JPH06276741A - Heat sink for semiconductor element - Google Patents

Heat sink for semiconductor element

Info

Publication number
JPH06276741A
JPH06276741A JP5057272A JP5727293A JPH06276741A JP H06276741 A JPH06276741 A JP H06276741A JP 5057272 A JP5057272 A JP 5057272A JP 5727293 A JP5727293 A JP 5727293A JP H06276741 A JPH06276741 A JP H06276741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
heat sink
fins
cooling air
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5057272A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruo Ebiko
晴夫 蛯子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5057272A priority Critical patent/JPH06276741A/en
Publication of JPH06276741A publication Critical patent/JPH06276741A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce temperature difference at the time of the operation of elements on the upstream side and downstream side of cooling air mounted on a block-shaped heat receiving section. CONSTITUTION:A heat sink is composed of heat pipes 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F inserted and fixed into holes, which are arrayed on a heat receiving block 2 in a row and cross sections of which are formed in a circular shape, radiation fins 4, 4 inserted and fastened into the heat pipes 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F and arranged on both end sides, a plurality of radiation fins 11A inserted and fixed into the heat pipes 3A, 3B, 3C and a plurality of radiation fins 11B put into and fastened into the heat pipes 3D, 3E, 3F.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子冷却用ヒー
トシンクに係り、特に熱抵抗を小さくした放熱フィンの
改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat sink for cooling a semiconductor device, and more particularly to improvement of a radiation fin having a small thermal resistance.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置においては、電力変換器の高
性能化のために、高速スイッチング素子を用いた高周波
PWM制御方式の採用が増加している。これらの装置で
は、大電流高周波のため大容量の素子を並列にして用い
ている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device, a high frequency PWM control system using a high speed switching element has been increasingly adopted in order to improve the performance of a power converter. In these devices, large-capacity elements are used in parallel because of the large current and high frequency.

【0003】また、高周波PWM制御方式においては、
高速スイッチング素子間のリアクタンスを減らし、スイ
ッチングによって発生するサージ電圧を抑える必要があ
るので、高速スイッチング素子は互いに近接して取付け
られている。
Further, in the high frequency PWM control system,
Since it is necessary to reduce the reactance between the high speed switching elements and suppress the surge voltage generated by switching, the high speed switching elements are mounted close to each other.

【0004】したがって、高速スイッチング素子で発生
した熱は、局部的に集中するので、この局部的に集中し
た熱を放熱するために従来からヒートパイプを利用した
空冷式のヒートシンクが用いられている。
Therefore, since the heat generated in the high speed switching element is locally concentrated, an air-cooled heat sink using a heat pipe is conventionally used to radiate the locally concentrated heat.

【0005】図4は、従来の半導体素子冷却用ヒートシ
ンク(以下、ヒートシンクという)の一例を示し、
(a)は正面図、(b)はE−E矢視図である。同図
(a),(b)において、ヒートシンク1は、熱伝導性
の良好な金属の厚板でほぼ正方形状に形成された受熱ブ
ロック2と、この受熱ブロック2に同図(a)で右側か
ら加工され、横断面を円形とした穴に気密に挿入固着さ
れ、内部に冷媒として純水が注入されたヒートパイプ3
A,3B,3C,3D,3E,3Fと、これらのヒート
パイプ3A,3B,3C,3D,3E,3Fに挿入固着
された複数板の放熱フィン4で構成され、受熱ブロック
2の両側面には、冷却対象となる同定格の高速スイッチ
ング素子(以下、素子という)5A,5B,5C,5D
が図示しないボルトを介して取付けられている。
FIG. 4 shows an example of a conventional heat sink for cooling semiconductor elements (hereinafter referred to as heat sink).
(A) is a front view, (b) is a EE arrow line view. 1A and 1B, a heat sink 1 includes a heat receiving block 2 formed of a metal thick plate having good heat conductivity in a substantially square shape, and a right side of the heat receiving block 2 in FIG. A heat pipe 3 which has been processed from the above, is airtightly inserted and fixed in a hole having a circular cross section, and pure water as a refrigerant is injected into the hole.
A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F and a plurality of radiating fins 4 of a plurality of plates inserted into and fixed to these heat pipes 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, and on both side surfaces of the heat receiving block Is a high-speed switching element of the same rating (hereinafter referred to as element) 5A, 5B, 5C, 5D to be cooled.
Are attached via bolts (not shown).

【0006】図5は、上述したヒートシンク1に各素子
5A,5B,5C,5Dを取付けて成る半導体スタック
6を箱体7に収納し、電力変換装置を構成した一例を示
し、(a)は側面図、(b)は正面図である。同図
(a),(b)において、箱体7の前面には扉8が開閉
自在に取付けられ、この扉8の下部にはフィルタ(図示
しない)が着脱自在に取付けられた吸気口8aが設けら
れ、箱体7の内部には天井面の下部に換気扇9が取付け
られている。この換気扇9の下側に、半導体スタック6
が受熱ブロック2を扉8に近接させ、僅かに傾斜させた
状態で3個収納されている。
FIG. 5 shows an example in which a semiconductor stack 6 formed by attaching the respective elements 5A, 5B, 5C and 5D to the heat sink 1 described above is housed in a box body 7 to form a power conversion device. A side view and (b) are front views. In FIGS. 1A and 1B, a door 8 is openably and closably attached to the front surface of the box body 7, and an intake port 8a to which a filter (not shown) is detachably attached is attached to a lower portion of the door 8. A ventilation fan 9 is attached to the inside of the box body 7 at the bottom of the ceiling surface. The semiconductor stack 6 is provided below the ventilation fan 9.
The three heat receiving blocks 2 are housed in a state in which the heat receiving blocks 2 are brought close to the door 8 and slightly inclined.

【0007】このように箱体7に収納された半導体スタ
ック6においては、電力変換装置の運転時に、冷却風が
吸気口8aから矢印Fで示すように箱体7に流入し、放
熱フィン4に接触するので放熱される。この放熱で温度
上昇した冷却風は、換気扇9を介して矢印Gで示すよう
に箱体7の上方に排出される。
In the semiconductor stack 6 housed in the box body 7 as described above, when the power converter is operating, the cooling air flows into the box body 7 from the intake port 8a as shown by the arrow F, and the cooling fins 4 are discharged. Heat is dissipated due to contact. The cooling air whose temperature has risen due to this heat radiation is discharged above the box body 7 through the ventilation fan 9 as indicated by an arrow G.

【0008】また、素子の5A,5B,5C,5Dの冷
却面と箱体7の実装密度の関係においては、受熱ブロッ
ク2の両面にそれぞれ4個の素子5A,5B,5C,5
Dを取付けることにより素子取付部と受熱部を小形化す
ると共に、受熱ブロック2を箱体7の内部では縦方向に
配置することにより受熱ブロック2の両面を流れる冷却
風による冷却条件の均一化が図られている。なお、以上
の例は、説明を分かり易くするため、素子を8個、ヒー
トパイプ6本としたが、これ以外についても同様である
ことはもちろんである。
Regarding the relationship between the cooling surfaces of the elements 5A, 5B, 5C and 5D and the mounting density of the box body 7, four elements 5A, 5B, 5C and 5 are provided on both sides of the heat receiving block 2, respectively.
By mounting D, the element mounting portion and the heat receiving portion can be downsized, and the heat receiving block 2 can be vertically arranged inside the box body 7 to make the cooling conditions uniform by the cooling air flowing on both sides of the heat receiving block 2. Has been planned. In the above example, the number of elements is eight and the number of heat pipes is six in order to make the description easy to understand, but it goes without saying that other elements are the same.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ように構成され、箱体7の内部で冷却されるヒートシン
ク1においては、ヒートパイプのうち図5(b)で下端
に位置するヒートパイプ3Fはよく冷却されるが、上方
に位置するヒートパイプは、その下方のヒートパイプと
放熱フィンで温度上昇した冷却空気を介して冷却される
ので、冷却温度が順次上昇してきて最上位のヒートパイ
プ3Aでは温度が最高となる。
However, in the heat sink 1 configured as described above and cooled inside the box body 7, the heat pipe 3F located at the lower end in FIG. Although well cooled, the upper heat pipe is cooled through the lower heat pipe and the cooling air whose temperature is raised by the radiation fins, so that the cooling temperature is gradually increased and the uppermost heat pipe 3A is cooled. The temperature is highest.

【0010】この結果、受熱ブロック2も下部側はよく
冷却されるが、上方側になるほど冷却がよくなされない
ので、素子5A,5Cと素子5B,5Dの温度上昇の相
違による出力特性の相違で、電力変換装置の特性が低下
する恐れがある。
As a result, the lower side of the heat receiving block 2 is also cooled well, but the cooling is not performed as well as it goes to the upper side, so that there is a difference in output characteristics due to the difference in temperature rise between the elements 5A and 5C and the elements 5B and 5D. However, the characteristics of the power conversion device may deteriorate.

【0011】そこで、本発明の目的は、ブロック状とし
た受熱部に取付けられた冷却風の上流側の素子と下流側
素子の運転時における温度差を低減させ、電力変換装置
の特性を低下させることのない半導体素子冷却用ヒート
シンクを提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to reduce the temperature difference between the upstream side element and the downstream side element of the cooling air attached to the block-shaped heat receiving part during operation, and to reduce the characteristics of the power converter. An object of the present invention is to provide a heat sink for cooling a semiconductor device without a problem.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成するため、複数の半導体素子が取付けられる受熱
部に一部を埋設し列状に配置されて突出する複数のヒー
トパイプに、複数の放熱フィンを挿入固着して成る半導
体素子用ヒートシンクにおいて、放熱フィンを、冷却風
の流れ方向における上流側と下流側の中間部近傍で分割
し、この分割された放熱フィンにそれぞれ個別に熱境界
層を形成したことを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a plurality of heat pipes which are partially embedded in a heat receiving portion to which a plurality of semiconductor elements are attached and which are arranged in a row and project. In a heat sink for a semiconductor device formed by inserting and fixing a plurality of heat radiation fins, the heat radiation fins are divided in the vicinity of an intermediate portion on the upstream side and the downstream side in the flow direction of the cooling air, and the divided heat radiation fins are individually heated. It is characterized in that a boundary layer is formed.

【0013】[0013]

【作用】上流側の放熱フィンと下流側の放熱フィンにそ
れぞれ個別に熱境界層を形成しているので、下流側の放
熱フィンの放熱効果が上昇し、全体としての熱抵抗も改
善され、受熱部に取付けられる素子の運転時における温
度差を低減することができる。
[Function] Since the thermal boundary layers are formed individually on the upstream side radiating fins and the downstream side radiating fins, the heat radiating effect of the downstream side radiating fins is increased, the thermal resistance is improved as a whole, and the heat receiving It is possible to reduce the temperature difference during the operation of the elements attached to the section.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は、本発明の一実施例を示し、(a)は正面
図、(b)はA−A矢視図、(c)はB−B断面図であ
る。なお、上述した従来と同一部分には同符号を付し、
重複した説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a front view, FIG. 1B is an AA arrow view, and FIG. 1C is a BB sectional view. The same parts as those of the above-described conventional device are designated by the same reference numerals,
A duplicate description will be omitted.

【0015】同図(a),(b),(c)において、10
はヒートシンクを示し、このヒートシンク10は、受熱ブ
ロック2と、この受熱ブロック2に一列状に配列され横
断面を円形とした穴に挿入し固着されたヒートパイプ3
A,3B,3C,3D,3E,3Fと、このヒートパイ
プ3A,3B,3C,3D,3E,3Fに挿入固着され
両端側に配置された放熱フィン4,4と、この放熱フィ
ン4,4間に配置され、ヒートパイプ3A,3B,3C
に挿入固着される複数板の放熱フィン11Aおよびこの放
熱フィン11Aと同形状でヒートパイプ3D,3E,3F
に挿入固着される複数板の放熱フィン11Bとから構成さ
れる。また、放熱フィン11A,11Bは、放熱フィン4と
同一の材料から形成され、上下方向で同一位置となるよ
うに配置される。ここで、一体の放熱フィン4,4を両
端側に配置するのは、ヒートパイプ3A,3B,3C,
3D,3E,3Fの機器的強度を補強するためである。
なお、ヒートシンク10を半導体スタックに組込んで用い
る場合、ヒートパイプ3F側がヒートパイプ3A側に対
し、冷却空気の流れ方向で上流側となるようにする。
In the figures (a), (b) and (c), 10
Is a heat sink, and this heat sink 10 is a heat receiving block 2 and a heat pipe 3 fixed to the heat receiving block 2 by inserting the heat receiving block 2 into a hole having a circular cross section.
A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F, radiation fins 4, 4 inserted and fixed to the heat pipes 3A, 3B, 3C, 3D, 3E, 3F and arranged at both ends, and the radiation fins 4, 4 Heat pipes 3A, 3B, 3C arranged between
A plurality of heat radiation fins 11A inserted into and fixed to the heat radiation fins and heat pipes 3D, 3E, 3F having the same shape as the heat radiation fins 11A.
It is composed of a plurality of heat radiation fins 11B which are inserted and fixed to. Further, the radiation fins 11A and 11B are made of the same material as the radiation fin 4, and are arranged so as to be at the same position in the vertical direction. Here, the heat dissipating fins 4, 4 are arranged on both end sides in order to dispose the heat pipes 3A, 3B, 3C,
This is to reinforce the mechanical strength of 3D, 3E, and 3F.
When the heat sink 10 is incorporated in a semiconductor stack and used, the heat pipe 3F side is located upstream of the heat pipe 3A side in the cooling air flow direction.

【0016】次に、以上のように構成された実施例の作
用を説明する。本実施例のヒートシンク10に素子5A,
5B,5C,5Dを取付けて構成した半導体スタック
を、上述した従来と同様に箱体の天井面下方で換気扇の
下側に収納した場合、電力変換装置の運転時においては
冷却空気が同様の経路で流れるが、両端の放熱フィン
4,4を除く放熱フィン11A,11Bが別体になっている
ため、一体形の放熱フィン4に比較してそれぞれに熱境
界層が形成される。
Next, the operation of the embodiment configured as described above will be described. In the heat sink 10 of this embodiment, the element 5A,
When the semiconductor stack configured by mounting 5B, 5C, and 5D is housed under the ventilation fan below the ceiling surface of the box in the same manner as in the conventional case described above, the cooling air has the same path when the power converter is operating. However, since the heat dissipation fins 11A and 11B except the heat dissipation fins 4 and 4 at both ends are separate bodies, a heat boundary layer is formed in each of them as compared with the integrated heat dissipation fin 4.

【0017】このため、放熱フィンが一体のものに比較
して冷却効果が改善され、全体としての熱抵抗も大幅に
改善される。特に、冷却空気の流速が遅いときに効果の
大きいことが確認されている。したがって、放熱フィン
11A,11Bで冷却されるヒートパイプ3A,3B,3
C,3D,3E,3Fおよび受熱ブロック2は、上半と
下半をほぼ均等に冷却され、上下に位置する素子5A,
5Cと素子5B,5Eの運転時における温度差を低減さ
せ、電力変換装置の特性を低下させることがない。
Therefore, the cooling effect is improved and the thermal resistance as a whole is significantly improved as compared with the case where the radiation fins are integrated. In particular, it has been confirmed that the effect is great when the flow velocity of the cooling air is low. Therefore, the radiation fin
Heat pipes 3A, 3B, 3 cooled by 11A, 11B
C, 3D, 3E, 3F and the heat receiving block 2 are cooled substantially evenly in the upper half and the lower half, and the upper and lower elements 5A,
The temperature difference during operation of 5C and the elements 5B and 5E is reduced, and the characteristics of the power conversion device are not degraded.

【0018】なお、本発明は、上述した実施例(以下、
第1実施例という)に限定されるものではなく、種々変
形実施できる、図2は、本発明の他の実施例(以下、第
2実施例という)を示し、(a)は正面図、(b)はC
−C断面図、(c)は(a)の放熱フィン部の部分拡大
図である。
The present invention is based on the above-described embodiment (hereinafter,
The present invention is not limited to the first embodiment), and various modifications can be implemented. FIG. 2 shows another embodiment of the present invention (hereinafter referred to as the second embodiment), and (a) is a front view, b) is C
-C sectional drawing and (c) are the elements on larger scale of the radiation fin part of (a).

【0019】同図(a),(b),(c)において、12
はヒートシンクを示し、このヒートシンク12は、上述し
た第1実施例に対し放熱フィン11A,11Bの配置が異な
る以外は同じ構成である。すなわち、ヒートパイプ3
D,3E,3Fに挿入固定される放熱フィン11Bは、ヒ
ートパイプ3A,3B,3Cに挿入固定される放熱フィ
ン11Aに対し、上下方向の位置を1枚飛び、つまり、ピ
ッチを2倍として配置したものである。したがって、放
熱フィン11Bの個数は、放熱フィン11Aのほぼ半数にな
る。このように構成することにより、冷却空気が放熱フ
ィン部において下流側へ流れ易くなり、放熱フィン11A
側の冷却性能が向上するので、素子5A,5Cと素子5
B,5Dの運転時における温度差を低減させることがで
きる。
In FIGS. 3A, 3B and 3C, 12
Indicates a heat sink, and this heat sink 12 has the same configuration as that of the above-described first embodiment except that the arrangement of the radiation fins 11A and 11B is different. That is, the heat pipe 3
The radiating fins 11B inserted and fixed in the D, 3E, and 3F are one position above and below the radiating fins 11A inserted and fixed in the heat pipes 3A, 3B, and 3C, that is, the pitch is doubled. It was done. Therefore, the number of the radiation fins 11B is almost half that of the radiation fins 11A. With this configuration, the cooling air easily flows to the downstream side in the radiation fin portion, and the radiation fin 11A
Since the cooling performance on the side is improved, the elements 5A and 5C and the element 5 are
The temperature difference during B and 5D operation can be reduced.

【0020】図3は、本発明のさらに異なる他の実施例
(以下、第3実施例という)を示し、(a)は正面図、
(b)はD−D断面図、(C)は(a)の放熱フィン部
の部分拡大図である。
FIG. 3 shows still another embodiment of the present invention (hereinafter referred to as a third embodiment), (a) is a front view,
(B) is DD sectional drawing, (C) is the elements on larger scale of the radiation fin part of (a).

【0021】同図(a),(b),(c)において、13
はヒートシンクを示し、このヒートシンク13は、上述し
た第2実施例に対し放熱フィン11A,11Bの配置が異な
る以外は同じ構成である。すなわち、ヒートパイプ3
A,3B,3Cに挿入固定する放熱フィン11Aとヒート
パイプ3D,3E,3Fに挿入固定する放熱フィン11B
は、上下方向の位置を千鳥状、つまり交互に配置したも
のである。したがって、放熱フィン11Aと放熱フィン11
Bの個数は、ほぼ同数である。このように構成すること
により、上述した第2実施例と同様に、冷却空気が放熱
フィン部において下流側へ流れ易くなり、放熱フィン11
A側の冷却性能が向上するので、素子5A,5Cと素子
5B,5Dの運転時における温度差を低減させることが
できる。
13 (a), (b) and (c) in FIG.
Indicates a heat sink, and this heat sink 13 has the same configuration as that of the second embodiment described above except that the arrangement of the radiation fins 11A and 11B is different. That is, the heat pipe 3
A heat radiation fin 11A which is inserted and fixed to A, 3B and 3C and a heat radiation fin 11B which is inserted and fixed to the heat pipes 3D, 3E and 3F.
Are staggered vertically, that is, they are arranged alternately. Therefore, the radiation fin 11A and the radiation fin 11
The numbers of B are almost the same. With this configuration, as in the second embodiment described above, the cooling air easily flows to the downstream side in the radiation fin portion, and the radiation fin 11
Since the cooling performance on the A side is improved, the temperature difference between the elements 5A, 5C and the elements 5B, 5D during operation can be reduced.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の半導体素子が取付けられる受熱部に一部を埋設し列
状に配置されて突出する複数のヒートパイプに、複数の
放熱フィンを挿入固着して成る半導体素子用ヒートシン
クにおいて、放熱フィンを、冷却風の流れ方向における
上流側と下流側の中間部近傍で分割し、この分割された
放熱フィンにそれぞれ個別に熱境界層を形成するように
しているので、受熱部に取付けられた素子の運転時にお
ける温度差を低減し、電力変換装置の特性を低下させる
ことのない半導体素子用ヒートシンクを提供することが
できる。
As described above, according to the present invention, a plurality of heat radiating fins are provided in a plurality of heat pipes which are partially embedded in a heat receiving portion to which a plurality of semiconductor elements are attached and which are arranged in a row and project. In a heat sink for a semiconductor device formed by inserting and fixing, a radiation fin is divided in the vicinity of an intermediate portion on the upstream side and the downstream side in the flow direction of cooling air, and a thermal boundary layer is formed on each of the divided radiation fins. Therefore, it is possible to provide a heat sink for a semiconductor element that reduces the temperature difference during operation of the element attached to the heat receiving section and does not deteriorate the characteristics of the power conversion device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示し、(a)は正面図、
(b)はA−A矢視図、(c)はB−B断面図。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, (a) is a front view,
(B) is an AA arrow line view, (c) is a BB sectional view.

【図2】本発明の他の実施例(第2実施例)を示し、
(a)は正面図、(b)はC−C断面図、(c)は放熱
フィン部の部分拡大図。
FIG. 2 shows another embodiment (second embodiment) of the present invention,
(A) is a front view, (b) is CC sectional drawing, (c) is the elements on larger scale of a radiation fin part.

【図3】本発明のさらに異なる他の実施例(第3実施
例)を示し、(a)は正面図、(b)はD−D断面図、
(c)は放熱フィン部の部分拡大図。
FIG. 3 shows still another embodiment (third embodiment) of the present invention, in which (a) is a front view and (b) is a D-D sectional view.
FIG. 7C is a partially enlarged view of the radiation fin portion.

【図4】従来の半導体素子用ヒートシンクを示し、
(a)は正面図、(b)はE−E矢視図。
FIG. 4 shows a conventional heat sink for a semiconductor device,
(A) is a front view, (b) is a EE arrow line view.

【図5】従来の半導体素子用ヒートシンクを半導体スタ
ックに組込み、これを箱体に収納して構成した電力変換
装置を示し、(a)は側面図、(b)は正面図。
5A and 5B show a power conversion device in which a conventional heat sink for a semiconductor element is incorporated in a semiconductor stack and housed in a box, wherein FIG. 5A is a side view and FIG. 5B is a front view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…受熱ブロック、3A〜3F…ヒートパイプ、4,11
A,11B…放熱フィン、5A〜5D…半導体素子、6…
半導体スタック、7…箱体、9…換気扇。
2 ... Heat receiving block, 3A-3F ... Heat pipe, 4, 11
A, 11B ... Radiating fins, 5A-5D ... Semiconductor element, 6 ...
Semiconductor stack, 7 ... Box, 9 ... Ventilation fan.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の半導体素子が取付けられる受熱部
に一部を埋設し列状に配置されて突出する複数のヒート
パイプに、複数の放熱フィンを挿入固着して成る半導体
素子用ヒートシンクにおいて、前記放熱フィンを、冷却
風の流れ方向における上流側と下流側の中間部近傍で分
割し、この分割された前記放熱フィンにそれぞれ個別に
熱境界層を形成したことを特徴とする半導体素子用ヒー
トシンク。
1. A heat sink for a semiconductor device, wherein a plurality of heat-dissipating fins are inserted into and fixed to a plurality of heat pipes which are partially embedded in a heat receiving portion to which a plurality of semiconductor devices are attached and which are arranged in a row and project. A heat sink for a semiconductor device, characterized in that the radiating fins are divided in the vicinity of an intermediate portion on the upstream side and the downstream side in the flow direction of cooling air, and a thermal boundary layer is individually formed on each of the divided radiating fins. .
【請求項2】 請求項1に記載の半導体素子用ヒートシ
ンクにおいて、冷却風の流れ方向における上流側の放熱
フィンを、下流側の放熱フィンのほぼ2倍のピッチで配
列したことを特徴とする半導体素子用ヒートシンク。
2. The heat sink for a semiconductor element according to claim 1, wherein the heat radiation fins on the upstream side in the flow direction of the cooling air are arranged at a pitch almost twice that of the heat radiation fins on the downstream side. Heat sink for element.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体素子用ヒートシ
ンクにおいて、冷却風の流れ方向における上流側の放熱
フィンと下流側の放熱フィンを交互に配列したことを特
徴とする半導体素子用ヒートシンク。
3. The heat sink for a semiconductor element according to claim 1, wherein the heat radiating fins on the upstream side and the heat radiating fins on the downstream side in the flow direction of the cooling air are alternately arranged.
JP5057272A 1993-03-17 1993-03-17 Heat sink for semiconductor element Pending JPH06276741A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057272A JPH06276741A (en) 1993-03-17 1993-03-17 Heat sink for semiconductor element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5057272A JPH06276741A (en) 1993-03-17 1993-03-17 Heat sink for semiconductor element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06276741A true JPH06276741A (en) 1994-09-30

Family

ID=13050900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5057272A Pending JPH06276741A (en) 1993-03-17 1993-03-17 Heat sink for semiconductor element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06276741A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311282A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp Heat pipe-type cooler
JP2011181882A (en) * 2010-02-08 2011-09-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Cooling device having a plurality of fin pitches
JP2015167865A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド Clothing treatment apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311282A (en) * 2007-06-12 2008-12-25 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp Heat pipe-type cooler
JP2011181882A (en) * 2010-02-08 2011-09-15 Furukawa Electric Co Ltd:The Cooling device having a plurality of fin pitches
WO2011145640A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-24 古河電気工業株式会社 Cooling device with a plurality of fin pitches
CN102884877A (en) * 2010-05-18 2013-01-16 古河电气工业株式会社 Cooling device with a plurality of fin pitches
US20130112373A1 (en) * 2010-05-18 2013-05-09 Hiroyuki Fukai Cooling device with a plurality of fin pitches
CN102884877B (en) * 2010-05-18 2015-09-30 古河电气工业株式会社 There is the cooling device of multiple spacing of fin
JP2015167865A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド Clothing treatment apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8472193B2 (en) Semiconductor device
JP6164304B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module cooler, semiconductor module cooler, semiconductor module, and electrically driven vehicle
US8291967B2 (en) Heat sink and cooler
US20030131973A1 (en) Uniform heat dissipating and cooling heat sink
JP2010153785A (en) Semiconductor cooling device
CN103369932B (en) Layout method for radiating fins of power device radiator and radiator
JP4913333B2 (en) Heat sink and uniform cooling method
JP2007208116A (en) Air-cooled cooler
JP6177465B2 (en) Cooling system for railway vehicles
JP2019114682A (en) Liquid-cooled cooler
JP2006261215A (en) Heat dissipation structure of electronic apparatus
JPH06276741A (en) Heat sink for semiconductor element
JP2010093034A (en) Cooling device for electronic component
JPH05206339A (en) Heat sink
JP2558578B2 (en) Heat dissipation device for heating element
JP3449605B2 (en) Heat dissipation housing for electronic equipment
JPS63192256A (en) Integrated circuit cooling constitution
JP2008218828A (en) Cooling device and semiconductor device with cooling device
JPH0513063U (en) Heat sink for cooling semiconductor devices
JP5274426B2 (en) Liquid cooling system
JPH11145349A (en) Heat sink for forced cooling
JP6636397B2 (en) Cooling fin structure
JP4462876B2 (en) Heat sink with louvered radiating fins
JPH10190265A (en) Pin fin type heat radiator
JP5494637B2 (en) Power module cooling device