JPH0627944Y2 - Vapor phase growth equipment - Google Patents
Vapor phase growth equipmentInfo
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- JPH0627944Y2 JPH0627944Y2 JP1987135553U JP13555387U JPH0627944Y2 JP H0627944 Y2 JPH0627944 Y2 JP H0627944Y2 JP 1987135553 U JP1987135553 U JP 1987135553U JP 13555387 U JP13555387 U JP 13555387U JP H0627944 Y2 JPH0627944 Y2 JP H0627944Y2
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- raw material
- vacuum
- vapor phase
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、有機金属化学堆積法（以下、MOCVD法とい
う）でウエハ上に気相成長を行わせる気相成長装置に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a vapor phase growth apparatus for performing vapor phase growth on a wafer by a metal organic chemical vapor deposition method (hereinafter referred to as MOCVD method).
［従来技術］ 例えば、ＧａＡｓウエハ上にMOCVD法によってＧａＡｓ
の層を結晶成長させる気相成長装置では、キャリアガス
としてＨ2ガスを用い、原料ガスとしてＡｓＨ3（アルシ
ン）及びＧａ（ＣＨ3）3（トリメチルガリウム：以下、
ＴＭＧという）を用いる。ＡｌＧａＡｓ層を結晶成長さ
せる場合には、原料ガスとしてＡｓＨ3、ＴＭＧ、Ａｌ
（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム：以下、ＴＭＡと
いう）を用いる。ＧａＡｓの結晶成長の際には、ドーパ
ントとしてＳｉＨ4、Ｈ2Ｓを微量に混入させる。このよ
うな気相成長装置では、各原料容器に原料を入れ、各原
料容器を原料ガス供給用個別配管に接続し、これら個別
配管にて流量制御弁で各原料容器から送り出す原料ガス
の流量を制御した後、原料ガス供給用メイン配管で反応
炉に原料を気相状態で送り、ウエハ上に結晶成長させて
いる。反応炉で反応済のガスは排気配管を経て外部に排
気させている。[Prior Art] For example, GaAs is formed on a GaAs wafer by MOCVD.
In the layer vapor deposition apparatus for crystal growth, using H 2 gas as a carrier gas, AsH 3 (arsine) and Ga (CH 3) as a material gas 3 (trimethylgallium: less,
TMG) is used. For crystal growth of the AlGaAs layer, AsH 3 , TMG, and Al are used as source gases.
(CH 3 ) 3 (trimethylaluminum: hereinafter referred to as TMA) is used. At the time of GaAs crystal growth, a small amount of SiH 4 and H 2 S is mixed as a dopant. In such a vapor phase growth apparatus, a raw material is put in each raw material container, each raw material container is connected to an individual pipe for supplying a raw material gas, and the flow rate of the raw material gas sent from each raw material container is controlled by a flow control valve in these individual pipes. After the control, the raw material gas is fed to the reaction furnace in a vapor phase state through the main material gas supply main pipe to grow crystals on the wafer. The gas that has reacted in the reaction furnace is exhausted to the outside through an exhaust pipe.
また、かかる気相成長装置では、流量制御弁を安定にし
て、流量変動を少なくするために、メイン配管に並列に
ベント（ＶＥＮＴ）配管を設け、メイン配管から反応炉
に原料ガスを送っていないときには流量制御弁を経た原
料ガスをベント配管に流して反応炉を通さずに排気して
いる。原料ガスをメイン配管に流すかベント配管に流す
かの切換えは、切換バルブの切換えにより行っている。
この場合、メイン配管やベント配管としては、通常、
６．３５mmφ（１／４″）や３．１８mmφ（１／８″）
等の細い配管が用いられている。Further, in such a vapor phase growth apparatus, a vent (VENT) pipe is provided in parallel to the main pipe in order to stabilize the flow control valve and reduce fluctuations in the flow amount, and the raw material gas is not sent from the main pipe to the reactor. Occasionally, the raw material gas that has passed through the flow control valve is made to flow through the vent pipe and exhausted without passing through the reaction furnace. Switching of the raw material gas to the main pipe or the vent pipe is performed by switching the switching valve.
In this case, the main pipe and vent pipe are usually
6.35 mmφ (1/4 ") or 3.18 mmφ (1/8")
The thin pipe is used.
このような気相成長装置においては、配管内に空気（特
に、酸素）や水分の混入が微量でもあると、結晶成長が
うまくいかない。即ち、ＴＭＧ，ＴＭＡは酸素との反応
性が強いので、配管の接続部等にリークがあると、反応
物が該配管に詰ったり、反応熱によって配管がオーバー
ヒートされて危険となる。また、ＡｓＨ3は０．０５ppm
以上で人体に有毒であり、毒性が非常に高い。従って、
配管から原料ガスが漏れ出しているか否かのリークチェ
ックが必要である。このため、気相成長装置では、リー
クチェックが安全性のために最重要項目となっている。In such a vapor phase growth apparatus, if the amount of air (particularly oxygen) or water mixed in the pipe is very small, the crystal growth will not be successful. That is, since TMG and TMA have a strong reactivity with oxygen, if there is a leak in the connecting portion of the pipe, the reaction product may be clogged in the pipe or the pipe may be overheated by the heat of reaction, which is dangerous. Also, AsH 3 is 0.05 ppm
It is toxic to the human body and extremely toxic. Therefore,
It is necessary to check if the source gas is leaking from the pipe. Therefore, in the vapor phase growth apparatus, the leak check is the most important item for safety.
従来、リークチェックは原料容器の交換時に、原料容器
と個別配管との接続部から入った空気を排除する際の真
空引き時に行っている。Conventionally, the leak check is performed at the time of vacuuming when the raw material container is replaced and the air that has entered from the connection between the raw material container and the individual pipe is removed.
［考案が解決しようとする問題点］ しかしながら、メイン配管やベント配管は、原料ガスを
良好に送る関係で、前述したように細く設定されている
ので、真空引きに長時間（例えば、１２時間〜数日）を
要する問題点があった。また、従来はメイン配管及びベ
ント配管を通して真空引きしていたので、これら配管内
が空気等で汚染されるおそれがあった。[Problems to be Solved by the Invention] However, since the main pipe and the vent pipe are set thin as described above in order to satisfactorily feed the raw material gas, it takes a long time (for example, 12 hours to There was a problem that required several days). Further, conventionally, since a vacuum is drawn through the main pipe and the vent pipe, there is a possibility that the inside of these pipes may be contaminated with air or the like.
本考案の目的は、真空引きを短時間で行え、しかもメイ
ン配管等に空気等を入れることなく真空引きを行える気
相成長装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a vapor phase growth apparatus that can perform vacuuming in a short time and can perform vacuuming without introducing air or the like into the main pipe or the like.
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本考案の構成を説明する
と、本考案は各種の気相成長用の原料容器から原料ガス
供給用個別配管及び共通の原料ガス供給用メイン配管を
経て反応炉に原料ガスを送り、前記反応炉内でウエハ上
に気相成長させる気相成長装置において、前記各原料容
器とそれに対応する前記各個別配管との接続部に隣接し
た前記各個別配管に切換バルブを介して共通の真空引き
専用配管が接続され、前記真空引き専用配管は前記メイ
ン配管より太い配管で形成され、前記真空引き専用配管
の末端には真空引きポンプが接続されていることを特徴
とする。[Means for Solving Problems] The structure of the present invention for achieving the above-mentioned object will be described. The present invention describes various raw material containers for vapor phase growth, individual pipes for supplying raw material gas, and common raw material gas. In a vapor phase growth apparatus that feeds a raw material gas to a reaction furnace through a supply main pipe and performs vapor phase growth on a wafer in the reaction furnace, adjacent to a connection portion between each raw material container and each corresponding individual pipe. A common vacuum drawing pipe is connected to each of the individual pipes via a switching valve, the vacuum drawing pipe is formed of a pipe thicker than the main pipe, and a vacuum pump is provided at the end of the vacuum drawing pipe. It is characterized by being connected.
［作用］ このようにメイン配管等より太い真空引き専用配管を用
いると、従来より短い時間で真空引きが行える。また、
メイン配管等を経ないで真空引きするので、メイン配管
等に空気が入るおそれはない。[Operation] As described above, when the dedicated pipe for vacuum evacuation, which is thicker than the main pipe, is used, the evacuation can be performed in a shorter time than before. Also,
Since the vacuum is drawn without passing through the main piping, there is no risk of air entering the main piping.
［実施例］ 以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。図示
のように、反応炉１には、気相成長用の原料であるＰＨ
3（ホスフィン），ＡｓＨ3（アルシン），ＳｉＨ4（モ
ノシラン），ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＴＭＩ（トリメチルイン
ジウム），ＤＭＺ（ジメチルジンク）がＰＨ3供給用，
ＡｓＨ3，ＳｉＨ4供給用，ＴＭＧ供給用，ＴＭＡ供給
用，ＴＭＩ供給用，ＤＭＺ供給用の各原料容器２〜８か
ら原料ガス供給用個別配管９〜１５及び共通の原料ガス
供給用メイン配管１６を経て供給されるようになってい
る。ＰＨ3，ＡｓＨ3，ＳｉＨ4は気相の状態で原料容器
２〜４に収容され、ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＴＭＩ，ＤＭＺは
液相の状態で原料容器５〜８に収容されている。液相の
ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＴＭＩ，ＤＭＺを気相状態にするため
に、キャリアガス供給用メイン配管１７からキャリアガ
ス供給用個別配管１８〜２１を経て各原料容器５〜８の
液中にキャリアガスが吹き込まれ、バブリング作用によ
り気相となった各原料ガスが原料ガス供給用個別配管１
２〜１５から送り出されるようになっている。各個別配
管９〜１１と１８〜２１とには、各原料ガスの供給流量
を制御するための流量制御器２２〜２８と、異物を除去
するためのフィルタ２９〜３５とがそれぞれ接続されて
いる。原料ガス供給用個別配管９〜１５と各原料容器２
〜８とは、接続部３６〜４２で接続されている。各原料
容器２〜８の出口には、元弁４３〜４９が接続されてい
る。各接続部３６〜４２に隣接して各個別配管９〜１５
には、切換弁５０〜５６が接続されている。メイン配管
１７に接続される個別配管１８〜２１には、キャリアガ
ス入口弁５７〜６０が接続されている。キャリアガス供
給用個別配管１８〜２１と各原料容器５〜８とは、接続
部６１〜６４で接続されている。各キャリアガス供給用
個別配管１８〜２１が接続される各原料容器５〜８の入
口には、入口弁６５〜６８が接続されている。接続部６
１〜６４に隣接して個別配管１８〜２１には切換弁６９
〜７２が接続されている。キャリアガス供給用メイン配
管１７にはキャリアガス入力弁７３が接続されている。
原料ガス供給用メイン配管１６にはベント配管７４が併
設されている。キャリアガス供給用メイン配管１７は、
それぞれ流量制御器７５，７６を介して原料ガス供給用
メイン配管１６とベント配管７４とに接続されている。
各原料ガス供給用個別配管９〜１５は、原料ガス供給用
メイン配管１６及びベント配管７４とに対してそれぞれ
切換弁７７〜９０を介して接続されている。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in the figure, the reaction furnace 1 contains PH, which is a raw material for vapor phase growth.
3 (phosphine), AsH 3 (arsine), SiH 4 (monosilane), TMG, TMA, TMI (trimethylindium), DMZ (dimethylzinc) for supplying PH 3 ,
Ash 3 , SiH 4 supply, TMG supply, TMA supply, TMI supply, and DMZ supply source material containers 2 to 8 to source material gas supply individual pipes 9 to 15 and common source gas supply main pipe 16 Is being supplied through. PH 3 , AsH 3 , and SiH 4 are contained in the raw material containers 2 to 4 in the vapor phase, and TMG, TMA, TMI, and DMZ are contained in the raw material containers 5 to 8 in the liquid phase. In order to bring the liquid-phase TMG, TMA, TMI, and DMZ into a gas phase, the carrier gas is supplied from the carrier gas supply main pipe 17 through the carrier gas supply individual pipes 18 to 21 into the liquid of each raw material container 5 to 8. Individual raw material gas supply individual pipes 1
It is designed to be sent from 2 to 15. The individual pipes 9 to 11 and 18 to 21 are connected to flow rate controllers 22 to 28 for controlling the supply flow rates of the source gases and filters 29 to 35 for removing foreign matters, respectively. . Individual pipes 9 to 15 for supplying raw material gas and each raw material container 2
8 to 8 are connected by connecting portions 36 to 42. Main valves 43 to 49 are connected to the outlets of the respective raw material containers 2 to 8. Adjacent to each connection part 36-42, each individual pipe 9-15
The switching valves 50 to 56 are connected to. Carrier gas inlet valves 57 to 60 are connected to the individual pipes 18 to 21 connected to the main pipe 17. The carrier gas supply individual pipes 18 to 21 and the respective raw material containers 5 to 8 are connected by connecting portions 61 to 64. Inlet valves 65 to 68 are connected to the inlets of the raw material containers 5 to 8 to which the individual carrier gas supply pipes 18 to 21 are connected. Connection part 6
Switching valves 69 are provided in the individual pipes 18 to 21 adjacent to the pipes 1 to 64.
~ 72 are connected. A carrier gas input valve 73 is connected to the carrier gas supply main pipe 17.
A vent pipe 74 is attached to the main pipe 16 for supplying the raw material gas. The main pipe 17 for supplying carrier gas is
It is connected to the source gas supply main pipe 16 and the vent pipe 74 via flow rate controllers 75 and 76, respectively.
The individual raw material gas supply individual pipes 9 to 15 are connected to the raw material gas supply main pipe 16 and the vent pipe 74 via switching valves 77 to 90, respectively.
原料ガス供給用メイン配管１６の出口側は弁９１を介し
て反応炉１に接続されている。反応炉１の出口には排気
管９２が接続されている。排気管９２にはフィルタ９３
と弁９４，９５が接続されている。弁９４，９５の間で
排気管９２には、ベント配管７４の出口側が弁９６を介
して接続されている。弁９４，９５の間で排気管９２に
は、第１，第２の真空引き配管９７，９８の各一端が弁
９９，１００で接続されている。第１の真空引き配管９
７にはロータリポンプよりなる荒引き用真空引きポンプ
１０１が接続され、その出口側には弁１０２が接続され
ている。第２の真空引き配管９８にはターボポンプより
なる高真空引きポンプ１０３と該高真空引きポンプ１０
３のバックアップポンプとしてロータリポンプよりなる
真空引きポンプ１０４とが接続され、その出口側には弁
１０５が接続されている。The outlet side of the main gas supply main pipe 16 is connected to the reactor 1 via a valve 91. An exhaust pipe 92 is connected to the outlet of the reaction furnace 1. A filter 93 is attached to the exhaust pipe 92.
And valves 94 and 95 are connected. The outlet side of the vent pipe 74 is connected to the exhaust pipe 92 between the valves 94 and 95 via a valve 96. To the exhaust pipe 92 between the valves 94 and 95, one ends of first and second vacuum evacuation pipes 97 and 98 are connected by valves 99 and 100. First vacuum piping 9
A vacuum evacuation pump 101 composed of a rotary pump is connected to 7 and a valve 102 is connected to the outlet side thereof. The second evacuation pipe 98 has a high evacuation pump 103, which is a turbo pump, and the high evacuation pump 10.
A vacuum pump 104, which is a rotary pump, is connected as a backup pump of No. 3, and a valve 105 is connected to the outlet side thereof.
原料容器２〜４側には真空引き専用配管１０６が設けら
れ、原料容器５〜８側には真空引き専用配管１０７が設
けられている。真空引き専用配管１０６，１０７は弁１
０８，１０９を介して共用の真空引き専用配管１１０の
一端に接続されている。これら真空引き専用配管１０
６，１０７，１１０は、原料ガス供給用メイン配管１６
やベント配管７４より太い１９．０５mmφ（３／４″）
以上のものが使用されて真空引き専用配管１１０の他端
は、弁９４，９５の間で排気管９２に弁１１１に接続さ
れている。真空引き専用配管１０６は、真空引き専用枝
管１１２〜１１４で各原料ガス供給用個別配管９〜１１
に、接続部３６〜３８と切換弁５０〜５２との間で、切
換弁１１５〜１１７を介して接続されている。真空引き
専用配管１０７は、真空引き専用枝管１１８〜１２１で
各原料ガス供給用個別配管１２〜１５及びキャリアガス
供給用個別配管１８〜２１に、接続部３９〜４２と切換
弁５３〜５６との間及び接続部６１〜６４と切換弁６９
〜７２との間で、切換弁１２２〜１２５及び１２６〜１
２９を介して接続されている。真空引き専用枝管１１２
〜１１４，１１８〜１２１としては、１２．７mmφ（１
／２″）の配管が使用されている。これら真空引き専用
枝管１１２〜１１４，１１８〜１２１は、真空引き専用
配管１０６，１０７，１１０よりも細いが、長さが短い
ので真空引き上問題はない。A pipe 106 dedicated to vacuuming is provided on the side of the raw material containers 2 to 4, and a pipe 107 dedicated to vacuuming is provided on the side of the raw material containers 5 to 8. Piping 106, 107 for vacuuming is valve 1
It is connected to one end of a common vacuum evacuation dedicated pipe 110 via 08 and 109. Dedicated vacuum piping 10
6, 107 and 110 are main pipes 16 for supplying raw material gas
Thicker than the vent pipe 74 and 19.05 mmφ (3/4 ")
The other end of the pipe 110 dedicated to vacuuming is connected to the valve 111 to the exhaust pipe 92 between the valves 94 and 95 by using the above. The evacuation dedicated pipe 106 is a dedicated evacuation branch pipe 112 to 114, and individual pipes 9 to 11 for supplying each source gas are provided.
In addition, the connection portions 36 to 38 and the switching valves 50 to 52 are connected via the switching valves 115 to 117. The evacuation-dedicated pipe 107 includes branch pipes 118-121 exclusively for evacuation, the individual pipes 12-15 for supplying the source gas, the individual pipes 18-21 for supplying the carrier gas, the connecting portions 39-42, and the switching valves 53-56. Between and the connecting portions 61 to 64 and the switching valve 69
To 72, switching valves 122-125 and 126-1
It is connected via 29. Branch pipe 112 for vacuuming
~ 114, 118 ~ 121, 12.7mmφ (1
/ 2 ″) pipes are used. These branch pipes 112 to 114, 118 to 121 for exclusive use of vacuuming are thinner than the pipes 106, 107 and 110 for exclusive use of vacuuming, but their length is short, which causes problems in vacuuming. There is no.
原料容器２〜４側で真空引き専用配管１０６の端部に
は、弁１３０を介してリークチェックポート１３１が設
けられている。同様に、原料容器５〜８側で真空引き専
用配管１０７の端部には、弁１３２を介してリークチェ
ックポート１３３が設けられている。また、弁９４，９
５の間で排気管９２には弁１３４を介してリークチェッ
クポート１３５が設けられている。A leak check port 131 is provided via a valve 130 at the end of the pipe 106 exclusively for vacuuming on the side of the raw material containers 2 to 4. Similarly, a leak check port 133 is provided via a valve 132 at the end of the pipe 107 dedicated to vacuuming on the raw material container 5-8 side. Also, the valves 94, 9
Between 5 and 5, the exhaust pipe 92 is provided with a leak check port 135 via a valve 134.
このような気相成長装置では、例えば原料容器２が空に
なり、弁４３，５０，１１５を閉にして接続部３６から
該原料容器２を外し、原料が入っている別の原料容器２
を接続部３６に接続した場合は、少なくとも弁１１６，
１１７，１０９，９４〜９６，９９，１３４を閉とし、
弁１１５，１０８，１１１，９９，１０２を開とし、か
かる状態で荒引用真空引きポンプ１０１を作動させて１
０-3Torr程度まで真空引きし、次に該真空引きポンプ１
０１を停止し、弁９９を閉じ、弁１００，１０５を開と
し、高真空引きポンプ１０３とそのバックアップ用の真
空引きポンプ１０４とを作動させて１０-3〜１０-6Torr
程度まで真空引きする。これにより弁４３，５０間の原
料ガス供給用個別配管９内に原料容器２の交換時に入っ
た空気や水分が排除される。空気や水分の排除が収容し
たら真空引きポンプ１０３，１０４を止め、弁１０８を
閉とし、リーフチェックポート１３１にヘリウム検出器
（図示せず）を接続し、接続部３６にヘリウムガスを吹
き付け、該ヘリウム検出器がもつ真空引きポンプで真空
引きして接続部３６のリークチェックをする。即ち、該
接続部３６で接続不良によりリークがあれば、ヘリウム
ガスが吸い込まれて真空引き専用枝管１１２を通り真空
引き専用配管１０６に流れて来るので、リークチェック
ポート１３１のヘリウム検出器でヘリウムガスの検出を
行い、リークがあるか否か判定する。In such a vapor phase growth apparatus, for example, the raw material container 2 is emptied, the valves 43, 50 and 115 are closed to remove the raw material container 2 from the connecting portion 36, and another raw material container 2 containing the raw material is provided.
Is connected to the connecting portion 36, at least the valves 116,
117, 109, 94 to 96, 99, 134 are closed,
Valves 115, 108, 111, 99, 102 are opened, and the rough vacuum pumping pump 101 is operated in this state to
Evacuate to about 0 -3 Torr, then the evacuation pump 1
01 is stopped, the valve 99 is closed, the valves 100 and 105 are opened, and the high vacuum pump 103 and the backup vacuum pump 104 are operated to operate 10 −3 to 10 −6 Torr.
Evacuate to a degree. As a result, the air and moisture that have entered during the replacement of the raw material container 2 are eliminated in the raw material gas supply individual pipe 9 between the valves 43 and 50. When the removal of air and water is accommodated, the vacuum pumps 103 and 104 are stopped, the valve 108 is closed, a helium detector (not shown) is connected to the leaf check port 131, and helium gas is blown to the connecting portion 36, The evacuating pump of the helium detector is evacuated to check the connection 36 for leaks. That is, if there is a leak due to a poor connection at the connection portion 36, helium gas is sucked and flows through the special vacuum evacuation branch pipe 112 into the evacuation special pipe 106. Therefore, the helium detector of the leak check port 131 detects helium. The gas is detected to determine whether there is a leak.
ヘリウムの検出があり、リーク箇所の修理が終了した
ら、弁１３０を閉とし、弁１０８を開として真空引きポ
ンプ１０３，１０５を用いて真空引き専用枝管１１２及
び真空引き専用配管１０６内のヘイルムの排除を行う。When helium is detected and the repair of the leaked portion is completed, the valve 130 is closed, the valve 108 is opened, and the vacuum pumps 103, 105 are used to branch the vacuum-exclusive branch pipe 112 and the vacuum-exclusive pipe 106. Eliminate.
同様なリークチェック等は、原料容器４〜８でも同様に
行なわれる。原料容器５〜８側でのリークチェック等
は、１つの原料容器に対して２つの接続部があるので、
弁の操作が若干面倒であるが、基本的には前述した原料
容器２の場合と同様にして行われる。原料容器５〜８側
でのリークチェックは、ヘリウム検出器をリークチェッ
クポート１３３に接続して行われる。Similar leak checks and the like are similarly performed in the raw material containers 4 to 8. Since there are two connection parts for one raw material container, such as leak check on the raw material container 5-8 side,
Although the operation of the valve is slightly troublesome, it is basically performed in the same manner as in the case of the raw material container 2 described above. The leak check on the side of the raw material containers 5 to 8 is performed by connecting a helium detector to the leak check port 133.
このような真空引き専用配管１０６，１０７，１１０を
用いてリークチェックを行うと、従来は接続部３６〜４
２，６１〜６４の内の１箇所のリークチェックに１２時
間〜数日を要していたものが数時間で行うことができ
る。If a leak check is performed using such vacuum-dedicated pipes 106, 107, and 110, conventionally, the connecting portions 36 to 4 are used.
Although it took 12 hours to several days to check the leak at one of 2,61 to 64, it can be performed in several hours.
［考案の効果］ 以上説明したように本考案に係る気相成長装置では、原
料ガス供給用配管とは別個に該配管より太い真空引き専
用配管を設けたので、原料容器と原料ガス供給用個別配
管との接続部の空気等の排除やリークチェック時間を従
来に比べて著しく短縮できる利点がある。このため、日
常点検も容易となり、有毒ガスを使用する作業環境の安
全性を向上させることができる。また、本考案では原料
ガス供給用メイン配管を経ないで真空引きするので、該
メイン配管に真空引き時に空気が入るのを回避すること
ができる。[Effects of the Invention] As described above, in the vapor phase growth apparatus according to the present invention, since the dedicated pipe for evacuation, which is thicker than the pipe for supplying the raw material gas, is provided, the raw material container and the separate pipe for supplying the raw material gas are provided. There is an advantage that the air and the like at the connecting portion with the pipe can be eliminated and the leak check time can be remarkably shortened compared to the conventional case. For this reason, daily inspection is facilitated, and the safety of the working environment in which toxic gas is used can be improved. Further, in the present invention, since the vacuum is drawn without passing through the main gas supply main pipe, it is possible to prevent air from entering the main pipe when the vacuum is drawn.
図面は本考案に係る気相成長装置の一例を示す系統図で
ある。 １…反応炉、２〜８…原料容器、９〜１５…原料ガス供
給用個別配管、１６…原料ガス供給用メイン配管、７４
…ベント配管、１０６，１０７，１１０…真空引き専用
配管、１０１，１０３，１０４…真空引きポンプ、１１
２〜１１４，１１８〜１２１…真空引き専用枝管。The drawing is a system diagram showing an example of a vapor phase growth apparatus according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reactor, 2-8 ... Raw material container, 9-15 ... Individual piping for raw material gas supply, 16 ... Main piping for raw material gas supply, 74
... Vent piping, 106, 107, 110 ... Piping dedicated to evacuation, 101, 103, 104 ... Evacuation pump, 11
2-114, 118-121 ... Branch pipes for vacuuming only.
Claims (1)
供給用個別配管及び共通の原料ガス供給用メイン配管を
経て反応炉に原料ガスを送り、前記反応炉内でウエハ上
に気相成長させる気相成長装置において、前記各原料容
器とそれに対応する前記各個別配管との接続部に隣接し
た前記各個別配管に切換バルブを介して共通の真空引き
専用配管が接続され、前記真空引き専用配管は前記メイ
ン配管より太い配管で形成され、前記真空引き専用配管
の末端には真空引きポンプが接続されていることを特徴
とする気相成長装置。1. A raw material gas is sent to a reaction furnace from various raw material containers for vapor phase growth via individual raw material gas supply individual pipes and a common main raw material gas supply main pipe, and a vapor phase is formed on a wafer in the reaction furnace. In a vapor-phase growth apparatus for growing, a common vacuum-dedicated pipe is connected via a switching valve to each of the individual pipes adjacent to a connection portion between each of the raw material containers and the corresponding individual pipe, and the vacuum is pulled. The vapor phase growth apparatus, wherein the dedicated pipe is formed as a pipe thicker than the main pipe, and a vacuum pump is connected to an end of the vacuum dedicated pipe.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987135553U JPH0627944Y2 (en) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | Vapor phase growth equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987135553U JPH0627944Y2 (en) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | Vapor phase growth equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6441128U JPS6441128U (en) | 1989-03-13 |
| JPH0627944Y2 true JPH0627944Y2 (en) | 1994-07-27 |
Family
ID=31395282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987135553U Expired - Lifetime JPH0627944Y2 (en) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | Vapor phase growth equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627944Y2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06244120A (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Sony Corp | Gas feeding equipment in wafer process equipment |
| JP3706685B2 (en) * | 1996-06-10 | 2005-10-12 | キヤノン株式会社 | Gas supply method for semiconductor manufacturing apparatus |
| JP6814561B2 (en) * | 2016-07-07 | 2021-01-20 | 昭和電工株式会社 | Gas piping system, chemical vapor deposition equipment, film formation method and method for manufacturing SiC epitaxial wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748850A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Fujitsu Ltd | Carrier reproducing circuit |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP1987135553U patent/JPH0627944Y2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748850A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Fujitsu Ltd | Carrier reproducing circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6441128U (en) | 1989-03-13 |
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