JPH06251643A - 超電導線およびその製造方法 - Google Patents
超電導線およびその製造方法Info
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- JPH06251643A JPH06251643A JP5033525A JP3352593A JPH06251643A JP H06251643 A JPH06251643 A JP H06251643A JP 5033525 A JP5033525 A JP 5033525A JP 3352593 A JP3352593 A JP 3352593A JP H06251643 A JPH06251643 A JP H06251643A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、超電導線を構成するバイパス導
体に人工ピンを導入することにより、窒素の臨界温度付
近でも磁場中における臨界電流特性が高い超電導線を得
ることを目的とする。 【構成】 超電導体１が充填されたバイパス導体２Ｂの
表面に磁性体粉４が被着されている。
体に人工ピンを導入することにより、窒素の臨界温度付
近でも磁場中における臨界電流特性が高い超電導線を得
ることを目的とする。 【構成】 超電導体１が充填されたバイパス導体２Ｂの
表面に磁性体粉４が被着されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば超電導マグネ
ットのコイル等に用いられる超電導線およびその製造方
法に関するものである。
ットのコイル等に用いられる超電導線およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．５９（６），５ Ａｕｇｕｓｔ１９９１」の第７３
６頁に示された従来の超電導線、特に酸化物超電導線の
製造方法を説明する工程図である。次に、この工程図に
従って従来の酸化物超電導線の製造方法を説明する。先
ずＰ１の焼結工程で、例えば鉛が混入されたビスマス系
の酸化物超電導物質（以下、超電導体と記載する）を仮
焼結した後に粉砕して粉状にする。粉状にされた超電導
体１は、Ｐ２の充填工程で終端が閉結された導電性シー
ス例えば内径が５ｍｍで外径が７ｍｍである銀製のチュ
ーブ即ちビューレット２に充填される。そして、充填工
程を終了した後にＰ３の線引き工程へ進み、超電導体１
が充填されたビューレット２はダイス３に通されて線引
きされる。
ｔ．５９（６），５ Ａｕｇｕｓｔ１９９１」の第７３
６頁に示された従来の超電導線、特に酸化物超電導線の
製造方法を説明する工程図である。次に、この工程図に
従って従来の酸化物超電導線の製造方法を説明する。先
ずＰ１の焼結工程で、例えば鉛が混入されたビスマス系
の酸化物超電導物質（以下、超電導体と記載する）を仮
焼結した後に粉砕して粉状にする。粉状にされた超電導
体１は、Ｐ２の充填工程で終端が閉結された導電性シー
ス例えば内径が５ｍｍで外径が７ｍｍである銀製のチュ
ーブ即ちビューレット２に充填される。そして、充填工
程を終了した後にＰ３の線引き工程へ進み、超電導体１
が充填されたビューレット２はダイス３に通されて線引
きされる。
【０００３】この線引きされたビューレット２は超電導
マグネット（図示しない）がクエンチした際に超電導体
１に流れていた電流をバイパスさせるので、以下バイパ
ス導体と呼び、符号２Ａで示す。このバイパス導体２Ａ
は超電導体１を有する所定径のリード状をしている。こ
の線引き工程によりバイパス導体２Ａ内の隙間は超電導
体１で完全に満たされる。
マグネット（図示しない）がクエンチした際に超電導体
１に流れていた電流をバイパスさせるので、以下バイパ
ス導体と呼び、符号２Ａで示す。このバイパス導体２Ａ
は超電導体１を有する所定径のリード状をしている。こ
の線引き工程によりバイパス導体２Ａ内の隙間は超電導
体１で完全に満たされる。
【０００４】更に、超電導体１を有するリード状バイパ
ス導体２ＡはＰ４の圧延工程で圧延され、最終的に厚さ
０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに
形成される。このテープ状バイパス導体２Ｂはスパイラ
ル状巻線２Ｃに形成された後に、Ｐ５の焼鈍工程で焼鈍
される。
ス導体２ＡはＰ４の圧延工程で圧延され、最終的に厚さ
０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに
形成される。このテープ状バイパス導体２Ｂはスパイラ
ル状巻線２Ｃに形成された後に、Ｐ５の焼鈍工程で焼鈍
される。
【０００５】スパイラル状巻線２Ｃは必要に応じてＰ６
の再圧延工程で再圧延されてテープ状バイパス導体２Ｄ
に形成された後に、再びスパイラル状巻線２Ｅに形成さ
れてＰ７の再焼鈍工程で焼鈍される。焼鈍されたスパイ
ラル状巻線２Ｅは超電導マグネットにおけるコイルとし
て利用される。尚、ここで述べた圧延工程・焼鈍工程は
必要に応じて数回繰り返しても良い。
の再圧延工程で再圧延されてテープ状バイパス導体２Ｄ
に形成された後に、再びスパイラル状巻線２Ｅに形成さ
れてＰ７の再焼鈍工程で焼鈍される。焼鈍されたスパイ
ラル状巻線２Ｅは超電導マグネットにおけるコイルとし
て利用される。尚、ここで述べた圧延工程・焼鈍工程は
必要に応じて数回繰り返しても良い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の酸化物超電導線
はビスマス系超電導体を用いて製造されたが、ビスマス
系超電導体による超電導線を超電導マグネットに使用し
た場合、超電導状態を維持する温度が３０Ｋ以上では、
磁場によって流れる磁束を拘束するピニング力が急激に
低下して磁束線運動が活発化し、それにより超電導マグ
ネットの臨界電流特性が急激に悪化してしまい、超電導
状態が常電導状態に変わるクエンチという現象が発生す
るという問題点があった。
はビスマス系超電導体を用いて製造されたが、ビスマス
系超電導体による超電導線を超電導マグネットに使用し
た場合、超電導状態を維持する温度が３０Ｋ以上では、
磁場によって流れる磁束を拘束するピニング力が急激に
低下して磁束線運動が活発化し、それにより超電導マグ
ネットの臨界電流特性が急激に悪化してしまい、超電導
状態が常電導状態に変わるクエンチという現象が発生す
るという問題点があった。
【０００７】更に、イットリウム系のＭＰＭＧ（Ｍｅｌ
ｔ Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｌｔ Ｇｒｏｕｔｈ）の試料に
含まれるＹ2ＢａＣｕＯ5という酸化物がピニング力を強
めるピニングセンタになるという報告がなされている
が、このＭＰＭＧ試料は非常に堅く、ビュレットに充填
して線引きし、線材化してバイパス導体を形成するのは
困難であるという問題点があった。
ｔ Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｌｔ Ｇｒｏｕｔｈ）の試料に
含まれるＹ2ＢａＣｕＯ5という酸化物がピニング力を強
めるピニングセンタになるという報告がなされている
が、このＭＰＭＧ試料は非常に堅く、ビュレットに充填
して線引きし、線材化してバイパス導体を形成するのは
困難であるという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、磁束線を拘束するピンを人工的
にビュレットに導入してピニングセンタを作り、窒素の
臨界温度（−１９５．８℃）付近でも磁場中における臨
界電流特性が高い超電導線およびその製造方法を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、磁束線を拘束するピンを人工的
にビュレットに導入してピニングセンタを作り、窒素の
臨界温度（−１９５．８℃）付近でも磁場中における臨
界電流特性が高い超電導線およびその製造方法を得るこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る超
電導線は、超電導物質が充填された導電性シースの表面
に磁性体粉を被着したものである。
電導線は、超電導物質が充填された導電性シースの表面
に磁性体粉を被着したものである。
【００１０】請求項２の発明に係る超電導線は、超電導
物質が充填された導電性シースの表面内部に磁性体粒を
押し込んだものである。
物質が充填された導電性シースの表面内部に磁性体粒を
押し込んだものである。
【００１１】請求項３の発明に係る超電導線は、超電導
物質が充填された導電性シース中に磁性体粒を点在させ
たものである。
物質が充填された導電性シース中に磁性体粒を点在させ
たものである。
【００１２】請求項４の発明に係る超電導線は、導電性
シースに充填された超電導物質の表面内部に磁性体粒を
押し込んだものである。
シースに充填された超電導物質の表面内部に磁性体粒を
押し込んだものである。
【００１３】請求項５の発明に係る超電導線製造方法
は、超電導物質を導電性シース内に充填した後に線引き
して圧延し、この圧延した導電製シースの表面に磁性体
粉を被着するものである。
は、超電導物質を導電性シース内に充填した後に線引き
して圧延し、この圧延した導電製シースの表面に磁性体
粉を被着するものである。
【００１４】請求項６の発明に係る超電導線製造方法
は、超電導物質を導電性シース内に充填し、前記導電性
シースの表面に磁性体粒を被着した後に線引きして圧延
するものである。
は、超電導物質を導電性シース内に充填し、前記導電性
シースの表面に磁性体粒を被着した後に線引きして圧延
するものである。
【００１５】請求項７の発明に係る超電導線製造方法
は、磁性体粒が内部に点在している導電性シース内に超
電導物質を充填した後に線引きして圧延するものであ
る。
は、磁性体粒が内部に点在している導電性シース内に超
電導物質を充填した後に線引きして圧延するものであ
る。
【００１６】請求項８の発明に係る超電導線製造方法
は、固形化した超電導物質の表面に磁性体粒を被着して
導電性シース内に充填した後に線引きして圧延するもの
である。
は、固形化した超電導物質の表面に磁性体粒を被着して
導電性シース内に充填した後に線引きして圧延するもの
である。
【００１７】
【作用】請求項１の発明における超電導線では、導電性
シースの表面に被着された磁性体粉が磁束線運動を拘束
するピニングセンタとして働く。
シースの表面に被着された磁性体粉が磁束線運動を拘束
するピニングセンタとして働く。
【００１８】請求項２の発明における超電導線では、導
電性シースの表面内部に押し込められた磁性体粒がピニ
ングセンタを固定化することができるので、ピニング力
を強化することができる。
電性シースの表面内部に押し込められた磁性体粒がピニ
ングセンタを固定化することができるので、ピニング力
を強化することができる。
【００１９】請求項３の発明における超電導線では、導
電性シースの内部に点在させた磁性体粒が超電導物質に
より近付くので磁束線をより超電導物質に近付けて拘束
することになり、ひいてはピニング力をより強化する。
電性シースの内部に点在させた磁性体粒が超電導物質に
より近付くので磁束線をより超電導物質に近付けて拘束
することになり、ひいてはピニング力をより強化する。
【００２０】請求項４の発明における超電導線では、超
電導物質の内部に押し込められた磁性体粒が磁束線運動
を超電導体周囲に絞って拘束することができ、その結果
ピニング力を一層強めることができる。
電導物質の内部に押し込められた磁性体粒が磁束線運動
を超電導体周囲に絞って拘束することができ、その結果
ピニング力を一層強めることができる。
【００２１】請求項５の発明における超電導線製造方法
によれば、超電導物質が充填された導電性シースを圧延
処理した後に、導電性シースの表面に磁性体粉を被着す
ることでピニングセンタを有する超電導線が製造され
る。
によれば、超電導物質が充填された導電性シースを圧延
処理した後に、導電性シースの表面に磁性体粉を被着す
ることでピニングセンタを有する超電導線が製造され
る。
【００２２】請求項６の発明における超電導線製造方法
によれば、超電導物質が充填された導電性シースを圧延
処理する前に、導電性シースの表面に磁性体粒を被着
し、この磁性体粒が被着された導電シースを圧延処理す
ることでピニングセンタが導電性シース内に固定化され
た超電導線が製造される。
によれば、超電導物質が充填された導電性シースを圧延
処理する前に、導電性シースの表面に磁性体粒を被着
し、この磁性体粒が被着された導電シースを圧延処理す
ることでピニングセンタが導電性シース内に固定化され
た超電導線が製造される。
【００２３】請求項７の発明における超電導線製造方法
によれば、導電性シース中に磁性体粒を点在させ、その
導電性シースに超電導物質を充填して圧延処理すること
でピニングセンタがより固定化された超電導線が製造さ
れる。
によれば、導電性シース中に磁性体粒を点在させ、その
導電性シースに超電導物質を充填して圧延処理すること
でピニングセンタがより固定化された超電導線が製造さ
れる。
【００２４】請求項８の発明における超電導線製造方法
によれば、超電導物質の表面に磁性体粒を被着した後
に、その超電導物質を導電シースに充填して圧延処理す
ることで超電導物質と磁性体粒を接触させることができ
るのでピニング力が強まる。
によれば、超電導物質の表面に磁性体粒を被着した後
に、その超電導物質を導電シースに充填して圧延処理す
ることで超電導物質と磁性体粒を接触させることができ
るのでピニング力が強まる。
【００２５】
実施例１．以下、本実施例における超電導線とその製造
方法を図について説明する。図１は本実施例における超
電導線の全体構成を示す斜視図である。超電導体１はテ
ープ状バイパス導体２Ｂ内に充填されている（図１０の
Ｐ４を参照）。更に、テープ状バイパス導体２Ｂの表面
には人工ピンとなる磁性体粉４が被着されている。この
磁性体粉４の被着の様子を超電導線の断面図（図２）で
示す。
方法を図について説明する。図１は本実施例における超
電導線の全体構成を示す斜視図である。超電導体１はテ
ープ状バイパス導体２Ｂ内に充填されている（図１０の
Ｐ４を参照）。更に、テープ状バイパス導体２Ｂの表面
には人工ピンとなる磁性体粉４が被着されている。この
磁性体粉４の被着の様子を超電導線の断面図（図２）で
示す。
【００２６】このように、テープ状バイパス導体２Ｂの
表面に磁性体粉４を被着すると、磁性体粉４は、超電導
線によって形成される超電導コイルの周囲に発生した磁
場により流れる磁束を拘束するピニングセンタとして働
く。ビスマス系超電導体のような第２種超電導体のピニ
ングセンタは、超電導体中に含まれる常電導金属不純物
である。ここで磁束を超電導部分を通過させるよりも人
工的に設けたピニングセンタを通過させる方が磁束をピ
ニングさせるエネルギーが小さくて済み、エネルギＥー
が得することは以下の式から証明される。
表面に磁性体粉４を被着すると、磁性体粉４は、超電導
線によって形成される超電導コイルの周囲に発生した磁
場により流れる磁束を拘束するピニングセンタとして働
く。ビスマス系超電導体のような第２種超電導体のピニ
ングセンタは、超電導体中に含まれる常電導金属不純物
である。ここで磁束を超電導部分を通過させるよりも人
工的に設けたピニングセンタを通過させる方が磁束をピ
ニングさせるエネルギーが小さくて済み、エネルギＥー
が得することは以下の式から証明される。
【００２７】Ｅ＝（μp−μA）・（Ｈｃ2）2・Ｖ ここで、μpはピニングセンタの透磁率 μAは空気の透磁率 ＨC2は第２臨界磁場 Ｖはピニングセンタの体積
【００２８】尚、ここで常電導体の透磁率をμ0とした
場合、磁性体の透磁率は１０００μ0に近いため、磁性
体をピニングセンタにすると上式より明らかなようにエ
ネルギーＥが大きくなる。これは即ち、ピニング力が大
きくなって強まり、窒素の臨界温度の磁場中における臨
界電流特性の劣化が少なくなることを示す。
場合、磁性体の透磁率は１０００μ0に近いため、磁性
体をピニングセンタにすると上式より明らかなようにエ
ネルギーＥが大きくなる。これは即ち、ピニング力が大
きくなって強まり、窒素の臨界温度の磁場中における臨
界電流特性の劣化が少なくなることを示す。
【００２９】次に、このようにピニング力の強い超電導
線の製造方法としては、従来の製造工程と同様に（図１
０参照）、超電導体１が充填されたビュレット２をダイ
ス３に通して線引きし、超電導体１を有する所定径のリ
ード状バイパス導体２Ａに形成する。更に、超電導体１
を有するリード状バイパス導体２Ａを圧延して厚さ０．
１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに形成
した後に、このテープ状バイパス導体２Ｂの表面に磁性
体粉４を被着した後に、スパイラル状巻線２Ｃと同様な
スパイラル状巻線に形成して焼鈍する。
線の製造方法としては、従来の製造工程と同様に（図１
０参照）、超電導体１が充填されたビュレット２をダイ
ス３に通して線引きし、超電導体１を有する所定径のリ
ード状バイパス導体２Ａに形成する。更に、超電導体１
を有するリード状バイパス導体２Ａを圧延して厚さ０．
１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに形成
した後に、このテープ状バイパス導体２Ｂの表面に磁性
体粉４を被着した後に、スパイラル状巻線２Ｃと同様な
スパイラル状巻線に形成して焼鈍する。
【００３０】実施例２．なお、実施例１では、テープ状
バイパス導体２Ｂの表面に磁性体粉４を被着しただけで
あるが、磁性体粉４に代わって磁性体粒をテープ状バイ
パス導体２Ｂの内部に押し込んだ方がより磁性体が固定
化され、しかも超電導体１と磁性体粒からなる磁性体の
距離が近くなる。図３は本実施例に係る超電導線の断面
図である。この図から明らかなように、磁性体粒４Ａは
バイパス導体２Ｂの表面より内側に埋設されているた
め、磁性体粒４Ａが固定化されると共に、超電導体１と
磁性体粒４Ａの距離が近付き、磁束線を固定する点が超
電導体１に近くなって磁束線の運動を拘束することがで
きる。
バイパス導体２Ｂの表面に磁性体粉４を被着しただけで
あるが、磁性体粉４に代わって磁性体粒をテープ状バイ
パス導体２Ｂの内部に押し込んだ方がより磁性体が固定
化され、しかも超電導体１と磁性体粒からなる磁性体の
距離が近くなる。図３は本実施例に係る超電導線の断面
図である。この図から明らかなように、磁性体粒４Ａは
バイパス導体２Ｂの表面より内側に埋設されているた
め、磁性体粒４Ａが固定化されると共に、超電導体１と
磁性体粒４Ａの距離が近付き、磁束線を固定する点が超
電導体１に近くなって磁束線の運動を拘束することがで
きる。
【００３１】これは、即ち、磁束線の運動が超電導体１
をクエンチする原因となる点から見て、磁束線を固定す
る力であるピニング力が強まり、磁場中での臨界電流特
性が向上することになる。
をクエンチする原因となる点から見て、磁束線を固定す
る力であるピニング力が強まり、磁場中での臨界電流特
性が向上することになる。
【００３２】本実施例における超電導線の製造方法は図
４で説明する通りである。超電導体１が充填されたビュ
レット２を、線引き工程でダイス３に通して線引きし、
超電導体１を有する所定径のリード状バイパス導体２Ａ
に形成する。この形成したリード状バイパス導体２Ａの
表面に被着工程で磁性体粒４Ａを被着する。そして、磁
性体粒４Ａが被着されたリード状バイパス導体２Ａを圧
延工程で圧延して磁性体粒４Ａをテープ状バイパス導体
２Ｂの表面内側に押し込み、最終的に磁性体粒４Ａが押
し込められた厚さ０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バ
イパス導体２Ｂからなる超電導線に形成する。
４で説明する通りである。超電導体１が充填されたビュ
レット２を、線引き工程でダイス３に通して線引きし、
超電導体１を有する所定径のリード状バイパス導体２Ａ
に形成する。この形成したリード状バイパス導体２Ａの
表面に被着工程で磁性体粒４Ａを被着する。そして、磁
性体粒４Ａが被着されたリード状バイパス導体２Ａを圧
延工程で圧延して磁性体粒４Ａをテープ状バイパス導体
２Ｂの表面内側に押し込み、最終的に磁性体粒４Ａが押
し込められた厚さ０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バ
イパス導体２Ｂからなる超電導線に形成する。
【００３３】実施例３．上記実施例２ではリード状バイ
パス導体２Ａの表面に被着した磁性体粒４Ａを圧延によ
りテープ状バイパス導体２Ｂの内側に押し込んで固定し
たが、図５に示すように磁性体粒４Ａをテープ状バイパ
ス導体２Ｈの内部に点在させることで、磁性体粒４Ａは
より固定化されると共に磁性体粒４Ａと超電導体１の距
離は更に近付く。この結果、図９（ｂ）に示した超電導
線の断面図より明らかなように、磁束を固定する点がテ
ープ状バイパス導体２Ｂの表面に磁性体粉４を被着させ
た場合（図９（ａ））より超電導体１に近くなりピニン
グ力が強くなる。
パス導体２Ａの表面に被着した磁性体粒４Ａを圧延によ
りテープ状バイパス導体２Ｂの内側に押し込んで固定し
たが、図５に示すように磁性体粒４Ａをテープ状バイパ
ス導体２Ｈの内部に点在させることで、磁性体粒４Ａは
より固定化されると共に磁性体粒４Ａと超電導体１の距
離は更に近付く。この結果、図９（ｂ）に示した超電導
線の断面図より明らかなように、磁束を固定する点がテ
ープ状バイパス導体２Ｂの表面に磁性体粉４を被着させ
た場合（図９（ａ））より超電導体１に近くなりピニン
グ力が強くなる。
【００３４】本実施例における超電導線の製造方法は図
６に示す通りである。先ずＰ１の焼結工程で、超電導体
を仮焼結した後に粉砕して粉状にする。粉状にされた超
電導体１は、Ｐ２の充填工程で終端が閉結され、しかも
内部に磁性体粒４Ａが点在している例えば内径５ｍｍ，
外径７ｍｍの銀製のビューレット２Ｆに充填される。
６に示す通りである。先ずＰ１の焼結工程で、超電導体
を仮焼結した後に粉砕して粉状にする。粉状にされた超
電導体１は、Ｐ２の充填工程で終端が閉結され、しかも
内部に磁性体粒４Ａが点在している例えば内径５ｍｍ，
外径７ｍｍの銀製のビューレット２Ｆに充填される。
【００３５】充填工程を終了した後にＰ３の線引き工程
へ進み、超電導体１が充填されたビューレット２Ｆはダ
イス３に通されて超電導体１を有する所定径のリード状
バイパス導体２Ｇに形成される。この線引き工程により
リード状バイパス導体２Ｇ内の隙間は超電導体１で完全
に満たされる。更に、超電導体１を有するリード状バイ
パス導体２ＧはＰ４の圧延工程で圧延され、最終的に厚
さ０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｈ
に形成される。このテープ状バイパス導体２Ｈはスパイ
ラル状巻線２Ｉに形成された後に、Ｐ５の焼鈍工程で焼
鈍されて超電導線に形成される。
へ進み、超電導体１が充填されたビューレット２Ｆはダ
イス３に通されて超電導体１を有する所定径のリード状
バイパス導体２Ｇに形成される。この線引き工程により
リード状バイパス導体２Ｇ内の隙間は超電導体１で完全
に満たされる。更に、超電導体１を有するリード状バイ
パス導体２ＧはＰ４の圧延工程で圧延され、最終的に厚
さ０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｈ
に形成される。このテープ状バイパス導体２Ｈはスパイ
ラル状巻線２Ｉに形成された後に、Ｐ５の焼鈍工程で焼
鈍されて超電導線に形成される。
【００３６】従って、本実施例による超電導線の製造方
法によれば、磁性体粒４Ａが点在するビュレット２Ｆを
用いているので、圧延する前のリード状バイパス導体２
Ａに磁性体粒４Ａを被着する手間が省けると共に、磁性
体粒４Ａと超電導体１の距離がより近くなりピニング力
が向上する。
法によれば、磁性体粒４Ａが点在するビュレット２Ｆを
用いているので、圧延する前のリード状バイパス導体２
Ａに磁性体粒４Ａを被着する手間が省けると共に、磁性
体粒４Ａと超電導体１の距離がより近くなりピニング力
が向上する。
【００３７】実施例４．上記各実施例では、バイパス導
体表面、或いはバイパス導体内部に磁性体粉４や磁性体
粒４Ａを固定する超電導線とその製造方法を説明した
が、これらの製造方法による超電導線であると超電導体
に対する磁性体の接近距離は限られてしまう。その結果
ピニング力の向上に限界が生じることになる。
体表面、或いはバイパス導体内部に磁性体粉４や磁性体
粒４Ａを固定する超電導線とその製造方法を説明した
が、これらの製造方法による超電導線であると超電導体
に対する磁性体の接近距離は限られてしまう。その結果
ピニング力の向上に限界が生じることになる。
【００３８】そこで本実施例では、固形化した超電導体
の表面に磁性体粒４Ａを被着してビュレット２に充填す
る。そして、このビュレット２を線引き工程にかけてリ
ード状バイパス導体２Ａに形成した後に、圧延工程にか
けてテープ状バイパス導体２Ｂに形成する。この結果、
図７に示すように、テープ状バイパス導体２Ｂ内におい
て磁性体粒４Ａは超電導体１Ａの表面内部に押し込めら
れるので、磁性体粒４Ａと超電導体１Ａは接触する。こ
れは即ち、磁束線運動を超電導体周囲に絞って拘束する
ことができるようになるためピニング力が一層強まり窒
素の臨界温度における磁場中での臨界電流特性が向上す
る。
の表面に磁性体粒４Ａを被着してビュレット２に充填す
る。そして、このビュレット２を線引き工程にかけてリ
ード状バイパス導体２Ａに形成した後に、圧延工程にか
けてテープ状バイパス導体２Ｂに形成する。この結果、
図７に示すように、テープ状バイパス導体２Ｂ内におい
て磁性体粒４Ａは超電導体１Ａの表面内部に押し込めら
れるので、磁性体粒４Ａと超電導体１Ａは接触する。こ
れは即ち、磁束線運動を超電導体周囲に絞って拘束する
ことができるようになるためピニング力が一層強まり窒
素の臨界温度における磁場中での臨界電流特性が向上す
る。
【００３９】次に、本実施例における超電導線の製造方
法を図８の製造工程図に従って説明する。先ず、磁性体
形成工程で焼結した超電導体をビュレット２に充填し易
いように円柱状の超電導体１Ａに複数個形成し、各超電
導体１Ａの外周面に磁性体粒４Ａを被着する。次に、各
超電導体１Ａは、充填工程で終端が閉結されている例え
ば内径５ｍｍ，外径７ｍｍの銀製のビューレット２に充
填される。
法を図８の製造工程図に従って説明する。先ず、磁性体
形成工程で焼結した超電導体をビュレット２に充填し易
いように円柱状の超電導体１Ａに複数個形成し、各超電
導体１Ａの外周面に磁性体粒４Ａを被着する。次に、各
超電導体１Ａは、充填工程で終端が閉結されている例え
ば内径５ｍｍ，外径７ｍｍの銀製のビューレット２に充
填される。
【００４０】充填工程を終了した後に線引き工程へ進
み、超電導体１Ａが充填されたビューレット２はダイス
３に通されて超電導体１Ａを有する所定径のリード状バ
イパス導体２Ａに形成される。この線引き工程によりリ
ード状バイパス導体２Ａ内の隙間は超電導体１Ａで完全
に満たされる。更に、超電導体１Ａを有するリード状バ
イパス導体２Ａは圧延工程で圧延され、最終的に厚さ
０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに
形成されて超電導線が得られる。このテープ状バイパス
導体２Ｂは必要に応じてスパイラル状巻線に形成された
後に、焼鈍工程で焼鈍される。
み、超電導体１Ａが充填されたビューレット２はダイス
３に通されて超電導体１Ａを有する所定径のリード状バ
イパス導体２Ａに形成される。この線引き工程によりリ
ード状バイパス導体２Ａ内の隙間は超電導体１Ａで完全
に満たされる。更に、超電導体１Ａを有するリード状バ
イパス導体２Ａは圧延工程で圧延され、最終的に厚さ
０．１０〜０．２０ｍｍのテープ状バイパス導体２Ｂに
形成されて超電導線が得られる。このテープ状バイパス
導体２Ｂは必要に応じてスパイラル状巻線に形成された
後に、焼鈍工程で焼鈍される。
【００４１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、超電導物質が
充填された導電性シースの表面に磁性体粉が被着されて
いるので、磁性体粉は超電導体周囲に発生した磁場の影
響による磁束線運動を拘束するピニングセンタとして働
き、そのため磁場中での臨界電流特性の劣化が少なくな
るという効果がある。
充填された導電性シースの表面に磁性体粉が被着されて
いるので、磁性体粉は超電導体周囲に発生した磁場の影
響による磁束線運動を拘束するピニングセンタとして働
き、そのため磁場中での臨界電流特性の劣化が少なくな
るという効果がある。
【００４２】請求項２の発明によれば、超電導物質が充
填された導電性シースの表面内部に磁性体粒が押し込め
られているので、ピニングセンタとしての磁性体粒を固
定化できる。そのために超電導体周囲に発生した磁場に
よる磁束線運動を拘束するピニング力を強めることがで
きるという効果がある。
填された導電性シースの表面内部に磁性体粒が押し込め
られているので、ピニングセンタとしての磁性体粒を固
定化できる。そのために超電導体周囲に発生した磁場に
よる磁束線運動を拘束するピニング力を強めることがで
きるという効果がある。
【００４３】請求項３の発明によれば、超電導物質が充
填された導電性シース中に磁性体粒が点在しているの
で、ピニングセンタとしての磁性体粒をより固定化でき
ると共に、ピニングセンタを導電性シース内部の超電導
物質に近付けることできるので、超電導体周囲に発生し
た磁場の影響による磁束線運動を拘束するピニング力を
より強めることができるという効果がある。
填された導電性シース中に磁性体粒が点在しているの
で、ピニングセンタとしての磁性体粒をより固定化でき
ると共に、ピニングセンタを導電性シース内部の超電導
物質に近付けることできるので、超電導体周囲に発生し
た磁場の影響による磁束線運動を拘束するピニング力を
より強めることができるという効果がある。
【００４４】請求項４の発明によれば、導電性シースに
充填された超電導物質の表面内部に磁性体粒が押し込め
られているので、超電導物質にピニングセンタを埋設し
たのと同様となり、よって磁束線運動を超電導体周囲に
絞って拘束することができるためピニング力を一層強め
ることができるという効果がある。
充填された超電導物質の表面内部に磁性体粒が押し込め
られているので、超電導物質にピニングセンタを埋設し
たのと同様となり、よって磁束線運動を超電導体周囲に
絞って拘束することができるためピニング力を一層強め
ることができるという効果がある。
【００４５】請求項５の発明によれば、超電導物質を導
電性シース内に充填した後に線引きして圧延し、この圧
延した導電線シースの表面に磁性体粉を被着して超電導
線を製造するので、超電導体周囲に発生した磁場の影響
による磁束線運動を拘束するピニングセンタを容易に設
けることができるという効果がある。
電性シース内に充填した後に線引きして圧延し、この圧
延した導電線シースの表面に磁性体粉を被着して超電導
線を製造するので、超電導体周囲に発生した磁場の影響
による磁束線運動を拘束するピニングセンタを容易に設
けることができるという効果がある。
【００４６】請求項６の発明に係る超電導線製造方法
は、超電導物質を導電性シース内に充填し、前記導電性
シースの表面に磁性体粒を被着した後に線引きして圧延
することにより超電導線を製造するので、ピニングセン
タとなる磁性粒を導電性シースに固定化することができ
るという効果がある。
は、超電導物質を導電性シース内に充填し、前記導電性
シースの表面に磁性体粒を被着した後に線引きして圧延
することにより超電導線を製造するので、ピニングセン
タとなる磁性粒を導電性シースに固定化することができ
るという効果がある。
【００４７】請求項７の発明に係る超電導線製造方法
は、磁性体粒が内部に点在している導電性シース内に超
電導物質を充填した後に線引きして圧延することにより
超電導線を製造するので、導電性シースを圧延する前に
磁性体粒を被着する手間が省けると共に、ピニングセン
タとなる磁性体粒をより超電導物質に近付けて固定化す
ることができるという効果がある。
は、磁性体粒が内部に点在している導電性シース内に超
電導物質を充填した後に線引きして圧延することにより
超電導線を製造するので、導電性シースを圧延する前に
磁性体粒を被着する手間が省けると共に、ピニングセン
タとなる磁性体粒をより超電導物質に近付けて固定化す
ることができるという効果がある。
【００４８】請求項８の発明に係る超電導線製造方法
は、固形化した超電導物質の表面に磁性体粒を被着して
導電性シース内に充填した後に線引きして圧延すること
により超電導線を製造するので、超電導物質と磁性体粒
とを接触させることができ、ひいては磁束線運動を超電
導体周囲に絞って拘束することができる。従って、ピニ
ング力が一層強まるという効果がある。
は、固形化した超電導物質の表面に磁性体粒を被着して
導電性シース内に充填した後に線引きして圧延すること
により超電導線を製造するので、超電導物質と磁性体粒
とを接触させることができ、ひいては磁束線運動を超電
導体周囲に絞って拘束することができる。従って、ピニ
ング力が一層強まるという効果がある。
【図１】この発明の実施例１における超電導線の構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】実施例１における超電導線の断面を示す断面図
である。
である。
【図３】この発明の実施例２における超電導線の断面を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】実施例２における超電導線の製造工程を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図５】この発明の実施例３における超電導線の断面を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】実施例３における超電導線の製造工程を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図７】この発明の実施例４における超電導線の断面を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】実施例４における超電導線の製造工程を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図９】超電導を貫く磁束線の振る舞いを示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の超電導線の製造工程を説明する工程図
である。
である。
１，１Ａ 超電導体 ２，２Ｆ ビューレット ２Ａ リード状バイパス導体 ２Ｂ テープ状バイパス導体 ４ 磁性体粉 ４Ａ 磁性体粒
Claims (8)
- 【請求項１】 超電導物質が充填された導電性シースの
表面に磁性体粉が被着されていることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項２】 超電導物質が充填された導電性シースの
表面内部に磁性体粒が押し込められていることを特徴と
する超電導線。 - 【請求項３】 超電導物質が充填された導電性シース中
に磁性体粒が点在していることを特徴とする超電導線。 - 【請求項４】 導電性シースに充填された超電導物質の
表面内部に磁性体粒が押し込められていることを特徴と
する超電導線。 - 【請求項５】 超電導物質を導電性シース内に充填した
後に線引きして圧延し、この圧延した導電性シースの表
面に磁性体粉を被着することを特徴とする超電導線製造
方法。 - 【請求項６】 超電導物質を導電性シース内に充填し、
前記導電性シースの表面に磁性体粒を被着した後に線引
きして圧延することを特徴とする超電導線製造方法。 - 【請求項７】 磁性体粒が内部に点在している導電性シ
ース内に超電導物質を充填した後に線引きして圧延する
ことを特徴とする超電導線製造方法。 - 【請求項８】 固形化した超電導物質の表面に磁性体粒
を被着して導電性シース内に充填した後に線引きして圧
延することを特徴とする超電導線製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033525A JPH06251643A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 超電導線およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033525A JPH06251643A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 超電導線およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251643A true JPH06251643A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12388967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5033525A Pending JPH06251643A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 超電導線およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135049A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toshiba Corp | 超電導高周波加速空洞の製造方法および超電導高周波加速空洞 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5033525A patent/JPH06251643A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135049A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Toshiba Corp | 超電導高周波加速空洞の製造方法および超電導高周波加速空洞 |
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