JPH0628854A - Semiconductor step-down circuit - Google Patents

Semiconductor step-down circuit

Info

Publication number
JPH0628854A
JPH0628854A JP4183283A JP18328392A JPH0628854A JP H0628854 A JPH0628854 A JP H0628854A JP 4183283 A JP4183283 A JP 4183283A JP 18328392 A JP18328392 A JP 18328392A JP H0628854 A JPH0628854 A JP H0628854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
circuit
voltage
ext
down circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4183283A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Tanabe
昭 田邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4183283A priority Critical patent/JPH0628854A/en
Publication of JPH0628854A publication Critical patent/JPH0628854A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a step-down circuit whose loss is low, and whose output voltage is stable on a semiconductor circuit. CONSTITUTION:Two capacitors C1 and C2 whose capacities are equal, and transistors Tr1 and Tr2 are used. At the time of charging the two capacitors C1 and C2 are serially connected, and the charge is operated by an input power source VEXT. And also, at the time of a discharge, each capacitor is connected in parallel, and connected with an output VINT. Thus, a voltage 1/2 times as large as the input voltage VEXT can be generated as the output VINT.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体降圧回路に関し、
特に半導体メモリ用降圧回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor step-down circuit,
In particular, it relates to a step-down circuit for semiconductor memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体メモリ用の降圧回路は、シ
リーズレギュレーター方式となっている。この降圧回路
は、例えばIEEE Journal of Soli
d−State Circuits, Vol.25,
No.4,1990 pp903−911等にも記載さ
れている。
2. Description of the Related Art A conventional step-down circuit for a semiconductor memory is of a series regulator type. This step-down circuit is, for example, an IEEE Journal of Soli.
d-State Circuits, Vol. 25,
No. 4, 1990 pp903-911 and the like.

【0003】図6はかかる従来の一例を示す半導体降圧
回路図である。図6に示すように、従来のシリーズレギ
ュレータ方式の降圧回路は、オペアンプで構成した比較
器7と、この比較器7の出力により駆動されるドライブ
トランジスタTr1とを有し、その出力VINT に負荷Z
を接続して構成されている。このオペアンプ7の片方の
入力には基準電源VEXT /2、反対側の入力には降圧回
路の出力電圧VINT を供給し、これら基準電圧と出力電
圧の差を検出する。その検出した差電圧はドライブトラ
ンジスタTr1のゲートに入力され、出力電圧VINT
制御している。
FIG. 6 is a semiconductor step-down circuit diagram showing such a conventional example. As shown in FIG. 6, the conventional series regulator type step-down circuit has a comparator 7 composed of an operational amplifier and a drive transistor Tr1 driven by the output of the comparator 7, and its output V INT is loaded with a load. Z
It is configured by connecting. The reference power supply V EXT / 2 is supplied to one input of the operational amplifier 7, and the output voltage V INT of the step-down circuit is supplied to the other input, and the difference between the reference voltage and the output voltage is detected. The detected difference voltage is input to the gate of the drive transistor Tr1 to control the output voltage V INT .

【0004】次に、この降圧回路で消費される電力につ
いてみると、出力VINT の先につながる負荷zがID
電流を消費した場合、ドライブトランジスタTr1の消
費する電力PS は、外部入力電圧をVEXT とすると、 PS =(VEXT −VINT )×ID である。従って、出力電圧がVINT =VEXT /2なら
ば、Tr1の消費電力は、 PS =(VEXT /2)×ID となる。
Next, regarding the power consumed by this step-down circuit, when the load z connected ahead of the output V INT consumes the current I D , the power P S consumed by the drive transistor Tr1 is the external input. If the voltage is V EXT , then P S = (V EXT −V INT ) × ID . Therefore, if the output voltage is V INT = V EXT / 2, the power consumption of Tr1 is P S = (V EXT / 2) × ID .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のシリー
ズレギュレーター方式の半導体降圧回路は、ドライブト
ランジスタにおけるソース・ドレイン間の電圧をVDS
そのトランジスタに流れる電流をIDSとすると、VDS×
DSの電力がメモリ回路外部のドライブトランジスタで
無駄に消費され、出力電圧が安定しないという欠点があ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In the above conventional series regulator type semiconductor step-down circuit, the voltage between the source and drain of the drive transistor is V DS ,
If the current flowing through the transistor is I DS , then V DS ×
Power of I DS is wastefully consumed by the memory circuit external to the drive transistor, the output voltage has the disadvantage that not stable.

【0006】本発明の目的は、かかる無駄な消費電力を
無くし、出力電圧を安定化することのできる半導体降圧
回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor step-down circuit which can eliminate such useless power consumption and stabilize the output voltage.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体降圧回路
は、容量の等しいm×n個(m〈n、m,nは整数)の
コンデンサを用い、充電時はn個ずつ直列に接続したも
のをm組並列に接続して入力電源により充電し、放電時
にはm個ずつ直列に接続したものをn組並列に出力に接
続して放電することにより、入力電圧のm/nの電圧を
出力するように構成される。
The semiconductor step-down circuit of the present invention uses m × n capacitors (m <n, m, n is an integer) having the same capacitance, and n capacitors are connected in series during charging. Output m / n of input voltage by connecting m sets in parallel and charging by the input power source, and connecting m sets in series at the time of discharging and connecting n sets in parallel to the output To be configured.

【0008】[0008]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1(a),(b)はそれぞれ本発明の一
実施例を示す半導体降圧回路図およびその回路のクロッ
ク信号のタイミング図である。図1(a)に示すよう
に、本実施例は入力VEXT と接地間に交互に接続された
トランジスタTr1,コンデンサC1,トランジスタT
r2,コンデンサC2と、それらの節点B,Dおよび出
力VINT 間に接続されたトランジスタTr3,Tr5
と、節点Aおよび接地間に接続されたトランジスタTr
4と、インバータとを備えている。トランジスタTr1
のゲートにはクロックφ1が直接供給され、またトラン
ジスタTr2のゲートにはインバータを介しクロックφ
1を反転して供給する。同様に、トランジスタTr3の
ゲートにはクロックφ2が直接供給され、トランジスタ
Tr4,Tr5のゲートにはインバータを介しクロック
φ2を反転して供給する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1A and 1B are a semiconductor step-down circuit diagram and a timing diagram of clock signals of the circuit, respectively, showing an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1A, in this embodiment, a transistor Tr1, a capacitor C1, and a transistor T which are alternately connected between an input V EXT and a ground.
r2, a capacitor C2, and transistors Tr3 and Tr5 connected between the nodes B and D and the output V INT.
And a transistor Tr connected between node A and ground
4 and an inverter. Transistor Tr1
The clock φ1 is directly supplied to the gate of the
1 is inverted and supplied. Similarly, the clock φ2 is directly supplied to the gate of the transistor Tr3, and the clock φ2 is inverted and supplied to the gates of the transistors Tr4 and Tr5 via an inverter.

【0009】また、図1(b)に示すように、ここでは
クロックφ1に対しクロックφ2は反転していると同時
に、オン・オフの時間を異ならせている。再び、図1
(a)に戻り説明する。
Further, as shown in FIG. 1B, here, the clock φ2 is inverted with respect to the clock φ1, and at the same time, the on / off time is made different. Figure 1 again
It returns to (a) and demonstrates.

【0010】図1(a)において、コンデンサC1,C
2の容量は等しくしておく。また、φ1がH、φ2がL
の期間には、Tr1,Tr2がオンし、Tr3,Tr
4,Tr5がオフとなっている。この時、コンデンサC
1,C2はどちらも(1/2)VEXT に充電され、A
点,B点,D点の電圧はそれぞれ(1/2)VEXT ,V
EXT ,(1/2)VEXT となる。次に、φ1がHになる
と、全てのトランジスタはオフになる。続いてφ2がL
になると、Tr1,Tr2はオフし、Tr3,Tr4,
Tr5はオンになる。すると、A点がグラウンド電位に
なり、B,D点はそれぞれ(1/2)VEXT になる。よ
って、出力VINT からは、入力VEXT の半分の(1/
2)VEXT の電圧が得られる。
In FIG. 1 (a), capacitors C1 and C
The capacities of 2 are set equal. Also, φ1 is H and φ2 is L
During the period, Tr1 and Tr2 are turned on, and Tr3 and Tr2 are turned on.
4, Tr5 is off. At this time, capacitor C
Both 1 and C2 are charged to (1/2) V EXT , and A
The voltage at point B, point B, and point D is (1/2) V EXT , V respectively.
EXT , (1/2) V EXT . Next, when φ1 becomes H, all the transistors are turned off. Then φ2 is L
Then, Tr1 and Tr2 are turned off and Tr3 and Tr4 are turned off.
Tr5 turns on. Then, the point A becomes the ground potential, and the points B and D become (1/2) V EXT , respectively. Therefore, from the output V INT , half ( 1/1 /) of the input V EXT
2) A voltage of V EXT is obtained.

【0011】次に、図1(a)に示す回路で消費される
電力について図2(a),(b)を参照して説明する。
Next, the power consumed by the circuit shown in FIG. 1A will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

【0012】図2(a),(b)はそれぞれ図1(a)
における降圧回路の放電時および充電時の各等価回路図
である。図2(a)は図1の回路で、φ1=H,φ2=
Lの場合(放電期間)、図2(b)はφ1=L,φ2=
Hの場合(充電期間)を表している。また、図2(a)
では最初のVINT の電位を(1/2)VEXT とし、コン
デンサC1,C2の容量を共にCとし、図2(b)では
図1のトランジスタのオン抵抗が非常に低く無視できる
ものとする。
2 (a) and 2 (b) are respectively shown in FIG. 1 (a).
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram when discharging and charging the step-down circuit in FIG. FIG. 2A shows the circuit of FIG. 1, where φ1 = H and φ2 =
In the case of L (discharge period), in FIG. 2B, φ1 = L, φ2 =
The case of H (charging period) is shown. In addition, FIG.
Then, the initial potential of V INT is set to (1/2) V EXT, and the capacitances of capacitors C1 and C2 are both set to C. In FIG. 2B, the on resistance of the transistor of FIG. 1 is extremely low and can be ignored. .

【0013】まず、図2(a)に示すように、負荷Zに
Δtの時間だけID の電流が流れると、コンデンサC
1,C2から失われる電荷ΔQは、 ΔQ=ID Δt である。よって、VINT の電圧の低下分ΔVは、 ΔV=ΔQ/2C=ID Δt/2C であるので、コンデンサC1,C2の両端の電圧VC1
C2は、 VC1=VC2=(1/2)VEXT −ΔV である。
First, as shown in FIG. 2A, when a current of I D flows through the load Z for a time of Δt, the capacitor C
The charge ΔQ lost from 1, C2 is ΔQ = I D Δt. Therefore, the decrease amount ΔV of the voltage of V INT is ΔV = ΔQ / 2C = ID Δt / 2C, and therefore the voltage V C1 across the capacitors C1 and C2,
V C2 is V C1 = V C2 = (1/2) V EXT −ΔV.

【0014】次に、図2(b)に示すように、充電状態
に切り換えると、コンデンサC1,C2は充電される。
このとき、コンデンサC1,C2の充電に要する電力は
前述した降圧回路で消費した電力と負荷Zの消費した電
力との和である。最初のB点の電位VB は、 VB =VC1+VC2=VEXT −2ΔV であり、B点がVEXT となるまでに回路全体で消費され
るエネルギーEA は、 EA =CVEXT ΔV=VEXT D Δt/2 である。また、Δtの期間に負荷Zの消費したエネルギ
ーEZは、 EZ =CVEXT ΔV−(1/4)CΔV2 であるから、降圧回路の消費電力PC は、 PC =(EA −EZ )/Δt =CΔV2 /4Δt =ΔVID /8 となる。従って、ΔV→0では、図1の回路の消費電力
は理想的には0となるので、従来の回路に比べて非常に
低損失であることがわかる。
Next, as shown in FIG. 2B, when the charging state is switched, the capacitors C1 and C2 are charged.
At this time, the electric power required to charge the capacitors C1 and C2 is the sum of the electric power consumed by the step-down circuit and the electric power consumed by the load Z. The potential V B at the first B point is V B = V C1 + V C2 = V EXT -2ΔV, energy E A point B is consumed by the entire circuit until VEXT is, E A = CV EXT [Delta] V = V EXT ID Δt / 2. The energy EZ consumed load Z during the Δt, since a E Z = CV EXT ΔV- (1/4 ) CΔV 2, the power consumption P C of the step-down circuit, P C = (E A -E Z ) / Δt = CΔV 2 / 4Δt = ΔVI D / 8. Therefore, when ΔV → 0, the power consumption of the circuit of FIG. 1 is ideally 0, and it can be seen that the loss is extremely low as compared with the conventional circuit.

【0015】要するに、本実施例においては、抵抗を使
わず、容量により入力電圧を分割しているので、理想的
には電力の損失を生じない。また、使用しない降圧部は
安定化容量として働くので、出力電圧を安定させること
ができる。
In short, in the present embodiment, since the input voltage is divided by the capacitance without using the resistor, ideally no power loss occurs. In addition, since the step-down unit that is not used works as a stabilizing capacitor, the output voltage can be stabilized.

【0016】図3(a),(b)はそれぞれ本発明の第
2の実施例を説明するための降圧回路の充電時および放
電時の各等価回路図である。図3(a)に示すように、
充電時はコンデンサC11,C12,…,C1nと、コ
ンデンサC21,C22,…,C2nと、…、コンデン
サCm1,Cm2,…,Cmnとを入力VEXT と接地間
に並列に接続する。また、図3(b)に示すように、放
電時はかかるアレイ上のコンデンサを出力VINT と接地
間に接続する。本実施例はかかる構成とすることによ
り、入出力の関係をVINT =(1/2)VEXT にするの
ではなく、VINT=(m/n)VEXT (m〈n、m,n
は整数)の関係を満たすような任意の出力VINT を発生
させることができる。
FIGS. 3A and 3B are equivalent circuit diagrams of the step-down circuit at the time of charging and discharging, respectively, for explaining the second embodiment of the present invention. As shown in FIG.
, C1n, capacitors C21, C22, ..., C2n, ..., Capacitors Cm1, Cm2, ..., Cmn are connected in parallel between the input V EXT and ground. Further, as shown in FIG. 3B, at the time of discharging, the capacitor on the array is connected between the output V INT and the ground. With this configuration, the present embodiment does not set the input / output relationship to V INT = (1/2) V EXT , but V INT = (m / n) V EXT (m <n, m, n
Can generate any output V INT that satisfies the relationship

【0017】図4は本発明の第3の実施例を示す半導体
降圧回路のブロック図である。図4に示すように、本実
施例は小容量降圧部1aおよび大容量降圧部1bと、こ
れらの降圧部1a,1bにクロックを供給するためのク
ロック発生回路2と、出力VINT および基準電圧Vref
を比較する比較器4と、この比較器4の出力に基ずきク
ロック発生回路2から大容量降圧部1bへのクロックの
供給を制御するラッチ回路3とを有している。特に、小
容量降圧部1aを構成するコンデンサの1つずつの容量
をC1、大容量降圧部1bのコンデンサの1つずつの容
量をC2としたとき、これらの間にはC1〈C2の関係
がある。また、基準電圧VREF はVREF=(m/n)V
EXT −ΔVとしておく。
FIG. 4 is a block diagram of a semiconductor step-down circuit showing a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in this embodiment, a small capacity step-down unit 1a and a large capacity step-down unit 1b, a clock generation circuit 2 for supplying a clock to these step-down units 1a and 1b, an output VINT and a reference voltage Vref.
And a latch circuit 3 that controls the supply of the clock from the clock generation circuit 2 to the large capacity step-down unit 1b based on the output of the comparator 4. In particular, when the capacitance of each of the capacitors forming the small-capacity step-down unit 1a is C1 and the capacitance of each of the capacitors of the large-capacity step-down unit 1b is C2, there is a relationship of C1 <C2 between them. is there. Further, the reference voltage V REF is V REF = (m / n) V
Set as EXT- ΔV.

【0018】まず、負荷の軽いときには、出力VINT
ほぼ(m/n)VEXT となるので、比較器4の出力はL
となり、大容量降圧部1bに供給されるクロックは停止
する。ここで、クロック停止状態における降圧部1bは
放電の状態になるようにしておく。この放電状態では、
大容量降圧部1bのコンデンサは安定化容量として働く
ので、出力VINT は安定になる。
First, when the load is light, the output V INT is almost (m / n) V EXT , so the output of the comparator 4 is L.
Therefore, the clock supplied to the large capacity step-down unit 1b is stopped. Here, the step-down unit 1b in the clock stopped state is set to the discharging state. In this discharge state,
Since the capacitor of the large capacity step-down unit 1b works as a stabilizing capacity, the output V INT becomes stable.

【0019】次に、負荷が重くなり、出力VINT の電圧
がΔV以上低下すると、比較器4の出力がHとなって大
容量降圧部1bにクロックを供給するので、大電力が得
られる。
Next, when the load becomes heavy and the voltage of the output V INT drops by ΔV or more, the output of the comparator 4 becomes H, and a clock is supplied to the large capacity step-down unit 1b, so that a large amount of power can be obtained.

【0020】図5(a),(b)はそれぞれ本発明の第
4の実施例を示す半導体降圧回路のブロック図およびそ
の回路のクロック信号のタイミング図である。図5
(a)に示すように、本実施例は前述した図4における
大容量降圧部1bをさらに2つの容量の等しい降圧部5
a,5bで構成した例である。また、図5(b)に示す
ように、クロックφ1,φ2に対してクロックφ1A,
φ2Aを1/2位相ずらすことにより、降圧部5a,5
bが交互に放電するようになり、出力を安定化すること
ができる。この大容量降圧部1bは、さらにk個の容量
の等しい降圧部5a,…,5kを用意し、それぞれの位
相を1/kずつずらせることにより安定度をさらに高め
ることができる。
FIGS. 5A and 5B are a block diagram of a semiconductor step-down circuit and a timing diagram of clock signals of the circuit, respectively, showing a fourth embodiment of the present invention. Figure 5
As shown in (a), in this embodiment, the large-capacity step-down unit 1b in FIG.
This is an example configured with a and 5b. Further, as shown in FIG. 5B, clocks φ1A,
By shifting φ2A by 1/2 phase, the step-down units 5a, 5
b is alternately discharged, and the output can be stabilized. The large-capacity step-down unit 1b can further improve the stability by preparing k step-down units 5a, ..., 5k having the same capacity and shifting the phases of each by 1 / k.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体降
圧回路は、コンデンサによって入力電圧を分割すること
により、理想的には損失をゼロにすることができるとい
う効果がある。また、本発明は数個の降圧部を並列に動
作させることにより、出力電圧を安定化でき、一方の降
圧部を使用しないときにはその降圧部を安定化容量とし
て機能させることができるので、一層出力を安定化させ
ることができるという効果がある。
As described above, the semiconductor voltage step-down circuit of the present invention has the effect of ideally reducing the loss to zero by dividing the input voltage by the capacitor. Further, according to the present invention, the output voltage can be stabilized by operating several step-down units in parallel, and when one of the step-down units is not used, the step-down unit can function as a stabilizing capacitor, so that the output is further improved. The effect is that it can be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す半導体降圧回路お
よびその回路のクロック信号のタイミングを表わす図で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor step-down circuit according to a first embodiment of the present invention and a timing of a clock signal of the circuit.

【図2】図1における降圧回路の放電時および充電時の
等価回路図である。
2 is an equivalent circuit diagram of the step-down circuit in FIG. 1 during discharging and charging.

【図3】本発明の第2の実施例を説明するための降圧回
路の充電時および放電時の等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram at the time of charging and discharging of a step-down circuit for explaining the second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施例を示す半導体降圧回路の
ブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a semiconductor step-down circuit showing a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施例を示す半導体降圧回路お
よびその回路のクロック信号のタイミングを表わす図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor voltage step-down circuit according to a fourth embodiment of the present invention and a timing of a clock signal of the circuit.

【図6】従来の一例を示す半導体降圧回路図である。FIG. 6 is a semiconductor step-down circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Tr1〜Tr5 MOSトランジスタ C1,C2,Cmn コンデンサ VEXT 外部入力電圧 VINT 出力電圧 Vref 基準電圧 1a 小容量降圧部 1b 大容量降圧部 2 クロック発生回路 3 ラッチ回路 4 比較器 5a,5b 降圧部Tr1 to Tr5 MOS transistors C1, C2, Cmn capacitor V EXT external input voltage V INT output voltage V ref reference voltage 1a small capacity step-down unit 1b large capacity step-down unit 2 clock generation circuit 3 latch circuit 4 comparator 5a, 5b step-down unit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 容量の等しいm×n個(m〈n、m,n
は整数)のコンデンサを用い、充電時はn個ずつ直列に
接続したものをm組並列に接続して入力電源により充電
し、放電時にはm個ずつ直列に接続したものをn組並列
に出力に接続して放電することにより、入力電圧のm/
nの電圧を出力することを特徴とする半導体降圧回路。
1. m × n pieces (m <n, m, n having the same capacity
Is an integer), when charging, n sets are connected in series and m sets are connected in parallel to be charged by the input power supply, and when discharging, m sets are connected in series and n sets are output in parallel. By connecting and discharging, the input voltage m /
A semiconductor step-down circuit that outputs a voltage of n.
【請求項2】 容量の大きなコンデンサからなる第1の
降圧部と容量の小さなコンデンサからなる第2の降圧部
とを並列に接続し、出力の負荷が軽いときには前記第1
の降圧部を放電状態に固定して安定化容量とすることに
より、前記第2の降圧部のみで出力を駆動し、出力の負
荷が重いときには前記第1および第2の降圧部の両方の
回路で出力を駆動する請求項1記載の半導体降圧回路。
2. A first step-down unit composed of a capacitor having a large capacity and a second step-down unit composed of a capacitor having a small capacity are connected in parallel, and when the output load is light, the first step-down unit is connected.
By fixing the step-down part of the circuit to a discharging state to provide a stabilizing capacitance, the output is driven only by the second step-down part, and when the output load is heavy, the circuits of both the first and second step-down parts are driven. 2. The semiconductor step-down circuit according to claim 1, wherein the output is driven by.
JP4183283A 1992-07-10 1992-07-10 Semiconductor step-down circuit Withdrawn JPH0628854A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4183283A JPH0628854A (en) 1992-07-10 1992-07-10 Semiconductor step-down circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4183283A JPH0628854A (en) 1992-07-10 1992-07-10 Semiconductor step-down circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0628854A true JPH0628854A (en) 1994-02-04

Family

ID=16132945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4183283A Withdrawn JPH0628854A (en) 1992-07-10 1992-07-10 Semiconductor step-down circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0628854A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08205524A (en) * 1995-01-27 1996-08-09 Nec Corp Voltage converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08205524A (en) * 1995-01-27 1996-08-09 Nec Corp Voltage converter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8098089B2 (en) Voltage booster
US7652863B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US7595616B2 (en) Control circuit for a polarity inverting buck-boost DC-DC converter
US7368900B2 (en) Constant voltage circuit and constant current source, amplifier, and power supply circuit using the same
US7859321B2 (en) Monitoring the temperature dependence of the external capacitors of a charge pump and improved charge pumps based thereon
US7348835B2 (en) Midpoint potential generating circuit for use in a semiconductor device
JPH06282987A (en) Apparatus for supply of electric power for integrated circuit
JP2000060110A (en) Drive control circuit for charge pump circuit
JP3234153B2 (en) Semiconductor device
US6285241B1 (en) Internal voltage boosting circuit
JP3566950B2 (en) Semiconductor device with booster circuit
JP5418112B2 (en) Charge pump circuit
JP5426357B2 (en) Boost circuit, boost method, and semiconductor device
JPH0628854A (en) Semiconductor step-down circuit
US20030025549A1 (en) Booster circuit capable of switching between a conventional mode and a low consumption current mode
US10126765B2 (en) Semiconductor device having internal voltage generating circuit
JPH09294367A (en) Voltage supply circuit
US20230221744A1 (en) Charge pump based low dropout regulator
JP2800741B2 (en) Power circuit
JPH09163719A (en) Stepdown circuit
US10770153B2 (en) Charge pump drive circuit with two switch signals
JPH07235181A (en) Improved bootstrap circuit
JPH07226075A (en) Semiconductor storage device
CN113258878B (en) Oscillator
JP2001318111A (en) Capacitance measuring circuit capacitance comparator and buffer circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19991005