JPH06281409A - Automatic external appearance inspecting device and inspecting method using same - Google Patents

Automatic external appearance inspecting device and inspecting method using same

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Publication number
JPH06281409A
JPH06281409A JP6658093A JP6658093A JPH06281409A JP H06281409 A JPH06281409 A JP H06281409A JP 6658093 A JP6658093 A JP 6658093A JP 6658093 A JP6658093 A JP 6658093A JP H06281409 A JPH06281409 A JP H06281409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focus
inspection
semiconductor wafer
inspecting
same
Prior art date
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Pending
Application number
JP6658093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Iwamoto
佳煕 岩本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP6658093A priority Critical patent/JPH06281409A/en
Publication of JPH06281409A publication Critical patent/JPH06281409A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve defect detecting precision by arranging plural focus offsets optionally. CONSTITUTION:Firstly, a focus is automatically adjusted in a reference focus position 14 by an automatic focusing offset unit. Secondly, focus offset values A, B are set and a focus position is switched sequently from 15 to 16, so that a focus can be adjusted properly to respective layers such as a wiring part 18 and a contact part, 19, and consequently, a failure to find a defect is eliminated and defect detecting precision is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハの自
動外観検査を行う装置に関し、特にフォーカスオフセッ
トの多重設定が可能である装置およびその装置による検
査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for automatically inspecting a semiconductor wafer, and more particularly to an apparatus capable of multiple setting of a focus offset and an inspection method using the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は半導体ウェーハ自動外観検査装置
の構成図である。
2. Description of the Related Art FIG. 1 is a block diagram of an automatic semiconductor wafer visual inspection apparatus.

【0003】図2は比較検査が行われるチップおよびそ
の検査領域を示す略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a chip on which comparative inspection is performed and its inspection area.

【0004】図4は従来の半導体ウェーハ自動外観検査
装置における検査中の半導体ウェーハ表面部の断面図を
示す略図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a cross-sectional view of a surface portion of a semiconductor wafer under inspection in a conventional semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus.

【0005】この種の半導体ウェーハ自動外観検査装置
は図1,2に示すように、ステージ2に固定された半導
体ウェーハ3上における検査対象となる2個のチップ1
0,11内の各同一座標点での検査領域12,13の状
報を光学顕微鏡1をとおしてTVカメラ4で画像として
認識し、その信号を超高速画像処理専用コンピュータ6
で画素分割や階調分類した後、それをさらに数値化した
もので重ね合わせ比較を行い欠陥を検出する。
As shown in FIGS. 1 and 2, this type of automatic semiconductor wafer visual inspection apparatus has two chips 1 to be inspected on a semiconductor wafer 3 fixed to a stage 2.
The information of the inspection areas 12 and 13 at the same coordinate points in 0 and 11 is recognized as an image by the TV camera 4 through the optical microscope 1, and the signal is recognized by the ultra-high-speed image processing dedicated computer 6
After pixel division and gradation classification by, the values are further digitized and overlay comparison is performed to detect defects.

【0006】従来、この装置の検査中におけるフォーカ
スの制御はオートフォーカスユニット5および動作用コ
ンピュータ8によりステージ2の高さ位置を制御するこ
とで行われ、図4のようにまず基準となるオートフォー
カス14にあわせこまれる。引き続き検査用条件指定フ
ァイル作成時に端末9からシステム用コンピュータ7に
設定しておいたただ1つのフォーカスオフセット値に従
い、先と同様に動作用コンピュータ8によりステージ2
が高さ位置をプラスまたはマイナス方向に移動すること
でオートフォーカスによる基準となるフォーカス14と
は異なるある一定のフォーカス21で検査が行われてい
た。
Conventionally, the focus control during the inspection of this apparatus is performed by controlling the height position of the stage 2 by the autofocus unit 5 and the operation computer 8. As shown in FIG. It is put in according to 14. Subsequently, according to the only focus offset value set in the system computer 7 from the terminal 9 when the inspection condition designation file is created, the stage 2 is performed by the operation computer 8 in the same manner as above.
The inspection has been performed with a certain fixed focus 21 different from the reference focus 14 by the autofocus by moving the height position in the plus or minus direction.

【0007】なお、フォーカスオフセット値は観察した
い位置に応じて設定するものである。そして、このフォ
ーカス制御動作は各検査点12,13毎に行われるとと
もに検査がチップ10,11全面に行われるものである
ならば、検査点12,13が移動してそれぞれの点でフ
ォーカス制御動作が行われる。
The focus offset value is set according to the position to be observed. If the focus control operation is performed for each inspection point 12 and 13 and the inspection is performed on the entire surfaces of the chips 10 and 11, the inspection points 12 and 13 are moved and the focus control operation is performed at each point. Is done.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の半導体ウェーハ自動外観検査装置による検査方法で
は、フォーカスオフセットが予め設定に従い常に一定で
あり、その時の焦点深度は深くないので観察できる範囲
は限定されるので多層形成された半導体ウェーハのそれ
ぞれの層に対しては充分観察できず、欠陥を見落とすと
いう欠点があった。
By the way, in the above-described conventional inspection method using the semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus, the focus offset is always constant according to the preset value, and the depth of focus at that time is not deep, so the observable range is limited. As a result, it is not possible to sufficiently observe each layer of the semiconductor wafer formed in multiple layers, and there is a drawback that defects are overlooked.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明の半導体ウェー
ハ自動外観検査装置は多層形成された半導体ウェーハの
複雑な表面状態に対応できる様に、従来技術においてフ
ォーカスオフセットをただ1つしか設定することができ
なかったシステム用コンピュータをフォーカスオフセッ
トを任意かつ複数設定することができるシステム用コン
ピュータとした検査装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus of the present invention can set only one focus offset in the prior art so as to cope with complicated surface states of semiconductor wafers formed in multiple layers. It is an inspection apparatus in which a computer for a system that could not be used is a computer for a system capable of arbitrarily setting a plurality of focus offsets.

【0010】また、この発明における検査方法は上記の
装置を用い任意かつ複数のフォーカスオフセットの設定
に従い、多層形成された半導体ウェーハ表面上の1つの
検査領域を異なるフォーカスで連続して検査する方法で
ある。
Further, the inspection method according to the present invention is a method of continuously inspecting one inspection region on the surface of a semiconductor wafer having a multi-layer structure with different focuses according to the setting of arbitrary and a plurality of focus offsets using the above apparatus. is there.

【0011】[0011]

【作用】上記の装置および方法によると、多層形成され
た半導体ウェーハ表面のそれぞれの層を独立したフォー
カスで検査できるので、従来の方法と比較して多層にわ
たり微小欠陥の検出感度を向上させることができる。
According to the above apparatus and method, each layer on the surface of a semiconductor wafer having a multi-layer structure can be inspected with an independent focus. Therefore, it is possible to improve the detection sensitivity of micro defects over a multi-layer structure as compared with the conventional method. it can.

【0012】[0012]

【実施例1】以下この発明について図面を参照にして説
明する。
First Embodiment The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】検査装置の構成図は従来のもの(図1)と
同一であるため、説明には同図およびその図内の符号を
用いる。図において、1は光学顕微鏡、2はステージ、
3は半導体ウェーハ、4はTVカメラ、5はオートフォ
ーカス用ユニット、6は超高速画像処理専用コンピュー
タ、7はシステム用コンピュータ、8は動作用コンピュ
ータ、9は端末、10は被検査チップである。
Since the configuration diagram of the inspection apparatus is the same as that of the conventional apparatus (FIG. 1), the same figure and the reference numerals in the figure are used for the description. In the figure, 1 is an optical microscope, 2 is a stage,
3 is a semiconductor wafer, 4 is a TV camera, 5 is an autofocus unit, 6 is a computer for ultra-high-speed image processing, 7 is a system computer, 8 is an operation computer, 9 is a terminal, and 10 is a chip to be inspected.

【0014】次に、上記の半導体ウェーハ自動外観検査
装置の動作について説明する。本発明の半導体ウェーハ
自動外観検査装置では、従来の装置で図1に示すシステ
ム用コンピュータ7がフォーカスオフセットを1つしか
設定することができないものを用いているかわりに、フ
ォーカスオフセットを任意かつ複数設定することができ
るものを用いる点を除いては従来の装置と同一であるた
め、その設定に従い動作用コンピュータ8によりステー
ジ2が多段階に動作するようになり、微妙なフォーカス
調節が可能となる利点がある。
Next, the operation of the above-mentioned semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus will be described. In the semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus of the present invention, instead of using the conventional apparatus in which the system computer 7 shown in FIG. 1 can set only one focus offset, arbitrary and plural focus offsets are set. Since it is the same as the conventional device except that it can be used, the operation computer 8 can operate the stage 2 in multiple stages according to the setting, and fine focus adjustment is possible. There is.

【0015】図3は、実施例1の装置を使用した時の検
査中の半導体ウェーハ表面の断面を示す略図である。図
において14は、オートフォーカスによる基準となるフ
ォーカス位置、15はフォーカスオフセット値Aに従っ
たフォーカス位置、16はフォーカスオフセット値Bに
従ったフォーカス位置、17は半導体ウェーハ、18は
配線部、19はコンタクト部、20はステージである。
FIG. 3 is a schematic view showing a cross section of the surface of a semiconductor wafer under inspection when the apparatus of Example 1 is used. In the figure, 14 is a reference focus position by autofocus, 15 is a focus position according to the focus offset value A, 16 is a focus position according to the focus offset value B, 17 is a semiconductor wafer, 18 is a wiring part, and 19 is The contact portion, 20 is a stage.

【0016】本実施例は、前記第1の実施例の装置を用
い、任意かつ複数のフォーカスオフセットを施すること
により、多層形成された半導体ウェーハの表面を1つの
検査領域について観察する深さをかえて多重に検査する
方法である。例えば、フォーカスオフセットの設定が2
つ(フォーカスオフセット値A,B)である場合なら、
まず最初にオートフォーカス用ユニット5により14に
示す位置にフォーカスが自動に合わせられ、引き続きフ
ォーカスオフセット値A,Bの設定によりフォーカス位
置が15,16と順に切り替わり、配線部18、コンタ
クト部19などのそれぞれ別々の層に対し的確にフォー
カスを合わせられるため、欠陥の見落としが無くなると
いう利点がある。
In the present embodiment, the depth of observing the surface of a multi-layered semiconductor wafer with respect to one inspection region is set by applying an arbitrary and a plurality of focus offsets using the apparatus of the first embodiment. Instead, it is a multiple inspection method. For example, the focus offset setting is 2
If there is one (focus offset value A, B),
First, the autofocus unit 5 automatically adjusts the focus to the position indicated by 14, and then the focus positions are sequentially switched to 15 and 16 by setting the focus offset values A and B, and the wiring portion 18, the contact portion 19 and the like are changed. Since it is possible to accurately focus on different layers, there is an advantage that defects are not overlooked.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、この発明は半導体
ウェーハ自動外観検査装置においてフォーカスオフセッ
ト値が任意かつ複数個設定可能としたことにより、多層
形成された半導体ウェーハの各層に対しそれぞれ独立な
フォーカスが合わせられるため欠陥の検出精度が向上す
る効果がある。
As described above, according to the present invention, in the semiconductor wafer automatic visual inspection apparatus, the focus offset value can be set arbitrarily and a plurality of values can be set. Since they are aligned with each other, the accuracy of defect detection is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明および従来の半導体ウェーハ自動外
観検査装置の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an automatic visual inspection apparatus for semiconductor wafers according to the present invention.

【図2】 検査チップおよびある検査領域を示す略図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a test chip and a test area.

【図3】 この発明の装置を使用した時の検査中の半導
体ウェーハ表面部の断面図を示す略図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a cross-sectional view of a semiconductor wafer surface portion under inspection when the apparatus of the present invention is used.

【図4】 従来の装置を使用した時の検査中の半導体ウ
ェーハ表面部の断面を示す略図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a cross-section of a semiconductor wafer surface portion under inspection when using a conventional apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光学顕微鏡 2 ステージ 3 半導体ウェーハ 4 TVカメラ 5 オートフォーカス用ユニット 6 超高速画像処理専用コンピュータ 7 システム用コンピュータ 8 動作用コンピュータ 9 端末(CRT,キーボード) 10,11 検査チップ 12 検査領域(欠陥有り) 13 検査領域 14 オートフォーカスによる基準となるフォーカス位
置 15 フォーカスオフセットAに従ったフォーカス位置 16 フォーカスオフセットBに従ったフォーカス位置 17 半導体ウェーハ 18 配線部 19 コンタクト部 20 ステージ
1 Optical Microscope 2 Stage 3 Semiconductor Wafer 4 TV Camera 5 Auto Focus Unit 6 Computer for Ultra High-speed Image Processing 7 Computer for System 8 Computer for Operation 9 Terminal (CRT, Keyboard) 10, 11 Inspection Chip 12 Inspection Area (with Defect) 13 Inspection Area 14 Focus Position as Reference by Auto Focus 15 Focus Position According to Focus Offset A 16 Focus Position According to Focus Offset B 17 Semiconductor Wafer 18 Wiring Section 19 Contact Section 20 Stage

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】外観検査の為の画像処理装置が接がる顕微
鏡と、その顕微鏡と被観察物との距離を自動に調節する
オートフォーカス手段と、前記オートフォーカス点を基
準にして任意量だけ顕微鏡と被観察物との距離をずらせ
た点を観察するフォーカスオフセット設定機能とを有す
る自動外観検査装置において、前記フォーカスオフセッ
トを多段に設定可能とし、自動に切り換えるよう構成し
た自動外観検査装置。
1. A microscope to which an image processing apparatus for visual inspection is in contact, an autofocus means for automatically adjusting the distance between the microscope and an object to be observed, and an arbitrary amount based on the autofocus point. An automatic visual inspection apparatus having a focus offset setting function for observing points at different distances between a microscope and an object to be observed, wherein the focus offsets can be set in multiple stages and are automatically switched.
【請求項2】表面に多層に形成された膜を有する半導体
ウェーハの表面外観検査の方法であって、請求項1の自
動外観検査装置を用いてフォーカスオフセットを多段に
設定し、異なる深さを観察することを特徴とする検査方
法。
2. A method for inspecting the surface appearance of a semiconductor wafer having a multi-layered film formed on the surface, wherein focus offsets are set in multiple stages by using the automatic appearance inspection apparatus according to claim 1, and different depths are set. An inspection method characterized by observing.
JP6658093A 1993-03-25 1993-03-25 Automatic external appearance inspecting device and inspecting method using same Pending JPH06281409A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084969B2 (en) 2003-03-14 2006-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of optimizing focus of optical inspection apparatus and method and apparatus of detecting defects using the same
JP2011154283A (en) * 2010-01-28 2011-08-11 Canon Inc Optical device
JP2013535701A (en) * 2010-07-09 2013-09-12 ケーエルエー−テンカー コーポレイション Active planar autofocus

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