JPH06275533A - Vertical cvd device - Google Patents
Vertical cvd deviceInfo
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- JPH06275533A JPH06275533A JP5762093A JP5762093A JPH06275533A JP H06275533 A JPH06275533 A JP H06275533A JP 5762093 A JP5762093 A JP 5762093A JP 5762093 A JP5762093 A JP 5762093A JP H06275533 A JPH06275533 A JP H06275533A
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- outer tube
- inner tube
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は縦型ＣＶＤ装置、特に縦
型ＣＶＤ装置における被成長面のパーティクル汚染を防
止する構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical CVD apparatus, and more particularly to a structure for preventing particle contamination on a surface to be grown in the vertical CVD apparatus.
【０００２】近年、半導体装置の製造工程において絶縁
膜の形成等に用いられる減圧ＣＶＤ装置には、大型化さ
れた半導体ウエーハ上への成長膜の膜厚や膜質の均一化
を図るために、縦型ＣＶＤ装置が多く用いられるように
なった。In recent years, a low pressure CVD apparatus used for forming an insulating film in a manufacturing process of a semiconductor device has a vertical structure in order to make the film thickness and quality of a grown film on a large-sized semiconductor wafer uniform. Type CVD apparatus has come into wide use.
【０００３】一方、製造される半導体装置の高集積化に
よる形成パターンの微細化に伴って製造装置内でのパー
ティクル汚染は、半導体装置の品質の劣化を招く大きな
要因となっており、上記縦型ＣＶＤ装置においても、成
長面のパーティクル汚染を防止する対策が強く望まれて
いる。On the other hand, particle contamination in a manufacturing apparatus accompanying the miniaturization of a formed pattern due to high integration of a manufactured semiconductor device is a major factor in deteriorating the quality of the semiconductor device. Also in the CVD apparatus, a measure for preventing particle contamination on the growth surface is strongly desired.
【０００４】[0004]
【従来の技術】図４は従来の縦型ＣＶＤ装置の概略構造
を示す模式側断面図である。この図に示すように従来の
縦型ＣＶＤ装置は、次のような構造を有していた。即
ち、上端面が閉じられたアウターチューブ11の内部にア
ウターチューブ11の管壁から離して上端面が開放された
インナーチューブ12が挿入配設され、アウターチューブ
11の側面の外周にはヒータ13が設けられている。そし
て、アウターチューブ11の下端部は排気管17を備えたマ
ニホールド15に気密に接続されており、インナーチュー
ブ12の下端部はマニホールド15を貫通し端面に、半導体
基板18を搭載したボート14の出し入れを行うシャッタ15
a が設けられている。また、インナーチューブ12内部の
下方にはマニホールド15及びインナーチューブ12の管壁
を貫通して挿入されたガス供給管16が上方に向かって開
口している。また、アウターチューブ11とマニホールド
15との接続部にはそれらを連通する複数の排気孔19がイ
ンナーチューブ12を囲むように設けられてなる構造であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic side sectional view showing a schematic structure of a conventional vertical CVD apparatus. As shown in this figure, the conventional vertical CVD apparatus has the following structure. That is, the inner tube 12 whose upper end surface is open apart from the tube wall of the outer tube 11 is inserted and disposed inside the outer tube 11 whose upper end surface is closed.
A heater 13 is provided on the outer periphery of the side surface of 11. The lower end of the outer tube 11 is air-tightly connected to the manifold 15 having the exhaust pipe 17, and the lower end of the inner tube 12 penetrates the manifold 15 and has the end face of which the boat 14 with the semiconductor substrate 18 is inserted and removed. Shutter 15
a is provided. Further, a gas supply pipe 16 inserted through the pipe walls of the manifold 15 and the inner tube 12 is opened downward in the inner tube 12 toward the upper side. Also, the outer tube 11 and the manifold
A structure in which a plurality of exhaust holes 19 communicating with the inner tube 12 are provided in a connecting portion with the inner tube 12 so as to surround the inner tube 12.
【０００５】そして、この縦型ＣＶＤ装置による半導体
基板18上への気相成長処理は、先ずシャッタ15a を開い
てボート14をインナーチューブ12内に上方に向かって挿
入し、ボート14の下端部がインナーチューブ12の下端面
を通過した時点でシャッタ15a を密封する。この際、半
導体基板18の搭載部はインナーチューブ12のほぼ中央に
位置する。その後、図示しない排気装置を用い排気管17
を介して装置内（マニホールド15、アウターチューブ11
及びインナーチューブ12内）のガスを排気し、次いでガ
ス供給管16から所定の流量で反応ガスを導入し、排気管
17から所定の排気を行って装置内の反応ガス圧を所定の
値に保った状態でヒータ13により半導体基板18を所定の
温度に加熱することによってなされ、成膜が終わった
後、ヒータ13の電源を切断し、反応ガスの導入を停止
し、次いで装置内のガスを完全に排気し、次いで装置内
を大気に戻し、シャッタ15a を開いて下方にボート14と
共に半導体基板18を取り出し処理が完了する。この装置
においてガス供給管16から導入された反応ガスの流れ
は、矢印Ｇに示すように、インナーチューブ12内を上昇
し、アウターチューブ11の閉塞された上端部の内面に衝
突し、アウターチューブ11とインナーチューブ12との間
隙部を下降し排気孔19からマニホールド15内に流入し、
排気管17から排出される経路をたどる。In the vapor phase growth process on the semiconductor substrate 18 by this vertical CVD apparatus, first, the shutter 15a is opened and the boat 14 is inserted into the inner tube 12 so that the lower end of the boat 14 is The shutter 15a is sealed when it passes through the lower end surface of the inner tube 12. At this time, the mounting portion of the semiconductor substrate 18 is located substantially in the center of the inner tube 12. Then, using an exhaust device (not shown), the exhaust pipe 17
Through the device (manifold 15, outer tube 11
And inside the inner tube 12), then the reaction gas is introduced from the gas supply pipe 16 at a predetermined flow rate, and the exhaust pipe
It is made by heating the semiconductor substrate 18 to a predetermined temperature by the heater 13 in a state where the reaction gas pressure in the apparatus is maintained at a predetermined value by performing a predetermined exhaust from 17 and after the film formation is completed, the heater 13 The power supply is cut off, the introduction of the reaction gas is stopped, the gas inside the apparatus is completely exhausted, the inside of the apparatus is returned to the atmosphere, the shutter 15a is opened, and the semiconductor substrate 18 is taken out together with the boat 14 downward. To do. In this device, the flow of the reaction gas introduced from the gas supply pipe 16 rises in the inner tube 12 and collides with the inner surface of the closed upper end portion of the outer tube 11 as shown by an arrow G, and the outer tube 11 And descends the gap between the inner tube 12 and the exhaust hole 19 and flows into the manifold 15,
Follow the route discharged from the exhaust pipe 17.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構造を有
する従来の縦型ＣＶＤ装置では、成膜に際して次のよう
な問題が発生していた。However, in the conventional vertical CVD apparatus having the above structure, the following problems have occurred during film formation.
【０００７】それは、従来の縦型ＣＶＤ装置において
は、上記のようにインナーチューブ12の上端面が開放さ
れており、高温に加熱され反応の進んだ反応ガスが前記
のようにアウターチューブ11の閉塞された上端部の内面
に衝突した後、アウターチューブ11とインナーチューブ
12との間隙部を通って排気されるので、ヒータ13部から
外に突出し他の部分に比べて温度の低いアウターチュー
ブ11の閉塞された上端部の内面に反応生成物が付着堆積
して皮膜になる。そしてこの反応生成物の堆積膜が剥が
れてパーティクルが形成され、このパーティクルが上端
面の開放されているインナーチューブ12内に落下し半導
体基板に付着して半導体基板のパーティクル汚染を発生
させ、その結果半導体装置の製造品質を劣化させるとい
う問題である。In the conventional vertical CVD apparatus, the upper end surface of the inner tube 12 is open as described above, and the reaction gas heated to a high temperature and advanced in the reaction closes the outer tube 11 as described above. After colliding with the inner surface of the upper end, the outer tube 11 and the inner tube
Since it is exhausted through the gap between the outer tube 11 and the heater 12, the reaction product adheres to and deposits on the inner surface of the closed upper end of the outer tube 11 which projects outward from the heater 13 and has a lower temperature than other parts. become. Then, the deposited film of the reaction product is peeled off to form particles, and the particles fall into the inner tube 12 having the open upper end surface and adhere to the semiconductor substrate to generate particle contamination of the semiconductor substrate, and as a result, This is a problem of deteriorating the manufacturing quality of the semiconductor device.
【０００８】そこで本発明は、縦型ＣＶＤ装置における
上記パーティクル汚染を防止する構造を提供し、半導体
装置の製造品質を向上させることを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a structure for preventing the above-mentioned particle contamination in a vertical CVD apparatus and improve the manufacturing quality of semiconductor devices.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決は、立
てた状態に配置されたアウターチューブと、該アウター
チューブ内に該アウターチューブの内壁から離隔し且つ
該内壁に沿って挿入され、内部に被処理物が配置される
インナーチューブと、該アウターチューブの側面の外周
に配置され装置内を所定の温度に昇温せしめるヒータと
を有してなり、該アウターチューブは閉塞された上部端
面を持ち、下端部側から真空排気がなされる構造を有
し、該インナーチューブは、閉塞された上部端面を持
ち、下端部側に反応ガスの導入口を有し、且つ上端部近
傍の側壁にアウターチューブの内部に通ずる排気口を設
けた構造を有する本発明による縦型ＣＶＤ装置によって
達成される。Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems, an outer tube that is arranged in a standing state and an inner tube that is separated from the inner wall of the outer tube and is inserted along the inner wall are provided. An inner tube on which the object to be treated is arranged, and a heater arranged on the outer periphery of the side surface of the outer tube to heat the inside of the apparatus to a predetermined temperature, and the outer tube has a closed upper end surface. The inner tube has a structure in which vacuum exhaust is performed from the lower end side, the inner tube has a closed upper end surface, a reaction gas inlet is provided at the lower end side, and an outer wall is provided near the upper end. This is achieved by the vertical CVD apparatus according to the present invention having a structure in which an exhaust port communicating with the inside of the tube is provided.
【００１０】[0010]
【作用】即ち本発明の縦型ＣＶＤ装置においては、イン
ナーチューブの上端部を閉塞し、インナーチューブ内と
アウターチューブ内を連通する排気口をインナーチュー
ブの上端部近傍の側壁に設けた。従って、インナーチュ
ーブの下部から導入された反応ガスは、高温に昇温され
ているインナーチューブの内部を通り上記排気口からア
ウターチューブのヒータに接し高温に加熱されている側
壁部に衝突し、アウターチューブとインナーチューブと
の間の間隙部を通ってアウターチューブの下部から排気
される流れとなる。そのため、インナーチューブ内で高
温に加熱された反応ガスが、ヒータに包囲されないので
他部より低温状態にあるアウターチューブの閉塞された
上端部の内面に直接衝突することがなくなり、この面に
剥がれ易い反応生成物の皮膜が成長堆積されるのが抑制
され、装置内のパーティクル量が大幅に減少する。ま
た、万一、上記の面に堆積した反応生成物皮膜に剥がれ
を生じた際にも、本発明の装置においてはインナーチュ
ーブの上端部が閉塞されているので剥がれた反応生成物
皮膜の砕片がインナーチューブ内に直接落下することは
なく被処理物（例えば半導体基板）上へのパーティクル
付着は防止することができる。That is, in the vertical CVD apparatus of the present invention, the upper end of the inner tube is closed, and the exhaust port that connects the inner tube and the outer tube is provided on the side wall near the upper end of the inner tube. Therefore, the reaction gas introduced from the lower portion of the inner tube passes through the inside of the inner tube heated to a high temperature, comes into contact with the heater of the outer tube from the exhaust port, collides with the side wall portion heated to a high temperature, and The flow is exhausted from the lower part of the outer tube through the gap between the tube and the inner tube. Therefore, the reaction gas heated to a high temperature in the inner tube is not surrounded by the heater, so that it does not directly collide with the inner surface of the closed upper end portion of the outer tube which is in a lower temperature state than other portions, and is easily peeled off to this surface. The reaction product film is suppressed from growing and depositing, and the amount of particles in the apparatus is greatly reduced. Further, even if peeling occurs in the reaction product film deposited on the above-mentioned surface, in the apparatus of the present invention, since the upper end portion of the inner tube is blocked, fragments of the peeled reaction product film may occur. It does not fall directly into the inner tube, and it is possible to prevent particles from adhering to the object to be processed (for example, a semiconductor substrate).
【００１１】以上のように本発明の縦型ＣＶＤ装置にお
いては、パーティクルの抑制、及びパーティクルの被処
理物上への落下の防止がなされるので、被処理物のパー
ティクル汚染が防止できる。As described above, in the vertical CVD apparatus of the present invention, particles are suppressed and particles are prevented from falling onto the object to be processed, so that particle contamination of the object to be processed can be prevented.
【００１２】[0012]
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明の第１の実施例の模式側断面図、
図２は本発明の第２の実施例の要部模式斜視図、図３は
本発明の第３の実施例の要部側面図である。全図を通じ
同一対象物は同一符合で示す。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to illustrated examples. 1 is a schematic side sectional view of a first embodiment of the present invention,
2 is a schematic perspective view of an essential part of a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a side view of an essential part of a third embodiment of the present invention. The same object is denoted by the same reference numeral throughout the drawings.
【００１３】本発明に係る縦型ＣＶＤ装置は、例えば図
１に示すように、立った状態で配置され、上端面が閉塞
された石英等のアウターチューブ１の内部に、アウター
チューブ１の管壁から離して、上端面が閉塞され上端部
近傍の側壁に例えば複数個の例えば角形の排気口2aが形
成された石英等からなるインナーチューブ２が挿入配設
され、アウターチューブ１の側面の外周には装置全体即
ちアウターチューブ１とその内部及びインナーチューブ
２とその内部を加熱するヒータ３が配設されている。そ
して、アウターチューブ１の下端部は、例えば従来同様
に、排気管７を備えたマニホールド５に気密に接続さ
れ、且つ、インナーチューブ２の下端部はマニホールド
５を貫通し端面に、半導体基板８を搭載したボート４の
出し入れを行うシャッタ5aが設けられている。また、イ
ンナーチューブ２の内部の下方には、従来同様に、マニ
ホールド５及びインナーチューブ２の管壁を貫通して挿
入されたガス供給管６が上方に向かって開口しており、
また、アウターチューブ１とマニホールド５との接続部
には従来同様それらを連通する例えば複数の排気孔９が
インナーチューブ２を囲むように設けられてなってい
る。The vertical CVD apparatus according to the present invention is, for example, as shown in FIG. 1, placed inside in an outer tube 1 made of quartz or the like with its upper end face closed, and a tube wall of the outer tube 1 is provided. The inner tube 2 made of, for example, quartz having a plurality of, for example, prismatic exhaust ports 2a formed therein is inserted and disposed on the side wall near the upper end of the outer tube 1 on the outer periphery of the side surface of the outer tube 1. The entire apparatus, that is, the outer tube 1 and the inside thereof, and the inner tube 2 and the heater 3 for heating the inside thereof are arranged. The lower end of the outer tube 1 is airtightly connected to the manifold 5 having the exhaust pipe 7 as in the conventional case, and the lower end of the inner tube 2 penetrates the manifold 5 and has the semiconductor substrate 8 on the end face. A shutter 5a for loading / unloading the mounted boat 4 is provided. In addition, a gas supply pipe 6 inserted through the pipe walls of the manifold 5 and the inner tube 2 is opened downward in the inner tube 2 as in the conventional case,
Further, at the connecting portion between the outer tube 1 and the manifold 5, for example, a plurality of exhaust holes 9 are provided so as to connect them to surround the inner tube 2 as in the conventional case.
【００１４】半導体基板８上へのＣＶＤ処理に際して
は、従来同様に、シャッタ5aを開いて半導体基板８の搭
載されたボート４をインナーチューブ２内に挿入しボー
ト４の下端部がインナーチューブ２の下端面を通過した
時点でシャッタ5aを密封する。この状態で、ボート４の
半導体基板８搭載部はインナーチューブ２中央の均熱部
内に位置する。次いで、図示しない排気装置を用い排気
管７、排気孔９、排気口2aを介して装置内（マニホール
ド５、アウターチューブ１及びインナーチューブ２内）
を真空に排気し、次いで、ガス供給管６から所定の流量
で反応ガスを導入し、排気管７から所定速度の排気を行
って装置内の反応ガス圧を所定の値に保ち、この状態で
ヒータ３により半導体基板８を所定の温度に加熱して半
導体基板上への成膜がなされる。In the CVD process on the semiconductor substrate 8, the shutter 5a is opened and the boat 4 on which the semiconductor substrate 8 is mounted is inserted into the inner tube 2 as in the conventional case, and the lower end portion of the boat 4 is the inner tube 2. The shutter 5a is sealed when it passes through the lower end surface. In this state, the semiconductor substrate 8 mounting portion of the boat 4 is located in the heat equalizing portion at the center of the inner tube 2. Next, using an exhaust device (not shown), through the exhaust pipe 7, exhaust hole 9, and exhaust port 2a, inside the device (in the manifold 5, outer tube 1, and inner tube 2)
Is evacuated to a vacuum, and then a reaction gas is introduced from the gas supply pipe 6 at a predetermined flow rate and exhausted at a predetermined speed from the exhaust pipe 7 to keep the reaction gas pressure in the apparatus at a predetermined value. The heater 3 heats the semiconductor substrate 8 to a predetermined temperature to form a film on the semiconductor substrate.
【００１５】そして、成膜が完了した後は、従来同様
に、ヒータ３の電源を切断し、導入ガスを停止し、装置
内のガスを完全に排気し、次いで装置内を大気に戻した
後、シャッタ5aを開いてボート４と共に半導体基板８を
取り出し、処理が完了する。After the film formation is completed, the heater 3 is powered off, the introduced gas is stopped, the gas in the apparatus is completely exhausted, and then the apparatus is returned to the atmosphere, as in the conventional case. The shutter 5a is opened, the semiconductor substrate 8 is taken out together with the boat 4, and the processing is completed.
【００１６】この実施例に示す装置においては、上記Ｃ
ＶＤ成膜に際し、インナーチューブ２の下端部側に挿入
されたガス供給管６からインナーチューブ２内に導入さ
れた反応ガスの流れは、矢印Ｇに示すように、所定の高
温に加熱されているインナーチューブ２内を上昇し、同
じく高温に加熱されているインナーチューブ２上端部の
閉塞面に当たり、横方向に拡がって排気口2aを通ってア
ウターチューブ１内に流入し、アウターチューブ１のヒ
ータ４に囲まれ高温に加熱されているその側壁1sに直に
衝突し、アウターチューブ１とインナーチューブ２との
間隙部を通って下方に引かれ、アウターチューブ１の下
端部側からマニホールド５を経て排気管７により外部に
排出される経路をたどる。そのため、高温に加熱された
反応ガスが、ヒータ４から露出していて他部に比べて低
温なアウターチューブ１の閉塞された上端の内面に直に
衝突することはなくなり、この部分に反応生成物の皮膜
が厚く堆積するのが回避される。In the apparatus shown in this embodiment, the above C
At the time of VD film formation, the flow of the reaction gas introduced into the inner tube 2 from the gas supply pipe 6 inserted into the lower end side of the inner tube 2 is heated to a predetermined high temperature as shown by an arrow G. The heater 4 of the outer tube 1 rises in the inner tube 2, hits the closed surface of the upper end of the inner tube 2 which is also heated to a high temperature, spreads laterally, flows into the outer tube 1 through the exhaust port 2a, and flows into the outer tube 1. It directly collides with the side wall 1s that is surrounded by the wall and is heated to a high temperature, is drawn downward through the gap between the outer tube 1 and the inner tube 2, and is exhausted from the lower end side of the outer tube 1 through the manifold 5. Follow the path through which the pipe 7 discharges to the outside. Therefore, the reaction gas heated to a high temperature does not directly collide with the inner surface of the closed upper end of the outer tube 1 which is exposed from the heater 4 and has a lower temperature than other portions, and the reaction product is generated in this portion. The thick coating is avoided.
【００１７】また、仮に、上記アウターチューブ１の閉
塞上端部の内面に堆積物が付着しそれが剥離落下した際
にも、インナーチューブ２の上端部が閉塞されているの
で上記落下物がインナーチューブ２内に直接落下するこ
とはない。Further, even if a deposit adheres to the inner surface of the closed upper end portion of the outer tube 1 and is peeled off and dropped, the upper end portion of the inner tube 2 is closed, so the fallen object is the inner tube. It does not fall directly into 2.
【００１８】図２は、インナーチューブ２の排気口2aの
数や大きさを変えて排気能力や排気量を変えることを可
能にした第２の実施例の要部を示す模式斜視図である。
この実施例においてＣＶＤ装置全体の構造は第１の実施
例（図１参照）と同様である。ただ排気速度の加減を行
うため特に図２に示すように、例えばインナーチューブ
２の閉塞端部上に排気口2aを十分に覆う深さを有し、複
数の排気口10aを有する例えば石英製のキャップ10を被
せる。このキャップ10のインナーチューブ２に対する嵌
合の度合いは、キャップ10の摺動回転が可能な範囲でで
きるだけ密な方がよい。そして、このキャップ10を摺動
回転させキャップ10の排気口10aを所望の位置に移動さ
せ、図中にＡで示すようにインナーチューブ２の一部の
排気口2a上をキャップ10で覆って排気口の数を減少させ
たり、また図中のＢに示すように、インナーチューブ２
の排気口2aとキャップ10の排気口10a の位置をずらせて
排気口の大きさを加減したりすることが可能に構成され
る。この構造においては、排気口の数、大きさ等を調節
して排気口をインナーチューブ２の内部からアウターチ
ューブ１側へ通過するガスの流速を速めることにより、
アウターチューブ１内で発生した反応生成物の砕片が、
排気口2aを介してインナーチューブ２内へ進入すること
がなくなる。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a main part of a second embodiment in which the exhaust capacity and the exhaust amount can be changed by changing the number and size of the exhaust ports 2a of the inner tube 2.
In this embodiment, the structure of the entire CVD apparatus is the same as that of the first embodiment (see FIG. 1). However, in order to adjust the exhaust speed, as shown in FIG. 2 in particular, for example, the inner tube 2 has a depth enough to cover the exhaust port 2a on the closed end, and a plurality of exhaust ports 10a, for example, made of quartz. Put on the cap 10. The degree of fitting of the cap 10 to the inner tube 2 should be as close as possible to the extent that the cap 10 can slide and rotate. Then, the cap 10 is slidably rotated to move the exhaust port 10a of the cap 10 to a desired position, and as shown by A in the figure, a part of the exhaust port 2a of the inner tube 2 is covered with the cap 10 and exhausted. To reduce the number of mouths, and as shown by B in the figure, the inner tube 2
The size of the exhaust port can be adjusted by shifting the positions of the exhaust port 2a of the cap 10 and the exhaust port 10a of the cap 10. In this structure, the number and size of the exhaust ports are adjusted to increase the flow velocity of the gas passing through the exhaust ports from the inner tube 2 side to the outer tube 1 side.
The fragments of the reaction product generated in the outer tube 1
It does not enter the inner tube 2 through the exhaust port 2a.
【００１９】また図３に示した第３の実施例において
は、インナーチューブ２の排気口2aの上部に庇状突出部
2bが設けられる。この構造では、仮に、アウターチュー
ブ１の閉塞上端部内面から反応生成物皮膜の砕片Ｐが落
下してきたとしても、この皮膜の砕片Ｐが上記庇状突出
部2bによって排気口2aから遠ざけられ、排気口2aからイ
ンナーチューブ２内へ進入するのが防止される。Further, in the third embodiment shown in FIG. 3, the eave-shaped protrusion is provided on the upper portion of the exhaust port 2a of the inner tube 2.
2b is provided. In this structure, even if the fragment P of the reaction product film falls from the inner surface of the closed upper end portion of the outer tube 1, the fragment P of the film is kept away from the exhaust port 2a by the eave-shaped protrusion 2b and exhausted. Entry into the inner tube 2 from the mouth 2a is prevented.
【００２０】なお、この第３の実施例の構成を第２の実
施例に適用する際には、庇状突出部2bはキャップ10の排
気口10a の上部に設ける。When the structure of the third embodiment is applied to the second embodiment, the eave-shaped protrusion 2b is provided above the exhaust port 10a of the cap 10.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明のように本発明に係る縦型ＣＶ
Ｄ装置においては、他部より低温のアウターチューブの
閉塞上端部内面へ反応生成物皮膜が厚く成長するのが防
止されて上記反応生成物皮膜の剥離落下に起因するアウ
ターチューブ内のパーティクル量は減少すると同時に、
上記パーティクルがインナーチューブの上端部から直に
インナーチューブ内に落下するのも防止され、更にアウ
ターチューブ内を落下するパーティクルがインナーチュ
ーブの排気口を介してインナーチューブ内に進入するの
も抑止される。As described above, the vertical CV according to the present invention
In the device D, the reaction product film is prevented from growing thickly on the inner surface of the closed upper end of the outer tube, which is colder than other parts, and the amount of particles in the outer tube caused by peeling and dropping of the reaction product film is reduced. At the same time
The above particles are also prevented from falling directly into the inner tube from the upper end portion of the inner tube, and the particles falling inside the outer tube are also prevented from entering the inner tube through the exhaust port of the inner tube. .
【００２２】従って本発明によれば、インナーチューブ
内で処理がなされる半導体基板のパーティクル汚染は防
止され、半導体装置の製造品質が向上する。Therefore, according to the present invention, particle contamination of the semiconductor substrate processed in the inner tube is prevented, and the manufacturing quality of the semiconductor device is improved.
【図１】 本発明の第１の実施例の模式側断面図FIG. 1 is a schematic side sectional view of a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第２の実施例の要部模式斜視図FIG. 2 is a schematic perspective view of an essential part of a second embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第３の実施例の要部側面図FIG. 3 is a side view of an essential part of a third embodiment of the present invention.
【図４】 従来構造の模式側断面図FIG. 4 is a schematic side sectional view of a conventional structure.
１ アウターチューブ ２ インナーチューブ 2a 排気口 2b 庇状突出部 ３ ヒータ ４ ボート ５ マニホールド 5a シャッタ ６ ガス供給管 ７ 排気管 ８ 半導体基板 ９ 排気孔 10 キャップ 10a 排気口 Ｇ 反応ガスの流れを示す矢印 Ｐ 反応生成物皮膜の砕片 1 Outer tube 2 Inner tube 2a Exhaust port 2b Eave-shaped protrusion 3 Heater 4 Boat 5 Manifold 5a Shutter 6 Gas supply pipe 7 Exhaust pipe 8 Semiconductor substrate 9 Exhaust hole 10 Cap 10a Exhaust port G Reaction gas flow arrow P Reaction Fragment of product film
Claims (3)
ブと、該アウターチューブ内に該アウターチューブの内
壁から離隔し且つ該内壁に沿って挿入され、内部に被処
理物が配置されるインナーチューブと、該アウターチュ
ーブの側面の外周に配置され装置内を所定の温度に昇温
せしめるヒータとを有してなり、 該アウターチューブは閉塞された上部端面を持ち、下端
部側から真空排気がなされる構造を有し、 該インナーチューブは、閉塞された上部端面を持ち、下
端部側に反応ガスの導入口を有し、且つ上端部近傍の側
壁にアウターチューブの内部に通ずる排気口を設けた構
造を有することを特徴とする縦型ＣＶＤ装置。1. An outer tube which is arranged in a standing state, and an inner tube which is separated from the inner wall of the outer tube and is inserted along the inner wall in the outer tube and in which an object to be treated is arranged. A heater disposed on the outer periphery of the side surface of the outer tube to heat the inside of the apparatus to a predetermined temperature, the outer tube having a closed upper end surface, and vacuum exhaust from the lower end side. The inner tube has a closed upper end surface, a reaction gas inlet port on the lower end side, and an exhaust port communicating with the outer tube on the side wall near the upper end portion. A vertical CVD apparatus comprising:
一方若しくは両方をかえて排気能力及び排気量を変化さ
せることを可能にしてなることを特徴とする請求項１記
載の縦型ＣＶＤ装置。2. The vertical CVD apparatus according to claim 1, wherein the exhaust capacity and the exhaust amount can be changed by changing either one or both of the number and size of the exhaust ports. .
ことを特徴とする請求項１または２記載の縦型ＣＶＤ装
置。3. The vertical CVD apparatus according to claim 1, wherein an eave-shaped protrusion is provided on the upper portion of the exhaust port.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5762093A JPH06275533A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Vertical cvd device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5762093A JPH06275533A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Vertical cvd device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275533A true JPH06275533A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13060923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5762093A Withdrawn JPH06275533A (en) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | Vertical cvd device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275533A (en) |
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