JPH06264272A - Fine working method - Google Patents
Fine working methodInfo
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- JPH06264272A JPH06264272A JP5054022A JP5402293A JPH06264272A JP H06264272 A JPH06264272 A JP H06264272A JP 5054022 A JP5054022 A JP 5054022A JP 5402293 A JP5402293 A JP 5402293A JP H06264272 A JPH06264272 A JP H06264272A
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- substrate
- beams
- irradiated
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被加工材を加工して回
折格子やゾーンプレート等の微細加工物を得るための微
細加工法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microfabrication method for processing a work material to obtain a microfabricated product such as a diffraction grating and a zone plate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基板等の被加工材を所定のパター
ンに応じて深さ方向に加工する微細加工法として、フォ
トリソグラフィー法が知られている。このフォトリソグ
ラフィー法は、パターンが形成されたフォトマスクに光
を照明し、このパターン像を基板表面に形成されたフォ
トレジスト層に投影、露光してフォトマスクと同一・相
似のパターンをフォトレジストに形成する。この後、パ
ターンが形成されたフォトレジストをマスクにしてエッ
チング等を施すことにより基板の微細加工を行う。2. Description of the Related Art Conventionally, a photolithography method has been known as a fine processing method for processing a workpiece such as a substrate in the depth direction according to a predetermined pattern. In this photolithography method, a photomask on which a pattern is formed is illuminated with light, and this pattern image is projected onto a photoresist layer formed on the substrate surface and exposed to light to form a pattern that is the same as or similar to the photomask on the photoresist. Form. After that, the substrate is finely processed by performing etching or the like using the photoresist having the pattern as a mask.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフォトリソグラフィー法による微細加工法にあって
は、通常、エッチング時間等の条件を変化させても被加
工部の深さを一次元的にしか制御できず、つまり被加工
部の深さを一様な深さにしか制御できず、深さが二次元
的に任意に変化するような被加工部を得ることが困難で
あった。但し、従来のフォトリソグラフィー法において
は、シリコン基板の特定の面方位に沿ってエッチング面
が進行する異方性エッチングと呼ばれるものが用いられ
ることもあり、この異方性エッチングを用いればＶ字溝
等を形成することは可能であるが、エッチング面が特定
の面方位に沿ってのみ進行するため、深さが二次元的に
任意に変化するような被加工部を得ることはできない。
したがって、従来の微細加工法では、位相変調型ゾーン
プレートのように深さ方向のパターン形状に二次元的制
御を必要とする微細加工が困難であった。However, in the above-described microfabrication method by the photolithography method, the depth of the processed portion is usually controlled only one-dimensionally even if the conditions such as the etching time are changed. This is impossible, that is, the depth of the processed portion can be controlled only to a uniform depth, and it has been difficult to obtain a processed portion in which the depth can be arbitrarily changed two-dimensionally. However, in the conventional photolithography method, what is called anisotropic etching in which an etching surface advances along a specific plane orientation of a silicon substrate is sometimes used. If this anisotropic etching is used, a V-shaped groove is formed. However, since the etching surface advances only along a specific plane orientation, it is not possible to obtain a processed portion having a two-dimensional arbitrary depth change.
Therefore, in the conventional fine processing method, it is difficult to perform fine processing that requires two-dimensional control of the pattern shape in the depth direction like the phase modulation type zone plate.
【０００４】本発明の目的は、深さを二次元的に任意に
変化させた微細加工を容易に行うことの可能な微細加工
法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a microfabrication method capable of easily performing microfabrication in which the depth is arbitrarily changed two-dimensionally.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１に対
応付けて説明すると、本発明は、透過部３を一部に有す
るマスク２をビーム１で照射し、前記透過部３を透過し
たビーム４により被加工材５を加工する微細加工法に適
用される。そして、上述の目的は、前記被加工材５の表
面において前記ビーム４の照射量分布が生じるように前
記マスク２と前記被加工材５とを相対的に移動させるこ
とにより達成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention will be described with reference to FIG. 1 showing an embodiment. According to the present invention, a mask 2 having a transparent portion 3 as a part thereof is irradiated with a beam 1 and the transparent portion 3 is transmitted. It is applied to a fine processing method for processing the workpiece 5 with the beam 4. Then, the above-mentioned object is achieved by moving the mask 2 and the workpiece 5 relative to each other so that a dose distribution of the beam 4 is generated on the surface of the workpiece 5.
【０００６】[0006]
【作用】図１および図２に示すように、断面三角形の開
口部（透過部）３が形成されたマスク２を、この開口部
３の底辺３ａが延在する方向（図中に矢印Ａで示す）に
沿って連続的あるいは断続的に移動させつつ、マスク２
の上方から所定時間だけビーム１を照射した場合を考え
る。As shown in FIGS. 1 and 2, a mask 2 having an opening (transmission part) 3 having a triangular cross section is formed in a direction in which a bottom side 3a of the opening 3 extends (indicated by an arrow A in the drawings). 2) while moving continuously or intermittently along the mask 2
Consider a case in which the beam 1 is irradiated for a predetermined time from above.
【０００７】開口部３を通過したビーム４は被加工材た
る基板５に照射されるが、開口部３が断面三角形に形成
されかつマスク２が開口部３の底辺３ａに沿って移動さ
れているので、基板５上におけるビーム４のドーズ量
（ビーム４が照射されている時間）に開口部３の開口幅
に対応した二次元分布が生じる。ここに、開口幅は底辺
３ａの延在方向（これはマスク２の移動方向に等しい）
に沿って測定する。The beam 4 which has passed through the opening 3 is irradiated onto the substrate 5 which is a workpiece, and the opening 3 is formed in a triangular cross section and the mask 2 is moved along the bottom side 3a of the opening 3. Therefore, a two-dimensional distribution corresponding to the opening width of the opening 3 is generated in the dose amount of the beam 4 (time when the beam 4 is irradiated) on the substrate 5. Here, the opening width is the extending direction of the base 3a (this is equal to the moving direction of the mask 2).
Measure along.
【０００８】例えば、基板５の幅ｂがこの底辺３ａの長
さａに略等しければ、底辺３ａにおける開口部３の開口
幅は底辺３ａの長さａに等しいことから底辺３ａに対応
する部分の基板５上においてビーム４は常に照射されて
おり、その照射時間はビーム１の照射時間と等しい、す
なわち１００％になる。逆に、頂点３ｂにおける開口部
３の開口幅は０であり、頂点３ｂに対応する部分の基板
５上においてビーム４はほとんど照射されずにその照射
時間はビーム１の照射時間の０％になる。開口部３の略
中央部における幅はａ／２であり、これに対応する部分
の基板５においては、ビーム４の照射時間がビーム１の
照射時間の５０％になる。なお、図２では作用の説明を
明確にするためマスク２を平面図、基板５を側面図で図
示している。For example, if the width b of the substrate 5 is substantially equal to the length a of the bottom side 3a, the opening width of the opening 3 at the bottom side 3a is equal to the length a of the bottom side 3a. The beam 4 is always irradiated on the substrate 5, and the irradiation time is equal to the irradiation time of the beam 1, that is, 100%. On the contrary, the opening width of the opening 3 at the apex 3b is 0, and the beam 4 is hardly irradiated on the portion of the substrate 5 corresponding to the apex 3b, and the irradiation time becomes 0% of the irradiation time of the beam 1. . The width of the central portion of the opening 3 is a / 2, and the irradiation time of the beam 4 is 50% of the irradiation time of the beam 1 in the portion of the substrate 5 corresponding to this width. In FIG. 2, the mask 2 is shown in a plan view and the substrate 5 is shown in a side view in order to clarify the explanation of the operation.
【０００９】このようにして基板５の表面においてビー
ム４の照射時間（ドーズ量）に二次元分布が形成される
ので、ビーム４の照射時間に比例して基板５がその表面
から除去されるようなビーム源と基板５を用いれば、例
えば開口幅ａ／２に対応する部分の基板５は、底辺３ａ
に対応する部分の基板５の除去深さに対して５０％の深
さだけ除去される。より一般的には、移動方向に沿った
開口部３の開口幅に対応して基板５上におけるビーム４
の照射時間が定まり、この基板５上の任意の部分でビー
ム４の当たっている時間がビーム１の照射時間全体のａ
％（０≦ａ≦１００）であったとすると、この部分は、
ビーム４が常に照射された部分（つまり底辺３ａに対応
する部分）が除去される深さのａ％だけ表面から除去さ
れる。開口部３の開口幅は、基板５の長手方向（図１、
図２の左右方向）に沿って直線的に変化するため、基板
５の除去深さも直線的に変化し、これにより、基板５に
は図１に示すような鋸歯状の溝５ａが形成される。ビー
ム４の照射時間に対する基板５の除去量が２次以上の高
次関数、あるいはそれ以外の関数で表される場合でも、
これを考慮してマスク２の開口部３の形状を定めればよ
い。また、直線運動のみならずマスク２を円運動させて
もよいが、この場合、半径方向の位置によって基板５と
の相対速度が異なるため、これを考慮してマスク２の開
口部３の形状を定めればよい。In this way, a two-dimensional distribution is formed in the irradiation time (dose amount) of the beam 4 on the surface of the substrate 5, so that the substrate 5 is removed from the surface in proportion to the irradiation time of the beam 4. If a different beam source and substrate 5 are used, for example, the portion of the substrate 5 corresponding to the opening width a / 2 will have a base 3a.
Is removed by a depth of 50% with respect to the removal depth of the substrate 5 in the portion corresponding to. More generally, the beam 4 on the substrate 5 corresponds to the opening width of the opening 3 along the moving direction.
Irradiation time is determined, and the irradiation time of the beam 4 at an arbitrary portion on the substrate 5 is a of the entire irradiation time of the beam 1.
% (0 ≦ a ≦ 100), this part is
The portion where the beam 4 is constantly irradiated (that is, the portion corresponding to the bottom side 3a) is removed from the surface by a% of the depth to be removed. The opening width of the opening 3 is set in the longitudinal direction of the substrate 5 (see FIG. 1,
Since it linearly changes along the left-right direction of FIG. 2, the removal depth of the substrate 5 also changes linearly, and as a result, a sawtooth-shaped groove 5a as shown in FIG. 1 is formed on the substrate 5. . Even when the removal amount of the substrate 5 with respect to the irradiation time of the beam 4 is expressed by a higher-order function of a second order or higher, or another function,
In consideration of this, the shape of the opening 3 of the mask 2 may be determined. Further, not only the linear movement but also the circular movement of the mask 2 may be performed. In this case, since the relative speed with the substrate 5 is different depending on the radial position, the shape of the opening 3 of the mask 2 is considered in consideration of this. You can set it.
【００１０】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。Incidentally, in the section of means and action for solving the above problems for explaining the constitution of the present invention, the drawings of the embodiments are used for the purpose of making the present invention easy to understand. It is not limited to.
【００１１】[0011]
【実施例】図３〜図６により本発明による微細加工法の
一実施例を説明する。本実施例の微細加工法は、Ｘ線用
位相変調型ゾーンプレートの製造に適用されたものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the fine processing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. The fine processing method of this embodiment is applied to the manufacture of a phase modulation type zone plate for X-rays.
【００１２】まず、本実施例で製造されるＸ線用位相変
調型ゾーンプレートについて説明する。Ｘ線用位相変調
型ゾーンプレート２０は、図５に示すように、断面形状
が鋸歯状の突起２０ａ〜２０ｅが同心円状に形成されて
なる部材であり、これを透過したＸ線の位相が０〜２π
ラジアンまで半径方向に放物線状に変化するようにそれ
ぞれの突起２０ａ〜２０ｅの形状が定められている。Ｘ
線用位相変調型ゾーンプレートの突起２０ａ〜２０ｅの
形状は、使用材料の屈折率を１−δ、Ｘ線の波長をλと
すると、透過したＸ線が焦点で同一位相、もしくは２π
ラジアンの整数倍の位相差となる条件から与えられ、中
心Ｏからの平面距離ｒにおけるゾーンプレートの高さを
ｔ(ｒ)とすれば、First, the X-ray phase modulation type zone plate manufactured in this embodiment will be described. As shown in FIG. 5, the X-ray phase modulation type zone plate 20 is a member in which projections 20a to 20e each having a saw-tooth cross section are formed concentrically, and the phase of the X-ray transmitted therethrough is 0. ~ 2π
The shapes of the respective protrusions 20a to 20e are determined so as to change in a parabolic shape in the radial direction up to radians. X
The shapes of the projections 20a to 20e of the line phase modulation type zone plate are such that, when the refractive index of the material used is 1-δ and the wavelength of X-rays is λ, the transmitted X-rays have the same phase at the focal point or 2π.
Given the condition that the phase difference is an integral multiple of radians, and the height of the zone plate at the plane distance r from the center O is t (r),
【数１】ｔ(ｒ)＝｛(ｒ／ｒ1)2−(Ｍ−１)｝λ／δ （ｒM-1≦ｒ＜ｒM） ・・・(１) ただしＭは自然数、ｒ1は一番内側の突起２０ａの半
径、ｒM-1、ｒMはそれぞれ内側からＭ−１番目、Ｍ番目
の突起２０の半径である。ここで、ｒMとｒ1には## EQU1 ## t (r) = {(r / r 1 ) 2- (M-1)} λ / δ (r M-1 ≤r <r M ) ... (1) where M is a natural number and r 1 is the radius of the innermost protrusion 20a, and r M−1 , r M are the radius of the M−1th and Mth protrusions 20 from the inside, respectively. Where r M and r 1 are
【数２】ｒM 2＝Ｍｒ1 2 ・・・(２) の関係があるので、これを(１)式に代入するとSince there is a relationship of r M 2 = Mr 1 2 (2), substituting this into equation (1)
【数３】ｔ(ｒM)＝λ／δ ・・・(３) t(ｒM-1)＝０ ・・・(４)## EQU3 ## t (r M ) = λ / δ (3) t (r M-1 ) = 0 (4)
【００１３】よって、中心Ｏから距離ｒの位置において
円板状の部材の表面から除去すべき深さをｓ(ｒ)とする
と、Therefore, if the depth to be removed from the surface of the disk-shaped member at a position r from the center O is s (r),
【数４】 ｓ(ｒ)／(λ／δ)＝(ｒM 2−ｒ2)／ｒ1 2 ・・・(５) が成立し、これは、０から１までの間で変化する。Equation 4] s (r) / (λ / δ) = (r M 2 -r 2) / r 1 2 ··· (5) is established, which varies between 0 and 1.
【００１４】図３は、本実施例の微細加工法で使用され
る位相変調型ゾーンプレート製造装置を示す概略図であ
る。マスク１３には所望のゾーンプレートのパターンに
応じた光透過部２１ａ〜２１ｅ（図３において不図示、
詳細は後述）が形成されており、光源１１からの光がコ
ンデンサレンズ１２で集光されてマスク１３が照明さ
れ、このマスク１３の光透過部２１ａ〜２１ｅを透過し
た光が縮小投影レンズ１４を介してウエハー１５上に投
影され、マスクのパターン像がウエハー１５上に露光さ
れる。FIG. 3 is a schematic view showing a phase modulation type zone plate manufacturing apparatus used in the fine processing method of this embodiment. The mask 13 has light transmitting portions 21a to 21e (not shown in FIG. 3, which correspond to a desired zone plate pattern).
(Details will be described later), the light from the light source 11 is condensed by the condenser lens 12 to illuminate the mask 13, and the light transmitted through the light transmitting portions 21 a to 21 e of the mask 13 passes through the reduction projection lens 14. The pattern image of the mask is projected onto the wafer 15 through the wafer 15 and is exposed on the wafer 15.
【００１５】ウエハー１５には、ゾーンプレートを形成
する金属等の物質層と、マスク１３のパターンを転写す
るレジストなどの感光層（ともに不図示）とがあらかじ
め形成されている。本実施例の感光層は、光の照射時間
に比例して現像後に物質層上に残る感光層の厚さが薄く
なる（通常、残膜率と称する）、すなわちその表面から
除去される深さが深くなる性質を有するポジ型の物質か
らなる。ウエハー１５は回転ステージ１６上に載置され
ており、回転ステージ１６の回転軸１７を中心として回
転された状態でマスク１３のパターンが露光される。On the wafer 15, a material layer such as a metal forming the zone plate and a photosensitive layer such as a resist (not shown) for transferring the pattern of the mask 13 are formed in advance. In the photosensitive layer of this embodiment, the thickness of the photosensitive layer remaining on the material layer after development becomes thin in proportion to the light irradiation time (usually referred to as residual film rate), that is, the depth removed from the surface. It consists of a positive-type substance that has the property of deepening. The wafer 15 is placed on a rotary stage 16, and the pattern of the mask 13 is exposed while being rotated around a rotary shaft 17 of the rotary stage 16.
【００１６】マスク１３には、図４に示すような形状の
光透過部２１ａ〜２１ｅが形成されている。各々の光透
過部２１ａ〜２１ｅの形状は、ウエハー１５が回転され
た状態で露光されることを考慮して、光透過部２１ａ〜
２１ｅの開口角を半径方向に変化させることにより感光
層上における光照射時間に同心円状の二次元分布を与
え、中心Ｏからの平面距離ｒにおいて上述した感光層を
除去すべき深さｓ(ｒ)だけ現像後に感光層が除去される
ように定められる。具体的には、図６に示すようにThe mask 13 is provided with light transmitting portions 21a to 21e having a shape as shown in FIG. The shapes of the light transmitting portions 21a to 21e are the same as those of the light transmitting portions 21a to 21e in consideration that the wafer 15 is exposed while being rotated.
By changing the aperture angle of 21e in the radial direction, a concentric two-dimensional distribution is given to the light irradiation time on the photosensitive layer, and at the plane distance r from the center O, the depth s (r ) Is defined so that the photosensitive layer is removed only after development. Specifically, as shown in FIG.
【数５】θ(ｒ)＝α(ｒM 2−ｒ2)／ｒ1 2 （ｒM-1≦ｒ＜ｒM） ・・・(６) の開口角を有するようにそれぞれの光透過部２１ａ〜２
１ｅの形状を定めればよい。ここに、αはマスク１３の
光透過部２１ａ〜２１ｅの最大開口角である。Equation 5] θ (r) = α (r M 2 -r 2) / r 1 2 (r M-1 ≦ r <r M) ··· each to have an aperture angle of (6) Light transmission Parts 21a-2
The shape of 1e may be determined. Here, α is the maximum opening angle of the light transmitting portions 21 a to 21 e of the mask 13.
【００１７】回転軸１７を中心にしてウエハー１５を回
転テーブル１６上で回転させつつ、図４に示すような形
状のマスク１３を用いて感光層の露光を行うと、図５に
示すような光照射時間の同心円状分布（図５の縦軸を光
照射時間とすればよい）が感光層上に形成される。した
がって、この照射光により感光層を露光して不要部分を
除去すれば、図５に示すような断面形状を有する感光層
を形成することができる。この後は、図５のような感光
層をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法
等の異方性エッチングにより物質層をエッチングする
と、感光層に相似の断面形状を有する図５のようなＸ線
用位相変調型ゾーンプレート２０を製造することができ
る。When the photosensitive layer is exposed by using the mask 13 having the shape shown in FIG. 4 while rotating the wafer 15 on the rotary table 16 about the rotation axis 17, the light shown in FIG. A concentric distribution of irradiation time (the vertical axis in FIG. 5 may be the light irradiation time) is formed on the photosensitive layer. Therefore, by exposing the photosensitive layer with this irradiation light to remove unnecessary portions, a photosensitive layer having a cross-sectional shape as shown in FIG. 5 can be formed. After that, when the material layer is etched by anisotropic etching such as RIE (Reactive Ion Etching) using the photosensitive layer as shown in FIG. 5 as a mask, a cross-section X similar to that of the photosensitive layer as shown in FIG. The line phase modulation type zone plate 20 can be manufactured.
【００１８】したがって本実施例によれば、従来実現が
困難であった深さを二次元的に任意に変化させた微細加
工を容易に行うことができ、これにより位相変調型ゾー
ンプレート２０を容易に製作することが可能になる。こ
の位相変調型ゾーンプレート２０をＸ線光学素子をして
用いた場合の集光効率は、振幅型ゾーンプレートや位相
反転型ゾーンプレートをも上回る事ができるため、非常
に明るい光学系を提供することができる。一例として、
振幅型ゾーンプレートの理論集光効率は約１０％、位相
反転型ゾーンプレートの理論集光効率は約４０％である
が、位相変調型ゾーンプレートの理論集光効率は、物質
層のＸ線振幅透過率を６０％とすると約６０％にも至
る。また、本実施例の微細加工法は、マスク１３を複数
枚に分割してそれぞれのマスク１３を用いて露光しても
同様の効果を奏することができるため、１回の露光工程
でマスクが入りきらない大口径のゾーンプレートの製作
も可能である。Therefore, according to the present embodiment, it is possible to easily perform fine processing in which the depth is arbitrarily changed in a two-dimensional manner, which has been difficult to realize conventionally, and thus the phase modulation type zone plate 20 can be easily manufactured. It becomes possible to manufacture it. When the phase modulation type zone plate 20 is used as an X-ray optical element, the light-collecting efficiency can exceed that of the amplitude type zone plate or the phase inversion type zone plate, so that a very bright optical system is provided. be able to. As an example,
The theoretical light collection efficiency of the amplitude type zone plate is about 10% and the theoretical light collection efficiency of the phase inversion type zone plate is about 40%, but the theoretical light collection efficiency of the phase modulation type zone plate is the X-ray amplitude of the material layer. When the transmittance is 60%, it reaches about 60%. Further, in the fine processing method of the present embodiment, the same effect can be obtained even if the mask 13 is divided into a plurality of sheets and each of the masks 13 is used for exposure, so that the mask can be inserted in one exposure step. It is also possible to manufacture large-diameter zone plates that cannot be cut.
【００１９】なお、本発明の微細加工法は、その細部が
上述の一実施例に限定されず、種々の変形が可能であ
る。一例として、一実施例においては光を用いた縮小投
影露光によるＸ線用位相変調型ゾーンプレートの製造方
法について説明したが、これに限らず、紫外光や可視光
用の回折格子等の光学素子の製造方法、あるいはマイク
ロマシーニング用、半導体センサの加工法などにも適用
可能である。また、マスクを照射するビームは可視光だ
けでなく、γ線から赤外線の光ビーム、電子線イオンビ
ーム、原子ビームのどれであってもよい。イオンビーム
を用いると、直接Ｘ線吸収体やＸ線位相反転材をミリン
グ加工することができる。パターン転写の方法も縮小に
限らず等倍転写であってもよい。さらに、一実施例では
被加工材側を回転させていたが、被加工材を連続的ある
いは断続的に直線運動、往復運動させてもよく、かつ、
マスク側を移動させてもよい。被加工材、マスクの移動
方向等に応じて透過部の形状は定められる。そして、一
実施例ではビームの照射時間に比例して残膜率が大きく
なる感光層を用いていたが、これに限らず、ビームの照
射時間と残膜率との間に非線形な関係が成立するような
感光膜、基板等を用いてもよい。この場合、マスクの透
過部の形状は、照射時間−残膜率の関係をも考慮して定
められる。The fine processing method of the present invention is not limited in details to the above-described embodiment, and various modifications can be made. As one example, in one embodiment, the method of manufacturing the X-ray phase modulation zone plate by reduction projection exposure using light has been described, but the present invention is not limited to this, and an optical element such as a diffraction grating for ultraviolet light or visible light. Can also be applied to the manufacturing method of, or for micromachining, processing method of semiconductor sensor, and the like. The beam for irradiating the mask is not limited to visible light, and may be a light beam of γ rays to infrared rays, an electron beam ion beam, or an atom beam. By using the ion beam, the X-ray absorber and the X-ray phase inversion material can be directly milled. The pattern transfer method is not limited to reduction, and may be equal size transfer. Further, although the workpiece side is rotated in one embodiment, the workpiece may be linearly moved or reciprocated continuously or intermittently, and
The mask side may be moved. The shape of the transmission part is determined according to the material to be processed, the moving direction of the mask, and the like. Then, in one embodiment, the photosensitive layer in which the residual film ratio increases in proportion to the beam irradiation time is used, but the present invention is not limited to this, and a nonlinear relationship is established between the beam irradiation time and the residual film ratio. Such a photosensitive film, substrate, etc. may be used. In this case, the shape of the transparent portion of the mask is determined in consideration of the relationship between irradiation time and residual film rate.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、被加工材表面においてビームの照射量分布が生じ
るようにマスクと被加工材とを相対的に移動させたの
で、このビームの照射量に比例して被加工材の加工深さ
を制御することができる。これにより、従来実現が困難
であった深さを二次元的に任意に変化させた微細加工を
容易に行うことができる。As described in detail above, according to the present invention, since the mask and the workpiece are moved relative to each other so that the irradiation dose distribution of the beam is generated on the surface of the workpiece, this beam It is possible to control the working depth of the work material in proportion to the irradiation amount of. As a result, it is possible to easily perform fine processing in which the depth, which has been difficult to realize in the past, is arbitrarily changed two-dimensionally.
【図１】本発明の作用を説明するための斜視図である。FIG. 1 is a perspective view for explaining the operation of the present invention.
【図２】本発明の作用を説明するための概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the operation of the present invention.
【図３】本発明の一実施例である微細加工法に用いられ
るゾーンプレート製作装置を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a zone plate manufacturing apparatus used in a microfabrication method according to an embodiment of the present invention.
【図４】一実施例に用いられるＸ線用位相変調型ゾーン
プレート製作用のマスクを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a mask for manufacturing a phase modulation type zone plate for X-ray used in one embodiment.
【図５】一実施例で製造されるＸ線用位相変調型ゾーン
プレートを示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an X-ray phase modulation zone plate manufactured in one example.
【図６】図４に示すマスクの１つの透過部の形状を示す
平面図である。FIG. 6 is a plan view showing the shape of one transmission part of the mask shown in FIG.
１ ビーム ２ マスク ３ 開口部 ４ 透過ビーム ５ 基板 １１ 光源 １２ コンデンサレンズ １３ マスク １４ 縮小投影レンズ １５ ウエハ １６ 回転ステージ １７ 回転軸 ２０ Ｘ線用位相変調型ゾーンプレート ２１ 光透過部 1 Beam 2 Mask 3 Aperture 4 Transmitted Beam 5 Substrate 11 Light Source 12 Condenser Lens 13 Mask 14 Reduced Projection Lens 15 Wafer 16 Rotating Stage 17 Rotation Axis 20 Phase Modulating Zone Plate for X-ray 21 Light Transmitting Section
Claims (1)
照射し、前記透過部を透過したビームにより被加工材を
加工する微細加工法において、 前記被加工材表面において前記ビームの照射量分布が生
じるように前記マスクと前記被加工材とを相対的に移動
させることを特徴とする微細加工法。1. A microfabrication method for irradiating a mask partially having a transparent portion with a beam, and processing a workpiece with the beam transmitted through the transparent portion, wherein a dose distribution of the beam on the surface of the workpiece. A microfabrication method characterized in that the mask and the material to be processed are moved relative to each other so that the above phenomenon occurs.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054022A JPH06264272A (en) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Fine working method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054022A JPH06264272A (en) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Fine working method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06264272A true JPH06264272A (en) | 1994-09-20 |
Family
ID=12958967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054022A Pending JPH06264272A (en) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Fine working method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06264272A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002018585A (en) * | 1999-12-23 | 2002-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for drilling holes at pitch smaller than wave length by using laser beam |
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-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054022A patent/JPH06264272A/en active Pending
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