JPH06252028A - Inert gas purge mechanism of proximity exposure device - Google Patents

Inert gas purge mechanism of proximity exposure device

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JPH06252028A
JPH06252028A JP5066044A JP6604493A JPH06252028A JP H06252028 A JPH06252028 A JP H06252028A JP 5066044 A JP5066044 A JP 5066044A JP 6604493 A JP6604493 A JP 6604493A JP H06252028 A JPH06252028 A JP H06252028A
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JP
Japan
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gas
inert gas
processing space
substrate
mask
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Application number
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Japanese (ja)
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Naoshi Fukao
直志 深尾
Yasuyuki Koyagi
康幸 小八木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the inert gas purge mechanism of a proximity exposer which can lower the concentration of oxygen inside processing space enough. CONSTITUTION:Below a mask holder 3, which holds a mask 2, gas jet mechanisms 10a, 10b, 20a, and 20b, which jet nitrogen gas into the processing space between a mask 2 and a substrate 4, and others are arranged on four sides around a board 4. A shutter mechanism 30 is arranged between the processing space and a temperature-controlled air discharge port 8. The shutter mechanism 30 change the condition of intercepting the air jet out of the temperature-controlled air discharge port 8 flowing into the processing space by rocking screen boards 31 a and 31b by the command of a controller and the condition of allowing it over to each other. The shutter mechanism 30 is closed from the start of jet of nitrogen gas to the end of exposure, and the air from the temperature-controlled air discharge port 8 does not flow into the processing chamber.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、環境チャンバー内にお
いて、感光剤が塗布された例えば液晶表示器用の角型ガ
ラス基板等をマスクに近接させて露光することにより、
マスクのパターンを基板に塗布された感光剤に焼き付け
る際に、マスクと基板との間の空間を窒素等の不活性気
体雰囲気にパージする近接露光装置の不活性気体パージ
機構に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention provides a method of exposing a square glass substrate coated with a photosensitizer, for example, a rectangular glass substrate for a liquid crystal display, to a mask in an environmental chamber to expose the square glass substrate.
The present invention relates to an inert gas purging mechanism of a proximity exposure apparatus that purges the space between the mask and the substrate into an atmosphere of an inert gas such as nitrogen when the pattern of the mask is printed on the photosensitive agent applied to the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】ある種の感光剤(例えば、ネガタイプの
カラーフィルタレジスト)を表面に塗布した基板を空気
中で露光すると、その感光剤が、空気中に含まれている
酸素と反応し、パターンの焼き付けの解像度が悪くなる
ことが知られている。このような問題に対処するため
に、従来、この種の感光剤を塗布した基板の露光は以下
のように行われている。
2. Description of the Related Art When a substrate having a surface coated with a certain type of photosensitizer (for example, a negative type color filter resist) is exposed in air, the photosensitizer reacts with oxygen contained in the air to form a pattern. It is known that the printing resolution of is deteriorated. In order to deal with such a problem, conventionally, exposure of a substrate coated with this type of photosensitive agent is performed as follows.

【0003】まず、第一の手法としては、感光剤の膜上
に酸素遮断膜を塗布することによって、露光中の酸素重
合の発生を防止するものである。しかしながら、この手
法では、感光剤の膜上に酸素遮断膜を塗布する工程が増
えるという問題がある。
First, as a first method, an oxygen blocking film is applied on a film of a photosensitizer to prevent the occurrence of oxygen polymerization during exposure. However, this method has a problem that the number of steps for applying the oxygen barrier film on the film of the photosensitizer increases.

【0004】そこで、第二の手法として、露光中、基板
とマスクとの間(以下、「処理空間」という)を窒素等
の不活性気体雰囲気にパージする方法が実施されてい
る。これを図12を参照して説明する。図12は、従来
例に係る近接露光装置の不活性気体パージ機構の概略構
成を示す断面図である。
Therefore, as a second method, a method of purging a space between the substrate and the mask (hereinafter, referred to as "processing space") into an atmosphere of an inert gas such as nitrogen during exposure is implemented. This will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a sectional view showing a schematic configuration of an inert gas purging mechanism of a proximity exposure apparatus according to a conventional example.

【0005】図に示すように、露光光学系1の下方に
は、マスク2がマスクホルダー3に支持されている。そ
して、基板4は昇降自在のステージ5に支持されてお
り、基板4が前記マスク2に近接移動できるように構成
されている。符号6は、前記マスク2と基板4との間の
処理空間内に不活性気体を噴出するためのスリットを示
す。なお、このスリット6は、図に示すように、基板4
の対向する2辺に配置する以外にも、基板4の所定の1
辺にのみ配置されていてもよいし、あるいは、基板4の
全周4辺に配置されていてもよい。
As shown in the figure, a mask 2 is supported by a mask holder 3 below the exposure optical system 1. The substrate 4 is supported by a vertically movable stage 5, and the substrate 4 is configured to be able to move close to the mask 2. Reference numeral 6 indicates a slit for ejecting an inert gas into the processing space between the mask 2 and the substrate 4. It should be noted that this slit 6 is formed on the substrate 4 as shown in the figure.
In addition to arranging on two opposite sides of
It may be arranged only on the side, or may be arranged on all four sides of the substrate 4.

【0006】そして、基板4とマスク2とを所定間隔に
して、スリット6から不活性気体を噴出し、処理空間の
酸素を排出するとともに、噴出した不活性気体で処理空
間を不活性気体雰囲気に置換する。処理空間が不活性気
体でパージされると、露光光学系1から光が照射され、
マスク2のパターンが基板4に塗布された感光剤に焼き
付けられる。
Then, with the substrate 4 and the mask 2 at a predetermined interval, an inert gas is jetted from the slit 6 to discharge oxygen in the processing space, and the jetted inert gas creates an inert gas atmosphere in the processing space. Replace. When the processing space is purged with an inert gas, light is emitted from the exposure optical system 1,
The pattern of the mask 2 is printed on the photosensitive agent applied to the substrate 4.

【0007】ところで、上述した露光処理は、所定温度
で、かつ、クリーンな環境に保持された状態で行えるよ
うに、近接露光装置は、一般的に、図13に示すような
環境チャンバー7内に収められている。そして、温調空
気噴出口8から噴出された所定温度の空気が、図の一点
鎖線に示すように流れて、排気口9から排気されること
により、チャンバー7内の温度を調整するとともに、粉
塵等の進入を防止してクリーンな環境に保持する。
By the way, in order that the above-mentioned exposure processing can be performed at a predetermined temperature and in a state kept in a clean environment, a proximity exposure apparatus generally has an environment chamber 7 as shown in FIG. It is contained. Then, the air having a predetermined temperature ejected from the temperature-controlled air ejection port 8 flows as shown by the alternate long and short dash line in the figure and is exhausted from the exhaust port 9, thereby adjusting the temperature in the chamber 7 and dust. Etc. to keep in a clean environment.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、図13のように近接露光装置が環境チ
ャンバー7内に収められた場合、スリット6から不活性
気体を噴出し、処理空間を不活性気体雰囲気に置換する
間、温調空気噴出口8から噴出された空気が、処理空間
内に流れ込むことにより、処理空間内の酸素濃度が充分
に下がらないという問題がある。
However, the conventional example having such a structure has the following problems. That is, when the proximity exposure apparatus is housed in the environmental chamber 7 as shown in FIG. 13, an inert gas is ejected from the slit 6 and the temperature control air ejection port 8 is ejected while the processing space is replaced with an inert gas atmosphere. Since the jetted air flows into the processing space, there is a problem that the oxygen concentration in the processing space does not sufficiently decrease.

【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理空間内の酸素濃度を充分に低下さ
せることができる近接露光装置の不活性気体パージ機構
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an inert gas purging mechanism for a proximity exposure apparatus capable of sufficiently reducing the oxygen concentration in the processing space. And

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、環境チャンバー内で、感光剤が塗布され
た基板をマスクに近接させて露光することにより、前記
マスクに描画されたパターンを、前記基板に塗布された
感光剤に焼き付ける際、前記基板と前記マスクとの間の
空間(以下、「処理空間」という)を、不活性気体でパ
ージする近接露光装置の不活性気体パージ機構におい
て、前記処理空間に不活性気体を噴出する不活性気体噴
出手段と、前記環境チャンバー内に設けられた温調空気
噴出口から噴出される空気が、前記処理空間内に流れ込
むのを一時的に遮断する気体流遮断手段と、前記不活性
気体噴出手段による不活性気体の噴出開始から、露光が
終了するまでの間、前記温調空気噴出口から噴出される
空気が、前記処理空間内に流れ込むのを遮断するように
前記気体流遮断手段を制御する制御手段と、を備えたも
のである。
The present invention has the following constitution in order to achieve such an object. That is, the present invention, in the environmental chamber, by exposing the substrate coated with the photosensitizer close to the mask, and exposing the pattern drawn on the mask to the photosensitizer coated on the substrate, In an inert gas purging mechanism of a proximity exposure apparatus that purges a space between the substrate and the mask (hereinafter, referred to as a "processing space") with an inert gas, an inert gas that ejects an inert gas into the processing space. Gas ejecting means, gas flow interrupting means for temporarily interrupting the air ejected from the temperature control air ejecting port provided in the environmental chamber from flowing into the processing space, and the inert gas ejecting means. During the period from the start of the ejection of the inert gas by the process to the end of the exposure, the gas flow blocking is performed so as to block the flow of the air jetted from the temperature control air jet into the processing space. And control means for controlling the means, those provided with.

【0011】[0011]

【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
制御手段は、不活性気体噴出手段による不活性気体の噴
出開始前に、環境チャンバー内に設けられた温調空気噴
出口から噴出される空気が、処理空間内に流れ込むのを
遮断するように気体流遮断手段を制御する。次に、不活
性気体噴出手段により不活性気体が噴出され、処理空間
内が不活性気体でパージされ、その状態で、露光されて
マスクのパターンが基板に塗布された感光剤に焼き付け
られる。その間、気体流遮断手段によって、温調空気噴
出口から噴出される空気は処理空間内に流れ込むのが防
止される。そして、露光が終了すると、制御手段は、気
体流遮断手段を制御してもとの状態、すなわち、温調空
気噴出口から噴出される空気が、処理空間内に流れ込む
のを許容する状態に戻す。
The operation of the present invention is as follows. That is,
The control means, before the start of the inert gas jetting by the inert gas jetting means, a gas so as to block the air jetted from the temperature control air jet port provided in the environmental chamber from flowing into the processing space. Control the flow blocking means. Next, the inert gas is jetted by the inert gas jetting means, the inside of the processing space is purged with the inert gas, and in this state, the pattern of the mask which is exposed and exposed is printed on the photosensitive agent applied to the substrate. Meanwhile, the gas flow blocking means prevents the air ejected from the temperature-controlled air ejection port from flowing into the processing space. When the exposure is completed, the control means returns the original state by controlling the gas flow blocking means, that is, the state in which the air ejected from the temperature control air ejection port is allowed to flow into the processing space. .

【0012】[0012]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。本実施例では、不活性気体として窒素ガス(N
2 )を用いた近接露光装置の窒素パージ機構に基づい
て、本発明に係る不活性気体パージ機構を説明する。図
1は、本実施例に係る近接露光装置の窒素パージ機構の
構成を示す平面図であり、図2は、図1のA−A矢視断
面図、図3は、図1のB−B矢視図である。なお、図1
2、図13と同一符号で示す部分は、従来例と同じ構成
であるので、ここでの詳述は省略する。ただし、各図、
および以下の図では、露光光学系は省略してある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, nitrogen gas (N
The inert gas purging mechanism according to the present invention will be described based on the nitrogen purging mechanism of the proximity exposure apparatus using 2 ). 1 is a plan view showing a configuration of a nitrogen purging mechanism of a proximity exposure apparatus according to this embodiment, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a section taken along the line BB of FIG. FIG. Note that FIG.
2 and FIG. 13 have the same configurations as those in the conventional example, and thus detailed description thereof will be omitted. However, each figure,
Also, in the following figures, the exposure optical system is omitted.

【0013】本実施例では、図に示すように、温調空気
噴出口8から噴出する空気が、マスク2と基板4との間
の処理空間内に流れ込むのを一時的に遮断するシャッタ
ー機構30が備えられている。このシャッター機構30
の構成を図2、図3を参照して説明する。
In the present embodiment, as shown in the figure, a shutter mechanism 30 that temporarily blocks the air ejected from the temperature control air ejection port 8 from flowing into the processing space between the mask 2 and the substrate 4. Is provided. This shutter mechanism 30
The configuration will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

【0014】このシャッター機構30は、遮蔽板31
a、31bが、回動軸32a、32bを中心として揺動
することにより、温調空気噴出口8から噴出する空気
が、処理空間内に流れ込むのを遮断する状態(以下、
「閉状態」という)と、温調空気噴出口8からの空気
が、処理空間内に流れ込むのを許容する状態(以下、
「開状態」という)とを切り替えられるように構成され
ている。
The shutter mechanism 30 includes a shield plate 31.
A state in which the air ejected from the temperature control air ejection port 8 is blocked from flowing into the processing space by swinging a and 31b around the rotation shafts 32a and 32b (hereinafter, referred to as
"Closed state" and a state in which the air from the temperature control air ejection port 8 is allowed to flow into the processing space (hereinafter,
It is configured to be able to switch between "open state").

【0015】すなわち、各遮蔽板31a、31bは、そ
れぞれ回動軸32a、32bに固設されている。床面に
固定されたエアーシリンダー33のロッド33aの先端
部には、揺動部材34aの一端側が連結されており、揺
動部材34aの他端側には、回動軸32aの一端側が連
結されている。回動軸32aは、回動軸32bととも
に、基台に固定された図示しない部材に回動自在に取り
付けられている。また、回動軸32aの他端側には、揺
動部材34bが連結されている。さらに、この揺動部材
34bと、遮蔽板31bが固設された回動軸32bの一
端側に連結された揺動部材34cとは、連結部材35を
介して連結されている。エアーシリンダー33のロッド
33aを伸縮することにより、揺動部材34aは回動軸
32aをその位置で回動させ、それに連動して、揺動部
材34b、連結部材35、揺動部材34cを介して、回
動軸32bもその位置で回動させられ、それに伴って遮
蔽板31a、31bの閉状態と開状態とが連動して切り
替えられる。このシャッター機構30は、本発明におけ
る気体流遮断手段に相当する。
That is, the shielding plates 31a and 31b are fixed to the rotary shafts 32a and 32b, respectively. One end of a swinging member 34a is connected to the tip of a rod 33a of an air cylinder 33 fixed to the floor, and one end of a rotating shaft 32a is connected to the other end of the swinging member 34a. ing. The rotating shaft 32a is rotatably attached to a member (not shown) fixed to the base together with the rotating shaft 32b. A swing member 34b is connected to the other end of the rotating shaft 32a. Further, the swinging member 34 b and the swinging member 34 c connected to one end of the rotating shaft 32 b on which the shield plate 31 b is fixed are connected via a connecting member 35. By expanding and contracting the rod 33a of the air cylinder 33, the swing member 34a rotates the rotary shaft 32a at that position, and in conjunction with this, the swing member 34b, the connecting member 35, and the swing member 34c are used. The rotation shaft 32b is also rotated at that position, and accordingly, the closed state and the open state of the shield plates 31a and 31b are interlocked and switched. The shutter mechanism 30 corresponds to the gas flow blocking means in the present invention.

【0016】この遮蔽板31a、31bの開状態と閉状
態との切り替え、すなわち、エアーシンリンダー33の
ロッド33aの伸縮は、図4に示すように、制御部40
によって制御されるように構成されている。なお、この
制御部40は、遮蔽板31a、31bの開状態と閉状態
との切り替え以外にも、ステージ5の昇降や、後述する
スリットからの窒素の噴出の切り替え、露光光学系1に
よる露光の開始と停止の切り替え等の制御も行うように
構成されている。
The switching of the shield plates 31a and 31b between the open state and the closed state, that is, the expansion and contraction of the rod 33a of the air cinder 33 is performed by the control unit 40 as shown in FIG.
Is configured to be controlled by. In addition to switching between the open and closed states of the shield plates 31a and 31b, the control unit 40 moves up and down the stage 5, switches the ejection of nitrogen from a slit described later, and performs exposure by the exposure optical system 1. It is also configured to perform control such as switching between start and stop.

【0017】この制御部40は、例えば、CPU(中央
処理装置)41、メモリ42、ROM(読み出し専用メ
モリ)43等からなるマイクロコンピューターによって
構成されている。ROM43には、後述するような各部
に対する処理手順(プログラム)が予め記憶されてお
り、そのプログラムに従って、CPU41が処理を実行
する。なお、図中、符号44は、CPU41、メモリ4
2、ROM43等を接続するバスを示し、また、符号4
5は、CPU41とエアーシリンダ33やステージ5等
とを接続するI/Oインターフェイスを示す。この制御
部40は、本発明における制御手段に相当する。
The control unit 40 is composed of a microcomputer including, for example, a CPU (central processing unit) 41, a memory 42, a ROM (read only memory) 43, and the like. The ROM 43 pre-stores a processing procedure (program) for each unit as described later, and the CPU 41 executes the processing in accordance with the program. In the figure, reference numeral 44 is the CPU 41 and the memory 4.
2, a bus for connecting the ROM 43 and the like, and reference numeral 4
Reference numeral 5 denotes an I / O interface that connects the CPU 41 to the air cylinder 33, the stage 5, and the like. The control section 40 corresponds to the control means in the present invention.

【0018】次に、本実施例に取り付けられている不活
性気体噴出手段としての気体噴出機構の配置と構成を図
1、図5、図6を参照して説明する。なお、図5は、図
1のC−C矢視断面図であり、図6は、図1のD−D矢
視断面図である。
Next, the arrangement and structure of the gas ejection mechanism as the inert gas ejection means attached to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 5 and 6. 5 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 1, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line DD of FIG.

【0019】図に示すように、マスクホルダー3の下部
に、窒素ガスを噴出するスリットを備えた4つの気体噴
出機構10a,10b,10c,10dが、基板1の周
囲4辺に沿うようにそれぞれ取り付けられている。基板
1の長辺に沿って対向配置された気体噴出機構10a,
10bの下部には、窒素ガスを噴出するスリットを備え
た別の気体噴出機構20a,20bが取り付けられてい
る。各気体噴出機構10a〜10dおよび気体噴出機構
20a,20bの作用は、後述する動作説明で明らかに
する。
As shown in the figure, four gas ejection mechanisms 10a, 10b, 10c and 10d each having a slit for ejecting nitrogen gas are provided below the mask holder 3 along the four sides of the substrate 1, respectively. It is installed. A gas ejection mechanism 10a arranged to face each other along the long side of the substrate 1,
At the lower part of 10b, another gas ejection mechanism 20a, 20b having a slit for ejecting nitrogen gas is attached. The operation of each of the gas ejection mechanisms 10a to 10d and the gas ejection mechanisms 20a and 20b will be clarified in the operation description described later.

【0020】気体噴出機構10a〜10dおよび気体噴
出機構20a,20bは、基本的に同じ構成を備えてい
るので、ここでは気体噴出機構10aを例にとって、そ
の構成を説明する。気体噴出機構10aは、両端部が閉
塞された角筒状を呈し、その両端付近にそれぞれ配設さ
れたノズル11(図1参照)から、その内部に窒素ガス
が供給される。気体噴出機構10aへの窒素ガスの供給
/遮断およびその流量は、開閉制御弁17や流量制御弁
18を介して、上述した制御部40によって制御される
(図4参照)。ノズル11から気体噴出機構10a内に
供給された窒素ガスは、バッフル12によって分散され
た後、多数の孔が穿設された整流板13を通過し、スリ
ット14を介して噴出される。このとき、スリット14
の下部にある部材15の作用により、窒素ガスは斜め上
方に噴出されるようになっている。なお、図1に示すよ
うに、気体噴出機構10a〜10dのつなぎ部分には、
基板4とマスク2との間への空気の流入を防止するため
の遮蔽部材16がそれぞれ配設されている。
Since the gas ejection mechanisms 10a to 10d and the gas ejection mechanisms 20a and 20b have basically the same configuration, the configuration will be described here by taking the gas ejection mechanism 10a as an example. The gas ejection mechanism 10a has a rectangular tube shape with both ends closed, and nitrogen gas is supplied to the inside from nozzles 11 (see FIG. 1) arranged near the both ends. The supply / cutoff of nitrogen gas to the gas ejection mechanism 10a and the flow rate thereof are controlled by the control unit 40 described above via the opening / closing control valve 17 and the flow rate control valve 18 (see FIG. 4). The nitrogen gas supplied from the nozzle 11 into the gas ejection mechanism 10a is dispersed by the baffle 12, passes through the current plate 13 having a large number of holes, and is ejected through the slit 14. At this time, the slit 14
The nitrogen gas is jetted obliquely upward by the action of the member 15 at the lower part of the. In addition, as shown in FIG. 1, in the connecting portion of the gas ejection mechanisms 10a to 10d,
A shielding member 16 for preventing the inflow of air between the substrate 4 and the mask 2 is provided.

【0021】次に、上述のような構成の近接露光装置に
よる露光処理の手順を図7に示すフローチャートに従っ
て説明する。
Next, the procedure of the exposure processing by the proximity exposure apparatus having the above-mentioned structure will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

【0022】まず、エアーシリンダー33のロッド33
aを伸長して、遮蔽板31a、31bを閉状態にする
(ステップS1)。次に、基板4を保持したステージ5
を所定位置まで上昇させる(ステップS2)。この所定
位置は、基板4が気体噴出機構10a〜10dのスリッ
トに対向する位置であり、窒素ガスの噴出を開始する位
置である。なお、上述したステップS1とS2の動作は
同時に開始してもよいし、ステップ2の動作を先に開始
してもよい。要は、窒素ガスの噴出を開始するより前
に、遮蔽板31a、31bが閉状態になり、温調空気噴
出口8から噴出する空気が、処理空間内に流れ込まない
ようになっていればよい。
First, the rod 33 of the air cylinder 33
a is extended to close the shielding plates 31a and 31b (step S1). Next, the stage 5 holding the substrate 4
Is raised to a predetermined position (step S2). This predetermined position is a position where the substrate 4 faces the slits of the gas ejection mechanisms 10a to 10d, and is a position where the ejection of nitrogen gas is started. The operations of steps S1 and S2 described above may be started simultaneously, or the operation of step 2 may be started first. The point is that the shielding plates 31a and 31b are closed before starting the ejection of the nitrogen gas so that the air ejected from the temperature control air ejection port 8 does not flow into the processing space. .

【0023】遮蔽板31a、31bが閉状態であり、基
板4が所定位置まで上昇されている状態で、基板4の長
辺に沿って対向配置された気体噴出機構10a、10b
から窒素ガスの噴出を開始するとともに、気体噴出機構
20a、20bから窒素ガスを噴出する(ステップS
3)。なお、気体噴出機構10a、10bにおける窒素
ガスの噴出の流速分布は、図1に示すように、スリット
中央部の流速が、両端部の流速に比べて速くなるように
調整してある。この流速分布は、気体噴出機構10a、
10bの内部に設けたバッフル12の構造や整流板13
に穿設した孔の密度、さらに、窒素ガスの供給ノズル1
1の位置や窒素ガスの供給量等を調整することによって
実現することができる。本実施例では、上述したように
ノズル11は、気体噴出機構10a、10bの両端部付
近に設け、バッフル12は均一な構造とし、整流板13
に穿設した孔の密度も均一に形成した。そして、図8の
計測結果に示すように、供給流量を50NL/minとするこ
とにより、上述の流速分布を実現している。なお、図8
に示す計測結果は、スリットからの窒素ガス流量を30
NL/min、40NL/min、50NL/minに変えて噴出し、各流
量における窒素ガスの流速を、スリットを9等分した各
計測点で計測した結果を示したものである。図中、R30
は流量30NL/minで窒素ガスを噴出した場合の流速分布
を示し、同じくR40は40NL/min、R50は50NL/minの
流速分布を示す。
With the shielding plates 31a, 31b closed and the substrate 4 raised to a predetermined position, the gas ejection mechanisms 10a, 10b are arranged opposite to each other along the long side of the substrate 4.
Of the nitrogen gas is started at the same time, and the nitrogen gas is jetted from the gas jetting mechanisms 20a and 20b (step S).
3). As shown in FIG. 1, the flow velocity distribution of the nitrogen gas jetting in the gas jetting mechanisms 10a and 10b is adjusted so that the flow velocity at the central portion of the slit is faster than the flow velocity at both ends. This flow velocity distribution shows the gas ejection mechanism 10a,
Structure of baffle 12 and baffle plate 13 provided inside 10b
Density of holes drilled in the substrate, and nitrogen gas supply nozzle 1
It can be realized by adjusting the position 1 and the supply amount of nitrogen gas. In the present embodiment, as described above, the nozzle 11 is provided near both ends of the gas ejection mechanisms 10a and 10b, the baffle 12 has a uniform structure, and the current plate 13 is provided.
The density of the holes drilled in was also uniform. Then, as shown in the measurement result of FIG. 8, the above flow velocity distribution is realized by setting the supply flow rate to 50 NL / min. Note that FIG.
The measurement result shown in is the nitrogen gas flow rate from the slit is 30
It shows the result of measuring the flow rate of nitrogen gas at each flow rate at each measurement point where the slit is divided into 9 equal parts, while changing the injection rate to NL / min, 40 NL / min, 50 NL / min. In the figure, R 30
Shows a flow velocity distribution when nitrogen gas is ejected at a flow rate of 30 NL / min, and R 40 shows a flow velocity distribution of 40 NL / min and R 50 shows a flow velocity distribution of 50 NL / min.

【0024】気体噴出機構10a,10bからの窒素ガ
スの噴出と同時に、その下部に取り付けられた気体噴出
機構20a,20bから窒素ガスを噴出するようにした
のは、気体噴出機構10a,10bから噴出された窒素
ガスが、その周囲の空気を巻き込まないようにするため
である。これにより、処理空間内に、純粋な窒素ガスを
供給することが可能になる。
The nitrogen gas is ejected from the gas ejecting mechanisms 10a and 10b at the same time as the nitrogen gas is ejected from the gas ejecting mechanisms 10a and 10b. This is because the generated nitrogen gas does not entrap the air around it. This makes it possible to supply pure nitrogen gas into the processing space.

【0025】上述のような気体噴出機構10a、10
b、20a、20bからの窒素ガスの噴出を所定時間
(例えば、4秒)継続する。これにより、基板4の上面
とマスク2の下面との間の中央部付近に純粋な窒素雰囲
気が形成されることになる。そして、この純粋な窒素雰
囲気を形成するための所定時間が経過した後、ステージ
5をさらに上昇させ、基板4とマスク2とを所定のギャ
ップ(10μm〜200μm)に近接して保持する(ス
テップS4)。これにより、基板4の上面とマスク2の
下面との間の中央部付近に形成された純粋な窒素雰囲気
が押し潰されて、純粋な窒素雰囲気は中央部から周囲に
広げられる。この拡散に伴って、基板4の上面とマスク
2の下面との間の酸素は、外に押しやられ、外部に排出
される。
The gas ejection mechanisms 10a and 10 as described above.
The ejection of nitrogen gas from b, 20a, and 20b is continued for a predetermined time (for example, 4 seconds). As a result, a pure nitrogen atmosphere is formed near the central portion between the upper surface of the substrate 4 and the lower surface of the mask 2. Then, after a lapse of a predetermined time for forming this pure nitrogen atmosphere, the stage 5 is further raised to hold the substrate 4 and the mask 2 close to a predetermined gap (10 μm to 200 μm) (step S4). ). As a result, the pure nitrogen atmosphere formed near the central portion between the upper surface of the substrate 4 and the lower surface of the mask 2 is crushed, and the pure nitrogen atmosphere is spread from the central portion to the periphery. Along with this diffusion, oxygen between the upper surface of the substrate 4 and the lower surface of the mask 2 is pushed to the outside and discharged to the outside.

【0026】次に、気体噴出機構20a、20bからの
窒素ガスの噴出を停止するとともに、基板4の4辺に沿
って設置された各気体噴出機構10a〜10dから、窒
素ガスを30NL/minで噴出する(ステップS5)。これ
により、ステップS4までで基板4の上面とマスク2の
下面との間に形成された窒素雰囲気の周囲に窒素ガスの
カーテンを形成して、外部からの空気(酸素)の流入を
遮断し、窒素雰囲気の状態を保持することができる。図
6の二点鎖線の矢印は、ステップS5における窒素ガス
の流出状態を示している。この状態で、基板4の上面に
塗布した感光剤に、マスク2に描画されたパターンを焼
き付けるために、露光光学系1により、マスク2の上方
から露光する(ステップS6)。露光が完了すると、各
気体噴出機構10a〜10dからの窒素ガスの噴出を停
止し(ステップS7)、遮蔽板31a、31bを開状態
にする(ステップS8)。
Next, the ejection of nitrogen gas from the gas ejection mechanisms 20a and 20b is stopped, and the nitrogen gas is ejected at 30 NL / min from each of the gas ejection mechanisms 10a to 10d installed along the four sides of the substrate 4. Eject (step S5). As a result, a curtain of nitrogen gas is formed around the nitrogen atmosphere formed between the upper surface of the substrate 4 and the lower surface of the mask 2 up to step S4 to block the inflow of air (oxygen) from the outside. The state of nitrogen atmosphere can be maintained. The double-dashed line arrow in FIG. 6 indicates the outflow state of the nitrogen gas in step S5. In this state, in order to print the pattern drawn on the mask 2 on the photosensitive agent applied on the upper surface of the substrate 4, the exposure optical system 1 exposes the mask 2 from above (step S6). When the exposure is completed, the ejection of nitrogen gas from each of the gas ejection mechanisms 10a to 10d is stopped (step S7), and the shield plates 31a and 31b are opened (step S8).

【0027】なお、上述の実施例では、気体噴出機構1
0a,10bを用いた窒素パージの際に、空気の巻き込
みを防止するために、気体噴出機構20a,20bを個
別に設けたが、例えば、図9に示すように、気体噴出機
構10a,10bから噴出された窒素ガスが、基板4と
マスク2との間、および基板4の下方の両方向に流出す
るように、ステージ5の上昇位置を適宜に設定してもよ
い。このようにすれば、基板4の下方に向けて流出する
窒素ガスによって、基板4とマスク2との間への空気の
巻き込みによる流入を防止することができるので、窒素
ガスのカーテンを形成するための気体噴出機構20a,
20bを必ずしも設ける必要はない。
In the above embodiment, the gas ejection mechanism 1
In order to prevent the entrainment of air during the nitrogen purging using 0a and 10b, the gas ejection mechanisms 20a and 20b are individually provided. For example, as shown in FIG. The rising position of the stage 5 may be appropriately set so that the jetted nitrogen gas flows out between the substrate 4 and the mask 2 and in both directions below the substrate 4. In this way, the nitrogen gas flowing out toward the lower side of the substrate 4 can prevent the inflow of air between the substrate 4 and the mask 2 due to the entrainment of air, so that a curtain of nitrogen gas is formed. Gas ejection mechanism 20a,
It is not always necessary to provide 20b.

【0028】また、上述の実施例では、気体噴出機構1
0a〜10d、20a、20bを設けて図5で説明した
ような手順で窒素パージするように構成したが、本発明
における不活性気体噴出手段は、そのような構成に限ら
ず、例えば、窒素ガスを噴出するスリットやノズル等
を、基板4の所定の1辺のみに配置したものであっても
よいし、基板4の対向する2辺に配置したものであって
もよく、窒素パージの手順も図5のフローチャートで説
明したものでなくともよい。そのような構成の不活性気
体噴出手段によって、窒素パージを行った場合にも、気
体流遮断手段(シャッター機構30)を設ければ、窒素
パージによって形成された窒素雰囲気に、温調空気噴出
口8から噴出された空気が流れ込むのが防止されるの
で、温調空気噴出口8からの空気による処理空間内の酸
素濃度の低下という問題を回避することができる。
Further, in the above embodiment, the gas ejection mechanism 1
Although 0a to 10d, 20a and 20b are provided and nitrogen purging is performed by the procedure as described with reference to FIG. 5, the inert gas jetting means in the present invention is not limited to such a configuration and, for example, nitrogen gas may be used. Slits, nozzles, etc. for ejecting the gas may be arranged on only one predetermined side of the substrate 4, or may be arranged on two opposite sides of the substrate 4, and the nitrogen purging procedure is also applicable. It need not be the one described in the flowchart of FIG. Even when nitrogen purging is performed by the inert gas ejecting means having such a configuration, if the gas flow blocking means (shutter mechanism 30) is provided, the temperature controlled air ejection port is provided in the nitrogen atmosphere formed by the nitrogen purging. Since the air jetted from the nozzle 8 is prevented from flowing in, it is possible to avoid the problem that the oxygen concentration in the processing space is lowered by the air from the temperature control air nozzle 8.

【0029】さらに、上述の実施例では、気体流遮断手
段としてシャッター機構30を設けたが、温調空気噴出
口8から噴出される空気が、処理空間内に流れ込むのを
一時的に遮断するものであれば、気体流遮断手段の構成
はこれに限定されるものではない。従って、例えば、図
10に示すように、温調空気噴出口8と処理空間との間
でエアーシリンダ51等の駆動機構を用いて、気体流遮
断手段としての遮蔽板50を昇降させることにより、温
調空気噴出口8から噴出する空気が、処理空間内に流れ
込むのを遮断する状態(図10の二点鎖線)と、温調空
気噴出口8からの空気が、処理空間内に流れ込むのを許
容する状態(図10の実線)とを切り替えられるように
構成してもよい。また、図11に示すように、温調器噴
出口8に開閉自在の遮蔽板60を設けて、遮蔽板60の
開閉動作により、温調空気噴出口8から噴出する空気
が、処理空間内に流れ込むのを遮断する状態(図11の
二点鎖線)と、温調空気噴出口8からの空気が、処理空
間内に流れ込むのを許容する状態(図11の実線)とを
切り替えられるように構成してもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the shutter mechanism 30 is provided as the gas flow blocking means, but the air jetted from the temperature control air jet port 8 is temporarily shut off from flowing into the processing space. If so, the configuration of the gas flow blocking means is not limited to this. Therefore, for example, as shown in FIG. 10, by using the drive mechanism such as the air cylinder 51 between the temperature control air ejection port 8 and the processing space, the shield plate 50 as the gas flow blocker is moved up and down, A state in which the air ejected from the temperature-controlled air ejection port 8 is blocked from flowing into the processing space (two-dot chain line in FIG. 10) and the air from the temperature-controlled air ejection port 8 flows into the processing space. It may be configured to be able to switch between the permitted state (solid line in FIG. 10). Further, as shown in FIG. 11, a shield plate 60 that can be opened and closed is provided at the temperature regulator jet port 8 so that the air jetted from the temperature control air jet port 8 enters the processing space by the opening / closing operation of the shield plate 60. A configuration in which it is possible to switch between a state in which the inflow is blocked (two-dot chain line in FIG. 11) and a state in which the air from the temperature control air ejection port 8 is allowed to flow into the processing space (solid line in FIG. 11) You may.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、不活性気体噴出手段による不活性気体の噴出
開始から、露光が終了するまでの間、気体流遮断手段に
よって、環境チャンバー内に設けられた温調空気噴出口
から噴出される空気が、処理空間内に流れ込むのを遮断
するように構成したことにより、処理空間内に形成した
不活性気体雰囲気に、温調空気噴出口からの空気が流れ
込むのが防止されるので、処理空間内の酸素濃度を充分
に低下させることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, from the start of the ejection of the inert gas by the inert gas ejection means to the end of the exposure, the gas flow blocking means is used to protect the environmental chamber. Since the air blown out from the temperature control air outlet provided inside the processing space is configured to be blocked from flowing into the processing space, the temperature control air outlet is added to the inert gas atmosphere formed in the processing space. Since air from the inside is prevented from flowing in, the oxygen concentration in the processing space can be sufficiently reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る近接露光装置の窒素パ
ージ機構の構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a nitrogen purging mechanism of a proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】図1のB−B矢視図である。FIG. 3 is a view taken along the line BB of FIG.

【図4】制御部の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a control unit.

【図5】図1のC−C矢視断面図である。5 is a sectional view taken along the line CC of FIG.

【図6】図1のD−D矢視断面図である。6 is a sectional view taken along the line DD of FIG.

【図7】実施例装置による露光処理の手順を示すフロー
チャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a procedure of exposure processing by the apparatus of the embodiment.

【図8】パージ用スリットからの窒素ガスの流速分布を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a flow velocity distribution of nitrogen gas from a purge slit.

【図9】不活性気体噴出手段の変形例を示す図である。FIG. 9 is a view showing a modified example of the inert gas jetting means.

【図10】気体流遮断手段の変形例の構成と動作を示す
図である。
FIG. 10 is a diagram showing a configuration and an operation of a modified example of the gas flow blocking means.

【図11】気体流遮断手段の変形例の構成と動作を示す
図である。
FIG. 11 is a diagram showing the configuration and operation of a modified example of the gas flow blocking means.

【図12】従来例に係る近接露光装置の不活性気体パー
ジ機構の概略構成を示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a schematic configuration of an inert gas purging mechanism of a proximity exposure apparatus according to a conventional example.

【図13】従来装置を環境チャンバー内に収めた状態を
示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state in which the conventional device is housed in an environmental chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 … 露光光学系 2 … マスク 4 … 基板 5 … ステージ 7 … 環境チャンバー 8 … 温調空気噴出口 10a〜10d … 気体噴出機構(不活性気体噴出手
段) 20a、20b … 気体噴出機構(不活性気体噴出手
段) 30 … シャッター機構(気体流遮断手段) 40 … 制御部(制御手段) 50、60 … 遮蔽板(気体流遮断手段)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Exposure optical system 2 ... Mask 4 ... Substrate 5 ... Stage 7 ... Environmental chamber 8 ... Temperature control air ejection port 10a-10d ... Gas ejection mechanism (inert gas ejection means) 20a, 20b ... Gas ejection mechanism (inert gas) Jetting means) 30 Shutter mechanism (gas flow blocking means) 40 Control unit (control means) 50, 60 Shielding plate (gas flow blocking means)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 環境チャンバー内で、感光剤が塗布され
た基板をマスクに近接させて露光することにより、前記
マスクに描画されたパターンを、前記基板に塗布された
感光剤に焼き付ける際、前記基板と前記マスクとの間の
空間(以下、「処理空間」という)を、不活性気体でパ
ージする近接露光装置の不活性気体パージ機構におい
て、 前記処理空間に不活性気体を噴出する不活性気体噴出手
段と、 前記環境チャンバー内に設けられた温調空気噴出口から
噴出される空気が、前記処理空間内に流れ込むのを一時
的に遮断する気体流遮断手段と、 前記不活性気体噴出手段による不活性気体の噴出開始か
ら、露光が終了するまでの間、前記温調空気噴出口から
噴出される空気が、前記処理空間内に流れ込むのを遮断
するように前記気体流遮断手段を制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする近接露光装置の不活性気体パ
ージ機構。
1. When printing a pattern drawn on the mask onto the photosensitive agent applied to the substrate by exposing the substrate coated with the photosensitive agent to a mask in an environmental chamber, the substrate is exposed. In an inert gas purging mechanism of a proximity exposure apparatus for purging a space between a substrate and the mask (hereinafter, referred to as a "processing space") with an inert gas, an inert gas for ejecting an inert gas into the processing space. The jetting means, the gas flow blocking means for temporarily blocking the air jetted from the temperature control air jet provided in the environmental chamber from flowing into the processing space, and the inert gas jetting means. The gas flow blocking means for blocking the air jetted from the temperature control air jet from flowing into the processing space from the start of the jetting of the inert gas to the end of the exposure. An inert gas purging mechanism for a proximity exposure apparatus, comprising:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833903B2 (en) 2002-02-05 2004-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Inert gas purge method and apparatus, exposure apparatus, reticle stocker, reticle inspection apparatus, reticle transfer box, and device manufacturing method
JP2011002567A (en) * 2009-06-17 2011-01-06 Hitachi High-Technologies Corp Proximity exposure apparatus, method for controlling substrate temperature in proximity exposure apparatus, and method for manufacturing display panel substrate
JP2019001115A (en) * 2017-06-19 2019-01-10 コニカミノルタ株式会社 Activation energy beam irradiation device and image formation apparatus

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