JPH06252144A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH06252144A JPH06252144A JP5039592A JP3959293A JPH06252144A JP H06252144 A JPH06252144 A JP H06252144A JP 5039592 A JP5039592 A JP 5039592A JP 3959293 A JP3959293 A JP 3959293A JP H06252144 A JPH06252144 A JP H06252144A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム配線を備え
た半導体装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device having aluminum wiring.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化により
アルミニウム配線の微細化、高精度化が進み、アルミニ
ウム配線の信頼性確保が重要となってきた。2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor integrated circuits has become higher, the miniaturization and precision of aluminum wiring have advanced, and it has become important to secure the reliability of aluminum wiring.
【０００３】以下に従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図２は従来の半導体装置の製造方法のアル
ミニウム配線形成工程のウェット処理によるレジスト除
去後の水洗処理中の模式図であり、１は半導体基板、２
はフィールド酸化膜、３はアルミニウム配線、４は半導
体基板内の素子とアルミニウム配線で形成された局部電
池の陰極部分、５はアルミニウム配線の腐食、６は純
水、７は水洗処理用バス、８はクリーンベンチとクリー
ンルームの蛍光灯照明による光エネルギーである。A conventional method of manufacturing a semiconductor device will be described below. FIG. 2 is a schematic view of a conventional semiconductor device manufacturing method during a water washing process after resist removal by a wet process in an aluminum wiring forming step.
Is a field oxide film, 3 is an aluminum wiring, 4 is a cathode portion of a local battery formed by an element in a semiconductor substrate and aluminum wiring, 5 is corrosion of aluminum wiring, 6 is pure water, 7 is a bath for washing treatment, 8 Is the light energy from fluorescent lighting in clean benches and clean rooms.
【０００４】従来の半導体装置のアルミニウム配線の製
造方法は、所定の素子を形成した半導体基板１に被着し
たフィールド酸化膜２の上にアルミニウムまたは少量の
シリコンや銅を混入した合金を被着し、露光装置により
パターニングされたレジストをマスクとしてドライエッ
チングまたはウェットエッチングによりアルミニウム配
線３を形成する。次に、アルミニウム配線上のレジスト
を酸化プラズマなどのドライアッシング処理し、次に発
煙硝酸や市販のレジスト除去液によりレジストを完全に
除去した後に、純水による水洗処理で洗浄する。このレ
ジスト除去後の水洗処理用バス７はクリーンベンチ内に
設置され、３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長をもつ蛍光灯
を使用したクリーンベンチの照明とクリーンルームの照
明により水洗処理用バス７の設置位置の照度は１００ル
クス以上に保たれている。In the conventional method for manufacturing aluminum wiring of a semiconductor device, aluminum or an alloy containing a small amount of silicon or copper is deposited on the field oxide film 2 deposited on the semiconductor substrate 1 on which predetermined elements are formed. The aluminum wiring 3 is formed by dry etching or wet etching using the resist patterned by the exposure device as a mask. Next, the resist on the aluminum wiring is subjected to a dry ashing process such as oxidation plasma, and then the resist is completely removed with fuming nitric acid or a commercially available resist removing solution, and then washed with pure water. The bath 7 for washing treatment after the removal of the resist is installed in a clean bench, and the illumination at the installation position of the bath 7 for washing treatment is controlled by the illumination of the clean bench using the fluorescent lamp having a wavelength of 300 nm to 700 nm and the illumination of the clean room. It is kept above 100 lux.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、アルミニウム配線が形成されることによ
り、半導体基板内の素子がアルミニウム配線で接続され
内部回路が形成されて局部電池構造となり陰極部分４と
陽極部分が発生する。レジスト除去後の水洗処理中にク
リーンベンチとクリーンルームの蛍光灯による照明の光
エネルギー８により局部電池の起電力が増幅され、水洗
が進行し水洗処理の純水６の比抵抗が増加すると純水６
中への放電が抑制され、この起電力がアルミニウム配線
と半導体基板内の素子の間の局部電池に蓄積される。そ
の結果、アルミニウム配線３の陰極部分４と純水６の接
する部分で電子の供給が増加し、酸素の還元と水素の発
生により陰極部分近傍のＯＨ-イオン濃度が増加する。
その結果、ＯＨ-イオンとアルミニウムが反応してＡｌ
（ＯＨ）3が生成され、アルミニウム配線の腐食が発生
するという欠点を有していた。また、塩素系のガスを使
用したドライエッチングでアルミニウムをエッチングし
アルミニウム配線を形成した場合、塩素イオンが残留し
ているとさらにアルミニウム腐食の化学反応は促進され
る。However, in the above conventional structure, the aluminum wiring is formed, so that the elements in the semiconductor substrate are connected by the aluminum wiring and the internal circuit is formed to form the local battery structure to form the cathode portion 4. And the anode part is generated. During the rinsing process after removing the resist, the electromotive force of the local battery is amplified by the light energy 8 of the fluorescent light in the clean bench and the clean room, and the rinsing proceeds to increase the specific resistance of the pure water 6 in the rinsing process.
Discharge to the inside is suppressed, and this electromotive force is accumulated in the local battery between the aluminum wiring and the element in the semiconductor substrate. As a result, the supply of electrons increases at the portion where the cathode portion 4 of the aluminum wiring 3 and the pure water 6 contact each other, and the OH − ion concentration near the cathode portion increases due to the reduction of oxygen and the generation of hydrogen.
As a result, OH − ions react with aluminum and Al
It has a defect that (OH) 3 is generated and corrosion of aluminum wiring occurs. Further, when aluminum is etched by dry etching using chlorine-based gas to form aluminum wiring, residual chlorine ions further accelerate the chemical reaction of aluminum corrosion.
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
でアルミニウム腐食を防止することのできる半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above conventional problems and to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing aluminum corrosion.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、クリーンルーム内
で照度が３５ルクス以下の場所に設置した水洗バスでア
ルミニウム配線形成工程のウェット処理によるレジスト
除去処理後の水洗処理を実施する工程を備えている。In order to achieve this object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention uses a wet process in an aluminum wiring forming step in a washing bath installed in a clean room at an illuminance of 35 lux or less. A step of performing a water washing treatment after the resist removing treatment is provided.
【０００８】[0008]
【作用】この構成によってウェット処理によるレジスト
除去後の水洗処理中に、半導体基板とアルミニウム配線
が受けるクリーンベンチとクリーンルーム内の蛍光灯照
明からの光エネルギーが低減され、半導体基板の素子と
アルミニウム配線により形成された内部回路による局部
電池に発生する起電力を小さく抑えることができ、アル
ミニウム配線の陰極部分でおきる還元反応が抑制されＯ
Ｈ-イオンとアルミニウムの化学反応によるアルミニウ
ム配線の腐食を防止することができる。With this configuration, the light energy from the fluorescent lamp in the clean bench and the clean room, which is received by the semiconductor substrate and the aluminum wiring, is reduced during the water washing treatment after the resist removal by the wet treatment. The electromotive force generated in the local battery by the formed internal circuit can be suppressed to a small level, and the reduction reaction occurring at the cathode portion of the aluminum wiring is suppressed.
It is possible to prevent corrosion of aluminum wiring due to a chemical reaction between H − ions and aluminum.
【０００９】[0009]
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１０】図１は本発明の一実施例における半導体装
置の製造方法のアルミニウム配線形成工程のウェットに
よるレジスト除去後の水洗処理中の模式図であり、１は
半導体基板、２はフィールド酸化膜、３はアルミニウム
配線、４は半導体基板内の素子とアルミニウム配線で形
成された局部電池の陰極部分、６は純水、７は水洗処理
用バス、８はクリーンベンチとクリーンルームの蛍光灯
照明による光エネルギーである。FIG. 1 is a schematic diagram showing a process of washing with water after resist removal by wet in an aluminum wiring forming step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which 1 is a semiconductor substrate, 2 is a field oxide film, Reference numeral 3 is aluminum wiring, 4 is a cathode portion of a local battery formed by an element in a semiconductor substrate and aluminum wiring, 6 is pure water, 7 is a bath for washing treatment, 8 is light energy by fluorescent lamp illumination in a clean bench and a clean room. Is.
【００１１】以上のように構成された本実施例の半導体
装置の製造方法について以下その動作を説明する。ま
ず、所定の素子を形成した半導体基板１に被着したフィ
ールド酸化膜２の上にアルミニウムまたは少量のシリコ
ンや銅を混入した合金膜を被着する。次に、露光装置に
よりパターニングされたレジストをマスクとしてドライ
エッチングまたはウェットエッチングによりアルミニウ
ム配線３を形成する。次に、アルミニウム配線３上のレ
ジストを酸化プラズマなどのドライアッシングの後、発
煙硝酸や市販のレジスト除去液でレジストを除去した
後、３００ｎｍ〜７００ｎｍの波長を持つ蛍光灯による
クリーンベンチやクリーンルームの照明を３５ルクス以
下に保持した位置に設置した水洗処理用バス７を使用し
て純水６による水洗処理にて洗浄をする。この水洗処理
は水洗処理用バス７内の純水６の比抵抗で管理され、純
水６の比抵抗が１０〜１５ＭΩ以上となるまで処理され
る。The operation of the method of manufacturing the semiconductor device having the above-described structure according to this embodiment will be described below. First, aluminum or an alloy film containing a small amount of silicon or copper mixed is deposited on the field oxide film 2 deposited on the semiconductor substrate 1 on which predetermined elements are formed. Next, the aluminum wiring 3 is formed by dry etching or wet etching using the resist patterned by the exposure device as a mask. Next, after dry ashing the resist on the aluminum wiring 3 with oxidizing plasma, etc., after removing the resist with fuming nitric acid or a commercially available resist removing liquid, lighting of a clean bench or a clean room with a fluorescent lamp having a wavelength of 300 nm to 700 nm is performed. Is washed with pure water 6 by using a bath 7 for washing treatment installed at a position where is kept at 35 lux or less. This washing process is controlled by the specific resistance of the pure water 6 in the washing bath 7, and the pure water 6 is processed until the specific resistance becomes 10 to 15 MΩ or more.
【００１２】以上のように本実施例によれば、高抵抗の
純水６中で水洗処理する水洗処理用バス７を３００ｎｍ
〜７００ｎｍの波長のクリーンベンチやクリーンルーム
の蛍光灯の照度を３５ルクス以下に保持した位置に設置
したことにより、クリーンベンチやクリーンルームの蛍
光灯から受ける光エネルギー８を低減し、半導体基板内
の素子とアルミニウム配線で形成される局部電池の起電
力を低く抑え、アルミニウム配線３の陰極部分４への電
子の供給を抑制することにより、アルミニウム配線３の
陰極部分４と純水６の接する部分で発生するＯＨ-イオ
ンとアルミニウムの反応からＡｌ（ＯＨ）3の生成する
還元反応を抑止し、アルミニウム配線の腐食を防止する
ことができる。As described above, according to this embodiment, the washing bath 7 for washing in the high-resistance pure water 6 is set to 300 nm.
By installing it in a position where the illuminance of a fluorescent lamp in a clean bench or a clean room with a wavelength of ~ 700 nm is kept at 35 lux or less, the light energy 8 received from the fluorescent lamp in the clean bench or clean room is reduced, and By suppressing the electromotive force of the local battery formed by the aluminum wiring and suppressing the supply of electrons to the cathode portion 4 of the aluminum wiring 3, it is generated at the portion where the cathode portion 4 of the aluminum wiring 3 and the pure water 6 are in contact with each other. It is possible to suppress the reduction reaction of Al (OH) 3 generated from the reaction of OH − ions and aluminum, and prevent the corrosion of aluminum wiring.
【００１３】なお、本実施例ではアルミニウム配線を１
層配線としたが、アルミニウム配線は多層配線構造の２
層目以降のアルミニウム配線でもよい。In this embodiment, the aluminum wiring is 1
Layer wiring was used, but aluminum wiring has a multilayer wiring structure.
The aluminum wiring in the layer onward may be used.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上のように本発明はアルミニウム配線
形成工程のレジスト除去後の水洗処理を３００ｎｍ〜７
００ｎｍの波長をもつ蛍光灯照明による照度を３５ルク
ス以下の位置に設置したバスで処理することにより、エ
ッチング方法やレジスト除去方法など大幅な工程を変更
することなく作業性に影響を与えない方法で、アルミニ
ウム配線の腐食を防止することができる優れた半導体装
置の製造方法を実現できるものである。As described above, according to the present invention, the washing process after removing the resist in the aluminum wiring forming step is performed in the range of 300 nm to 7 nm.
By processing the illuminance by fluorescent lamp illumination with a wavelength of 00 nm with a bath installed at a position of 35 lux or less, a method that does not affect workability without significantly changing the etching method or resist removal method. Therefore, it is possible to realize an excellent method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing corrosion of aluminum wiring.
【図１】本発明の一実施例におけるレジスト除去後の水
洗処理中の模式図FIG. 1 is a schematic diagram during a water washing process after resist removal according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の方法におけるレジスト除去後の水洗処理
中の模式図FIG. 2 is a schematic diagram during a water washing process after resist removal in a conventional method.
１ 半導体基板 ２ フィールド酸化膜 ３ アルミニウム配線 ４ 半導体基板１内の素子とアルミニウム配線３で形成
された局部電池の陰極部分 ５ アルミニウム配線の腐食 ６ 純水 ７ 水洗処理用バス ８ クリーンベンチとクリーンルームの蛍光灯照明によ
る光エネルギー1 Semiconductor Substrate 2 Field Oxide Film 3 Aluminum Wiring 4 Cathode Part of Local Battery Formed by Elements in Semiconductor Substrate 1 and Aluminum Wiring 3 Corrosion of Aluminum Wiring 6 Pure Water 7 Bath for Washing Treatment 8 Fluorescence in Clean Bench and Clean Room Light energy from lamp lighting
Claims (1)
シリコンや銅を混入したアルミニウム合金膜上のレジス
トに露光装置によりアルミニウム配線のレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをもとにし
た前記アルミニウムまたは少量のシリコンや銅を混入し
たアルミニウム合金膜のエッチング工程と、前記エッチ
ング工程にて形成したアルミニウム配線上のレジストを
ドライ処理とウェット処理の併用またはウェット処理の
みでレジスト除去した後に、３００〜７００ｎｍの波長
をもつ蛍光灯照明の照度を３５ルクス以下に保持した位
置に設置した水洗処理用バスで洗浄する工程とを備えた
半導体装置の製造方法。1. A step of forming a resist pattern of aluminum wiring on a resist on an aluminum alloy film containing aluminum or a small amount of silicon or copper on a semiconductor substrate by an exposure apparatus, and the aluminum based on the resist pattern. Alternatively, after etching the aluminum alloy film mixed with a small amount of silicon or copper and removing the resist on the aluminum wiring formed in the etching process by dry treatment and wet treatment in combination or only by wet treatment, 300 to 700 nm And a step of washing with a water bath for washing treatment installed at a position where the illuminance of fluorescent lamp illumination having the wavelength of 5 is kept at 35 lux or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039592A JPH06252144A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039592A JPH06252144A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252144A true JPH06252144A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=12557381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5039592A Pending JPH06252144A (en) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252144A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200707A (en) * | 2004-01-30 | 2004-07-15 | Renesas Technology Corp | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
| WO2006008829A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | Process for producing semiconductor device |
| US7510970B2 (en) | 1998-07-24 | 2009-03-31 | Renesas Technology Corp. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5039592A patent/JPH06252144A/en active Pending
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| US7659201B2 (en) | 1998-07-24 | 2010-02-09 | Renesas Technology Corp. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device |
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