JPH0625711A

JPH0625711A - 熱間等方圧加圧装置

Info

Publication number: JPH0625711A
Application number: JP5030945A
Authority: JP
Inventors: Takahiko Ishii; 孝彦石井; Tomomitsu Nakai; 友充中井; Yutaka Narukawa; 成川　　裕
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 1992-05-13
Filing date: 1993-02-19
Publication date: 1994-02-01

Abstract

(57)【要約】【目的】炉内ガスを蓄熱体により冷却する際、蓄熱体
が平衡温度に達した後の冷却速度の低下を防止する。【構成】上蓋２下面と断熱層８上面との間には断熱層
８の内部の炉室９内の圧媒ガスを冷却するための蓄熱体
１３が設けられている。前記蓄熱体１３には、炉室９内
の高温の炉内ガスを流すための炉内ガス流路１６と該蓄
熱体１３を上下に貫通する複数本の上下貫通流路１８と
が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、炉内ガスを急速に冷却
するための蓄熱体を高圧容器内に備えた熱間等方圧加圧
装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】熱間等方圧加圧 (以下、ＨＩＰとい
う。) 装置は、円筒状の高圧容器の上下開口部に上蓋と
下蓋とが着脱自在に嵌着され、該高圧容器内に形成され
た高圧室に倒立コップ形の断熱層が設置され、該断熱層
内に形成された炉室にヒータが配置されている。また、
前記上蓋又は下蓋には高圧室内にＡr ガス等の圧媒ガス
を加圧注入するためのガス供給孔が開設されている。被
処理物は、炉室内で高温に加熱され、高圧の圧媒ガスに
より、熱間等方圧加圧される。

【０００３】ＨＩＰ装置の操業に際し、ＨＩＰ処理後、
炉内を急速に冷却することは、生産性向上のために極め
て有効である。そのため、図１３に示すように、炉室１
０１内の高温の圧媒ガス (炉内ガス) を断熱層１０２の
上部に設けた蓄熱体１０３に流入させ、曲がり流路を通
して抜熱し、さらに高圧容器１０６の内面に沿って下降
する際にも容器内面より抜熱して断熱層１０３の下部よ
り炉室１０１内に還流させることによって炉内ガスを冷
却する手段が特開昭５９−８７０３２号公報に開示され
ている。尚、ＨＩＰ処理時は、断熱層１０２の下部の流
入口１０４が、環状開閉部材１０５の上昇により遮断さ
れ、炉内ガスの循環は阻止される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記蓄熱体１０３によ
る抜熱より、炉内ガスは循環開始時 (冷却初期) には速
やかに冷却されるが、蓄熱体１０３の温度が上昇し平衡
温度に達した後は、もはや冷却作用は行わず、むしろ放
熱作用を行なうようになり、冷却速度が極端に小さくな
るという問題がある。すなわち、蓄熱体１０３が平衡温
度に達した後では、炉内ガスが高圧容器１０６の内面に
沿って下降する際の容器内面からの抜熱作用のみとな
り、冷却速度が著しく抑えられる。

【０００５】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、炉内ガスの冷却時において、蓄熱体が平衡温度に達
した後の冷却速度の低下を防止しうるＨＩＰ装置を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のＨＩＰ装置は、
筒状の高圧容器の上下開口部に上蓋と下蓋とが着脱自在
に嵌着され、該高圧容器の内部に断熱層が設置され、該
断熱層内の炉室にヒータが設けられ、断熱層の下部およ
び上部に炉室に連通する圧媒ガスの流入口および流出口
が開設され、該流入口および流出口の少なくとも一方を
開閉するための開閉手段が設けられ、前記上蓋下面と断
熱層上面との間には炉室内の圧媒ガスを冷却するための
蓄熱体が設けられた熱間等方圧加圧装置において、前記
蓄熱体には炉室内の圧媒ガスを流すための炉内ガス流路
と該蓄熱体を上下に貫通する複数本の上下貫通流路とが
形成されている。この場合、前記上下貫通流路に圧媒ガ
スが流入するのを阻止するための流入阻止手段を設ける
とよい。また、前記断熱層と蓄熱体との間に炉室内の圧
媒ガスを前記流出口から高圧容器の内面側に流出させる
ためのバイパス流路が形成されている。

【０００７】

【作用】高圧容器内の蓄熱体は上蓋よりも高温であるの
で、蓄熱体によって加熱された圧媒ガスは上蓋下面に向
って上昇し、ここで冷却された後、蓄熱体側へ下降す
る。そして、上下貫通流路を上方へ流れる間、再び吸熱
して上蓋下面へ向かう上昇流となる。すなわち、蓄熱体
と上蓋下面との間で圧媒ガスの自然対流により熱交換が
行われる。この熱交換は、ＨＩＰ処理中のみならず、処
理後の冷却過程においても生じるため、蓄熱体は継続し
て冷却される。

【０００８】従って、炉室内の炉内ガスの冷却開始時に
おいて、十分冷却された蓄熱体により炉内ガスからの吸
熱量を大きくとることができる。また、冷却開始後、蓄
熱体は炉内の熱容量によって決まる平衡温度まで上昇す
る。その後は炉内ガス温度は蓄熱体の温度より低くな
り、蓄熱体から逆に熱を受けるようになり、冷却速度は
低下する。しかし、蓄熱体は常に圧媒ガスの自然対流に
よる熱交換により冷却されているため、前記冷却速度の
低下を小さく抑えることができる。

【０００９】尚、蓄熱体自体は、高圧容器内に外部と隔
絶して設けられるものであるため、耐圧構造にする必要
はない。ところで、上下貫通流路を圧媒ガスが循環する
場合、その駆動エネルギーはヒータに供給された加熱用
電力の一部であり、これは本来ＨＩＰに必要な電力以外
の余分な電力である。従って、高圧容器に圧媒ガスの流
入阻止手段を設け、ＨＩＰ処理のための昇温中および高
温保持中に上下貫通流路に圧媒ガスが流入するのを阻止
することにより、循環ガスの駆動用エネルギーが不要と
なり、ヒータに供給される電力を削減することができ
る。勿論、ＨＩＰ処理後の炉内冷却時に、上下貫通流路
に循環ガスを流すことにより、蓄熱体が平衡温度に到達
した後の冷却速度の低下を防止することができる。

【００１０】また、前記断熱層と蓄熱体との間に炉室内
の圧媒ガスを前記流出口から高圧容器の内面側に流出さ
せるためのバイパス流路を形成しておくことにより、蓄
熱体が平衡温度に達した後は、炉室内の圧媒ガスの温度
は蓄熱体の周りのガス温度より低くなるので、圧媒ガス
はバイパス流路を流れて高圧容器の内面に達し、該内面
に沿って冷却されながら下降し、再び炉室内を通って循
環、冷却される。このため、低温域まで高い冷却速度が
得られる。

【００１１】

【実施例】図１および図２は実施例に係るＨＩＰ装置を
示しており、円筒状の高圧容器１上、下開口部にはそれ
ぞれ上蓋２および下蓋３が着脱自在に嵌着され、上蓋２
は上蓋本体４の下面に冷却盤５が装着されて構成されて
いる。該冷却盤５は上蓋本体４下面に設けられた冷却水
路６を流れる冷却水により冷却されている。前記高圧容
器１の内部は高圧室７とされており、該高圧室７の内部
には倒立コップ形の断熱層８が設置され、該断熱層８の
内部の炉室９にヒータ１０および支持台１１が配置され
ている。支持台１１の上には被処理物１２が載置され、
上蓋２又は下蓋３に開設された圧媒供給孔（図示省略）
よりＡr ガス等の圧媒ガスが加圧注入される。尚、ＨＩ
Ｐ処理中に上蓋２および下蓋３にかかる軸力は、図示省
略した長方形の枠体からなるプレスフレームによって担
持される。

【００１２】前記断熱層８の上部には、鋳鉄等によって
形成された厚肉円盤状の蓄熱体１３が付設されている。
該蓄熱体１３には、断熱層８の上壁部を貫通する流出口
１４と連通する炉内ガスの流入口１５が設けられ、該流
入口１５は放射方向に開設された炉内ガス流路１６を介
して、側面に開口した流出口１７に連通している。一
方、前記蓄熱体１３には、前記炉内ガス流路１６と干渉
することなく、上下面に貫通するように複数個の上下貫
通流路１８が開設されている。尚、図１の蓄熱体１３の
断面は図２のＡ−Ａ線断面を示している。

【００１３】前記下蓋３は、内蓋１９と外蓋２０とで構
成され、内蓋１９の上面には前記支持台１１が載置され
ており、外蓋２０の上面には隙間台２１を介して前記断
熱層８が載置され、隙間台２１の外周部には固定フラン
ジ２２が凸設され、その外側には連通孔２３を有する開
閉フランジ２４が装着されている。前記固定フランジ２
２の上端と断熱層８の下端との間に圧媒ガスの流入口２
５が形成されている。前記開閉フランジ２４は、外蓋２
０の内部に同心状に複数個設けられたピストン２６によ
って昇降し、該ピストン２６が下端にあるとき開閉フラ
ンジ２４の連通孔２３と前記流入口２５とは連通状態と
なり、一方ピストン２６が上端にあるとき前記流入口２
５は開閉フランジ２４の内周面によって閉塞される。ピ
ストン２６は流体圧シリンダやソレノイド等によって進
退自在とされている。

【００１４】上記熱間等方圧加圧装置によると、ＨＩＰ
処理時および処理後のいずれにおいても断熱層８の上面
と上蓋２下面との間の空間部の圧媒ガスは、上下貫通孔
１８から上蓋２下面へ上昇した後、更に蓄熱体１３と圧
力容器１内周面との間隙を通って下降し、再び上下貫通
孔１８に流入するように循環する。すなわち、ＨＩＰ処
理の際の昇温保持時には、開閉フランジ２４の上昇によ
り流入口２５は閉塞され、炉内ガスは炉室９内に閉じ込
められた状態になるが、水冷される上蓋２より蓄熱体１
３は高温であるため断熱層８の上部空間の圧媒ガスは自
然対流により上下貫通孔１８を介して循環する。そし
て、蓄熱体１３は上蓋２下面で冷却された循環ガス流に
よって冷却される。ＨＩＰ処理後においては、開閉フラ
ンジ２４の下降により、同フランジ２４の連通孔２３と
流入口２５とは連通状態となり、炉室９内の高温の炉内
ガスは、図１に示すように、蓄熱体１３内の炉内ガス流
路１６を通り、蓄熱体１３への伝熱によって降温し、圧
力容器１内周面と断熱層８外周面との間の隙間を通っ
て、流入口２５に流入し、循環する。この間、前記断熱
層８の上部空間における循環ガス流により蓄熱体１３は
継続して冷却される。このため、蓄熱体１３が平衡温度
に到達した後の冷却速度の低下を最小限に抑えることが
できる。

【００１５】前記実施例では、断熱層８の下部の流入口
２５に開閉手段である開閉フランジ２４を設けたが、断
熱層８内の炉内ガスの循環を阻止するためには、図３に
示すように、断熱層８の上壁部の流出口１４を開閉する
ための手段である弁体２８を設けてもよい。該弁体２８
は、上蓋２を気密かつ摺動自在に貫通する弁棒２９に取
り付けられており、該弁棒２９は上蓋２の上部に設けら
れた流体圧シリンダ３０により上下動自在とされてい
る。また、蓄熱体１３としては、図４および図５に示す
ようなものでもよい。すなわち、本例では、上層部材３
２、中層部材３３および下層部材３４が積み重ねられて
おり、各部材間の隙間が炉内ガス流路１６とされ、中層
部材３３には上下の炉内ガス流路をつなぐ連通路３５が
複数個所設けられ、上層部材３２の中心には炉内ガスの
流出口１７が、下層部材３４の中心には流入口１５が設
けられている。また、上層部材３２、中層部材３３およ
び下層部材３４を貫通してパイプ３６が複数個付設さ
れ、その管路が上下貫通流路１８を構成している。かか
る構成によれば、炉内ガスの伝熱面積を大きくとること
ができる。尚、図４の蓄熱体１３の断面は、図５のＡ−
Ａ線断面を示している。

【００１６】ところで、前記上下貫通流路１８を循環す
る炉内ガスの駆動エネルギーはヒータ１０に供給された
加熱用電力の一部であり、この電力はＨＩＰに必要な電
力以外の余分なものである。従って、上下貫通流路１８
を循環する圧媒ガスの流入を阻止することにより、供給
電力より循環ガスの駆動用エネルギー分を削減すること
ができる。勿論、ＨＩＰ処理後の炉内冷却時に、上下貫
通流路に圧媒ガスを循環させれば、蓄熱体が平衡温度に
到達した後の冷却速度の低下を防止することができる。
以下、上下貫通流路１８を循環する圧媒ガスの流入を阻
止する手段を設けた実施例を説明する。尚、既述のＨＩ
Ｐ装置と同部材は同符号で示している。

【００１７】図６は、図１に示したＨＩＰ装置の改良実
施例であり、この装置は蓄熱体１３と上蓋２との間で昇
降自在に配置された流入阻止手段である開閉板５１を備
えており、上蓋２の上部に該開閉板５１を昇降させるた
めの昇降シリンダ５３が設けられ、上蓋２を摺動気密自
在に貫通する支持軸５２が前記開閉板５１に垂設され、
該支持軸５２が前記シリンダ５３に取り付けられてい
る。尚、昇降シリンダ５３としては、流体圧シリンダや
電導シリンダを使用することができる。

【００１８】かかる開閉板５１を備えたＨＩＰ装置によ
れば、ＨＩＰ処理のための昇温時・高温保持時に、開閉
板５１を下降させて蓄熱体１３の上面に当接させること
により、すべての上下貫通流路１８の上部開口が閉塞さ
れ、該流路１８の下部開口への圧媒ガスの流入が阻止さ
れ、ヒータ１０に供給された電力は専ら炉内の加熱に供
される。一方、ＨＩＰ処理後、開閉フランジ２４を開状
態にすると共に、図例のように開閉板５１を上昇させ、
蓄熱体１３の上面から離反させることにより、圧媒ガス
の上下貫通流路１８内への流入、循環が可能になる。勿
論、開閉板５１を上昇させるタイミングは自由であり、
開閉フランジ２４を開状態にし、蓄熱体１３により吸熱
し、蓄熱体１３が平衡温度に達した後、開閉板５１を上
昇させ、上下貫通流路１８を連通状態にしてもよい。

【００１９】図７は、図３に示したＨＩＰ装置の改良実
施例であり、本例では、断熱層８の流出口１４を開閉す
るための弁体２８の上部に開閉板５１が付設されてい
る。この場合、弁体２８の開操作により炉内ガスの循環
が開始されると共に、上下貫通流路１８の圧媒ガスの循
環も開始される。図８は、図４に対応する改良実施例で
あり、本例では開閉板５１には各上下貫通流路１８の上
部開口を閉塞するための凸部５５が多数突設されてい
る。該凸部５５は、その下部が円錐テーパ面で形成され
ており、開閉板５１を下降させて上下貫通流路１８を閉
塞した状態では、図９に示すように、開閉板５１の下面
と蓄熱体１３の上面との間に隙間５６が形成される高さ
に設定されている。これは、蓄熱体１３の流出口１７が
その上面に開口されているからであり、かかる隙間５６
を設けることにより、ＨＩＰ処理後、上下貫通流路１８
を閉塞したまま、開閉フランジ２４を開状態にして炉内
ガスを循環させ、蓄熱体１３により吸熱させることがで
き、蓄熱体１３が平衡温度に達した後、開閉板５１の上
昇により、上下貫通流路１８に圧媒ガスを循環させ、蓄
熱体１３を冷却することができる。

【００２０】図１０及び図１１は、図１の他の改良実施
例であり、開閉板の代わりに、蓄熱体１３の下端外周縁
と断熱層８の上端外周縁との隙間６０を開閉することに
より、上下貫通流路１８に圧媒ガスを流入あるいは阻止
するための開閉筒体６１が昇降自在に設けられている。
該筒体６１は、その天板６４に支持軸５２が垂設されて
おり、該支持軸５２は昇降シリンダ５３に昇降自在に取
り付けられている。その内周側面は蓄熱体１３の外周側
面に遊嵌され、その高さは筒体６１の上昇位置において
下端が蓄熱体１３の下端に略一致するように設定されて
いる。そして、筒体６１の側面には蓄熱体１３の側面に
開口した炉内ガスの流出口１７に対応した位置に長孔６
２が開設されており、その長さは筒体６１の昇降により
流出口１７が塞がれない長さに設定されている。また、
上部側面には筒体６１の上昇位置において上下貫通流路
１８を循環する圧媒ガスの循環流路を形成するための開
口６３が開設されている。図例では、長孔６２に対応さ
せてその上部に開口６３を設けているが、該開口６３は
長孔６２に対応して設ける必要はなく、その数も多くて
もよく、また横長に開設してもよい。

【００２１】かかる開閉筒体６１からなる流入阻止手段
によれば、筒体６１を下降することにより、上下貫通流
路１８の上部開口および隙間６０が閉塞されて上下貫通
流路１８への圧媒ガスの流入が阻止される。一方、筒体
６１の上昇により、前記上部開口および隙間６０が開放
され、上下貫通流路１８に圧媒ガスが流入し循環する。
なお、昇降位置を適宜設定することにより、開口６３の
流通面積および隙間６０の間隔を自由に設定することが
でき、蓄熱体１３の循環ガスによる冷却速度を任意に調
整することができる。

【００２２】図１２は図４のＨＩＰ装置の他の種類の改
良実施例を示しており、本実施例では蓄熱体１３は断熱
層８の上面に支持部材７１を介して支持されており、下
層部材３４の中央部には断熱層８の上部の凸状部が隙間
を介して装入される流入口１５Ａが開設されており、該
流入口１５Ａの内周面と前記凸状部外周面との間の隙間
により流路７２が形成され、該流路４２は下層部材３４
の下面と断熱層８の上面との間に形成されたバイパス流
路７３に連通している。

【００２３】かかる実施例によれば、冷却開始時には炉
内ガスは蓄熱体１３の周りのガスよりも高温であるた
め、バイパス流路７３を流れることなく、上昇して蓄熱
体１３内に流入し、抜熱されながら炉内ガス流路１６を
流れて、流出口１７から流出し、圧力容器１の内周面に
沿って下降、循環する。しかし、冷却が進み、蓄熱体１
３が平衡温度に達した後、放熱するようになると、炉内
ガスの温度は蓄熱体１３の周りのガス温度より低くなる
ので、炉内ガスは蓄熱体１３側に上昇することなく、流
路７２及びバイパス流路７３を通って圧力容器１の内面
に直通するようになる。このため、蓄熱体１３が放熱す
ることによる冷却速度の低下を防止することができ、低
温域まで高い冷却速度を得ることができる。尚、炉内ガ
スが圧力容器１の内面に直通するようになっても、この
段階ではガス温度は充分に低下しているため、圧力容器
１の内面は過昇温されず、安全上の問題はない。また、
炉内ガスがバイパス流路７３を流れると、蓄熱体１３の
冷却が遅れるが、次の処理工程までに冷却されればよい
ので、実用上の問題はない。

【００２４】本実施例のように、バイパス流路を設ける
場合、低温域まで高い冷却速度を確保することができる
ので、蓄熱体１３には上下貫通流路１８を必ずしも設け
る必要はない。また、図１及び図３のＨＩＰ装置におい
ても、図１２と同様にしてバイパス流路を形成してもよ
いことは勿論である。図３の装置を改良する場合、弁体
２８は断熱層８の流出口１４を開閉するようにすればよ
い。尚、蓄熱体に上下貫通流路を設けないと、設けた場
合に比べて蓄熱体１３自体の冷却は遅れるが、叙上の通
り、次の処理工程までに冷却されればよいので、実用上
の問題はない。

【００２５】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のＨＩＰ装置
は、蓄熱体に炉内ガス流路のみならず、該蓄熱体を上下
に貫通する複数本の上下貫通流路を形成したので、断熱
層の上部空間の圧媒ガスを上下貫通流路を通り、上蓋下
面で冷却される循環ガス流とすることができ、これによ
ってＨＩＰ処理時および処理後を問わず、常に蓄熱体を
冷却することができ、炉内ガスの冷却開始時には大きな
冷却効果が得られると共に蓄熱体が平衡温度に達した後
も冷却速度の低下を可及的に抑えることができる。ま
た、上下貫通流路に圧媒ガスが流入するのを阻止するた
めの流入阻止手段を設けることにより、ＨＩＰ処理の際
の昇温時・高温保持時に上下貫通流路に圧媒ガスが循環
するのを阻止することができ、この圧媒ガスの循環に費
やされる供給電力を削減することができる。また、断
熱層と蓄熱体との間に炉内ガスを前記流出口から高圧容
器の内面側に流出させるためのバイパス流路を形成して
おくことにより、蓄熱体が平衡温度に達した後、炉内ガ
スを蓄熱体を通過させることなく、バイパス流路を介し
て高圧容器の内面側に直接流すことができるため、低温
域まで高い冷却速度が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のＨＩＰ装置の断面図である。

【図２】同ＨＩＰ装置の蓄熱体の平面図である。

【図３】断熱層の流出口に開閉手段を設けたＨＩＰ装置
の要部断面図である。

【図４】他の蓄熱体を備えたＨＩＰ装置の要部断面図で
ある。

【図５】図４のＨＩＰ装置の蓄熱体の平面図である。

【図６】圧媒ガスの蓄熱体への流入を阻止するための流
入阻止手段を備えた改良実施例のＨＩＰ装置の要部断面
図である。

【図７】断熱層流出口の開閉手段および流入阻止手段を
設けた改良実施例のＨＩＰ装置の要部断面図である。

【図８】三層構造の蓄熱体および流入阻止手段を設けた
改良実施例のＨＩＰ装置の要部断面図である。

【図９】開閉板に設けられた凸部による上下貫通流路の
閉塞状態を示す要部断面図である。

【図１０】開閉筒体により構成された流入阻止手段を備
えた改良実施例のＨＩＰ装置の要部断面図である。

【図１１】開閉筒体の部分側面図である。

【図１２】バイパス流路を設けた改良実施例のＨＩＰ装
置の要部断面図である。

【図１３】従来のＨＩＰ装置の線図的断面説明図であ
る。

【符号の説明】

１高圧容器２上蓋３下蓋８断熱層９炉室１３蓄熱体１４流出口１６炉内ガス流路１８上下貫通流路２４開閉フランジ (開閉手段) ２５流入口２８弁体 (開閉手段) ５１開閉板( 流入阻止手段) ６１開閉筒体( 流入阻止手段) ７３バイパス流路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】筒状の高圧容器（１）の上下開口部に上
蓋（２）と下蓋（３）とが着脱自在に嵌着され、該高圧
容器（１）の内部に断熱層（８）が設置され、該断熱層
（８）内の炉室（９）にヒータ（１０）が設けられ、断
熱層（８）の下部および上部に炉室（９）に連通する圧
媒ガスの流入口（２５）および流出口（１４）が開設さ
れ、該流入口（２５）および流出口（１４）の少なくと
も一方を開閉するための開閉手段（２４）、（２８）が
設けられ、前記上蓋（２）下面と断熱層（８）上面との
間には炉室（９）内の圧媒ガスを冷却するための蓄熱体
（１３）が設けられた熱間等方圧加圧装置において、前記蓄熱体（１３）には炉室（９）内の圧媒ガスを流す
ための炉内ガス流路（１６）と該蓄熱体（１３）を上下
に貫通する複数本の上下貫通流路（１８）とが形成され
ていることを特徴とする熱間等方圧加圧装置。
【請求項２】上下貫通流路（１８）に圧媒ガスが流入
するのを阻止するための流入阻止手段（５１）、（６
１）が設けられている請求項１に記載した熱間等方圧加
圧装置。
【請求項３】筒状の高圧容器（１）の上下開口部に上
蓋（２）と下蓋（３）とが着脱自在に嵌着され、該高圧
容器（１）の内部に断熱層（８）が設置され、該断熱層
（８）内の炉室（９）にヒータ（１０）が設けられ、断
熱層（８）の下部および上部に炉室（９）に連通する圧
媒ガスの流入口（２５）および流出口（１４）が開設さ
れ、該流入口（２５）および流出口（１４）の少なくと
も一方を開閉するための開閉手段（２４）、（２８）が
設けられ、前記上蓋（２）下面と断熱層（８）上面との
間には炉室（９）内の圧媒ガスを冷却するための蓄熱体
（１３）が設けられた熱間等方圧加圧装置において、前記断熱層（８）と蓄熱体（１３）との間に炉室（９）
内の圧媒ガスを前記流出口（１４）から高圧容器（１）
の内面側に流出させるためのバイパス流路（７３）が形
成されていることを特徴とする熱間等方圧加圧装置。