JPH06268883A - High voltage generating circuit and fly-back transformer - Google Patents

High voltage generating circuit and fly-back transformer

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JPH06268883A
JPH06268883A JP5052508A JP5250893A JPH06268883A JP H06268883 A JPH06268883 A JP H06268883A JP 5052508 A JP5052508 A JP 5052508A JP 5250893 A JP5250893 A JP 5250893A JP H06268883 A JPH06268883 A JP H06268883A
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voltage
circuit
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浩 佐原
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Abstract

PURPOSE:To prevent the occurrence of the abnormal state caused by open circuit of a resonance capacitor or the like due to a failure of work, a broken pattern on a board, or the like. CONSTITUTION:A horizontal drive pulse is supplied to the gate of a MOS field- effect transistor FET 41 as a high voltage output transistor TR. The source of the FET 41 is grounded, and the drain is connected to a power terminal 44 through a low voltage coil 42a of a flyback transformer 42 and a filter 43. One end of a high voltage coil 42b of the transformer 42 is connected to a high voltage rectifier circuit 45, and the other end is connected to one end of the low voltage coil 42a. The resonance capacitor is not connected to the primary side of the transformer 42, and only the inductance of the low voltage coil 42a and the internal stray capacitance constitute a resonance circuit. A boosted resonance pulse voltage is obtained in the high voltage coil 42b, and a high voltage HV is obtained by the rectifier circuit 45. It is unnecessary to mount the resonance capacitor on the circuit board, and the abnormal state caused by the open circuit of the resonance capacitor or the like due to a failure of work cannot occur.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、陰極線管を使用した
小型のテレビ受像機またはテレビモニタに使用して好適
な高圧発生回路およびフライバックトランスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high voltage generating circuit and a flyback transformer suitable for use in a small television receiver or television monitor using a cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は偏平型陰極線管(フラット型CR
T)1を示している。図において、1aは電子銃(図示
せず)が配設されたネック部、1bはファンネル部、1
cはスクリーンパネル、1dはフロントパネル、1eは
スクリーンパネル1c上に形成された蛍光面である。ス
クリーンパネル1cやフロントパネル1d等は透明ガラ
スで形成されている。蛍光面1eは電子銃の中心軸に対
して比較的小さな角度で傾斜しており、この蛍光面1e
に映し出される画像を電子銃の中心軸のほぼ垂直方向と
なるフロントパネル1d側より観察するようになってい
る。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a flat cathode ray tube (flat CR
T) 1 is shown. In the figure, 1a is a neck portion provided with an electron gun (not shown), 1b is a funnel portion, 1
Reference numeral c is a screen panel, 1d is a front panel, and 1e is a fluorescent screen formed on the screen panel 1c. The screen panel 1c, the front panel 1d, etc. are made of transparent glass. The fluorescent screen 1e is inclined at a relatively small angle with respect to the central axis of the electron gun.
The image displayed on the screen is observed from the front panel 1d side which is substantially perpendicular to the central axis of the electron gun.

【0003】このような偏平型陰極線管1では、その構
造からキーストン歪(逆台形状歪)が生じる。つまり、
水平偏向走査は蛍光面1eの上部から下部に向けて行な
われるが、上部の偏向角θ1と下部の偏向角θ2が異なる
ため、一定の偏向電力(電流)で水平偏向走査をすると
きには下部に近づくにつれて走査振幅が小さくなり、キ
ーストン歪が生じることになる。
In such a flat cathode ray tube 1, keystone distortion (inverse trapezoidal distortion) occurs due to its structure. That is,
The horizontal deflection scanning is performed from the upper part to the lower part of the phosphor screen 1e. However, since the deflection angle θ1 of the upper part and the deflection angle θ2 of the lower part are different, when the horizontal deflection scanning is performed with a constant deflection power (current), it approaches the lower part. As the scanning amplitude decreases, keystone distortion occurs.

【0004】このキーストン歪を補正するためには、蛍
光面1eを上部から下部に走査するにつれてダイナミッ
クに水平偏向電流Ippを大きくしていく必要がある。こ
こで、水平偏向回路の電源電圧eoと水平偏向電流Ipp
には、水平偏向コイル(H・DY)のインダクタンスを
Ly、水平走査期間をTsとすると、 eo=Ly(Ipp/Ts) =K・Ipp なる関係がある。ここで、K=(Ly/Ts)である。す
なわち、水平偏向電流Ippをダイナミックに増加させる
ためには、電源電圧eoをダイナミックに変えていく必
要があることがわかる。これを実現するために、垂直周
期ののこぎり波信号で電源電圧を変調する、いわゆる電
源変調方式が一般に広く用いられている。
In order to correct this keystone distortion, it is necessary to dynamically increase the horizontal deflection current Ipp as the fluorescent screen 1e is scanned from the upper part to the lower part. Here, the power supply voltage eo of the horizontal deflection circuit and the horizontal deflection current Ipp
Has a relationship of eo = Ly (Ipp / Ts) = K.Ipp, where Ly is the inductance of the horizontal deflection coil (H.DY) and Ts is the horizontal scanning period. Here, K = (Ly / Ts). That is, it is understood that the power supply voltage eo needs to be dynamically changed in order to dynamically increase the horizontal deflection current Ipp. In order to realize this, a so-called power supply modulation method in which a power supply voltage is modulated by a sawtooth wave signal having a vertical cycle is generally widely used.

【0005】ところで、陰極線管の高圧発生回路および
水平偏向回路には、従来周知のように高圧発生回路およ
び水平偏向回路を分離したセパレートタイプと、これら
の回路を分離しないコンベンショナルタイプとがある。
コンベンショナルタイプは、ピンクッション歪やキース
トン歪等の画像歪が小さい場合には適するが、画像歪が
大きい場合にはその補正が高圧発生回路に非常に大きな
影響を与えるので適さない。上述したように偏平型陰極
線管では、キーストン歪の補正量が非常に大きいため、
セパレートタイプが採用されている。
By the way, as the high voltage generation circuit and the horizontal deflection circuit of the cathode ray tube, there are a well-known conventional separate type in which the high voltage generation circuit and the horizontal deflection circuit are separated, and a conventional type in which these circuits are not separated.
The conventional type is suitable when the image distortion such as pincushion distortion or keystone distortion is small, but when the image distortion is large, the correction has a very large effect on the high voltage generation circuit and is not suitable. As described above, in the flat cathode ray tube, the correction amount of keystone distortion is very large,
Separate type is used.

【0006】図7は、セパレートタイプの高圧発生回路
を示している。11は高圧出力トランジスタであり、こ
のトランジスタ11のベースには図示しない高圧ドライ
ブ回路よりドライブパルスが供給される。トランジスタ
11のエミッタは接地され、そのコレクタと接地間には
ダンパダイオード12と共振コンデンサ13が並列に接
続される。
FIG. 7 shows a separate type high voltage generating circuit. Reference numeral 11 is a high-voltage output transistor, and a drive pulse is supplied to the base of the transistor 11 from a high-voltage drive circuit (not shown). The emitter of the transistor 11 is grounded, and the damper diode 12 and the resonance capacitor 13 are connected in parallel between the collector and the ground.

【0007】また、トランジスタ11のコレクタはフラ
イバックトランス(高圧発生用トランス)14の低圧コ
イル(1次側巻線)14aを介して直流電圧+Vccが供
給される電源端子15に接続される。トランス14の高
圧コイル(2次側巻線)14bの一端は複数倍圧の高圧
整流回路16に接続される。この高圧整流回路16で高
圧コイル14bの一端に得られる昇圧されたパルス電圧
が整流され、端子17に高圧HVが導出される。トラン
ス14の高圧コイル14bの他端は、その低圧コイル1
4aの一端に接続される。
The collector of the transistor 11 is connected to a power supply terminal 15 to which a DC voltage + Vcc is supplied via a low voltage coil (primary winding) 14a of a flyback transformer (high voltage generating transformer) 14. One end of the high-voltage coil (secondary winding) 14b of the transformer 14 is connected to a high-voltage rectifier circuit 16 having a multiple voltage. The high-voltage rectifier circuit 16 rectifies the boosted pulse voltage obtained at one end of the high-voltage coil 14b, and the high-voltage HV is led to the terminal 17. The other end of the high voltage coil 14b of the transformer 14 is connected to the low voltage coil 1
It is connected to one end of 4a.

【0008】図8は、図7の例の各部波形を示してい
る。同図Aはトランジスタ11のベースに供給される1
水平周期のドライブパルス、同図Bはコレクタ電流ic
p、同図Cはダンパ電流id、同図Dは低圧コイル14a
を流れる電流iL1、同図Eはコレクタ電圧Vcpを示して
いる。なお、trは帰線期間、tsは走査期間である。
FIG. 8 shows the waveform of each part in the example of FIG. In the figure, A is supplied to the base of the transistor 11.
Horizontal drive pulse, collector current ic in FIG.
p, the same C is the damper current id, and the same D is the low voltage coil 14a.
A current iL1 flowing through the same, and FIG. 6E shows a collector voltage Vcp. Note that tr is a blanking period and ts is a scanning period.

【0009】ここで、トランス14の低圧コイル14a
のインダクタンスをL1とすると、コレクタ電流icpの
最大値icpmは次式のようになる。
Here, the low voltage coil 14a of the transformer 14
The maximum value ipcpm of the collector current icp is given by the following equation, where L1 is the inductance of.

【0010】 Vcc=L1・di/dt =L1・icpm/(ts/2) ∴icpm=(ts/2)・(Vcc/L1) ・・・(1) 帰線期間trに低圧コイル14aに流れる電流iLは次式
のようになる。
Vcc = L1di / dt = L1icpm / (ts / 2) ∴icpm = (ts / 2)  (Vcc / L1) (1) Flow to low voltage coil 14a during retrace period tr The current iL is given by the following equation.

【0011】 iL=icpmcosωot ・・・(2) ここで、ωoはトランス14の低圧コイル14aと共振
コンデンサ13との共振角周波数であり、低圧コイル1
4aのインダクタンスをL1、共振コンデンサ13の容
量をC1とすると次式が成立する。foは共振周波数であ
り、その1/2周期は帰線期間trに ωo=2πfo=1/√(L1C1) ・・・(3) foは共振周波数であり、その1/2周期は帰線期間tr
に相当し、次式が成立する。
IL = icpmcos ωot (2) where ωo is the resonance angular frequency between the low voltage coil 14 a of the transformer 14 and the resonance capacitor 13, and the low voltage coil 1
When the inductance of 4a is L1 and the capacitance of the resonance capacitor 13 is C1, the following equation holds. fo is the resonance frequency, and its 1/2 cycle is in the blanking period tr. ωo = 2πfo = 1 / √ (L1C1) (3) fo is the resonance frequency, and its 1/2 cycle is the blanking period. tr
And the following equation holds.

【0012】 tr=1/(2fo) ・・・(4) また、(2)式より、次式の関係が得られる。Tr = 1 / (2fo) (4) Further, from the equation (2), the following equation is obtained.

【0013】 L1・diL/dt=−ωoL1・icpmsinωot ・・・(5) したがって、コレクタ電圧Vcpの最大値Vcpmは次式の
ように求められる。
L1 · diL / dt = −ωoL1 · icpm sin ωot (5) Therefore, the maximum value Vcpm of the collector voltage Vcp is obtained by the following equation.

【0014】 Vcpm =ωoL1・icpm+Vcc =ωoL1・(ts/2)・(Vcc/L1)+Vcc =Vcc(1+πfots) ≒Vcc{1+(π/2)・(ts/tr)} ・・・(6) 図7の例の高圧発生回路では、(6)式の関係から得ら
れる共振パルス電圧をトランス14の巻数比で昇圧した
パルス電圧より高圧HVを得るものである。
Vcpm = ωoL1 · icpm + Vcc = ωoL1 · (ts / 2) · (Vcc / L1) + Vcc = Vcc (1 + πfoots) ≈Vcc {1+ (π / 2) · (ts / tr)} (6) In the high voltage generation circuit of the example of FIG. 7, the high voltage HV is obtained from the pulse voltage obtained by boosting the resonance pulse voltage obtained from the relationship of the equation (6) by the turns ratio of the transformer 14.

【0015】(6)式より、コレクタ電圧Vcpmは帰線
期間trが小さくなる程大きくなることが解る。そし
て、この帰線期間trを決定しているのが、(3)式お
よび(4)式より明かなように、トランス14の低圧コ
イル14aのインダクタンスL1および共振コンデンサ
13の容量C1である。したがって、高圧HVを一定に
保つには、インダクタンスL1および容量C1の両方のば
らつきを考慮する必要がある。
From equation (6), it can be seen that the collector voltage Vcpm increases as the blanking period tr decreases. Then, it is the inductance L1 of the low-voltage coil 14a of the transformer 14 and the capacitance C1 of the resonance capacitor 13 that determine the blanking period tr, as is clear from the equations (3) and (4). Therefore, in order to keep the high voltage HV constant, it is necessary to consider variations in both the inductance L1 and the capacitance C1.

【0016】一般に、共振コンデンサ13は外部部品と
して回路基板に実装されるので、作業ミスや基板のパタ
ーン切れ等によってオープン状態になった場合、コレク
タ電圧Vcpmが非常に高くなり、回路やトランス14本
体を破壊して発煙発火に至らしめたり、陰極線管に供給
される高圧HVが異常に高くなって陰極線管よりX線等
が放射される等の問題がある。
In general, the resonance capacitor 13 is mounted on a circuit board as an external component. Therefore, when the resonance capacitor 13 is opened due to a mistake in work or a pattern break on the board, the collector voltage Vcpm becomes very high, and the circuit and the transformer 14 main body. There is a problem that the cathode ray tube is radiated with X-rays due to the high voltage HV supplied to the cathode ray tube being abnormally high due to the destruction of the cathode ray tube to cause smoke and ignition.

【0017】このような異常動作を防止するため、従来
は異常高圧を検出して保護回路を動作させたり、共振コ
ンデンサ13として4本脚コンデンサを使用することが
行なわれている。4本脚コンデンサはそれぞれの端子に
端子ピンを2本ずつ接続してあり、これらの各2本ずつ
の端子ピンを回路基板に接続することでコンデンサの接
続はずれによるオープン状態の発生頻度を少なくでき
る。
In order to prevent such an abnormal operation, conventionally, an abnormal high voltage is detected to operate a protection circuit, or a four-leg capacitor is used as the resonance capacitor 13. A four-leg capacitor has two terminal pins connected to each terminal, and by connecting each of these two terminal pins to the circuit board, the frequency of occurrence of an open state due to disconnection of the capacitor can be reduced. .

【0018】しかし、偏平型陰極線管等の小型陰極線管
は、コンパクトでローコスト商品であるため、高価な保
護回路および4本脚コンデンサ等を用いることができ
ず、例えば高圧HVを下げてドライブすることで対応し
ている。
However, since a small cathode ray tube such as a flat cathode ray tube is a compact and low-cost product, an expensive protection circuit and a four-leg capacitor cannot be used. For example, the high voltage HV must be lowered before driving. It corresponds with.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】しかし、高圧を下げて
陰極線管をドライブする場合には、電子ビームの加速度
が低下してフォーカシングが劣化するため、解像度が低
下して高品質の画像を得ることができないといった問題
点がある。
However, when the cathode ray tube is driven by lowering the high voltage, the acceleration of the electron beam is lowered and the focusing is deteriorated, so that the resolution is lowered and a high quality image is obtained. There is a problem that you cannot do it.

【0020】なお、図9は従来のフライバックトランス
14の構成を示している。図において、14cは低圧ボ
ビンであり、この低圧ボビン14cに上述した低圧コイ
ル14aが巻装される。14dは高圧ボビンであり、こ
の高圧ボビン14dには上述した高圧コイル14bが巻
装される。14eはコアである。
FIG. 9 shows the structure of the conventional flyback transformer 14. In the figure, 14c is a low pressure bobbin, and the low voltage coil 14a described above is wound around this low pressure bobbin 14c. 14d is a high voltage bobbin, and the high voltage coil 14b described above is wound around the high voltage bobbin 14d. 14e is a core.

【0021】このトランス14は、高圧変動やラスター
リンギング防止等濡れ磁束による影響を小さくするため
に、低圧コイル14aと高圧コイル14bとを同心円状
に配置された別々のボビン14c,14dに巻装する構
成とし、低圧コイル14aと高圧コイル14bの結合が
密になるようにし、分布容量を小さくする工夫がなされ
ている。
In this transformer 14, the low-voltage coil 14a and the high-voltage coil 14b are wound around separate bobbins 14c and 14d which are concentrically arranged in order to reduce the influence of wet magnetic flux such as high-voltage fluctuation and prevention of raster ringing. The configuration is such that the low-voltage coil 14a and the high-voltage coil 14b are tightly coupled and the distributed capacitance is reduced.

【0022】この発明は、作業ミスや基板のパターン切
れ等による共振コンデンサのオープン等による異常状態
の発生を防止することを目的とするものである。
It is an object of the present invention to prevent the occurrence of an abnormal state due to the opening of a resonant capacitor due to a work error or a pattern breakage of a substrate.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係る高圧発
生回路は、フライバックトランスを備え、フライバック
トランスの低圧コイルのインダクタンスと内部分布容量
のみで共振回路を構成し、フライバックトランスの高圧
コイルより昇圧された共振パルス電圧を得るものであ
る。
A high voltage generating circuit according to a first aspect of the present invention includes a flyback transformer, and a resonance circuit is configured only by the inductance and internal distributed capacitance of a low voltage coil of the flyback transformer. The resonant pulse voltage boosted by the high voltage coil is obtained.

【0024】第2の発明に係るフライバックトランス
は、低圧コイルと高圧コイルとを一体形分割スリット構
造ボビンに分割して巻装し、低圧コイルと高圧コイルと
を疎結合とするものである。
In the flyback transformer according to the second aspect of the present invention, the low voltage coil and the high voltage coil are divided and wound into an integral split slit structure bobbin, and the low voltage coil and the high voltage coil are loosely coupled.

【0025】例えば、高圧コイルは、低圧コイルに隣接
して巻装される第1の高圧コイルと、この第1の高圧コ
イルに隣接して巻装される第2の高圧コイルとよりな
り、第1の高圧コイルの巻線数を第2の高圧コイルの巻
線数以上とするものである。
For example, the high voltage coil comprises a first high voltage coil wound adjacent to the low voltage coil and a second high voltage coil wound adjacent to the first high voltage coil. The number of turns of one high-voltage coil is equal to or greater than the number of turns of the second high-voltage coil.

【0026】[0026]

【作用】第1の発明においては、低圧コイルのインダク
タンスと内部分布容量のみで共振回路を構成するため、
回路基板に共振コンデンサを実装する必要がなく、作業
ミスや基板のパターン切れ等による共振コンデンサのオ
ープン等による異常状態の発生を防止し得る。
In the first aspect of the invention, since the resonance circuit is constituted only by the inductance of the low voltage coil and the internal distributed capacitance,
Since it is not necessary to mount the resonance capacitor on the circuit board, it is possible to prevent the occurrence of an abnormal state due to the opening of the resonance capacitor due to a work error or a pattern break of the board.

【0027】第2の発明においては、低圧コイルと高圧
コイルとを一体形分割スリット構造ボビンに分割して巻
装し、低圧コイルと高圧コイルとを疎結合とするため低
圧コイルと高圧コイルとの間の分布容量が大きくなり、
またこの分布容量はバラツキの小さなものとなり、第1
の発明に使用して好適なフライバックトランスを得るこ
とが可能となる。
In the second aspect of the invention, the low voltage coil and the high voltage coil are divided and wound into an integral type split slit structure bobbin, and the low voltage coil and the high voltage coil are loosely coupled so that the low voltage coil and the high voltage coil are connected. The distributed capacity between
Moreover, this distributed capacity has a small variation, and
It is possible to obtain a suitable flyback transformer by using the invention.

【0028】低圧コイルに隣接して巻装される第1の高
圧コイルの巻線数を、この第1の高圧コイルに隣接して
巻装される第2の高圧コイルの巻線数以上とすること
で、漏れ磁束を低減することが可能となる。
The number of turns of the first high-voltage coil wound adjacent to the low-voltage coil is equal to or greater than the number of turns of the second high-voltage coil wound adjacent to the first high-voltage coil. This makes it possible to reduce the leakage magnetic flux.

【0029】[0029]

【実施例】以下、図1を参照しながら、この発明の一実
施例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0030】図において、20は水平偏向回路である。
21は水平出力トランジスタとしてのNチャネルエンハ
ンスメント形のMOS電界効果トランジスタである。こ
のトランジスタ21のゲートには水平ドライブパルスが
供給される。トランジスタ21のソースは接地され、そ
のドレインはチョークコイル22を介して直流電圧+V
ccが供給される電源端子23に接続される。また、トラ
ンジスタ21のドレインと接地間には、共振コンデンサ
24および水平偏向コイル25とS字補正コンデンサ2
6の直列回路が並列に接続される。
In the figure, 20 is a horizontal deflection circuit.
Reference numeral 21 is an N-channel enhancement type MOS field effect transistor as a horizontal output transistor. A horizontal drive pulse is supplied to the gate of the transistor 21. The source of the transistor 21 is grounded, and its drain is connected to the DC voltage + V via the choke coil 22.
It is connected to the power supply terminal 23 to which cc is supplied. The resonance capacitor 24, the horizontal deflection coil 25, and the S-shaped correction capacitor 2 are connected between the drain of the transistor 21 and the ground.
Six series circuits are connected in parallel.

【0031】図2は、MOS電界効果トランジスタ21
の特性を示しており、横軸はドレイン・ソース間の電圧
VDS、縦軸はドレイン電流IDを示している。そして、
同図の曲線aはトランジスタ21のオン時における電圧
VDSと電流IDとの関係(オン特性)を示しており、曲
線bはトランジスタ21のオフ時における電圧VDSと電
流IDとの関係(ダイオード特性)を示している。
FIG. 2 shows a MOS field effect transistor 21.
The horizontal axis represents the drain-source voltage VDS, and the vertical axis represents the drain current ID. And
Curve a in the figure shows the relationship between the voltage VDS and the current ID when the transistor 21 is on (ON characteristic), and curve b shows the relationship between the voltage VDS and the current ID when the transistor 21 is off (diode characteristic). Is shown.

【0032】次に、図3の波形図を使用して動作を説明
する。同図Aは水平ドライブパルス、同図Bはドレイン
電流、同図Cはドレイン電圧、同図Dは共振コンデンサ
電流、同図Eは偏向電流を示している。
Next, the operation will be described with reference to the waveform chart of FIG. A of the same drawing shows a horizontal drive pulse, B of the same shows a drain current, C of the same shows a drain voltage, D of the same shows a resonant capacitor current, and E of the same shows a deflection current.

【0033】トランジスタ21のゲートに図3Aに示す
ような水平ドライブパルスが供給されるとき、偏向コイ
ル25には同図Eに示すように偏向電流(のこぎり波電
流)が流れる。
When a horizontal drive pulse as shown in FIG. 3A is supplied to the gate of the transistor 21, a deflection current (sawtooth wave current) flows through the deflection coil 25 as shown in FIG.

【0034】すなわち、トランジスタ21のベースに正
パルスが供給されるとトランジスタ21はオンし、偏向
コイル25に時間とともに直線的に増加する電流が流れ
る(t11〜t12)。
That is, when a positive pulse is supplied to the base of the transistor 21, the transistor 21 is turned on and a current that linearly increases with time flows through the deflection coil 25 (t11 to t12).

【0035】次に、トランジスタ21のゲートに負パル
スが供給されるとトランジスタ21がオフし、電流はイ
ンダクタンス慣性のために同方向に流れ続けて共振コン
デンサ24を充電する。この充電電流は時間と共に減少
し、共振コンデンサ24の電圧は増加する。充電電流が
ゼロとなり、共振コンデンサ24の電圧(ドレイン電
圧)がピークに達する(t12〜t13)。
Next, when a negative pulse is supplied to the gate of the transistor 21, the transistor 21 is turned off, and the current continues to flow in the same direction due to the inductance inertia to charge the resonance capacitor 24. This charging current decreases with time and the voltage of the resonant capacitor 24 increases. The charging current becomes zero, and the voltage (drain voltage) of the resonance capacitor 24 reaches a peak (t12 to t13).

【0036】次に、共振コンデンサ24は偏向コイル2
5を通して放電し、その電圧は徐々に減少して偏向コイ
ル25には逆向きの電流が増える。共振コンデンサ24
の電圧がもとに戻り、逆向きの電流はピークに達する
(t13〜t14)。
Next, the resonance capacitor 24 is used for the deflection coil 2
5, the voltage gradually decreases, and the reverse current increases in the deflection coil 25. Resonance capacitor 24
Voltage returns to its original value and the reverse current reaches a peak (t13 to t14).

【0037】次に、偏向コイル25の逆起電力のために
トランジスタ21はダイオードとして導通し(図2の曲
線bのダイオード特性参照)、電流は同方向に流れ続け
る。電流の大きさは徐々に減少する(t14〜t15)。そ
して、トランジスタ21のゲートに正パルスが供給され
てトランジスタ21がオンとなると、今度はトランジス
タ21のオン特性(図2の曲線aの特性参照)でもって
導通し、電流は同方向に流れ続ける。電流の大きさは徐
々に減少して、ゼロとなる(t15〜t16)。
Next, due to the counter electromotive force of the deflection coil 25, the transistor 21 conducts as a diode (see the diode characteristic of the curve b in FIG. 2), and the current continues to flow in the same direction. The magnitude of the current gradually decreases (t14 to t15). Then, when a positive pulse is supplied to the gate of the transistor 21 and the transistor 21 is turned on, the transistor 21 is turned on this time (see the characteristic of the curve a in FIG. 2), and the current continues to flow in the same direction. The magnitude of the current gradually decreases to zero (t15 to t16).

【0038】次に、トランジスタ21がオンとなってい
るため、偏向コイル25には再び時間と共に直線的に増
加する電流が流れる。以上のサイクルでもって、偏向コ
イル25に流れるのこぎり波電流が形成される。
Next, since the transistor 21 is turned on, a current that linearly increases with time again flows through the deflection coil 25. Through the above cycle, a sawtooth current flowing through the deflection coil 25 is formed.

【0039】図1に戻って、40は高圧発生回路であ
る。41は高圧出力トランジスタとしてのNチャネルエ
ンハンスメント形のMOS電界効果トランジスタであ
る。このトランジスタ41のゲートには水平ドライブパ
ルスが供給される。トランジスタ41のソースは接地さ
れ、そのドレインはフライバックトランス(高圧発生用
トランス)42の低圧コイル(1次側巻線)42aおよ
びローパスフィルタ43を介して直流電圧+Vccが供給
される電源端子44に接続される。トランス42の高圧
コイル(2次側巻線)42bの一端は複数倍圧の高圧整
流回路45を介して端子46に接続される。トランス4
2の高圧コイル42bの他端は、その低圧コイル42a
の一端に接続される。
Returning to FIG. 1, reference numeral 40 is a high voltage generating circuit. Reference numeral 41 is an N-channel enhancement type MOS field effect transistor as a high voltage output transistor. A horizontal drive pulse is supplied to the gate of the transistor 41. The source of the transistor 41 is grounded, and the drain thereof is connected to a power supply terminal 44 to which a DC voltage + Vcc is supplied via a low voltage coil (primary winding) 42a of a flyback transformer (high voltage generating transformer) 42 and a low pass filter 43. Connected. One end of the high-voltage coil (secondary winding) 42b of the transformer 42 is connected to a terminal 46 via a high-voltage rectifier circuit 45 with a multiple voltage. Transformer 4
The other end of the second high-voltage coil 42b has a low-voltage coil 42a.
Connected to one end of.

【0040】以上の構成では、高圧出力トランジスタと
してMOS電界効果トランジスタ41が使用されてお
り、その動作は上述した水平偏向回路20の動作と基本
的に同じである。ただし、この高圧発生回路40では共
振コンデンサが接続されておらず、トランス42の低圧
コイル42aのインダクタンスと内部分布容量のみで共
振回路が構成される。
In the above configuration, the MOS field effect transistor 41 is used as the high voltage output transistor, and its operation is basically the same as the operation of the horizontal deflection circuit 20 described above. However, in this high voltage generation circuit 40, a resonance capacitor is not connected, and the resonance circuit is configured only by the inductance of the low voltage coil 42a of the transformer 42 and the internal distributed capacitance.

【0041】トランジスタ41のドレインには共振パル
ス電圧が得られ(図3C参照)、トランス42の高圧コ
イル42bには昇圧されたパルス電圧が得られ、高圧整
流回路45より端子46に高圧HVが導出される。
A resonance pulse voltage is obtained at the drain of the transistor 41 (see FIG. 3C), a boosted pulse voltage is obtained at the high voltage coil 42b of the transformer 42, and a high voltage HV is derived from the high voltage rectifier circuit 45 to the terminal 46. To be done.

【0042】本例においては、低圧コイル42aのイン
ダクタンスと内部分布容量のみで共振回路が構成される
ため、従来のように回路基板に共振コンデンサを実装す
る必要がなく、作業ミスや基板のパターン切れ等による
共振コンデンサのオープン等による異常状態の発生を防
止できる。したがって、CRTテレビ受像機等に本例の
高圧発生回路を使用する場合には、高圧を下げる必要が
なく、フォーカシング劣化による解像度の低下を防止で
きる。また、異常高圧を検出して保護する保護回路等も
必要でなくなる。
In this example, since the resonance circuit is composed only of the inductance of the low voltage coil 42a and the internal distributed capacitance, it is not necessary to mount the resonance capacitor on the circuit board as in the conventional case, and a work error or a pattern break of the board is generated. It is possible to prevent the occurrence of an abnormal state due to the opening of the resonance capacitor due to the above. Therefore, when the high voltage generation circuit of this example is used in a CRT television receiver or the like, it is not necessary to reduce the high voltage, and it is possible to prevent the resolution from being degraded due to focusing deterioration. Further, a protection circuit or the like for detecting and protecting an abnormally high voltage is not necessary.

【0043】図4は、フライバックトランス42の内部
構造を示している。図において、42cは低圧高圧一体
形で分割スリット構造のボビンである。このボビン42
cの第1のスリットには低圧コイル42aが巻装され、
第2のスリットには高圧コイル42bを構成する第1の
高圧コイル42b1が巻装され、第3のスリットには高
圧コイル42bを構成する第2の高圧コイル42b2が
巻装される。高圧コイル42bの巻終わりは高圧整流回
路45に結線される。42dはコアである。
FIG. 4 shows the internal structure of the flyback transformer 42. In the figure, 42c is a low-voltage high-pressure integral type bobbin having a split slit structure. This bobbin 42
A low voltage coil 42a is wound around the first slit of c,
A first high voltage coil 42b1 forming the high voltage coil 42b is wound around the second slit, and a second high voltage coil 42b2 forming the high voltage coil 42b is wound around the third slit. The end of winding of the high voltage coil 42b is connected to the high voltage rectifier circuit 45. 42d is a core.

【0044】このフライバックトランス42は、金属の
シールドケース47で外周が覆われてシールドされる。
そして、絶縁耐圧を上げるために、このシールドケース
47とフライバックトランス42間にシリコン絶縁樹脂
48が充填される。
The flyback transformer 42 is shielded by covering the outer circumference with a metal shield case 47.
Then, in order to increase the withstand voltage, a silicon insulating resin 48 is filled between the shield case 47 and the flyback transformer 42.

【0045】このフライバックトランス42では、図5
に示すようにコイル42a,42bとシールドケース4
7の間や低圧コイル42aと高圧コイル42bの間に分
布容量が形成される。上述したように、低圧コイル42
aと高圧コイル42bとがボビン42cに分割して巻装
されるため、低圧コイル42aおよび高圧コイル42b
間の結合は疎となり、低圧コイル42aと高圧コイル4
2b間の分布容量が大きくなる。したがって、高圧発生
回路40の1次側共振コンデンサに相当する充分な分布
容量を形成することができる。この分布容量にはシリコ
ン絶縁樹脂48の誘電率も積極的に利用されている。な
お、低圧コイル42aおよび高圧コイル42bは低圧高
圧一体形のボビン42cに巻装されるため、別ボビンに
巻装するものに比べてバラツキの小さな分布容量を得る
ことができる。
The flyback transformer 42 shown in FIG.
The coils 42a and 42b and the shield case 4 as shown in FIG.
7 and between the low voltage coil 42a and the high voltage coil 42b. As described above, the low voltage coil 42
a and the high-voltage coil 42b are separately wound on the bobbin 42c, the low-voltage coil 42a and the high-voltage coil 42b are thus wound.
The coupling between them becomes sparse, and the low voltage coil 42a and the high voltage coil 4 are
The distributed capacity between 2b becomes large. Therefore, it is possible to form a sufficient distributed capacitance corresponding to the primary side resonance capacitor of the high voltage generation circuit 40. The dielectric constant of the silicon insulating resin 48 is also positively used for this distributed capacitance. Since the low-voltage coil 42a and the high-voltage coil 42b are wound around the low-pressure high-voltage integrated bobbin 42c, it is possible to obtain a distributed capacity with less variation than that wound around another bobbin.

【0046】ところで、上述したように低圧コイル42
aと高圧コイル42bとを疎結合とすると、漏れ磁束が
増加してラスタリンギングの発生等で画像品質を悪化さ
せる。そこで、本例ではさらに、第2のスリットに巻装
される第1の高圧コイル42b1の巻線数が第3のスリ
ットに巻装される第2の高圧コイル42b2の巻線数以
上とされる。これにより、漏れ磁束を低減でき、漏れ磁
束による影響を軽減でき、画質劣化を抑制できる。
By the way, as described above, the low-voltage coil 42
When a and the high voltage coil 42b are loosely coupled, the leakage magnetic flux increases and the image quality deteriorates due to the occurrence of raster ringing or the like. Therefore, in this example, the number of windings of the first high-voltage coil 42b1 wound around the second slit is set to be equal to or larger than the number of windings of the second high-voltage coil 42b2 wound around the third slit. . Thereby, the leakage magnetic flux can be reduced, the influence of the leakage magnetic flux can be reduced, and the deterioration of image quality can be suppressed.

【0047】[0047]

【発明の効果】第1の発明によれば、低圧コイルのイン
ダクタンスと内部分布容量のみで共振回路を構成するた
め、回路基板に共振コンデンサを実装する必要がなく、
作業ミスや基板のパターン切れ等による共振コンデンサ
のオープン等による異常状態の発生を防止できる。これ
により、高圧を下げる必要がなくなり、フォーカシング
劣化による解像度の低下を防止できる。また、異常高圧
を検出して保護する保護回路も必要でなくなる。
According to the first aspect of the present invention, since the resonance circuit is configured only by the inductance of the low voltage coil and the internal distributed capacitance, it is not necessary to mount the resonance capacitor on the circuit board.
It is possible to prevent the occurrence of an abnormal state due to the opening of the resonance capacitor due to a work mistake or a pattern break of the substrate. As a result, it is not necessary to reduce the high pressure, and it is possible to prevent a decrease in resolution due to focusing deterioration. Further, a protection circuit for detecting and protecting the abnormal high voltage is not necessary.

【0048】第2の発明によれば、低圧コイルと高圧コ
イルとを一体形分割スリット構造ボビンに分割して巻装
し、低圧コイルと高圧コイルとを疎結合とするため、低
圧コイルと高圧コイルとの間の分布容量が大きくなり、
またこの分布容量はバラツキの小さなものとなり、第1
の発明に使用して好適なフライバックトランスを得るこ
とができる。
According to the second aspect of the invention, the low voltage coil and the high voltage coil are divided and wound into an integral type split slit structure bobbin, and the low voltage coil and the high voltage coil are loosely coupled. And the distributed capacity between
Moreover, this distributed capacity has a small variation, and
A flyback transformer suitable for use in the invention can be obtained.

【0049】また、低圧コイルに隣接して巻装される第
1の高圧コイルの巻線数を、この第1の高圧コイルに隣
接して巻装される第2の高圧コイルの巻線数以上とする
ことで、漏れ磁束を低減できる。これにより、漏れ磁束
による影響を軽減でき、画質劣化を抑制できる。
The number of windings of the first high voltage coil wound adjacent to the low voltage coil is equal to or larger than the number of windings of the second high voltage coil wound adjacent to the first high voltage coil. Therefore, the leakage magnetic flux can be reduced. As a result, the influence of the leakage magnetic flux can be reduced, and the deterioration of image quality can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係る高圧発生回路の一実施例を示す
接続図である。
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of a high voltage generating circuit according to the present invention.

【図2】MOS電界効果トランジスタの特性を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing characteristics of a MOS field effect transistor.

【図3】図1の例の各部の波形を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a waveform of each part of the example of FIG.

【図4】フライバックトランスの内部構造を示す断面図
である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the internal structure of a flyback transformer.

【図5】フライバックトランスの分布容量を説明するた
めの図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining distributed capacitance of a flyback transformer.

【図6】偏平型陰極線管(フラット型CRT)を示す平
面図および側面図である。
FIG. 6 is a plan view and a side view showing a flat cathode ray tube (flat CRT).

【図7】従来の高圧発生回路の構成を示す接続図であ
る。
FIG. 7 is a connection diagram showing a configuration of a conventional high voltage generation circuit.

【図8】図7の例の各部の波形を示す図である。8 is a diagram showing a waveform of each part of the example of FIG.

【図9】従来のフライバックトランスの内部構造を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing an internal structure of a conventional flyback transformer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 偏平型陰極線管 20 水平偏向回路 21,41 MOS電界効果トランジスタ 22 チョークコイル 23,44 電源端子 24 共振コンデンサ 25 水平偏向コイル 26 S字補正コンデンサ 40 高圧発生回路 42 フライバックトランス 42a 低圧コイル 42b 高圧コイル 42b1 第1の高圧コイル 42b2 第2の高圧コイル 42c ボビン 42d コア 43 ローパスフィルタ 45 高圧整流回路 47 シールドケース 48 シリコン絶縁樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flat cathode ray tube 20 Horizontal deflection circuit 21,41 MOS field effect transistor 22 Choke coil 23,44 Power supply terminal 24 Resonant capacitor 25 Horizontal deflection coil 26 S-shaped correction capacitor 40 High voltage generation circuit 42 Flyback transformer 42a Low voltage coil 42b High voltage coil 42b1 1st high voltage coil 42b2 2nd high voltage coil 42c Bobbin 42d Core 43 Low pass filter 45 High voltage rectifier circuit 47 Shield case 48 Silicon insulating resin

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フライバックトランスを備え、 上記フライバックトランスの低圧コイルのインダクタン
スと内部分布容量のみで共振回路を構成し、 上記フライバックトランスの高圧コイルより昇圧された
共振パルス電圧を得ることを特徴とする高圧発生回路。
1. A flyback transformer is provided, and a resonance circuit is configured only by an inductance and an internal distributed capacitance of a low-voltage coil of the flyback transformer, and a resonance pulse voltage boosted from the high-voltage coil of the flyback transformer is obtained. Characteristic high voltage generation circuit.
【請求項2】 低圧コイルと高圧コイルとを一体形分割
スリット構造ボビンに分割して巻装し、上記低圧コイル
と高圧コイルとを疎結合とすることを特徴とするフライ
バックトランス。
2. A flyback transformer characterized in that the low-voltage coil and the high-voltage coil are divided and wound in an integral split slit structure bobbin, and the low-voltage coil and the high-voltage coil are loosely coupled.
【請求項3】 上記高圧コイルは、上記低圧コイルに隣
接して巻装される第1の高圧コイルと、この第1の高圧
コイルに隣接して巻装される第2の高圧コイルとよりな
り、 上記第1の高圧コイルの巻線数を上記第2の高圧コイル
の巻線数以上とすることを特徴とする請求項2記載のフ
ライバックトランス。
3. The high-voltage coil comprises a first high-voltage coil wound adjacent to the low-voltage coil and a second high-voltage coil wound adjacent to the first high-voltage coil. The flyback transformer according to claim 2, wherein the number of windings of the first high-voltage coil is equal to or greater than the number of windings of the second high-voltage coil.
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JP2012239288A (en) * 2011-05-11 2012-12-06 Tohoku Ricoh Co Ltd High voltage inverter device

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