JPH06291838A - 接続遮断回路 - Google Patents
接続遮断回路Info
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- JPH06291838A JPH06291838A JP28702092A JP28702092A JPH06291838A JP H06291838 A JPH06291838 A JP H06291838A JP 28702092 A JP28702092 A JP 28702092A JP 28702092 A JP28702092 A JP 28702092A JP H06291838 A JPH06291838 A JP H06291838A
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- Interface Circuits In Exchanges (AREA)
- Monitoring And Testing Of Exchanges (AREA)
- Telephonic Communication Services (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ISDNにおいて、顧客の装置がオフフック
された状態にあっても、顧客の装置に接続されて確実に
動作可能であり、有効な保守点検を実施できる接続遮断
回路を提供する。 【構成】 呼び出し信号に応答して交流信号を生成する
交流信号生成手段13と、交流信号を整流する整流手段
D1と、整流手段に接続されるコンデンサC1と、コンデ
ンサに接続されて、コンデンサが充電されたときに開く
ように動作する常閉の半導体スイッチQ1、Q2とを有す
る。常閉の半導体スイッチとしては、代表的には、一対
の常閉のMOSFETQ1、Q2を使用する。一対の常閉
のMOSFETは、コンデンサC1の一端に接続される
共通ゲート電極Gとコンデンサの他端に接続される共通
ソース領域を有する。
された状態にあっても、顧客の装置に接続されて確実に
動作可能であり、有効な保守点検を実施できる接続遮断
回路を提供する。 【構成】 呼び出し信号に応答して交流信号を生成する
交流信号生成手段13と、交流信号を整流する整流手段
D1と、整流手段に接続されるコンデンサC1と、コンデ
ンサに接続されて、コンデンサが充電されたときに開く
ように動作する常閉の半導体スイッチQ1、Q2とを有す
る。常閉の半導体スイッチとしては、代表的には、一対
の常閉のMOSFETQ1、Q2を使用する。一対の常閉
のMOSFETは、コンデンサC1の一端に接続される
共通ゲート電極Gとコンデンサの他端に接続される共通
ソース領域を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、保守点検用の接続遮断
回路(MTU)に関する。
回路(MTU)に関する。
【0002】
【従来技術】電気通信サービス事業においては、安定し
たサービスを提供するために、ネットワーク装置や顧客
の装置に対して、一定期間ごとに保守点検を行う必要が
ある。このような保守点検時に、ネットワーク装置内、
あるいは、顧客の装置内に何らかの問題が発生したか否
かを検出する場合、顧客の装置を電気通信ネットワーク
から遮断し、点検するために、接続遮断回路(MTU)
が用いられる。現在、一般的に使用されている電話サー
ビス(POTS)の接続遮断回路(MTU)は、顧客が
オフフック(受話器を持ち上げる操作)したときに、ラ
イン上に存在する直流電流によって、固体スイッチを閉
じるように構成されている。
たサービスを提供するために、ネットワーク装置や顧客
の装置に対して、一定期間ごとに保守点検を行う必要が
ある。このような保守点検時に、ネットワーク装置内、
あるいは、顧客の装置内に何らかの問題が発生したか否
かを検出する場合、顧客の装置を電気通信ネットワーク
から遮断し、点検するために、接続遮断回路(MTU)
が用いられる。現在、一般的に使用されている電話サー
ビス(POTS)の接続遮断回路(MTU)は、顧客が
オフフック(受話器を持ち上げる操作)したときに、ラ
イン上に存在する直流電流によって、固体スイッチを閉
じるように構成されている。
【0003】ISDNは、デジタル伝送システムであ
り、各種のデータ、音声情報、および画像情報を顧客の
ラインを介して提供するネットワークシステムである。
このようなネットワークにおける問題の一つは、顧客の
装置のループ内にMTUをいかにして接続するかという
ことである。顧客への電流が流れない場合もあるので、
従来のMTUは、顧客の装置がオフフックされた状態で
は顧客の装置に接続されないことになる。
り、各種のデータ、音声情報、および画像情報を顧客の
ラインを介して提供するネットワークシステムである。
このようなネットワークにおける問題の一つは、顧客の
装置のループ内にMTUをいかにして接続するかという
ことである。顧客への電流が流れない場合もあるので、
従来のMTUは、顧客の装置がオフフックされた状態で
は顧客の装置に接続されないことになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、IS
DNにおいて、顧客の装置がオフフックされた状態にあ
っても、顧客の装置に接続されて確実に動作可能であ
り、有効な保守点検を実施できる接続遮断回路(MT
U)を提供することである。
DNにおいて、顧客の装置がオフフックされた状態にあ
っても、顧客の装置に接続されて確実に動作可能であ
り、有効な保守点検を実施できる接続遮断回路(MT
U)を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の接続遮断回路
(MTU)は、呼び出し信号に応答して交流信号を生成
する交流信号生成手段(13)と、前記交流信号を整流
する整流手段(D1)と、前記整流手段に接続されるコ
ンデンサ(C1)と、前記コンデンサに接続されて、前
記コンデンサが充電されたときに開くように動作する常
閉の半導体スイッチ(Q1、Q2)とを有することを特徴
としている。この場合、常閉の半導体スイッチとして
は、代表的には、一対の常閉のMOSFET(Q1、
Q2)が使用される。この一対の常閉のMOSFET
は、コンデンサ(C1)の一端に接続される共通ゲート
電極(G)とコンデンサの他端に接続される共通ソース
領域を有する。さらに、一対の常閉のMOSFETのう
ち、一方のMOSFET(Q1)のドレイン領域は、中
央局に接続される第1の導体(11)に接続され、他方
のMOSFET(Q2)のドレイン領域は、顧客の装置
に接続される第2の導体(16)に接続される。
(MTU)は、呼び出し信号に応答して交流信号を生成
する交流信号生成手段(13)と、前記交流信号を整流
する整流手段(D1)と、前記整流手段に接続されるコ
ンデンサ(C1)と、前記コンデンサに接続されて、前
記コンデンサが充電されたときに開くように動作する常
閉の半導体スイッチ(Q1、Q2)とを有することを特徴
としている。この場合、常閉の半導体スイッチとして
は、代表的には、一対の常閉のMOSFET(Q1、
Q2)が使用される。この一対の常閉のMOSFET
は、コンデンサ(C1)の一端に接続される共通ゲート
電極(G)とコンデンサの他端に接続される共通ソース
領域を有する。さらに、一対の常閉のMOSFETのう
ち、一方のMOSFET(Q1)のドレイン領域は、中
央局に接続される第1の導体(11)に接続され、他方
のMOSFET(Q2)のドレイン領域は、顧客の装置
に接続される第2の導体(16)に接続される。
【0006】
【実施例】図1は、本発明の接続遮断回路(MTU)の
一実施例を示している。データ信号、音声信号、または
画像信号が、中央局からチップ導体11とリング導体1
2に供給される。そして、これらの入力信号は、呼び出
し信号回路13に供給される。この呼び出し信号回路1
3は、チップ導体11、リング導体12の上の呼び出し
信号に応答して、交流信号(トーン)を生成する市販の
回路である。このような回路は、スピーカホンに交流ト
ーンを生成するもので、モトロラ社により商品番号MC
34017−2Pとして市販されている。一般的に、こ
の交流信号の周波数は、100〜1000Hzの範囲
で、ピーク振幅値は、1〜5ボルトの範囲である。
一実施例を示している。データ信号、音声信号、または
画像信号が、中央局からチップ導体11とリング導体1
2に供給される。そして、これらの入力信号は、呼び出
し信号回路13に供給される。この呼び出し信号回路1
3は、チップ導体11、リング導体12の上の呼び出し
信号に応答して、交流信号(トーン)を生成する市販の
回路である。このような回路は、スピーカホンに交流ト
ーンを生成するもので、モトロラ社により商品番号MC
34017−2Pとして市販されている。一般的に、こ
の交流信号の周波数は、100〜1000Hzの範囲
で、ピーク振幅値は、1〜5ボルトの範囲である。
【0007】この呼び出し信号回路13の出力は、変圧
器T1に接続され、この変圧器T1は、チップ導体11、
リング導体12上の電圧から残りの回路を絶縁するため
に用いられる。この変圧器T1は、巻回比が1:1であ
る。変圧器T1の出力は、整流手段、すなわち整流用ダ
イオードD1に接続される。
器T1に接続され、この変圧器T1は、チップ導体11、
リング導体12上の電圧から残りの回路を絶縁するため
に用いられる。この変圧器T1は、巻回比が1:1であ
る。変圧器T1の出力は、整流手段、すなわち整流用ダ
イオードD1に接続される。
【0008】コンデンサC1の一面(一端)が、整流用
ダイオードD1から伸びる導体14に接続され、他面
(他端)が、変圧器T1の二次巻線から伸びる導体15
に接続される。コンデンサC1の容量は、2〜10μF
の範囲内にある。コンデンサC1と並列に抵抗R1が接続
され、この抵抗R1は、10〜30メグオームの範囲の
間の抵抗値を有する。ツェナーダイオードD2が、コン
デンサC1と抵抗R1に並列に接続される。
ダイオードD1から伸びる導体14に接続され、他面
(他端)が、変圧器T1の二次巻線から伸びる導体15
に接続される。コンデンサC1の容量は、2〜10μF
の範囲内にある。コンデンサC1と並列に抵抗R1が接続
され、この抵抗R1は、10〜30メグオームの範囲の
間の抵抗値を有する。ツェナーダイオードD2が、コン
デンサC1と抵抗R1に並列に接続される。
【0009】一対のMOSFET Q1、Q2の共通のゲ
ート電極Gが、導体15に接続され、共通のソース領域
が、導体14に接続される。MOSFET Q1のドレ
イン領域は、チップ導体11に接続され、MOSFET
Q2のドレイン領域は、出力チップ導体16の出力に
接続され、この出力チップ導体16は、顧客の装置に接
続される。MOSFET Q1、Q2は、常閉のデプレッ
ションモードのMOSFETである。コンデンサC
2が、MOSFET Q1、Q2に並列に接続され、信号
がMOSFET Q1とQ2をバイパスするような信号路
を提供することにより、通常の伝送の間回路を通過する
高周波信号の損失を最小にするものである。コンデンサ
C2は、0.1〜1μFの容量を有している。
ート電極Gが、導体15に接続され、共通のソース領域
が、導体14に接続される。MOSFET Q1のドレ
イン領域は、チップ導体11に接続され、MOSFET
Q2のドレイン領域は、出力チップ導体16の出力に
接続され、この出力チップ導体16は、顧客の装置に接
続される。MOSFET Q1、Q2は、常閉のデプレッ
ションモードのMOSFETである。コンデンサC
2が、MOSFET Q1、Q2に並列に接続され、信号
がMOSFET Q1とQ2をバイパスするような信号路
を提供することにより、通常の伝送の間回路を通過する
高周波信号の損失を最小にするものである。コンデンサ
C2は、0.1〜1μFの容量を有している。
【0010】顧客の装置の通常の動作の間、MOSFE
T Q1、Q2は、図1の回路が中央局と顧客の装置に対
してトランスペアレントモードとなるように導通する。
しかし、サービス上の問題が発生した場合、あるいは、
中央局がルーチンテストを行う場合には、呼び出し信号
が、中央局から伝送され、チップ導体11とリング導体
12上に現れる。この信号は、通常約20Hzの周波数
で、約84RMSのRMS振幅で、ISDNシステムの
通常動作では用いられない値に設定される。呼び出し信
号回路13は、呼び出し信号の存在を検出し、それに応
じて、その出力点に交流信号を生成する。この信号は、
変圧器T1に入力され、整流用ダイオードD1にさらに入
力される。
T Q1、Q2は、図1の回路が中央局と顧客の装置に対
してトランスペアレントモードとなるように導通する。
しかし、サービス上の問題が発生した場合、あるいは、
中央局がルーチンテストを行う場合には、呼び出し信号
が、中央局から伝送され、チップ導体11とリング導体
12上に現れる。この信号は、通常約20Hzの周波数
で、約84RMSのRMS振幅で、ISDNシステムの
通常動作では用いられない値に設定される。呼び出し信
号回路13は、呼び出し信号の存在を検出し、それに応
じて、その出力点に交流信号を生成する。この信号は、
変圧器T1に入力され、整流用ダイオードD1にさらに入
力される。
【0011】この整流信号は、コンデンサC1を急速に
充電するのに用いられる。コンデンサC1にかかる電圧
があるレベル(この実施例では、約2ボルト)に達する
と、デプレッションモードのMOSFET Q1、Q
2は、そのゲート電極Gとソース領域との間に対応する
電圧が加えられる結果、非導通状態となる。それによ
り、顧客の装置は、ネットワークから遮断され、一方、
ネットワークにおいては、何らかの問題がネットワーク
装置に存在するか否かを検出するために標準のテストが
行われる。
充電するのに用いられる。コンデンサC1にかかる電圧
があるレベル(この実施例では、約2ボルト)に達する
と、デプレッションモードのMOSFET Q1、Q
2は、そのゲート電極Gとソース領域との間に対応する
電圧が加えられる結果、非導通状態となる。それによ
り、顧客の装置は、ネットワークから遮断され、一方、
ネットワークにおいては、何らかの問題がネットワーク
装置に存在するか否かを検出するために標準のテストが
行われる。
【0012】MOSFET は、抵抗R1の値に応じ
て、ある期間、非導通状態となる。それは、コンデンサ
C1がこの非導通期間の間に抵抗R1を放電させるからで
ある。一般的に、顧客の装置を遮断する期間は、30〜
180秒であることが望ましい。従って、抵抗R1の抵
抗値は、6〜30メグオームとすることが望ましい。一
旦、コンデンサC1が放電されて、あるレベル以下にな
ると、MOSFET Q1、Q2は、導通状態となり、続
いて、顧客の装置に対してテストが行われる。なお、こ
の実施例において、ツェナーダイオードD2は、プロテ
クタ要素として機能する。過大な電圧が導体14、15
の間に生成される場合は、ツェナーダイオードD2は、
破壊し、コンデンサから電流を放出させる。
て、ある期間、非導通状態となる。それは、コンデンサ
C1がこの非導通期間の間に抵抗R1を放電させるからで
ある。一般的に、顧客の装置を遮断する期間は、30〜
180秒であることが望ましい。従って、抵抗R1の抵
抗値は、6〜30メグオームとすることが望ましい。一
旦、コンデンサC1が放電されて、あるレベル以下にな
ると、MOSFET Q1、Q2は、導通状態となり、続
いて、顧客の装置に対してテストが行われる。なお、こ
の実施例において、ツェナーダイオードD2は、プロテ
クタ要素として機能する。過大な電圧が導体14、15
の間に生成される場合は、ツェナーダイオードD2は、
破壊し、コンデンサから電流を放出させる。
【0013】図2は、本発明の他の実施例である。この
実施例においては、第2の一対のMOSFET Q3、
Q4が、出力リング導体17に接続されて、付加のスイ
ッチを提供する。この付加スイッチは、呼び出し信号回
路13に接続される変圧器T2と整流用ダイオードD3、
コンデンサC3、C4、抵抗R2、ツェナーダイオードD4
の組合せにより動作する。この回路は、チップ導体11
とリング導体12の両方が顧客から遮断されるよう作用
する。この回路はまた、付加的なインピーダンスをライ
ンに提供し、このラインは、高周波信号がMOSFET
Q1〜Q4をバイパスするようにコンデンサC2、C4に
より最小にされる。
実施例においては、第2の一対のMOSFET Q3、
Q4が、出力リング導体17に接続されて、付加のスイ
ッチを提供する。この付加スイッチは、呼び出し信号回
路13に接続される変圧器T2と整流用ダイオードD3、
コンデンサC3、C4、抵抗R2、ツェナーダイオードD4
の組合せにより動作する。この回路は、チップ導体11
とリング導体12の両方が顧客から遮断されるよう作用
する。この回路はまた、付加的なインピーダンスをライ
ンに提供し、このラインは、高周波信号がMOSFET
Q1〜Q4をバイパスするようにコンデンサC2、C4に
より最小にされる。
【0014】さらに、種々の変形が可能であるが、例え
ば、図2の実施例において、二つの変圧器T1、T2を3
巻線の変圧器に置き換えることもできる。さらに、一つ
の入力と二つの出力を有するMOSFETをチップ導体
とリング導体の一つに接続し、変圧器T2、整流用ダイ
オードD3、コンデンサC2、抵抗R2、ツェナーダイオ
ードD4を削除することにより、図2の回路を単純化で
きる。一方、図3に示すように、チップ導体、リング導
体、接地導体を含むブリッジ回路を構成すれば、このブ
リッジ回路により、呼び出し信号回路13に入力される
入力信号を生成することができる。この実施例において
は、接続遮断回路(MTU)がチップ導体とリング導体
の間でショートした場合でも、チップ導体またはリング
導体および接地導体の間に信号を与えることによって、
接続遮断回路(MTU)を動作させることができる。
ば、図2の実施例において、二つの変圧器T1、T2を3
巻線の変圧器に置き換えることもできる。さらに、一つ
の入力と二つの出力を有するMOSFETをチップ導体
とリング導体の一つに接続し、変圧器T2、整流用ダイ
オードD3、コンデンサC2、抵抗R2、ツェナーダイオ
ードD4を削除することにより、図2の回路を単純化で
きる。一方、図3に示すように、チップ導体、リング導
体、接地導体を含むブリッジ回路を構成すれば、このブ
リッジ回路により、呼び出し信号回路13に入力される
入力信号を生成することができる。この実施例において
は、接続遮断回路(MTU)がチップ導体とリング導体
の間でショートした場合でも、チップ導体またはリング
導体および接地導体の間に信号を与えることによって、
接続遮断回路(MTU)を動作させることができる。
【0015】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の接続遮断回
路は、顧客の装置がオフフックされた状態にあっても、
顧客の装置に接続されて確実に動作可能であり、ネット
ワーク装置内、あるいは、顧客の装置内に発生したトラ
ブルを検出できる。なお、特許請求の範囲に記載された
参照符号は、発明の容易な理解のために付されたもので
あり、発明の範囲を制限するように解釈されるべきでは
ない。
路は、顧客の装置がオフフックされた状態にあっても、
顧客の装置に接続されて確実に動作可能であり、ネット
ワーク装置内、あるいは、顧客の装置内に発生したトラ
ブルを検出できる。なお、特許請求の範囲に記載された
参照符号は、発明の容易な理解のために付されたもので
あり、発明の範囲を制限するように解釈されるべきでは
ない。
【図1】本発明の接続遮断回路(MTU)の一実施例を
示す回路ブロック図である。
示す回路ブロック図である。
【図2】本発明の接続遮断回路(MTU)の他の実施例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図3】本発明の接続遮断回路(MTU)の他の実施例
の一部を示す回路ブロック図である。
の一部を示す回路ブロック図である。
11 チップ導体 12 リング導体 13 呼び出し信号回路 14 導体 15 導体 16 出力チップ導体 17 出力リング導体 C1 コンデンサ C2 コンデンサ C3 コンデンサ C4 コンデンサ D1 整流用ダイオード D2 ツェナーダイオード D3 整流用ダイオード D4 ツェナーダイオード Q1 MOSFET Q2 MOSFET Q3 MOSFET Q4 MOSFET R1 抵抗 R2 抵抗 T1 変圧器 T2 変圧器
Claims (11)
- 【請求項1】 呼び出し信号に応答して交流信号を生成
する交流信号生成手段(13)と、 前記交流信号を整流する整流手段(D1)と、 前記整流手段に接続されるコンデンサ(C1)と、 前記コンデンサに接続されて、前記コンデンサが充電さ
れたときに開くように動作する常閉の半導体スイッチ
(Q1、Q2)と、 を有することを特徴とする接続遮断回路。 - 【請求項2】 前記常閉の半導体スイッチは、一対の常
閉のMOSFET(Q1、Q2)であることを特徴とする
請求項1の回路。 - 【請求項3】 前記一対の常閉のMOSFETは、前記
コンデンサ(C1)の一端に接続される共通ゲート電極
(G)と前記コンデンサの他端に接続される共通ソース
領域を有することを特徴とする請求項2の回路。 - 【請求項4】 前記一対の常閉のMOSFETのうち、
一方のMOSFET(Q1)のドレイン領域は、中央局
に接続される第1の導体(11)に接続され、他方のM
OSFET(Q2)のドレイン領域は、顧客の装置に接
続される第2の導体(16)に接続されることを特徴と
する請求項3の回路。 - 【請求項5】 前記交流信号生成手段は、呼び出し信号
回路(13)であることを特徴とする請求項1の回路。 - 【請求項6】 前記整流手段は、半導体ダイオード(D
1)であることを特徴とする請求項1の回路。 - 【請求項7】 前記交流信号生成手段と整流手段との間
に接続された変圧器(T1)をさらに有することを特徴
とする請求項1の回路。 - 【請求項8】 前記コンデンサに並列に接続された抵抗
(R1)をさらに有することを特徴とする請求項1の回
路。 - 【請求項9】 前記抵抗の抵抗値は、10〜30メグオ
ームの範囲にあることを特徴とする請求項8の回路。 - 【請求項10】 前記コンデンサの容量は、2〜10μ
Fの範囲にあることを特徴とする請求項1の回路。 - 【請求項11】 チップ導体(11)とリング導体(1
2)とをさらに有し、前記常閉の半導体スイッチが前記
チップ導体から顧客を遮断するように接続され、さら
に、顧客を前記リング導体から遮断するように接続され
た付加スイッチ(Q3、Q4)を有することを特徴とする
請求項1の回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77166491A | 1991-10-04 | 1991-10-04 | |
US771664 | 1991-10-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06291838A true JPH06291838A (ja) | 1994-10-18 |
JP2665117B2 JP2665117B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=25092566
Family Applications (1)
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