JPH0626311U - High frequency oscillator - Google Patents

High frequency oscillator

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JPH0626311U
JPH0626311U JP6077592U JP6077592U JPH0626311U JP H0626311 U JPH0626311 U JP H0626311U JP 6077592 U JP6077592 U JP 6077592U JP 6077592 U JP6077592 U JP 6077592U JP H0626311 U JPH0626311 U JP H0626311U
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bipolar transistor
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裕一 市川
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シールドケースを装着すること無く高調波信
号の放射を低減できる高周波発振回路を提供すること。 【構成】 バイポーラトランジスタ11を用いて高周波
発振回路を構成し、発振対象周波数を中心周波数とした
帯域除去フィルタ20をバイポーラトランジスタのベー
ス・コレクタ間に接続する。バイポーラトランジスタ
の、ベース信号の波形とコレクタ信号の波形は逆相にな
り、コレクタからベースに帰還される信号の周波数は、
不要な高調波成分であり、これらは相殺され、出力信号
はほぼ発振対象とする周波数の信号のみとなる。 【効果】 シールドケースを装着すること無く、簡単な
構成でスプリアス放射を防止することができ、電子機器
の小型化、軽量化を図ることができる。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a high-frequency oscillator circuit capable of reducing the emission of harmonic signals without mounting a shield case. [Structure] A high-frequency oscillation circuit is configured using the bipolar transistor 11, and a band elimination filter 20 having an oscillation target frequency as a center frequency is connected between the base and collector of the bipolar transistor. The waveform of the base signal and the waveform of the collector signal of the bipolar transistor have opposite phases, and the frequency of the signal fed back from the collector to the base is
These are unnecessary harmonic components, which are canceled out and the output signal is almost only the signal of the frequency to be oscillated. [Effect] Spurious radiation can be prevented with a simple configuration without mounting a shield case, and the electronic device can be made smaller and lighter.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、高周波発振回路の改良に関するものである。 The present invention relates to an improvement of a high frequency oscillator circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

従来、高周波発振回路を備えた機器においては、図2に示すように高周波発振 回路1の出力信号を低域フィルタ2を通すことによって、スプリアス信号(高調 波信号)を除去し、必要な周波数成分を取り出していた。これにより、高周波発 振回路1の出力信号には図3の(a)に示すように多次の高調波2f0〜7f0等が 含まれていても、図3の(b)に示すように低域フィルタ2の出力信号からは高次 の高調波信号が除去されると共に、2次、3次の高調波の強度が弱められる。 Conventionally, in equipment equipped with a high-frequency oscillator circuit, the spurious signal (harmonic signal) is removed by passing the output signal of the high-frequency oscillator circuit 1 through a low-pass filter 2 as shown in FIG. Had taken out. As a result, even if the output signal of the high-frequency oscillator circuit 1 contains multiple harmonics 2f0 to 7f0, etc. as shown in FIG. 3 (a), it is low as shown in FIG. 3 (b). Higher-order harmonic signals are removed from the output signal of the band-pass filter 2, and the strengths of the second- and third-order harmonics are weakened.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

一般的に高周波回路においては、回路の配線或いはパターンに沿ってのみ信号 が伝わるのではなく、配線やパターンから空中へも信号が放射されている。この ため、前述した従来の電子構成においては、高周波発振回路1及び低域フィルタ 2をシールドケースで覆って高周波発振回路1から出力される高調波の漏れを防 止していた。しかしながら、電子機器の小型化、軽量化が進むにつれ、シールド ケースの装着が非常に困難になり、電子機器の小型化、軽量化の妨げになってい る。 Generally, in a high frequency circuit, not only the signal is transmitted along the wiring or pattern of the circuit, but also the signal is radiated into the air from the wiring or pattern. For this reason, in the above-described conventional electronic configuration, the high-frequency oscillator circuit 1 and the low-pass filter 2 are covered with a shield case to prevent leakage of harmonics output from the high-frequency oscillator circuit 1. However, as electronic devices become smaller and lighter, it becomes very difficult to attach a shield case, which hinders the miniaturization and weight saving of electronic devices.

【0004】 本考案の目的は上記の問題点に鑑み、シールドケースを装着すること無く高調 波信号の放射を低減できる高周波発振回路を提供することにある。In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a high frequency oscillation circuit that can reduce the emission of harmonic signals without mounting a shield case.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案は上記の目的を達成するために請求項1では、バイポーラトランジスタ を用いた高周波発振回路において、少なくとも発振対象周波数を中心周波数とす る所定帯域内の周波数の信号を消去する帰還回路を前記バイポーラトランジスタ のベース・コレクタ間に接続してなる高周波発振回路を提案する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a high-frequency oscillation circuit using a bipolar transistor, wherein in the high-frequency oscillation circuit, a feedback circuit for eliminating a signal of a frequency within a predetermined band having a center frequency at an oscillation target frequency is provided. We propose a high-frequency oscillator circuit connected between the base and collector of a bipolar transistor.

【0006】 また、請求項2では、バイポーラトランジスタを用いた高周波発振回路におい て、前記バイポーラトランジスタのベース・コレクタ間容量が所定値以上となる ようにベース・コレクタ間電圧を設定した高周波発振回路を提案する。According to a second aspect of the present invention, there is provided a high frequency oscillation circuit using a bipolar transistor, wherein the base-collector voltage is set so that the base-collector capacitance of the bipolar transistor becomes a predetermined value or more. suggest.

【0007】[0007]

【作用】[Action]

本考案の請求項1によれば、バイポーラトランジスタのコレクタ信号が帰還回 路を通して該バイポーラトランジスタのベースに帰還される。ここで、前記バイ ポーラトランジスタにおいては、ベース信号の波形とエミッタ信号の波形は同相 となるが、ベース信号の波形とコレクタ信号の波形は逆相になる。また、前記コ レクタからベースに帰還される信号の周波数は、発振対象とする周波数を中心周 波数とする所定帯域外の周波数の信号、即ち不要な高調波成分であるので、これ らの高調波成分は相殺され、出力信号はほぼ発振対象とする周波数の信号のみと なる。 According to the first aspect of the present invention, the collector signal of the bipolar transistor is fed back to the base of the bipolar transistor through the feedback circuit. Here, in the bipolar transistor, the waveform of the base signal and the waveform of the emitter signal have the same phase, but the waveform of the base signal and the waveform of the collector signal have the opposite phase. Further, the frequency of the signal returned from the collector to the base is a signal having a frequency outside the predetermined band whose center frequency is the frequency to be oscillated, that is, an unnecessary harmonic component. The components are canceled out, and the output signal is almost only the signal of the frequency to be oscillated.

【0008】 また、請求項2によれば、バイポーラトランジスタにおいては、そのベース・ コレクタ間容量はベース・コレクタ間の順方向電圧にほぼ比例して増大する。従 って、前記バイポーラトランジスタのベース・コレクタ間容量が所定値以上とな るようにベース・コレクタ間電圧を設定することにより、前記ベース・コレクタ 間に高域フィルタが形成される。さらに、前記バイポーラトランジスタにおいて は、ベース信号の波形とエミッタ信号の波形は同相となるが、ベース信号の波形 とコレクタ信号の波形は逆相になり、前記ベース・コレクタ間容量を介してコレ クタからベースに帰還される信号の周波数は、発振対象とする周波数よりも高い 周波数の信号、即ち不要な高調波成分であるので、これらの高調波成分は相殺さ れ、出力信号はほぼ発振対象とする周波数の信号のみとなる。According to the second aspect, in the bipolar transistor, the base-collector capacitance increases substantially in proportion to the forward voltage between the base and collector. Therefore, a high-pass filter is formed between the base and collector by setting the base-collector voltage so that the base-collector capacitance of the bipolar transistor becomes a predetermined value or more. Further, in the bipolar transistor, the waveform of the base signal and the waveform of the emitter signal are in phase with each other, but the waveform of the base signal and the waveform of the collector signal are in phase with each other. The frequency of the signal fed back to the base is a signal with a frequency higher than the frequency to be oscillated, that is, unnecessary harmonic components, so these harmonic components are canceled out and the output signal is almost oscillated. Only frequency signals are available.

【0009】[0009]

【実施例】【Example】

以下、図面に基づいて本考案の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】 図1は本考案の第1の実施例における水晶発振回路を示す回路図である。図に おいて、11はNPNがたのバイポーラトランジスタ(以下、トランジスタと称 する)、12は発振周波数f0の水晶振動子、13は可変コンデンサ、14,1 5はコンデンサ、16〜19は抵抗器、20は帯域除去フィルタ(以下、フィル タと称する)である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a crystal oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 11 is a bipolar transistor (hereinafter referred to as a transistor) having an NPN, 12 is a crystal oscillator having an oscillation frequency f0, 13 is a variable capacitor, 14 and 15 are capacitors, and 16 to 19 are resistors. , 20 are band elimination filters (hereinafter referred to as filters).

【0011】 トランジスタ11のベース・コレクタ間にはフィルタ20が接続され、ベース ・エミッタ間にはコンデンサ14が接続されている。また、トランジスタ11の エミッタは並列接続されたコンデンサ15と抵抗器19を介して接地され、ベー スは水晶振動子12の一端に接続されると共に、抵抗器17を介して接地されて いる。水晶振動子12の他端は可変コンデンサ13を介して接地されている。さ らに、トランジスタ11のベース及びコレクタのそれぞれには対応する抵抗器1 6,18を介して所定の電圧Vccが印加されている。また、帯域除去フィルタ2 0は、例えばLCフィルタからなり、水晶振動子12の発振周波数f0を中心周 波数とする所定の帯域内の周波数の信号のみを除去し、この帯域外の周波数を有 する信号を通過させる。A filter 20 is connected between the base and collector of the transistor 11, and a capacitor 14 is connected between the base and emitter. The emitter of the transistor 11 is grounded via a capacitor 15 and a resistor 19 which are connected in parallel, and the base is connected to one end of the crystal oscillator 12 and is grounded via a resistor 17. The other end of the crystal oscillator 12 is grounded via a variable capacitor 13. Furthermore, a predetermined voltage Vcc is applied to each of the base and collector of the transistor 11 via the corresponding resistors 16 and 18. Further, the band elimination filter 20 is composed of, for example, an LC filter, removes only the signal of the frequency within a predetermined band having the oscillation frequency f0 of the crystal oscillator 12 as the central frequency, and has the frequency outside this band. Pass the signal.

【0012】 次に、前述の構成よりなる第1の実施例の動作を説明する。 水晶振動子12に抵抗器16を介して電圧Vccが印加されると、圧電効果によ り水晶振動子12の両端の電圧はその発振周波数に対応して変化し、トランジス タ11のベース電圧Vbが変化する。これにより、トランジスタ11のベース・ エミッタ間電圧Vbeが変化すると共に、電圧Vbeに対応してコレクタ電流Icが 変化し、発振周波数f0に共振した状態に維持される。即ち、図4に示すように 、ベース電圧Vbが増加するに伴いコレクタ電流Icも増加し、抵抗器18,19 における電圧降下が増大する。従って、ベース電圧Vbが増加するとエミッタ電 圧Veは増加し、コレクタ電圧Vcが低下する。また、ベース電圧Vbが低下する に伴いコレクタ電流Icが減少し、抵抗器18,19における電圧降下が低下す る。従って、ベース電圧Vbが低下するとエミッタ電圧Veは低下し、コレクタ電 圧Vcは電圧Vccに近づくため増加する。これにより、トランジスタ11のコレ クタから周波数f0の信号を取り出すことができる。Next, the operation of the first embodiment having the above configuration will be described. When the voltage Vcc is applied to the crystal unit 12 through the resistor 16, the voltage across the crystal unit 12 changes in accordance with the oscillation frequency due to the piezoelectric effect, and the base voltage Vb of the transistor 11 changes. Changes. As a result, the base-emitter voltage Vbe of the transistor 11 changes and the collector current Ic changes corresponding to the voltage Vbe, so that the transistor 11 is kept in resonance with the oscillation frequency f0. That is, as shown in FIG. 4, as the base voltage Vb increases, the collector current Ic also increases, and the voltage drop in the resistors 18 and 19 increases. Therefore, when the base voltage Vb increases, the emitter voltage Ve increases and the collector voltage Vc decreases. Further, as the base voltage Vb decreases, the collector current Ic also decreases, and the voltage drop in the resistors 18 and 19 decreases. Therefore, when the base voltage Vb decreases, the emitter voltage Ve decreases, and the collector voltage Vc increases because it approaches the voltage Vcc. As a result, the signal of frequency f0 can be taken out from the collector of the transistor 11.

【0013】 一方、発振過程においては水晶振動子12の発振周波数f0の高調波も生成さ れ、この高調波成分もコレクタ電流Icに重畳してエミッタ電圧Ve及びコレクタ 電圧Vcを変化させている。ここで、第1の実施例においてはトランジスタ11 のベース・コレクタ間に帯域除去フィルタ20が接続されているので、コレクタ 電圧Vcの変化における高調波成分がベースに帰還される。On the other hand, in the oscillation process, a harmonic of the oscillation frequency f0 of the crystal oscillator 12 is also generated, and this harmonic component is also superimposed on the collector current Ic to change the emitter voltage Ve and the collector voltage Vc. Here, in the first embodiment, since the band elimination filter 20 is connected between the base and collector of the transistor 11, the harmonic component in the change of the collector voltage Vc is fed back to the base.

【0014】 さらに、前述したようにバイポーラトランジスタ11においては、ベース電圧 Vbの波形とエミッタ電圧Veの波形は同相となるが、ベース電圧Vbの波形とコ レクタ電圧Vcの波形は逆相となっているので、ベース電圧Vbにおける高調波成 分と帯域除去フィルタ20を介してコレクタから帰還された高調波成分とが相殺 される。Further, as described above, in the bipolar transistor 11, the waveform of the base voltage Vb and the waveform of the emitter voltage Ve have the same phase, but the waveform of the base voltage Vb and the waveform of the collector voltage Vc have opposite phases. Therefore, the harmonic component at the base voltage Vb and the harmonic component fed back from the collector via the band elimination filter 20 are canceled.

【0015】 従って、シールドケースを装着すること無く、簡単な構成で高調波成分並びに これ以外のスプリアス放射を防止することができ、電子機器の小型化、軽量化を 図ることができる。Therefore, it is possible to prevent harmonic components and other spurious emissions with a simple structure without mounting a shield case, and it is possible to reduce the size and weight of the electronic device.

【0016】 次に、本考案の第2の実施例を説明する。 図5は第2の実施例における水晶発振回路の回路図である。図において、前述 した第1の実施例と同一構成部分は同一符号をもって表し、その説明を省略する 。また、第1の実施例と第2の実施例との相違点は、帯域除去フィルタ20を取 り除くと共に、トランジスタ11のベース電圧Vbとコレクタ電圧Vcのそれぞれ をコレクタ・ベース間電圧Vcbが順バイアスとなるように各抵抗器16〜19の 抵抗値を設定したことにある。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a circuit diagram of a crystal oscillator circuit according to the second embodiment. In the figure, the same components as those of the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Further, the difference between the first embodiment and the second embodiment is that the band elimination filter 20 is removed and the base voltage Vb and collector voltage Vcb of the transistor 11 are set in order of the collector-base voltage Vcb. This is because the resistance values of the resistors 16 to 19 are set so as to be biased.

【0017】 周知のようにpn接合の接合容量Cは電圧に依存し、逆バイアス電圧が低くな るほど接合容量Cが増加し、順バイアス電圧を印加するとさらに接合容量Cは増 加する。これを利用して、第2の実施例では各抵抗器16〜19の抵抗値を調整 して、ベース・エミッタ間のpn接合の接合容量Cが所定値となるようにベース 電圧Vb及びコレクタ電圧Vcが設定されている。As is well known, the junction capacitance C of the pn junction depends on the voltage, and the junction capacitance C increases as the reverse bias voltage becomes lower, and the junction capacitance C further increases when a forward bias voltage is applied. Utilizing this, in the second embodiment, the resistance values of the resistors 16 to 19 are adjusted so that the junction capacitance C of the pn junction between the base and the emitter becomes a predetermined value. Vc is set.

【0018】 これにより、ベース・コレクタ間の接合容量Cが高域フィルタとして動作し、 この接合容量を介して高調波成分がベースに帰還される。ここで、前述と同様に バイポーラトランジスタ11においては、ベース電圧Vbの波形とエミッタ電圧 Veの波形は同相となるが、ベース電圧Vbの波形とコレクタ電圧Vcの波形は逆 相となっているので、ベース電圧Vbにおける高調波成分と帯域除去フィルタ2 0を介してコレクタから帰還された高調波成分とが相殺される。As a result, the junction capacitance C between the base and collector operates as a high-pass filter, and the harmonic component is fed back to the base via this junction capacitance. Here, similarly to the above, in the bipolar transistor 11, the waveform of the base voltage Vb and the waveform of the emitter voltage Ve have the same phase, but the waveform of the base voltage Vb and the waveform of the collector voltage Vc have the opposite phase. The harmonic component at the base voltage Vb and the harmonic component fed back from the collector via the band elimination filter 20 are canceled.

【0019】 従って、シールドケースを装着すること無く、簡単な構成で高調波成分並びに これ以外のスプリアス放射を防止することができ、電子機器の小型化、軽量化を 図ることができる。Therefore, without mounting a shield case, it is possible to prevent harmonic components and other spurious emissions with a simple structure, and it is possible to reduce the size and weight of the electronic device.

【0020】[0020]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明したように本考案の請求項1によれば、帰還回路をかいしてバイポー ラトランジスタのコレクタからベースに帰還される信号の周波数は、発振対象と する周波数を中心周波数とする所定帯域外の周波数の信号、即ち不要な高調波成 分となり、これらの高調波成分が相殺されて、出力信号はほぼ発振対象とする周 波数の信号のみとなるので、シールドケースを装着すること無く、簡単な構成で 高調波成分並びにこれ以外のスプリアス放射を防止することができ、電子機器の 小型化、軽量化を図ることができる。 As described above, according to claim 1 of the present invention, the frequency of the signal returned from the collector of the bipolar transistor to the base through the feedback circuit is outside the predetermined band whose center frequency is the frequency to be oscillated. Signal of the frequency, that is, unnecessary harmonic components, these harmonic components are canceled out, and the output signal becomes only the signal of the frequency to be oscillated.Therefore, it is easy to install without a shield case. With such a configuration, harmonic components and other spurious emissions can be prevented, and electronic devices can be made smaller and lighter.

【0021】 また、請求項2によれば、バイポーラトランジスタのベース・コレクタ間容量 を介してコレクタからベースに帰還される信号の周波数は、発振対象とする周波 数よりも高い周波数の信号、即ち不要な高調波成分となり、これらの高調波成分 が相殺されて、出力信号はほぼ発振対象とする周波数の信号のみとなるので、シ ールドケースを装着すること無く、簡単な構成で高調波成分並びにこれ以外のス プリアス放射を防止することができ、電子機器の小型化、軽量化を図ることがで きるという非常に優れた効果を奏するものである。According to claim 2, the frequency of the signal fed back from the collector to the base via the base-collector capacitance of the bipolar transistor is higher than the frequency of the oscillation target, that is, unnecessary. Since these harmonic components are canceled out and the output signal is almost only the signal of the frequency to be oscillated, there is no need to install a shield case. The spurious emission can be prevented, and the electronic device can be made smaller and lighter, which is a very excellent effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の第1の実施例における水晶発信回路を
示す回路図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a crystal oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来例を示す構成図FIG. 2 is a configuration diagram showing a conventional example.

【図3】従来例の動作を説明する図FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of a conventional example.

【図4】本考案の第1の実施例の動作を説明する図FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the first embodiment of the present invention.

【図5】本考案の第2の実施例における水晶発信回路を
示す回路図
FIG. 5 is a circuit diagram showing a crystal oscillator circuit according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…バイポーラトランジスタ、12…水晶振動子、1
3…可変コンデンサ、14,15…コンデンサ、16〜
19…抵抗器、20…帯域除去フィルタ。
11 ... Bipolar transistor, 12 ... Crystal oscillator, 1
3 ... Variable capacitors, 14, 15 ... Capacitors, 16-
19 ... Resistor, 20 ... Band elimination filter.

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 バイポーラトランジスタを用いた高周波
発振回路において、 少なくとも発振対象周波数を中心周波数とする所定帯域
内の周波数の信号を消去する帰還回路を前記バイポーラ
トランジスタのベース・コレクタ間に接続してなる、 ことを特徴とする高周波発振回路。
1. A high frequency oscillating circuit using a bipolar transistor, wherein a feedback circuit for erasing a signal having a frequency within a predetermined band having a center frequency of an oscillation target frequency is connected between a base and a collector of the bipolar transistor. , A high-frequency oscillator circuit characterized by the above.
【請求項2】 バイポーラトランジスタを用いた高周波
発振回路において、 前記バイポーラトランジスタのベース・コレクタ間容量
が所定値以上となるようにベース・コレクタ間電圧を設
定した、 ことを特徴とする高周波発振回路。
2. A high frequency oscillating circuit using a bipolar transistor, wherein the base-collector voltage is set so that the base-collector capacitance of the bipolar transistor becomes a predetermined value or more.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004511120A (en) * 2000-07-12 2004-04-08 シナジー マイクロウェーブ コーポレーション Oscillator circuit

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