JPH0628726A - Recording method for magneto-optical recording medium - Google Patents

Recording method for magneto-optical recording medium

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JPH0628726A
JPH0628726A JP18066092A JP18066092A JPH0628726A JP H0628726 A JPH0628726 A JP H0628726A JP 18066092 A JP18066092 A JP 18066092A JP 18066092 A JP18066092 A JP 18066092A JP H0628726 A JPH0628726 A JP H0628726A
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JP
Japan
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thin film
magnetic thin
magnetic
temperature
magneto
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Application number
JP18066092A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Igarashi
康 一 五十嵐
Kenji Odakawa
健 二 小田川
Mitsuru Sakai
井 充 酒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enable the increase of the Curie temp. of a first magnetic thin film in the state of a single layer and to improve the C/N of the recording medium by using a magnetic thin film having the temp. characteristic curve of a specific effective magnetic anisotropy constant as a third magnetic thin film. CONSTITUTION:This magneto-optical recording medium 10 has magnetic layers 15 constituted by laminating the first magnetic thin film 11 having perpendicular magnetic anisotropy, the second magnetic thin film and the third magnetic thin film 13 held by the first magnetic thin film 11 and the second magnetic thin film 12 on a substrate 14. This third magnetic thin film 13 has the higher effective magnetic anisotropy than the effective magnetic anisotropy of the first magnetic thin film 11 at the temp. Tcross where the temp. characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant of the third magnetic thin film and the temp. characteristic curve of the effective magnetic anisotropy of the first magnetic thin film 11 intersect or above. The increase of the Curie temp. Tcl of the first magnetic thin film 11 in the state of the single layer is, therefore, possible and the C/N of the magneto-optical recording medium 10 is improved by increasing a Kerr rotating angle.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の技術分野】本発明は、光磁気記録媒体の記録方
法に関し、さらに詳しくは、レーザー光照射などによる
媒体の加熱温度を切替え制御することにより光磁気記録
媒体に記録を行う光磁気記録媒体の記録方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording method for a magneto-optical recording medium, and more specifically, a magneto-optical recording medium for recording on the magneto-optical recording medium by switching and controlling the heating temperature of the medium by laser beam irradiation. The recording method of.

【0002】[0002]

【発明の技術的背景】光磁気相互作用によって情報ピッ
ト(磁区)の読み出しを行う光磁気記録方法では、垂直
磁化膜からなる磁性薄膜を有する記録媒体に対し、その
磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃えるいわゆる
初期化を施しておき、この磁化方向と反対向きの垂直磁
化を有する磁区をレーザー光照射などの局部加熱手段に
より形成することによって、2値化された情報ピットと
して情報を記録している。
2. Description of the Related Art In a magneto-optical recording method for reading information pits (magnetic domains) by magneto-optical interaction, a magnetization direction of a recording medium having a magnetic thin film made of a perpendicular magnetization film is perpendicular to the film surface. In this case, a so-called initialization for pre-aligning in one direction is performed, and a magnetic domain having perpendicular magnetization in the opposite direction to this magnetization direction is formed by a local heating means such as laser light irradiation. Is recorded.

【0003】このような光磁気記録媒体では、記録され
た情報を書換える際には、情報の書換に先立ち、記録さ
れた情報の消去(上記初期化に相当)の過程、すなわち
消去のための時間を要するため、高い転送レートでの記
録ができないという問題がある。そこで、このような独
立の消去過程が不必要な重ね書きによる記録方法、いわ
ゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案され
ている。このオーバーライト方式の中で有望視されてい
る方法としては、外部磁界変調法、記録用のヘッドの他
に消去用ヘッドを設ける2ヘッド法、レーザー光照射な
どによる媒体の加熱温度を切り替え制御するのみで書換
えを行う方法などがある。
In such a magneto-optical recording medium, when rewriting the recorded information, prior to the rewriting of the information, a process of erasing the recorded information (corresponding to the above initialization), that is, for erasing is performed. Since it takes time, there is a problem that recording cannot be performed at a high transfer rate. Therefore, various recording methods by overwriting, which do not require such an independent erasing process, so-called overwriting method, have been proposed. Promising methods among the overwrite methods include an external magnetic field modulation method, a two-head method in which an erasing head is provided in addition to a recording head, and heating control of a medium by laser light irradiation or the like is controlled to be switched. There is a method of rewriting only by itself.

【0004】外部磁界変調法とは、例えば特公昭60−
48806号公報に開示されているように、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に
対する昇温用ビームの照射領域に、入力デジタル信号電
流に対応する極性の磁場を印加することにより記録を行
うものである。ところが、このような外部磁場変調法に
よって高い転送レートで記録を行おうとすると、例えば
MHzオーダーで動作する電磁石が必要となる。しか
し、このような電磁石の製作は困難であり、たとえ製作
できたとしても消費電力量および発熱量が大きく実用的
でないという問題点がある。
The external magnetic field modulation method is, for example, Japanese Patent Publication No. 60-
As disclosed in Japanese Patent No. 48806, a magnetic field having a polarity corresponding to an input digital signal current is applied to an irradiation region of a heating beam on an amorphous ferrimagnetic thin film recording medium having an easy axis of magnetization perpendicular to a film surface. Recording is performed by applying the voltage. However, in order to perform recording at a high transfer rate by such an external magnetic field modulation method, an electromagnet that operates in the MHz order, for example, is required. However, it is difficult to manufacture such an electromagnet, and even if it can be manufactured, the power consumption and the amount of heat generation are large, which is not practical.

【0005】また、2ヘッド法では、記録用ヘッド以外
の余分なヘッドを必要とし、2つのヘッドを離して設置
しなければならず、ドライブシステムへの負担が大き
く、経済性も悪く、量産にも向かないなどの問題点を有
している。
Further, in the two-head method, an extra head other than the recording head is required, and the two heads must be set apart from each other, which imposes a heavy burden on the drive system, is economically unfavorable, and is suitable for mass production. It has problems such as not being suitable.

【0006】レーザー光等による媒体の加熱温度を切り
替え制御するのみで書換えを行う方法とは、例えば特開
平2−24801号公報に開示されているように、第1
磁性薄膜および第2磁性薄膜が、第3磁性薄膜を介して
順次磁気的に結合されて積層された積層膜において、第
1磁性薄膜のキュリー温度以上でかつ第2磁性薄膜の磁
気モーメントの反転の生じない温度に加熱する第1加熱
状態と、第1磁性薄膜のキュリー温度以上でかつ第2磁
性薄膜の磁気モーメントを反転させるのに充分な温度に
加熱する第2加熱状態とを、記録しようとする情報信号
に応じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却すること
により熱磁気記録媒体に記録磁化を形成する方法であ
る。この方式では、第1加熱温度が第2磁性薄膜の磁気
モーメントが反転する温度から充分低い温度であること
が必要であり、かつ第1磁性薄膜のキュリー温度が、第
1加熱状態での温度以下であることが必要となる。
A method of performing rewriting only by switching and controlling the heating temperature of a medium by a laser beam or the like is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-24801.
In a laminated film in which a magnetic thin film and a second magnetic thin film are sequentially magnetically coupled to each other through a third magnetic thin film and laminated, a reversal of the magnetic moment of the second magnetic thin film at the Curie temperature of the first magnetic thin film or more An attempt is made to record a first heating state in which it is heated to a temperature that does not occur and a second heating state in which it is heated to a temperature above the Curie temperature of the first magnetic thin film and sufficient to reverse the magnetic moment of the second magnetic thin film. It is a method of forming recording magnetization in the thermomagnetic recording medium by modulating the information in accordance with the information signal and cooling from each heating state. In this method, the first heating temperature needs to be sufficiently lower than the temperature at which the magnetic moment of the second magnetic thin film is reversed, and the Curie temperature of the first magnetic thin film is equal to or lower than the temperature in the first heating state. It is necessary to be.

【0007】ところで、読み出し信号の大きさは、第1
磁性薄膜の有するカー回転角に比例するため、第1磁性
薄膜の有するカー回転角は大きいほど好ましい。希土類
−遷移金属薄膜のカー回転角は、そのキュリー温度に依
存し、キュリー温度が高いほどカー回転角も大きくなる
ことが、例えば、電子情報技術報告 vol85 MR85
−47、P17に示されている。したがって、この方式
では、第1磁性薄膜のキュリー温度を高くすることがで
きないため、カー回転角を大きくし、C/N比を上げる
ことができないという問題点がある。
By the way, the magnitude of the read signal is the first
Since the Kerr rotation angle of the magnetic thin film is proportional to the Kerr rotation angle of the first magnetic thin film, the larger Kerr rotation angle is preferable. The Kerr rotation angle of a rare earth-transition metal thin film depends on its Curie temperature, and the higher the Curie temperature, the larger the Kerr rotation angle. For example, see Electronic Information Technology Report vol85 MR85.
-47, P17. Therefore, this method has a problem that the Curie temperature of the first magnetic thin film cannot be increased and thus the Kerr rotation angle cannot be increased and the C / N ratio cannot be increased.

【0008】この問題を解決する方法としては、例え
ば、特開昭63−48637公報に開示されているよう
な、第1磁性薄膜上に再生層としてキュリー温度が高い
再生層すなわちカー回転角の大きい再生層を設けるとい
う方法や、特開平2−187947号公報に開示されて
いるような、カー回転角を大きくするか、あるいは、記
録ピットの安定性を向上させるため、第1磁性薄膜を多
層にする方法が提案されている。しかし、このような第
1磁性薄膜を多層化することによりカー回転角の向上を
図る方法は、製造設備が複雑となり、またトータルの磁
性薄膜の膜厚を厚くすることになる。
As a method for solving this problem, for example, a reproducing layer having a high Curie temperature as a reproducing layer on the first magnetic thin film, that is, a Kerr rotation angle is large, as disclosed in JP-A-63-48637. In order to increase the Kerr rotation angle or to improve the stability of recording pits as disclosed in JP-A-2-187947, a method of providing a reproducing layer is used to form the first magnetic thin film in a multilayer structure. The method of doing is proposed. However, the method of improving the Kerr rotation angle by forming the first magnetic thin film in a multilayer structure complicates the manufacturing equipment and increases the total thickness of the magnetic thin film.

【0009】[0009]

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、第3磁性薄膜として、その有
効磁気異方性定数K3 と第1磁性薄膜の有効磁気異方性
定数K1 の温度特性曲線とが、第2磁性薄膜の磁気モー
メントの反転が生じない温度Tcross で交差し、かつ、
温度Tcross 以上で第3磁性薄膜の有効磁気異方性定数
K3 が第1磁性薄膜の有効磁気異方性定数K1 より大き
くなるような磁性薄膜を用いることにより、第1加熱状
態を第1磁性薄膜のキュリー温度Tc1以下でも書換え可
能となるようにして、第1磁性薄膜のキュリー温度Tc1
を単層のまま高くすることを可能とし、光磁気記録媒体
のC/N比を向上させることができるような光磁気記録
媒体を提供することを目的としている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art. The third magnetic thin film has an effective magnetic anisotropy constant K3 and an effective magnetic anisotropy of the first magnetic thin film. The temperature characteristic curve of the constant K1 intersects at a temperature Tcross at which the reversal of the magnetic moment of the second magnetic thin film does not occur, and
By using the magnetic thin film such that the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film is higher than the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film at the temperature Tcross or higher, the first heating state is changed to the first magnetic thin film. The Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film is set to be rewritable even at a Curie temperature Tc1 of
It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium capable of increasing the thickness of a single layer and improving the C / N ratio of the magneto-optical recording medium.

【0010】[0010]

【発明の概要】本発明に係る光磁気記録媒体の記録方法
は、垂直磁気異方性を有する第1磁性薄膜と、垂直磁気
異方性を有する第2磁性薄膜と、第1および第2磁性薄
膜に挟まれた第3磁性薄膜からなる磁性膜層を有する光
磁気記録媒体であって、上記第3磁性薄膜が、その有効
磁気異方性定数K3 の温度特性曲線と上記第1磁性薄膜
の有効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線とが交差する
温度Tcross 以上で、上記第1磁性薄膜に比べて大きい
有効磁気異方性を有する光磁気記録媒体を用い、記録し
ようとする情報信号に応じて、上記温度Tcross 以上
で、かつ上記第2磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生
じない温度T1 に加熱する第1加熱状態と、上記温度T
cross 以上でかつ上記第2磁性薄膜の磁気モーメントを
反転させるに充分な温度T2 に加熱する第2加熱状態と
に、光磁気記録媒体を加熱し、上記第1加熱状態または
第2加熱状態から冷却することにより、上記第1磁性薄
膜を第2磁性薄膜の磁化に追従させて磁化形成をするこ
とを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION A recording method for a magneto-optical recording medium according to the present invention comprises a first magnetic thin film having perpendicular magnetic anisotropy, a second magnetic thin film having perpendicular magnetic anisotropy, and first and second magnetic thin films. A magneto-optical recording medium having a magnetic film layer composed of a third magnetic thin film sandwiched between thin films, wherein the third magnetic thin film has a temperature characteristic curve of its effective magnetic anisotropy constant K3 and the first magnetic thin film. A magneto-optical recording medium having an effective magnetic anisotropy larger than that of the first magnetic thin film above the temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 intersects is used to record an information signal to be recorded. Accordingly, the first heating state in which the temperature is not lower than the temperature Tcross and is not higher than the temperature T1 at which the reversal of the magnetic moment of the second magnetic thin film does not occur;
The magneto-optical recording medium is heated to a second heating state in which the magnetic moment of the second magnetic thin film is equal to or more than the cross temperature and is sufficient to reverse the magnetic moment of the second magnetic thin film, and the magneto-optical recording medium is cooled from the first heating state or the second heating state. By doing so, the above-mentioned first magnetic thin film is made to follow the magnetization of the second magnetic thin film to form magnetization.

【0011】本発明では、上記第1加熱状態の温度T1
がTcross 以上であり、かつ第1磁性薄膜のキュリー温
度Tc1未満であることが好ましく、また、上記第1加熱
状態の温度T1 がTcross 以上であり、かつ第1磁性薄
膜のキュリー温度Tc1未満であり、かつ第3磁性膜のキ
ュリー温度Tc3未満であることが好ましい。
In the present invention, the temperature T1 in the first heating state is
Is Tcross or more and less than the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film, and the temperature T1 in the first heating state is Tcross or more and less than the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film. It is preferable that the Curie temperature of the third magnetic film is less than Tc3.

【0012】このような本発明によれば、第1加熱状態
の温度T1 を、第1磁性薄膜のキュリー温度Tc1未満の
温度とすることが可能であるため、第1磁性薄膜のキュ
リー温度Tc1を高くすることができ、第1磁性薄膜のカ
ー回転角を大きくして、光磁気記録媒体のC/N比を向
上させることができる。
According to the present invention as described above, since the temperature T1 in the first heating state can be set to a temperature lower than the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film, the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film is set. The Kerr rotation angle of the first magnetic thin film can be increased and the C / N ratio of the magneto-optical recording medium can be improved.

【0013】[0013]

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光磁気記録媒
体の記録方法について具体的に説明する。図1は、本発
明で用いられる光磁気記録媒体の一例を示す概略断面図
である。本発明で用いられる光磁気記録媒体10は、例
えば、図1に示すように基板14上に第1磁性薄膜1
1、第3磁性薄膜13および第2磁性薄膜12がこの順
序で積層されてなる磁性膜層15を有している。すなわ
ち光磁気記録媒体10は、基板14上に、垂直磁気異方
性を有する第1磁性薄膜11と、垂直磁気異方性を有す
る第2磁性薄膜12と、第1磁性薄膜11および第2磁
性薄膜12に挟まれた第3磁性薄膜13とからなる磁性
膜層15を有し、この第3磁性薄膜13は、その有効磁
気異方性定数K3 の温度特性曲線と上記第1磁性薄膜1
1の有効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線とが交差す
る温度Tcross 以上で、上記第1磁性薄膜11に比べて
大きい有効磁気異方性を有している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The recording method of the magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically described below. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a magneto-optical recording medium used in the present invention. The magneto-optical recording medium 10 used in the present invention is, for example, a first magnetic thin film 1 on a substrate 14 as shown in FIG.
It has a magnetic film layer 15 in which the first, third magnetic thin film 13 and second magnetic thin film 12 are laminated in this order. That is, the magneto-optical recording medium 10 includes the first magnetic thin film 11 having perpendicular magnetic anisotropy, the second magnetic thin film 12 having perpendicular magnetic anisotropy, the first magnetic thin film 11 and the second magnetic thin film on the substrate 14. It has a magnetic film layer 15 consisting of a third magnetic thin film 13 sandwiched between thin films 12, and this third magnetic thin film 13 has a temperature characteristic curve of its effective magnetic anisotropy constant K3 and the first magnetic thin film 1 described above.
Above the temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of 1 intersects, the effective magnetic anisotropy is larger than that of the first magnetic thin film 11.

【0014】このような光磁気記録媒体10は、上記の
第1ないし第3磁性薄膜からなる磁性膜層15に加え
て、エンハンス膜(保護膜)、金属膜などを有していて
もよく、例えば下記のような構造であってもよい。
The magneto-optical recording medium 10 as described above may have an enhance film (protective film), a metal film, etc. in addition to the magnetic film layer 15 composed of the first to third magnetic thin films. For example, the following structure may be used.

【0015】すなわち、基板14の側からレーザー光が
照射される場合には、 (A)基板/エンハンス膜(保護膜)/第1磁性薄膜/
第3磁性薄膜/第2磁性薄膜 (B)基板/第1磁性薄膜/第3磁性薄膜/第2磁性薄
膜/金属膜 (C)基板/エンハンス膜(保護膜)/第1磁性薄膜/
第3磁性薄膜/第2磁性薄膜/金属膜 (D)基板/エンハンス膜(保護膜)/第1磁性薄膜/
第3磁性薄膜/第2磁性薄膜/エンハンス膜(保護膜)
/金属膜 などの構造を挙げることができる。
That is, when laser light is irradiated from the side of the substrate 14, (A) substrate / enhancement film (protective film) / first magnetic thin film /
Third magnetic thin film / second magnetic thin film (B) substrate / first magnetic thin film / third magnetic thin film / second magnetic thin film / metal film (C) substrate / enhancement film (protective film) / first magnetic thin film /
Third magnetic thin film / second magnetic thin film / metal film (D) substrate / enhancement film (protective film) / first magnetic thin film /
Third magnetic thin film / second magnetic thin film / enhancement film (protective film)
/ A structure such as a metal film can be mentioned.

【0016】基板14とは反対側の表面にレーザー光が
照射される場合には、 (E)基板/エンハンス膜(保護膜)/第2磁性薄膜/
第3磁性薄膜/第1磁性薄膜 (F)基板/金属膜/第2磁性薄膜/第3磁性薄膜/第
1磁性薄膜記録層 (G)基板/保護膜/金属膜/第2磁性薄膜/第3磁性
薄膜/第1磁性薄膜 (H)基板/保護膜/金属膜/第2磁性薄膜/第3磁性
薄膜/第1磁性薄膜/エンハンス膜(保護膜) などの構造を挙げることができる。
When the surface opposite to the substrate 14 is irradiated with laser light, (E) substrate / enhancement film (protective film) / second magnetic thin film /
Third magnetic thin film / first magnetic thin film (F) substrate / metal film / second magnetic thin film / third magnetic thin film / first magnetic thin film recording layer (G) substrate / protective film / metal film / second magnetic thin film / second Examples include a structure of 3 magnetic thin film / first magnetic thin film (H) substrate / protective film / metal film / second magnetic thin film / third magnetic thin film / first magnetic thin film / enhancement film (protective film).

【0017】また、これらの光磁気記録媒体の最外層に
耐傷性を付与するための保護コートや保護ラベルを形成
したような構造のものが可能となる。次に、本発明で用
いられる光磁気記録媒体を構成する、基板、第1〜第3
磁性薄膜、エンハンス膜(保護膜)、金属膜について具
体的に説明する。
Further, it is possible to have a structure in which a protective coat or a protective label for imparting scratch resistance is formed on the outermost layer of these magneto-optical recording media. Next, the substrate, the first to the third, which constitute the magneto-optical recording medium used in the present invention
The magnetic thin film, the enhancement film (protective film), and the metal film will be specifically described.

【0018】基板14としては、ガラスやアルミニウム
等の無機材料の他に、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロ
イ、米国特許第4,614,778号明細書に示されるような非
晶質エチレン−環状オレフィン共重合体、例えば、エチ
レンと1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒ
ドロナフタレン(テトラシクロドデセン)との共重合
体、エチレンと2-メチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4
a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン(メチルテトラシク
ロドデセン)との共重合体、エチレンと2-エチル-1,4,
5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタ
レンとの共重合体など、またはポリ4-メチル-1-ペンテ
ン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサル
フォン、ポリエーテルイミド等の有機材料などが使用で
きる。このような基板14の厚さは、特に限定されない
が、通常0.5mm〜5mm、好ましくは1mm〜2m
mである。
As the substrate 14, in addition to inorganic materials such as glass and aluminum, acrylic resin, polycarbonate, polymer alloy of polycarbonate and polystyrene, and amorphous ethylene-cyclic olefin as shown in US Pat. No. 4,614,778. Copolymer, for example, a copolymer of ethylene and 1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-octahydronaphthalene (tetracyclododecene), ethylene And 2-methyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4
Copolymer with a, 5,8,8a-octahydronaphthalene (methyltetracyclododecene), ethylene and 2-ethyl-1,4,
5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a, 5,8,8a-copolymer with octahydronaphthalene or the like, or poly 4-methyl-1-pentene, epoxy resin, polyether sulfone, Organic materials such as polysulfone and polyetherimide can be used. The thickness of the substrate 14 is not particularly limited, but is usually 0.5 mm to 5 mm, preferably 1 mm to 2 m.
m.

【0019】第1磁性薄膜11としては、垂直磁気異方
性が大きな磁性薄膜が用いられる。このような磁性薄膜
としては、3d遷移金属と希土類元素との合金膜が例示
できる。ここで3d遷移元素として具体的には、例え
ば、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cuが挙げ
られ、好ましくはFe、Coである。また希土類元素と
して具体的には、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Y
b、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu
が挙げられ、好ましくはGd、Tb、Nd、Dyであ
る。
As the first magnetic thin film 11, a magnetic thin film having a large perpendicular magnetic anisotropy is used. An example of such a magnetic thin film is an alloy film of a 3d transition metal and a rare earth element. Specific examples of the 3d transition element include Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu, and Fe and Co are preferable. Further, as the rare earth element, specifically, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Y
b, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu
And preferred are Gd, Tb, Nd and Dy.

【0020】このような第1磁性薄膜11に用いられる
磁性薄膜のさらに具体的な例としては、Tbx(Fey
100-y100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただ
し、xは15<x<30(原子比)の範囲であり、yは
0<y<100(原子比)の範囲である。また、本発明
では上記一般式中、Tbに代えてGd、Dy、Ndなど
の他の希土類元素を用いた磁性薄膜を用いることもで
き、また、Tbに代えてTb、Gd、Dy、Ndなどの
希土類元素を2種以上組み合わせて用いた磁性薄膜を用
いることもできる。さらに、他の遷移金属やその他の元
素を添加することもできる。
A more specific example of the magnetic thin film used for the first magnetic thin film 11 is Tb x (Fe y C
o 100-y ) 100-x magnetic thin film. However, x is in the range of 15 <x <30 (atomic ratio), and y is in the range of 0 <y <100 (atomic ratio). Further, in the present invention, in the above general formula, a magnetic thin film using another rare earth element such as Gd, Dy, Nd instead of Tb can be used, and Tb, Gd, Dy, Nd, etc. can be used instead of Tb. It is also possible to use a magnetic thin film using a combination of two or more kinds of the rare earth elements. Further, other transition metals and other elements can be added.

【0021】本発明で用いられる第1磁性薄膜11のキ
ュリー温度(Tc1)は、第2磁性薄膜12のキュリー温
度(Tc2)よりも高くすることも可能であり、具体的に
は100〜400℃の範囲にあることが望ましく、特に
好ましくは150〜300℃の範囲にあることが望まし
い。また、第1磁性薄膜11の室温での保磁力(Hc1)
は、第2磁性薄膜12の保磁力(Hc2)よりも高く、具
体的には3.0kOe以上、好ましくは10.0kOe以上で
あることが望ましい。
The Curie temperature (Tc1) of the first magnetic thin film 11 used in the present invention can be set higher than the Curie temperature (Tc2) of the second magnetic thin film 12, specifically, 100 to 400 ° C. Is preferably in the range of 150 to 300 ° C., and particularly preferably in the range of 150 to 300 ° C. In addition, the coercive force (Hc1) of the first magnetic thin film 11 at room temperature
Is higher than the coercive force (Hc2) of the second magnetic thin film 12, specifically, 3.0 kOe or more, preferably 10.0 kOe or more.

【0022】このような第1磁性薄膜11の膜厚は、通
常100〜1000Åの範囲にあることが望ましく、特
に好ましくは200〜500Åの範囲にあることが望ま
しい。
The thickness of the first magnetic thin film 11 is usually in the range of 100 to 1000Å, preferably in the range of 200 to 500Å.

【0023】第2磁性薄膜12としては、垂直磁気異方
性が大きな磁性薄膜が用いられる。このような磁性薄膜
としては、3d遷移金属と希土類元素との合金膜が例示
できる。ここで3d遷移元素として具体的には、例え
ば、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cuが挙げ
られ、好ましくはFe、Coである。また希土類元素と
して具体的には、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Y
b、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu
が挙げられ、好ましくはGd、Tb、Nd、Dyであ
る。
As the second magnetic thin film 12, a magnetic thin film having a large perpendicular magnetic anisotropy is used. An example of such a magnetic thin film is an alloy film of a 3d transition metal and a rare earth element. Specific examples of the 3d transition element include Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu, and Fe and Co are preferable. Further, as the rare earth element, specifically, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Y
b, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu
And preferred are Gd, Tb, Nd and Dy.

【0024】このような第2磁性薄膜12に用いられる
磁性薄膜の具体的な例としては、Tbx(FeyCo
100-y100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただし、
xは10<x<23(原子比)またはxは25<x<4
0(原子比)の範囲であり、yは0<y<100(原子
比)の範囲である。また、本発明では上記一般式中、T
bに代えてGd、Dy、Ndなどの他の希土類元素を用
いた磁性薄膜を用いることもでき、また、Tbに代えて
Tb、Gd、Dy、Ndなどの希土類元素を2種以上組
み合わせて用いた磁性薄膜を用いることもできる。さら
に、他の遷移金属やその他の元素を添加することもでき
る。
A specific example of the magnetic thin film used for the second magnetic thin film 12 is Tb x (Fe y Co).
100-y ) A magnetic thin film made of 100-x can be mentioned. However,
x is 10 <x <23 (atomic ratio) or x is 25 <x <4
The range is 0 (atomic ratio), and y is in the range 0 <y <100 (atomic ratio). In the present invention, in the above general formula, T
It is also possible to use a magnetic thin film using another rare earth element such as Gd, Dy, Nd instead of b, or to use two or more kinds of rare earth elements such as Tb, Gd, Dy, Nd instead of Tb. It is also possible to use a magnetic thin film. Further, other transition metals and other elements can be added.

【0025】本発明で用いられる第2磁性薄膜12のキ
ュリー温度(Tc2)は、具体的には200〜500℃の
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは250〜4
00℃の範囲にあることが望ましい。また第2磁性薄膜
12の室温での保磁力(Hc2)は、0.5〜3.0kOeの
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは1.0〜2.
0kOeの範囲にあることが望ましい。
The Curie temperature (Tc2) of the second magnetic thin film 12 used in the present invention is preferably in the range of 200 to 500 ° C., particularly preferably 250 to 4
It is preferably in the range of 00 ° C. The coercive force (Hc2) of the second magnetic thin film 12 at room temperature is preferably in the range of 0.5 to 3.0 kOe, and particularly preferably 1.0 to 2.0.
It is desirable to be in the range of 0 kOe.

【0026】このような第2磁性薄膜12の膜厚は、通
常300〜1500Åの範囲にあることが望ましく、特
に好ましくは400〜800Åの範囲にあることが望ま
しい。
The thickness of the second magnetic thin film 12 is preferably in the range of 300 to 1500Å, particularly preferably in the range of 400 to 800Å.

【0027】第3磁性薄膜13としては、その有効磁気
異方性定数K3 の温度特性曲線と第1磁性薄膜11の有
効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線とが交差する温度
Tcross 以上で、上記第1磁性薄膜11に比べて大きい
有効磁気異方性を有する磁性薄膜が用いられる。
The third magnetic thin film 13 has a temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of its effective magnetic anisotropy constant K3 and the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 cross each other, and A magnetic thin film having an effective magnetic anisotropy larger than that of the first magnetic thin film 11 is used.

【0028】このような磁性薄膜としては、3d遷移金
属と希土類元素との合金膜を例示できる。ここで3d遷
移元素として具体的には、例えば、Ti、Cr、Mn、
Fe、Co、Ni、Cuが挙げられ、好ましくはFe、
Coである。また希土類元素として具体的には、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu、La、Ce、P
r、Nd、Pm、Sm、Euが挙げられ、好ましくはG
d、Tb、Nd、Dyである。
An example of such a magnetic thin film is an alloy film of a 3d transition metal and a rare earth element. Here, as the 3d transition element, specifically, for example, Ti, Cr, Mn,
Fe, Co, Ni, Cu can be mentioned, preferably Fe,
It is Co. Further, as the rare earth element, specifically, Gd,
Tb, Dy, Ho, Er, Yb, Lu, La, Ce, P
r, Nd, Pm, Sm and Eu are mentioned, and preferably G
d, Tb, Nd and Dy.

【0029】このような第3磁性薄膜13に用いられる
磁性薄膜の具体的な例としては、Tbx(FeyCo
100-y100-xからなる磁性薄膜が挙げられる。ただし、
xは25<x<50(原子比)の範囲であり、yは0<
y<100(原子比)の範囲である。また、本発明では
上記一般式中、Tbに代えてGd、Dy、Ndなどの他
の希土類元素を用いた磁性薄膜を用いることもでき、ま
た、Tb、Gd、Dy、Ndなどの希土類元素を2種以
上組み合わせて用いた磁性薄膜を用いることもできる。
さらに、他の遷移金属やその他の元素を添加することも
できる。
A specific example of the magnetic thin film used for the third magnetic thin film 13 is Tb x (Fe y Co).
100-y ) A magnetic thin film made of 100-x can be mentioned. However,
x is in the range of 25 <x <50 (atomic ratio), and y is 0 <
The range is y <100 (atomic ratio). Further, in the present invention, a magnetic thin film using another rare earth element such as Gd, Dy and Nd in place of Tb in the above general formula may be used, and a rare earth element such as Tb, Gd, Dy and Nd may be used. It is also possible to use magnetic thin films that are used in combination of two or more kinds.
Further, other transition metals and other elements can be added.

【0030】本発明で用いられる第3磁性薄膜13のキ
ュリー温度(Tc3)は、具体的には100〜500℃の
範囲にあることが望ましく、特に好ましくは200〜4
00℃の範囲にあることが望ましい。また第3磁性薄膜
13の室温での保磁力(Hc3)は、0〜1.0kOeの範
囲にあることが望ましく、特に好ましくは0〜0.5kO
eの範囲にあることが望ましい。
The Curie temperature (Tc3) of the third magnetic thin film 13 used in the present invention is preferably in the range of 100 to 500 ° C., particularly preferably 200 to 4
It is preferably in the range of 00 ° C. The coercive force (Hc3) of the third magnetic thin film 13 at room temperature is preferably in the range of 0 to 1.0 kOe, particularly preferably 0 to 0.5 kOe.
It is desirable to be in the range of e.

【0031】このような第3磁性薄膜13の膜厚は、通
常50〜500Åの範囲にあることが望ましく、特に好
ましくは100〜300Åの範囲にあることが望まし
い。本発明では、図2に示すように第1磁性薄膜11の
有効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線と第3磁性薄膜
13の有効磁気異方性定数K3 の温度特性曲線が、第2
磁性薄膜12の磁気モーメントの反転が生じない温度で
交差し、かつ第3磁性薄膜13の有効磁気異方性定数K
3 の温度特性曲線と上記第1磁性薄膜11の有効磁気異
方性定数K1 の温度特性曲線とが交差する温度Tcross
以上で、第1磁性薄膜11に比べて大きい垂直磁気異方
性を有し、かつ第3磁性薄膜13のキュリー温度Tc3
が、第1磁性薄膜11のキュリー温度Tc1未満であるよ
うな第3磁性薄膜13が用いられるか、あるいは図3に
示すように第1磁性薄膜11の有効磁気異方性定数K1
の温度特性曲線と第3磁性薄膜13の有効磁気異方性定
数K3 の温度特性曲線が、第2磁性薄膜12の磁気モー
メントの反転が生じない温度で交差し、かつ第3磁性薄
膜13の有効磁気異方性定数K3 の温度特性曲線と上記
第1磁性薄膜11の有効磁気異方性定数K1 の温度特性
曲線とが交差する温度Tcross 以上で、第1磁性薄膜1
1に比べて大きい垂直磁気異方性を有するような第3磁
性薄膜13が用いられる。本発明では、Tcross 以上の
温度における第3磁性薄膜13の有効磁気異方性定数K
3 と第1磁性薄膜11の有効磁気異方性定数K1 との差
(K3 −K1 )の最大値が1.0×104 erg/cc以上と
なるような第1磁性薄膜および第3磁性薄膜を用いるこ
とが好ましい。
The thickness of the third magnetic thin film 13 is preferably in the range of 50 to 500 Å, particularly preferably in the range of 100 to 300 Å. In the present invention, as shown in FIG. 2, the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 and the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film 13 are
The effective magnetic anisotropy constant K of the third magnetic thin film 13 intersects at a temperature at which the reversal of the magnetic moment of the magnetic thin film 12 does not occur.
The temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of 3 and the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 intersect.
As described above, the Curie temperature Tc3 of the third magnetic thin film 13 has a larger perpendicular magnetic anisotropy than that of the first magnetic thin film 11.
However, a third magnetic thin film 13 having a Curie temperature Tc1 lower than that of the first magnetic thin film 11 is used, or, as shown in FIG. 3, an effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 is used.
And the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film 13 intersect at a temperature at which the reversal of the magnetic moment of the second magnetic thin film 12 does not occur, and the effective magnetic anisotropy of the third magnetic thin film 13 is effective. Above the temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of the magnetic anisotropy constant K3 and the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 cross each other, the first magnetic thin film 1
The third magnetic thin film 13 having a perpendicular magnetic anisotropy larger than that of 1 is used. In the present invention, the effective magnetic anisotropy constant K of the third magnetic thin film 13 at a temperature of Tcross or higher is used.
3 and the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 (K3 -K1) has a maximum value of 1.0 x 10 4 erg / cc or more. Is preferably used.

【0032】第3磁性薄膜13は、温度Tcross 以上で
第1磁性薄膜11に比べて大きい垂直磁気異方性を有し
ているので、第1磁性薄膜11のキュリー温度Tc1未満
の温度でも第1磁性薄膜11の磁化方向を第2磁性薄膜
12の磁化方向と同一にすることができる。このため、
第1磁性薄膜11のキュリー温度Tc1を高くすることが
でき、カー回転角を大きくして、光磁気記録媒体のC/
N比を上げることができる。
Since the third magnetic thin film 13 has a perpendicular magnetic anisotropy larger than that of the first magnetic thin film 11 at the temperature Tcross or more, the first magnetic thin film 11 has the first perpendicular magnetic anisotropy at a temperature lower than the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film 11. The magnetization direction of the magnetic thin film 11 can be made the same as the magnetization direction of the second magnetic thin film 12. For this reason,
The Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film 11 can be increased, the Kerr rotation angle can be increased, and the C / C of the magneto-optical recording medium can be increased.
The N ratio can be increased.

【0033】なお、情報記録時の第1加熱状態の温度T
1 は、第3有効磁気異方性定数K3と第1磁性薄膜11
の有効磁気異方性定数K1 との差(K3 −K1 )が最大
になる温度であることが好ましい。
The temperature T in the first heating state during information recording
1 is the third effective magnetic anisotropy constant K3 and the first magnetic thin film 11
It is preferable that the temperature is such that the difference (K3-K1) from the effective magnetic anisotropy constant K1 of (1) is maximized.

【0034】エンハンス膜(保護膜)としてはその屈折
率が基板の屈折率よりも大きいものであればよく、有機
または無機のいずれの材料であってもよい。エンハンス
膜(保護膜)の具体例としては、TiO2、SiO、T
iO、ZnO、ZrO2、Ta 25、Nb25、CeO2
、SnO2 、TeO2 等の酸化物、Si34、SiN
x(0<X≦4/3)AlN、BN等の窒化物、Zn
S、CdS等の硫化物、ZnSe、SiC、Siなどが
ある。また、コバルトフェライトに代表されるフェライ
ト類、Bi置換ガーネットに代表されるガーネット類等
のファラデー効果を有する透明材料をエンハンス膜とし
て使用してもよい。
As an enhance film (protective film), its refraction
If the refractive index is higher than the refractive index of the substrate,
Alternatively, any inorganic material may be used. enhance
As a specific example of the film (protective film), TiO 22, SiO, T
iO, ZnO, ZrO2, Ta 2OFive, Nb2OFive, CeO2
 , SnO2 , TeO2 Oxides such as Si3NFour, SiN
x (0 <X ≦ 4/3) nitride such as AlN or BN, Zn
Sulfides such as S and CdS, ZnSe, SiC, Si, etc.
is there. In addition, a ferrite such as cobalt ferrite
, Garnets represented by Bi-substituted garnets, etc.
The transparent material with the Faraday effect of
You may use it.

【0035】金属膜としては、例えば、アルミニウム系
合金(Al系合金)またはニッケル系合金(Ni系合
金)等が用いられる。この金属膜は、熱伝導膜または反
射膜としての機能を有しているものであり、例えばAl
系合金膜は熱伝導膜としての機能を有し、Ni系合金膜
は反射膜としての機能を有している。
As the metal film, for example, an aluminum alloy (Al alloy) or a nickel alloy (Ni alloy) is used. This metal film has a function as a heat conduction film or a reflection film, and is made of, for example, Al.
The system alloy film has a function as a heat conduction film, and the Ni system alloy film has a function as a reflection film.

【0036】次に、本発明で用いられる係る光磁気記録
媒体の製造方法について説明する。本発明で用いられる
光磁気記録媒体は、例えば、下記のようにして製造する
ことができる。すなわち、基板温度を室温程度に保ち、
光磁気記録媒体の第1ないし第3磁性薄膜を構成する各
元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲッ
トまたは所定割合の組成からなる合金ターゲットあるい
は各元素のターゲット等を組み合わせて所定の位置に配
置して、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法あるいは
真空同時蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用して自
公転している基板(基板は固定していてもよいが、この
場合は各ターゲット上のシャッターを交互に開閉する)
上に所定組成の薄膜を順次被着させることにより、光磁
気記録媒体の第1ないし第3磁性薄膜を形成することが
できる。
Next, a method of manufacturing the magneto-optical recording medium used in the present invention will be described. The magneto-optical recording medium used in the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is, keep the substrate temperature around room temperature,
A composite target in which chips composed of the respective elements constituting the first to third magnetic thin films of the magneto-optical recording medium are arranged in a predetermined ratio, an alloy target composed of a composition of a predetermined ratio, or a target of each element is combined to a predetermined position. A substrate that has been placed and revolved on its own axis using conventionally known film forming conditions such as a sputtering method, an electron beam evaporation method, or a vacuum co-evaporation method (the substrate may be fixed, but in this case, each target may be fixed). Alternately open and close the upper shutter)
The first to third magnetic thin films of the magneto-optical recording medium can be formed by sequentially depositing a thin film having a predetermined composition on top.

【0037】このような第1ないし第3磁性薄膜は、常
温での成膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持
たせるために成膜後にアニール処理などの熱処理をする
必要がない。
The first to third magnetic thin films as described above can be formed at room temperature, and in order to have an easy axis of magnetization perpendicular to the film surface, it is necessary to perform a heat treatment such as annealing after the formation. Absent.

【0038】なお必要に応じては、基板温度を50〜6
00℃に加熱しながらまたは−50℃まで冷却しなが
ら、基板上に記録層および再生層を成膜することもでき
る。またスパッタリング時に、基板を負電位になるよう
にバイアスすることもできる。このようにすると、電界
で加速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲ
ット物質ばかりでなく成膜されつつある第1ないし第3
磁性薄膜をもたたくことになり、優れた特性を有する光
磁気記録媒体が得られることがある。
If necessary, the substrate temperature may be set to 50-6.
The recording layer and the reproducing layer can be formed on the substrate while heating to 00 ° C or cooling to -50 ° C. It is also possible to bias the substrate to a negative potential during sputtering. By doing so, the inert gas ions such as argon accelerated by the electric field are not only the target material but also the first to third ions which are being formed.
Since the magnetic thin film is hit, a magneto-optical recording medium having excellent characteristics may be obtained.

【0039】本発明では、上記のような光磁気記録媒体
10に対してレーザー光照射などにより、第3磁性薄膜
13の有効磁気異方性定数K3 と第1磁性薄膜11の有
効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線の交差する温度T
cross 以上でかつ第2磁性薄膜12の磁気モーメントの
反転を生じない温度T1 に加熱する第1加熱状態と、T
cross 以上でかつ上記第2磁性薄膜12の磁気モーメン
トを反転させるに充分な温度T2 に加熱する第2加熱状
態とに、光磁気記録媒体を加熱し、上記第1加熱状態ま
たは第2加熱状態から冷却することにより光磁気記録媒
体に記録磁化を形成する。
In the present invention, the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film 13 and the effective magnetic anisotropy of the first magnetic thin film 11 are obtained by irradiating the magneto-optical recording medium 10 with laser light as described above. Temperature T at which the temperature characteristic curve of constant K1 intersects
a first heating state in which the temperature is equal to or more than cross and does not cause reversal of the magnetic moment of the second magnetic thin film 12;
The magneto-optical recording medium is heated to the second heating state in which the magnetic moment of the second magnetic thin film 12 is equal to or more than the cross and is heated to the temperature T2 sufficient to reverse the magnetic moment of the second magnetic thin film 12, and the first heating state or the second heating state is changed. Recording magnetization is formed on the magneto-optical recording medium by cooling.

【0040】具体的には、図4または図5に示すように
行われる。なお、図4および図5は、光磁気記録媒体の
1つの磁区における、第1磁性薄膜11および第2磁性
薄膜12の磁化状態を矢印をもって模式的に示したもの
である。
Specifically, this is performed as shown in FIG. 4 or FIG. 4 and 5 schematically show, with arrows, the magnetization states of the first magnetic thin film 11 and the second magnetic thin film 12 in one magnetic domain of the magneto-optical recording medium.

【0041】第1磁性薄膜11および第2磁性薄膜12
は、状態Aに示すように、互いの磁化方向が同一である
状態と、状態Bに示すように、互いの磁化方向が逆であ
る状態とを、例えば「0」、「1」に対応させることに
より情報の記録が行われる。そして、この情報の記録
は、外部磁場の印加と、レーザー光照射などにより温度
T1 または温度T2 に加熱することにより行われる。例
えば、まず状態Aにある磁区に対してレーザー光を照射
して、このレーザー光の強度または照射時間を記録信号
に応じて変調することにより、第3磁性薄膜13の有効
磁気異方性定数K3 と第1磁性薄膜11の有効磁気異方
性定数K1 の温度特性曲線の交差する温度Tcross 以上
でかつ第2磁性薄膜12の磁気モーメントが外部磁場に
よって反転を生じない温度T1 に加熱する。この加熱温
度T1 が図4に示すように、Tcross 以上でかつTc1未
満の場合、第3磁性薄膜13の磁気エネルギーが第1磁
性薄膜より大きくなるため、第1磁性薄膜11は、第2
磁性薄膜12と同一方向の磁化が生じ、状態Aとなり、
例えば「0」の情報が記録される。また、加熱温度T1
が図5に示すように、Tc1以上の場合、第1磁性薄膜1
1は磁化を失いCの状態になる。この加熱が終了し磁性
薄膜の温度がTc1に下がると、第1磁性薄膜11は、第
2磁性薄膜12による交換結合力によって、第2磁性薄
膜12と同一方向の磁化が生じ、状態Aとなる。
The first magnetic thin film 11 and the second magnetic thin film 12
Corresponds to, for example, “0” and “1” between a state where the mutual magnetization directions are the same as shown in the state A and a state where the mutual magnetization directions are opposite to each other as shown in the state B. By doing so, information is recorded. Recording of this information is performed by applying an external magnetic field and heating to temperature T1 or temperature T2 by laser light irradiation or the like. For example, the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film 13 is obtained by first irradiating the magnetic domain in the state A with laser light and modulating the intensity or irradiation time of this laser light according to the recording signal. And the temperature Tcross at which the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film 11 intersects, and the magnetic moment of the second magnetic thin film 12 is heated to a temperature T1 at which inversion does not occur due to an external magnetic field. As shown in FIG. 4, when the heating temperature T1 is equal to or higher than Tcross and lower than Tc1, the magnetic energy of the third magnetic thin film 13 becomes larger than that of the first magnetic thin film.
Magnetization in the same direction as that of the magnetic thin film 12 occurs, resulting in state A,
For example, information of "0" is recorded. Also, the heating temperature T1
As shown in FIG. 5, when Tc1 or more, the first magnetic thin film 1
1 loses the magnetization and enters the C state. When this heating is completed and the temperature of the magnetic thin film falls to Tc1, the first magnetic thin film 11 is magnetized in the same direction as the second magnetic thin film 12 due to the exchange coupling force of the second magnetic thin film 12, and becomes the state A. .

【0042】一方、状態Aにある磁区を、上記温度T1
より高く、かつ第2磁性薄膜12の磁化を外部磁場によ
り反転させるのに充分な温度T2 に加熱すると、第1磁
性薄膜11は磁化を失い、第2磁性薄膜12の磁化が反
転した状態Dが生じる。この加熱が終了し磁性薄膜の温
度がTc1に下がると、第1磁性薄膜11は、第2磁性薄
膜12による交換結合力によって、第2磁性薄膜12と
同一方向の磁化が生じ、状態Eとなる。これにほぼ室温
にて外部補助磁界を印加して、第2磁性薄膜12の磁化
の向きを反転させて、第1および第2磁性薄膜11、1
2の磁化方向が逆であるBの状態として、例えば「1」
の情報の記録を行う。
On the other hand, the magnetic domain in the state A is set to the above temperature T1.
When heated to a temperature T2 which is higher and is sufficient for reversing the magnetization of the second magnetic thin film 12 by an external magnetic field, the first magnetic thin film 11 loses its magnetization and the state D in which the magnetization of the second magnetic thin film 12 is reversed. Occurs. When this heating is completed and the temperature of the magnetic thin film falls to Tc1, the first magnetic thin film 11 is magnetized in the same direction as the second magnetic thin film 12 by the exchange coupling force of the second magnetic thin film 12, and is in the state E. . An external auxiliary magnetic field is applied to this at about room temperature to reverse the magnetization direction of the second magnetic thin film 12, and the first and second magnetic thin films 11, 1
As a state of B in which the magnetization direction of 2 is opposite, for example, “1”
Record the information of.

【0043】このようにして状態Aおよび状態Bによ
り、「0」および「1」の情報が記録される。そして状
態Aおよび状態Bのいずれの状態においても、これを温
度T1または温度T2 に加熱することによりオーバーラ
イトが可能である。すなわち、初期の状態が状態Aであ
るか状態Bであるかを問わず、温度T1 に加熱すること
により状態Aとすることができ、また、温度T2 に加熱
することにより状態Bとすることができる。
In this way, the information of "0" and "1" is recorded by the state A and the state B. In any of the states A and B, overwriting is possible by heating this to the temperature T1 or the temperature T2. That is, regardless of whether the initial state is the state A or the state B, the state A can be obtained by heating to the temperature T1 and the state B can be obtained by heating to the temperature T2. it can.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明によれば、第3磁性薄膜としてそ
の有効磁気異方性定数K3 の温度特性曲線と第1磁性薄
膜の有効磁気異方性定数K1 の温度特性曲線が、第2磁
性薄膜の磁気モーメントが反転しない温度Tcross で交
差する磁性薄膜を用いているので、第1加熱温度T1 の
温度を低くすることができ、このため第1磁性薄膜のキ
ュリー温度Tc1を高くすることが可能となり、第1磁性
薄膜を多層化する事なくC/N比を上げることができ
る。
According to the present invention, the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K3 of the third magnetic thin film and the temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film are the same as those of the second magnetic thin film. Since the magnetic thin film that intersects at the temperature Tcross at which the magnetic moment of the thin film does not reverse is used, the temperature of the first heating temperature T1 can be lowered, and thus the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film can be increased. Therefore, the C / N ratio can be increased without making the first magnetic thin film multi-layered.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明で用いられる光磁気記録媒体の一例を示
す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a magneto-optical recording medium used in the present invention.

【図2】第1磁性薄膜および第3磁性薄膜の有効磁気異
方性定数の温度特性曲線を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing temperature characteristic curves of effective magnetic anisotropy constants of a first magnetic thin film and a third magnetic thin film.

【図3】第1磁性薄膜および第3磁性薄膜の有効磁気異
方性定数の温度特性曲線を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing temperature characteristic curves of effective magnetic anisotropy constants of the first magnetic thin film and the third magnetic thin film.

【図4】磁性薄膜の磁化状態を示す概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a magnetized state of a magnetic thin film.

【図5】磁性薄膜の磁化状態を示す概略説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view showing a magnetized state of a magnetic thin film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 光磁気記録媒体 11 第1磁性薄膜 12 第2磁性薄膜 13 第3磁性薄膜 14 基板 15 磁性膜層 10 magneto-optical recording medium 11 first magnetic thin film 12 second magnetic thin film 13 third magnetic thin film 14 substrate 15 magnetic film layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 垂直磁気異方性を有する第1磁性薄膜
と、垂直磁気異方性を有する第2磁性薄膜と、第1およ
び第2磁性薄膜に挟まれた第3磁性薄膜とからなる磁性
膜層を有する光磁気記録媒体であって、上記第3磁性薄
膜が、その有効磁気異方性定数K3 の温度特性曲線と上
記第1磁性薄膜の有効磁気異方性定数K1 の温度特性曲
線とが交差する温度Tcross 以上で、上記第1磁性薄膜
に比べて大きい有効磁気異方性を有する光磁気記録媒体
を用い、 記録しようとする情報信号に応じて、上記温度Tcross
以上で、かつ上記第2磁性薄膜の磁気モーメントの反転
を生じない温度T1 に加熱する第1加熱状態と、上記温
度Tcross 以上でかつ上記第2磁性薄膜の磁気モーメン
トを反転させるに充分な温度T2 に加熱する第2加熱状
態とに、光磁気記録媒体を加熱し、 上記第1加熱状態または第2加熱状態から冷却すること
により、上記第1磁性薄膜を第2磁性薄膜の磁化に追従
させて磁化形成をすることを特徴とする光磁気記録媒体
の記録方法。
1. A magnetic comprising a first magnetic thin film having perpendicular magnetic anisotropy, a second magnetic thin film having perpendicular magnetic anisotropy, and a third magnetic thin film sandwiched between first and second magnetic thin films. In a magneto-optical recording medium having a film layer, the third magnetic thin film has a temperature characteristic curve of its effective magnetic anisotropy constant K3 and a temperature characteristic curve of the effective magnetic anisotropy constant K1 of the first magnetic thin film. Above the temperature Tcross at which the magnetic field crosses, a magneto-optical recording medium having an effective magnetic anisotropy larger than that of the first magnetic thin film is used, and the temperature Tcross is increased depending on the information signal to be recorded.
The above is the first heating state in which the magnetic moment of the second magnetic thin film is not reversed, and the temperature T2 is not less than the temperature Tcross and is sufficient to reverse the magnetic moment of the second magnetic thin film. By heating the magneto-optical recording medium to the second heating state in which the first magnetic thin film is cooled to the second heating state, the first magnetic thin film is made to follow the magnetization of the second magnetic thin film by cooling from the first heating state or the second heating state. A recording method for a magneto-optical recording medium, characterized by forming magnetization.
【請求項2】 上記第1加熱状態の温度T1 がTcross
以上であり、かつ第1磁性薄膜のキュリー温度Tc1未満
である請求項1に記載の光磁気記録媒体の記録方法。
2. The temperature T1 in the first heating state is Tcross.
The recording method for a magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the above is satisfied and the Curie temperature of the first magnetic thin film is less than Tc1.
【請求項3】 上記第1加熱状態の温度T1 がTcross
以上であり、かつ第1磁性薄膜のキュリー温度Tc1未満
であり、かつ第3磁性膜のキュリー温度Tc3未満である
請求項1に記載の光磁気記録媒体の記録方法。
3. The temperature T1 in the first heating state is Tcross.
The method for recording on a magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the above is satisfied and the Curie temperature of the first magnetic thin film is less than Tc1 and the Curie temperature of the third magnetic film is less than Tc3.
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