （ｇ）前記支持層を各々前記各々の反射体と一致する前
記多数の支持体でパターニングする工程とを含むミラー
アレーの製法。 - 【請求項８】 前記工程（ｇ）が前記アクチュエータア
レーを接着する前記工程（ｅ）に先行する請求項７記載
のミラーアレーの製法。 - 【請求項９】 前記反射層を規定する前記工程（ｃ）
と前記支持層をパターニングする前記工程（ｇ）が前記
アクチュエータアレーを接着する前記工程（ｅ）に先行
して同時に行われる請求項７記載のミラーアレーの製
法。 - 【請求項１０】 前記反射層を規定する前記工程（ｃ）
が前記分離層を除去する前記工程（ｆ）に後続して前記
支持層をパターニングする前記工程（ｇ）と同時に行わ
れる請求項７記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１１】 前記支持層が接着エポキシからなる請
求項７、８、９または１０記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１２】 前記反射層が金属性物質からなる請求
項１１記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１３】 前記金属性物質がＡｌである請求項１
２記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１４】 前記分離層がフォトレジストからなる
請求項１３記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１５】 前記基板がガラスからななる請求項１
４記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１６】 前記支持層を設ける前記工程（ｄ）が
前記反射層を堆積する前記工程（ｂ）に先行し、前記支
持層が可視光に透明であり、 前記反射層を規定する前記工程（ｃ）および前記支持層
をパターニングする前記工程（ｇ）が前記アクチュエー
タを接着する前記工程（ｅ）に先行して同時に行われる
請求項７記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１７】 前記支持層を設ける前記工程（ｄ）が
前記反射層を堆積する前記工程（ｂ）に先行し、前記支
持層が可視光に透明であり、 前記反射層を規定する前記工程（ｃ）および前記支持層
をパターニングする前記工程（ｇ）が前記分離層を除去
する前記工程（ｆ）に後続して行われる請求項７記載の
ミラーアレーの製法。 - 【請求項１８】 前記反射層が金属性物質からなる請求
項１６または１７記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項１９】 前記金属性物質がＡｌである請求項１
８記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項２０】 前記分離層がフォトレジストからなる
請求項１９記載のミラーアレーの製法。 - 【請求項２１】 前記基板がガラスからなる請求項２０
記載のミラーアレーの製法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930004519A KR0134502B1 (ko) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 투사형 화상표시장치용 거울의 제조방법 |
| KR93-4520 | 1993-03-23 | ||
| KR1019930004520A KR970006988B1 (ko) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 투사형화상표시장치용 거울의 제조방법 |
| KR93-4519 | 1993-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301066A true JPH06301066A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=26629581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6052213A Pending JPH06301066A (ja) | 1993-03-23 | 1994-03-23 | ミラーアレーおよびその製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5581393A (ja) |
| JP (1) | JPH06301066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375329B1 (en) | 1996-11-13 | 2002-04-23 | Seiko Epson Corporation | Projector and method of manufacturing a light modulation device |
| US6585379B2 (en) | 1996-11-13 | 2003-07-01 | Seiko Epson Corporation | Projector and method of manufacturing a light modulation device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701192A (en) * | 1995-05-26 | 1997-12-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array and method of manufacturing the same |
| US6969635B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| KR100229788B1 (ko) * | 1996-05-29 | 1999-11-15 | 전주범 | 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| KR19990004774A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| US6962419B2 (en) | 1998-09-24 | 2005-11-08 | Reflectivity, Inc | Micromirror elements, package for the micromirror elements, and projection system therefor |
| US7018052B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-03-28 | Reflectivity, Inc | Projection TV with improved micromirror array |
| US7023606B2 (en) | 2001-08-03 | 2006-04-04 | Reflectivity, Inc | Micromirror array for projection TV |
| US7042622B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc | Micromirror and post arrangements on substrates |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746911A (en) * | 1971-04-13 | 1973-07-17 | Westinghouse Electric Corp | Electrostatically deflectable light valves for projection displays |
| US3886310A (en) * | 1973-08-22 | 1975-05-27 | Westinghouse Electric Corp | Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties |
| US4592628A (en) * | 1981-07-01 | 1986-06-03 | International Business Machines | Mirror array light valve |
| US5212582A (en) * | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
-
1994
- 1994-03-23 JP JP6052213A patent/JPH06301066A/ja active Pending
- 1994-03-23 US US08/216,755 patent/US5581393A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375329B1 (en) | 1996-11-13 | 2002-04-23 | Seiko Epson Corporation | Projector and method of manufacturing a light modulation device |
| US6585379B2 (en) | 1996-11-13 | 2003-07-01 | Seiko Epson Corporation | Projector and method of manufacturing a light modulation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5581393A (en) | 1996-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5760947A (en) | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| JPH07159708A (ja) | Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法 | |
| US5920422A (en) | Method for manufacturing an actuated mirror array having an optimum optical efficiency | |
| KR100243190B1 (ko) | 가동미러장치 및 그 제조방법 | |
| TWI267667B (en) | Fabrication of a reflective spatial light modulator | |
| US5900998A (en) | Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof | |
| US7116463B2 (en) | High angular deflection micro-mirror system | |
| AU693139B2 (en) | Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof | |
| US5690839A (en) | Method for forming an array of thin film actuated mirrors | |
| JPH06301066A (ja) | ミラーアレーおよびその製法 | |
| US5579179A (en) | Method for manufacturing an array of thin film actuated mirrors | |
| US5505807A (en) | Actuated mirror array and method for the fabricating thereof | |
| JPH07159709A (ja) | エレクトロディスプレーシブアクチュエーチドミラーアレーおよびその製法 | |
| JPH07181403A (ja) | 光投射型システムに用いられる電歪アクチュエイテッドミラーアレイ | |
| US5936757A (en) | Thin film actuated mirror array | |
| US6059416A (en) | Actuated mirror array and method for the fabricating thereof | |
| JPH07151984A (ja) | Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法 | |
| US5701192A (en) | Thin film actuated mirror array and method of manufacturing the same | |
| AU703795B2 (en) | Low temperature formed thin film actuated mirror array | |
| US5606451A (en) | Electrodisplacive actuator array and method for the manufacture thereof | |
| US5696620A (en) | Thin film actuated mirror array incorporating therein temperature compensating layers | |
| US5543959A (en) | Actuator array and method for the manufacture thereof |