JPH06291576A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH06291576A
JPH06291576A JP9843793A JP9843793A JPH06291576A JP H06291576 A JPH06291576 A JP H06291576A JP 9843793 A JP9843793 A JP 9843793A JP 9843793 A JP9843793 A JP 9843793A JP H06291576 A JPH06291576 A JP H06291576A
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JP
Japan
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differential amplifier
semiconductor integrated
constant current
integrated circuit
circuit
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JP9843793A
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Inventor
Takefumi Ito
武文 伊藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To realize an arbitrary frequency characteristic. CONSTITUTION:A constant current source transistor 11a is constituted of plural transistors whose size is the same or different which can be operated after the arbitrary number of the transistors can be selected by a control signal from a first selecting register 8a. Also, a phase compensating capacitor is constituted of the plural capacitors whose capacity is the same or different which can be operated after the arbitrary number of the transistors can be selected by the control signal from a second selecting register.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、CMOSオペアンプ
回路を内蔵して、周波数特性の変更を実施可能にする半
導体集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit in which a CMOS operational amplifier circuit is incorporated and frequency characteristics can be changed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来のCMOSオペアンプ回路を
内蔵した半導体集積回路を示す回路図であり、図におい
て、1はオペアンプの正転入力、2はオペアンプの反転
入力、3はオペアンプ出力、9はカレントミラー回路、
10は反転入力2および正転入力1より構成されるMO
S差動増幅対、11は定電流源トランジスタである。ま
た、5は上記カレントミラー回路9、MOS差動増幅対
10、定電流源トランジスタ11から構成される差動増
幅回路、6は差動増幅回路5の出力をさらに増幅するM
OSインバータ型出力バッファである。さらに、7は差
動増幅回路5とMOSインバータ型出力バッファ6との
間に接続される位相補償用コンデンサ、4は定電圧源
で、定電流源トランジスタ11のゲート入力、およびM
OSインバータ型出力バッファ6のNchゲート入力に
接続されている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit incorporating a conventional CMOS operational amplifier circuit. In the figure, 1 is a normal input of an operational amplifier, 2 is an inverting input of an operational amplifier, 3 is an operational amplifier output, and 9 is an operational amplifier output. Is the current mirror circuit,
10 is an MO composed of an inverting input 2 and a non-inverting input 1
An S differential amplifier pair 11 is a constant current source transistor. Further, 5 is a differential amplifier circuit composed of the current mirror circuit 9, the MOS differential amplifier pair 10 and the constant current source transistor 11, and 6 is an M for further amplifying the output of the differential amplifier circuit 5.
It is an OS inverter type output buffer. Further, 7 is a phase compensation capacitor connected between the differential amplifier circuit 5 and the MOS inverter type output buffer 6, 4 is a constant voltage source, the gate input of the constant current source transistor 11, and M
It is connected to the Nch gate input of the OS inverter type output buffer 6.

【0003】次に動作について説明する。このCMOS
オペアンプ回路は、MOS差動増幅対10の正転入力1
と反転入力2の電位差を差動増幅回路5で増幅し、さら
にMOSインバータ型出力バッファ6で増幅して、オペ
アンプ出力3より出力する。すなわち、正転入力1およ
び反転ゲート2にかかるゲート電圧が等しい時、定電流
源トランジスタに流れる電流をIとすると、MOS差動
増幅対に流れる電流はI1 =I2 =I/2となる。い
ま、正転入力1および反転入力2にかかるゲート電圧が
バランスのとれた状態から、反転入力2のレベルがΔV
だけ変化すると、I1 →I1 +ΔIの電流変化が生じ
る。一方、電流I2 はI2 +I1 =I(一定)であるか
ら、電流I2 にはI2 −ΔIの電流変化が生じる。この
電流I2 の変化により、差動増幅回路5の出力電圧Vx
には、Vx+ΔVxの変化が生じる。差動増幅回路の増
幅率は、入力の変化に対する出力の変化ΔVx/ΔVで
あり、それらは電流Iに依存するため、定電流源トラン
ジスタ11のサイズを変えることにより電流Iを変えれ
ば、ΔVx/ΔVも変化する。上記正転入力1と反転入
力2の電位差の変化に対するオペアンプ出力3の変化の
比を増幅率といい、この増幅率は正転入力1と反転入力
2の電位差の周波数の上昇に対し、低下する特性(以
下、周波数特性と称す)を示す。この周波数特性はCM
OSオペアンプ回路の、定電流源トランジスタ11に流
れる電流Idsと位相補償用コンデンサ7の容量で決ま
り、従来のCMOSオペアンプ回路では、電流Idsと
位相補償用コンデンサの容量が一定であったため、一定
の周波数特性を示した。
Next, the operation will be described. This CMOS
The operational amplifier circuit is a normal input 1 of the MOS differential amplifier pair 10.
The potential difference between the inverting input 2 and the inverting input 2 is amplified by the differential amplifier circuit 5, further amplified by the MOS inverter type output buffer 6, and output from the operational amplifier output 3. That is, when the gate voltage applied to the non-inverting input 1 and the inverting gate 2 are equal, the current flowing in the constant current source transistor is I, the current flowing in the MOS differential amplifier pair is I 1 = I 2 = I / 2. . Now, from the state where the gate voltages applied to the normal input 1 and the inverting input 2 are balanced, the level of the inverting input 2 is ΔV.
A change of only 1 causes a current change of I 1 → I 1 + ΔI. On the other hand, since the current I 2 is I 2 + I 1 = I (constant), the current I 2 changes by I 2 −ΔI. Due to this change in the current I 2 , the output voltage Vx of the differential amplifier circuit 5
Changes Vx + ΔVx. The amplification factor of the differential amplifier circuit is a change in output ΔVx / ΔV with respect to a change in input, and they depend on the current I. Therefore, if the current I is changed by changing the size of the constant current source transistor 11, ΔVx / ΔVx / ΔVx / ΔV ΔV also changes. The ratio of the change in the operational amplifier output 3 with respect to the change in the potential difference between the normal input 1 and the inverting input 2 is called an amplification factor. This amplification factor decreases as the frequency of the potential difference between the normal input 1 and the inverting input 2 increases. The characteristics (hereinafter referred to as frequency characteristics) are shown. This frequency characteristic is CM
It is determined by the current Ids flowing through the constant current source transistor 11 and the capacity of the phase compensation capacitor 7 in the OS operational amplifier circuit. In the conventional CMOS operational amplifier circuit, the current Ids and the capacity of the phase compensation capacitor are constant. Characterized.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
は以上のように構成されているので、定電流源トランジ
スタ11に流れる電流および位相補償用コンデンサ7の
容量が一定であるため、複数の周波数特性を実現するこ
とが不可能であるなどの問題点があった。
Since the conventional semiconductor integrated circuit is constructed as described above, the current flowing through the constant current source transistor 11 and the capacity of the phase compensating capacitor 7 are constant. There was a problem that it was impossible to realize the characteristics.

【0005】請求項1の発明は上記のような問題点を解
消するためになされたもので、定電流源トランジスタの
中の任意個数のトランジスタを選択的に動作させて、必
要とされる任意の周波数特性を実現できる半導体集積回
路を得ることを目的とする。
The invention of claim 1 has been made to solve the above-mentioned problems, and an arbitrary number of transistors in the constant current source transistor are selectively operated to make it possible to operate as desired. An object is to obtain a semiconductor integrated circuit that can realize frequency characteristics.

【0006】請求項2の発明は、位相補償用コンデンサ
の中の任意個数のコンデンサを選択的に動作させて、必
要とされる任意の周波数特性を実現できる半導体集積回
路を得ることを目的とする。
An object of the present invention is to obtain a semiconductor integrated circuit capable of realizing desired arbitrary frequency characteristics by selectively operating an arbitrary number of capacitors among the phase compensation capacitors. .

【0007】請求項3の発明は、定電流源トランジスタ
の中の任意個数のトランジスタと、位相補償用コンデン
サの中の任意個数のコンデンサとを選択的に動作させ
て、さらに細かい周波数特性を実現できる半導体集積回
路を得ることを目的とする。
According to the third aspect of the present invention, a further fine frequency characteristic can be realized by selectively operating the arbitrary number of transistors in the constant current source transistor and the arbitrary number of capacitors in the phase compensation capacitor. The purpose is to obtain a semiconductor integrated circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る半
導体集積回路は、定電流源トランジスタを、第1の選択
レジスタからの制御信号によって任意の個数分選択され
て動作可能とされる同一サイズまたは異なるサイズの複
数のトランジスタから構成したものである。
According to another aspect of the semiconductor integrated circuit of the present invention, a constant current source transistor can be operated by selecting an arbitrary number of constant current source transistors by a control signal from a first selection register. It is composed of a plurality of transistors of different sizes or different sizes.

【0009】請求項2の発明に係る半導体集積回路は、
位相補償用コンデンサを、第2の選択レジスタからの制
御信号によって任意の個数分選択されて動作可能とされ
る同一容量または異なる容量の複数のコンデンサから構
成したものである。
A semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the invention is
The phase compensating capacitor is composed of a plurality of capacitors having the same capacity or different capacities that can be operated by selecting an arbitrary number of them by a control signal from the second selection register.

【0010】請求項3の発明に係る半導体集積回路は、
定電流源トランジスタを、選択レジスタからの制御信号
によって任意の個数分選択されて動作可能とされる同一
サイズまたは異なるサイズの複数のトランジスタから構
成し、位相補償用コンデンサを、第2の選択レジスタか
らの制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能
とされる同一容量または異なる容量の複数のコンデンサ
から構成したものである。
A semiconductor integrated circuit according to the invention of claim 3 is
The constant current source transistor is composed of a plurality of transistors of the same size or different sizes that can be operated by selecting an arbitrary number of transistors according to the control signal from the selection register, and the phase compensation capacitor is connected from the second selection register. It is composed of a plurality of capacitors having the same capacity or different capacities that can be selected and operated by any number of control signals.

【0011】[0011]

【作用】請求項1の発明における半導体集積回路は、定
電流源トランジスタを構成する各トランジスタが選択さ
れて動作する個数に応じて、またはサイズの異なるもの
が選択されて、この定電流源トランジスタに流れる電流
の大きさに応じた周波数特性を得る。
According to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the constant current source transistors are selected according to the number of transistors which are selected and operate, or different sizes are selected. The frequency characteristic according to the magnitude of the flowing current is obtained.

【0012】請求項2の発明における半導体集積回路
は、位相補償用コンデンサを構成する各コンデンサが選
択されて動作する個数に応じて、または容量の異なるも
のが選択されて、所定の周波数特性を得る。
In the semiconductor integrated circuit according to the second aspect of the present invention, a predetermined frequency characteristic is obtained by selecting each of the capacitors forming the phase compensating capacitor and operating the capacitors, or by selecting capacitors having different capacities. .

【0013】請求項3の発明における半導体集積回路
は、定電流源トランジスタを構成するトランジスタの動
作個数および位相補償用コンデンサの動作個数を、それ
ぞれ任意に選択可能とすることで、より高い精度で周波
数特性を設定可能にする。
In the semiconductor integrated circuit according to the third aspect of the present invention, the number of operating transistors constituting the constant current source transistor and the number of operating phase compensating capacitors can be arbitrarily selected, so that the frequency can be more accurately measured. Allows the property to be set.

【0014】[0014]

【実施例】実施例1.以下、請求項1の発明の実施例を
図について説明する。図1において、1はオペアンプの
正転入力、2はオペアンプの反転入力、3はオペアンプ
出力、9はカレントミラー回路、10は反転入力2およ
び正転入力1より構成されるMOS差動増幅対、11a
はそれぞれサイズが同一または異なる複数個のトランジ
スタを含む定電流源トランジスタである。また、5は上
記カレントミラー回路9、MOS差動増幅対10、定電
流源トランジスタ11aから構成される差動増幅回路、
6は差動増幅回路5の出力をさらに増幅するMOSイン
バータ型出力バッファ、7は上記差動増幅回路5とMO
Sインバータ型出力バッファ6との間につながる位相補
償用コンデンサである。さらに、4は定電圧源で、各定
電流源トランジスタ11aのゲート入力、およびMOS
インバータ型出力バッファ6のNchゲート入力に接続
されている。8aは複数個の定電流源トランジスタ11
aの中から、同一サイズまたは異なったサイズの任意個
のトランジスタを選択する第1の選択レジスタである。
EXAMPLES Example 1. Hereinafter, an embodiment of the invention of claim 1 will be described with reference to the drawings. In FIG. 1, 1 is a non-inverting input of an operational amplifier, 2 is an inverting input of an operational amplifier, 3 is an operational amplifier output, 9 is a current mirror circuit, 10 is a MOS differential amplifier pair composed of an inverting input 2 and a non-inverting input 1, 11a
Is a constant current source transistor including a plurality of transistors each having the same or different size. Further, 5 is a differential amplifier circuit composed of the current mirror circuit 9, the MOS differential amplifier pair 10 and the constant current source transistor 11a,
6 is a MOS inverter type output buffer for further amplifying the output of the differential amplifier circuit 5, and 7 is the differential amplifier circuit 5 and MO
It is a phase compensation capacitor connected to the S inverter type output buffer 6. Further, 4 is a constant voltage source, which is a gate input of each constant current source transistor 11a and a MOS.
It is connected to the Nch gate input of the inverter type output buffer 6. 8a is a plurality of constant current source transistors 11
It is a first selection register for selecting an arbitrary number of transistors of the same size or different sizes from a.

【0015】次に動作について述べる。このCMOSオ
ペアンプ回路は、MOS差動増幅対10の正転入力1と
反転入力2の電位差を差動増幅回路5で増幅し、さらに
MOSインバータ型出力バッファ6で増幅して、オペア
ンプ出力3より出力する。上記正転入力1と反転入力2
の電位差の変化に対するオペアンプ出力3の変化の比で
ある増幅率は、正転入力1と反転入力2の電位差の周波
数の上昇に対し、低下する特性(以下、周波数特性と称
す)を示す。この周波数特性はCMOSオペアンプ回路
の、定電流源トランジスタ11aに流れる電流Idsと
位相補償用コンデンサ7の容量で決まる。
Next, the operation will be described. In this CMOS operational amplifier circuit, the potential difference between the non-inverting input 1 and the inverting input 2 of the MOS differential amplifier pair 10 is amplified by the differential amplifier circuit 5, further amplified by the MOS inverter type output buffer 6, and output from the operational amplifier output 3. To do. Forward input 1 and reverse input 2
The amplification factor, which is the ratio of the change in the operational amplifier output 3 with respect to the change in the potential difference of 1, exhibits a characteristic (hereinafter, referred to as a frequency characteristic) that decreases as the frequency of the potential difference between the non-inverting input 1 and the inverting input 2 increases. This frequency characteristic is determined by the current Ids flowing in the constant current source transistor 11a and the capacitance of the phase compensation capacitor 7 of the CMOS operational amplifier circuit.

【0016】この発明では、第1の選択レジスタ8aに
より複数個の定電流源トランジスタ11aの中から任意
個を選択し、定電圧源4からの電圧が選択された任意の
トランジスタのゲートに一定の電圧を印加する。選択さ
れたトランジスタのサイズは、上記のように異なり、ど
れを選択するかで違った電流Idsが得られる。すなわ
ち、定電流源トランジスタ11aに必要なサイズのトラ
ンジスタを用意し、任意のトランジスタを選択すること
で、任意の周波数特性を得ることができる。また、同一
サイズのトランジスタでも、これらの個数を選択するこ
とで、任意の周波数特性を得ることができる。
In the present invention, the first selection register 8a selects any one of the plurality of constant current source transistors 11a, and the voltage from the constant voltage source 4 is fixed to the gate of the selected transistor. Apply voltage. The size of the selected transistor is different as described above, and a different current Ids is obtained depending on which is selected. That is, it is possible to obtain an arbitrary frequency characteristic by preparing a transistor of a required size as the constant current source transistor 11a and selecting an arbitrary transistor. Further, even with transistors of the same size, it is possible to obtain an arbitrary frequency characteristic by selecting these numbers.

【0017】実施例2.図2は請求項2の発明の実施例
による半導体集積回路を示す回路図であり、同図におい
て、1はオペアンプの正転入力、2はオペアンプの反転
入力、3はオペアンプ出力、9はカレントミラー回路、
10は反転入力2および正転入力1より構成されるMO
S差動増幅対、11は定電流源トランジスタである。5
はカレントミラー回路9、MOS差動増幅対10、定電
流源トランジスタ11から構成される差動増幅回路、6
は差動増幅回路5の出力をさらに増幅するMOSインバ
ータ型出力バッファである。また、7aは差動増幅回路
5と、MOSインバータ型出力バッファ6との間につな
がる任意の容量の複数のコンデンサを並列接続した位相
補償用コンデンサ、4は定電圧源で、定電流源トランジ
スタ11のゲート入力、およびMOSインバータ型出力
バッファ6のNchゲート入力に接続されている。8b
は位相補償用コンデンサ7aの中から、同一容量または
異なった容量の任意の個数分のコンデンサを選択する第
2の選択レジスタである。
Example 2. FIG. 2 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 2, 1 is a normal input of an operational amplifier, 2 is an inverting input of an operational amplifier, 3 is an operational amplifier output, and 9 is a current mirror. circuit,
10 is an MO composed of an inverting input 2 and a non-inverting input 1
An S differential amplifier pair 11 is a constant current source transistor. 5
Is a differential amplifier circuit composed of a current mirror circuit 9, a MOS differential amplifier pair 10, and a constant current source transistor 11, 6
Is a MOS inverter type output buffer for further amplifying the output of the differential amplifier circuit 5. Further, 7a is a phase compensation capacitor in which a plurality of capacitors having arbitrary capacitances connected between the differential amplifier circuit 5 and the MOS inverter type output buffer 6 are connected in parallel, 4 is a constant voltage source, and a constant current source transistor 11 , And the Nch gate input of the MOS inverter type output buffer 6. 8b
Is a second selection register for selecting an arbitrary number of capacitors having the same or different capacities from the phase compensation capacitors 7a.

【0018】この実施例によれば、選択レジスタ8bに
より位相補償用コンデンサ7aの中から任意のコンデン
サを選択することにより、任意の周波数特性を得ること
ができる。
According to this embodiment, an arbitrary frequency characteristic can be obtained by selecting an arbitrary capacitor from the phase compensating capacitors 7a by the selection register 8b.

【0019】実施例3.なお、上記各実施例ではトラン
ジスタまたはコンデンサのいずれかを選択して周波数特
性を選ぶものを示したが、複数個のコンデンサを持った
位相補償用コンデンサ7aと複数個のトランジスタを持
った定電流源トランジスタ11a、および位相補償用コ
ンデンサの選択レジスタ8bと定電流源トランジスタの
選択レジスタ8aを設け、任意数個のコンデンサとトラ
ンジスタをそれぞれ選択することで、より細かい周波数
特性を選ぶことができる。
Example 3. In each of the above embodiments, the frequency characteristic is selected by selecting either the transistor or the capacitor, but the phase compensation capacitor 7a having a plurality of capacitors and the constant current source having a plurality of transistors are shown. A finer frequency characteristic can be selected by providing the transistor 11a, the phase compensation capacitor selection register 8b, and the constant current source transistor selection register 8a, and selecting an arbitrary number of capacitors and transistors, respectively.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、定電流源トランジスタを、第1の選択レジスタから
の制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能と
される同一サイズまたは異なるサイズの複数のトランジ
スタから構成したので、必要とされる周波数特性を任意
かつ容易に設定できるものが得られる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the constant current source transistors of the same size or selected by the control signal from the first selection register can be operated in any number. Since it is composed of a plurality of transistors of different sizes, there is an effect that a desired frequency characteristic can be arbitrarily and easily set.

【0021】また、請求項2の発明によれば、位相補償
用コンデンサを、第2の選択レジスタからの制御信号に
よって任意の個数分選択されて動作可能とされる同一容
量または異なる容量の複数のコンデンサから構成したの
で、該コンデンサの個数選択のみで、必要とされる周波
数特性を任意かつ容易に設定できるものが得られる効果
がある。
According to the second aspect of the invention, a plurality of phase compensating capacitors having the same capacitance or different capacitances which can be selected and operated by a control signal from the second selection register are operable. Since it is composed of capacitors, there is an effect that a required frequency characteristic can be set arbitrarily and easily by only selecting the number of the capacitors.

【0022】さらに、請求項3の発明によれば、定電流
源トランジスタを、選択レジスタからの制御信号によっ
て任意の個数分選択されて動作可能とされる同一サイズ
または異なるサイズの複数のトランジスタから構成し、
かつ位相補償用コンデンサを、第2の選択レジスタから
の制御信号によって任意の個数分選択されて動作可能と
される同一容量または異なる容量の複数のコンデンサか
ら構成したので、周波数特性をさらに細かく分けて、こ
れらの一つを任意かつ容易に設定できるものが得られる
効果がある。
Further, according to the invention of claim 3, the constant current source transistor is composed of a plurality of transistors of the same size or different sizes which are selected and operated by a control signal from the selection register. Then
Moreover, since the phase compensating capacitor is composed of a plurality of capacitors having the same capacity or different capacities that can be operated by selecting an arbitrary number by the control signal from the second selection register, the frequency characteristics can be further divided. There is an effect that one that can arbitrarily and easily set one of these can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】請求項1の発明の一実施例による半導体集積回
路を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】請求項2の発明の一実施例による半導体集積回
路を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the invention of claim 2;

【図3】従来の半導体集積回路を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 差動増幅回路 6 MOSインバータ型出力バッファ 7,7a 位相補償用コンデンサ 8a 第1の選択レジスタ 8b 第2の選択レジスタ 9 カレントミラー回路 10 MOS差動増幅対 11,11a 定電流源トランジスタ 5 differential amplifier circuit 6 MOS inverter type output buffer 7, 7a phase compensation capacitor 8a first selection register 8b second selection register 9 current mirror circuit 10 MOS differential amplification pair 11, 11a constant current source transistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カレントミラー回路、MOS差動増幅対
および定電流源トランジスタからなる差動増幅回路と、
該差動増幅回路の出力を増幅するMOSインバータ型出
力バッファと、該MOSインバータ型出力バッファおよ
び上記差動増幅回路間に接続された位相補償用コンデン
サとを備えた半導体集積回路において、上記定電流源ト
ランジスタを、第1の選択レジスタからの制御信号によ
って任意の個数分選択されて動作可能とされる同一サイ
ズまたは異なるサイズの複数のトランジスタから構成し
たことを特徴とする半導体集積回路。
1. A differential amplifier circuit comprising a current mirror circuit, a MOS differential amplifier pair and a constant current source transistor,
In the semiconductor integrated circuit including a MOS inverter type output buffer for amplifying the output of the differential amplifier circuit and a phase compensation capacitor connected between the MOS inverter type output buffer and the differential amplifier circuit, the constant current 2. A semiconductor integrated circuit, characterized in that the source transistor is composed of a plurality of transistors of the same size or different sizes, which can be operated by selecting an arbitrary number of them by a control signal from the first selection register.
【請求項2】 カレントミラー回路、MOS差動増幅対
および定電流源トランジスタからなる差動増幅回路と、
該差動増幅回路の出力を増幅するMOSインバータ型出
力バッファと、該MOSインバータ型出力バッファおよ
び上記差動増幅回路間に接続された位相補償用コンデン
サとを備えた半導体集積回路において、上記位相補償用
コンデンサを、第2の選択レジスタからの制御信号によ
って任意の個数分選択されて動作可能とされる同一容量
または異なる容量の複数のコンデンサから構成したこと
を特徴とする半導体集積回路。
2. A differential amplifier circuit comprising a current mirror circuit, a MOS differential amplifier pair, and a constant current source transistor,
In the semiconductor integrated circuit including a MOS inverter type output buffer for amplifying the output of the differential amplifier circuit and a phase compensation capacitor connected between the MOS inverter type output buffer and the differential amplifier circuit, the phase compensation The semiconductor integrated circuit is characterized in that the capacitors for use are composed of a plurality of capacitors having the same capacity or different capacities that can be operated by selecting an arbitrary number of capacitors by a control signal from the second selection register.
【請求項3】 カレントミラー回路、MOS差動増幅対
および定電流源トランジスタからなる差動増幅回路と、
該差動増幅回路の出力を増幅するMOSインバータ型出
力バッファと、該MOSインバータ型出力バッファおよ
び上記差動増幅回路間に接続された位相補償用コンデン
サとを備えた半導体集積回路において、上記定電流源ト
ランジスタを、第1の選択レジスタからの制御信号によ
って任意の個数分選択されて動作可能とされる同一サイ
ズまたは異なるサイズの複数のトランジスタから構成
し、上記位相補償用コンデンサを、第2の選択レジスタ
からの制御信号によって任意の個数分選択されて動作可
能とされる同一容量または異なる容量の複数のコンデン
サから構成したことを特徴とする半導体集積回路。
3. A differential amplifier circuit comprising a current mirror circuit, a MOS differential amplifier pair and a constant current source transistor,
In the semiconductor integrated circuit including a MOS inverter type output buffer for amplifying the output of the differential amplifier circuit and a phase compensation capacitor connected between the MOS inverter type output buffer and the differential amplifier circuit, the constant current The source transistor is composed of a plurality of transistors of the same size or different sizes that can be operated by selecting an arbitrary number of them by the control signal from the first selection register, and the phase compensation capacitor is set to the second selection. A semiconductor integrated circuit comprising a plurality of capacitors having the same capacity or different capacities which can be selected and operated by a control signal from a register.
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