JPH06251422A - Optical disk - Google Patents

Optical disk

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Publication number
JPH06251422A
JPH06251422A JP5040072A JP4007293A JPH06251422A JP H06251422 A JPH06251422 A JP H06251422A JP 5040072 A JP5040072 A JP 5040072A JP 4007293 A JP4007293 A JP 4007293A JP H06251422 A JPH06251422 A JP H06251422A
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JP
Japan
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material layer
layer
reflectance
phase change
recording
Prior art date
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Application number
JP5040072A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Yasuda
宏一 保田
Yutaka Kasami
裕 笠見
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH06251422A publication Critical patent/JPH06251422A/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the reproduction sensitivity of an optical disk for ultrahigh resolution reproduction system and to exactty execute an ultrahigh resolution reprroduction with good C/N even at the time of exectiting the repraduction with rather high line speed. CONSTITUTION:A phase transfer material layer 4 which shows change in reflectance at least after melting is formed on a transparent substrate 1 in which recording pits 2 optically readable are formed according to information signals. A reflecting layer 6 is formed on the phase transfer material layer 4. When the disk is irradiated with reading light, the phase transfer material layer 4 is partially changed into a liquid phase in the scanned spot of light to change reflectance. The reflecting layer 6 consists of such a material having <=1.0J/cmKs thermal conductivity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光照射により
情報の再生を行なう光ディスク特に高密度記録に好適な
光ディスクに係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk for reproducing information by irradiating a laser beam, and more particularly to an optical disk suitable for high density recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスク
(いわゆるコンパクトディスク)やビデオディスク等の
光ディスクは、予め情報信号に応じて凹凸により記録ピ
ット、いわゆる位相ピットが形成された透明基板上にア
ルミニウム反射膜を成膜し、その上に保護膜等を形成す
ることで構成されている。このような光ディスクでは、
ディスク面に読み出し光を照射して位相ピットの形成部
での光の回折による反射光量の大幅な減少を検出するこ
とによって信号の読み出し(再生)を行なうようにして
いる。
2. Description of the Related Art For optical discs such as digital audio discs (so-called compact discs) and video discs, an aluminum reflective film is formed on a transparent substrate on which recording pits, so-called phase pits are formed in advance according to an information signal. Then, a protective film or the like is formed on it. In such an optical disc,
Signals are read (reproduced) by irradiating the disk surface with read light and detecting a large decrease in the amount of reflected light due to light diffraction at the phase pit formation portion.

【0003】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数NAで決まり、空間周波数
2NA/λが再生限界となる。そのため、このような光
ディスクにおいて高密度化を実現するためには、再生光
学系の光源(例えば半導体レーザ)の波長λを短くする
こと、あるいは対物レンズの開口数NAを大きくするこ
とが必要となる。
By the way, in the above-mentioned optical disk, the resolution of signal reproduction is almost determined by the wavelength λ of the light source of the reproduction optical system and the numerical aperture NA of the objective lens, and the spatial frequency 2NA / λ is the reproduction limit. Therefore, in order to achieve high density in such an optical disc, it is necessary to shorten the wavelength λ of the light source (for example, semiconductor laser) of the reproducing optical system or increase the numerical aperture NA of the objective lens. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、光源の波長λ
や対物レンズの開口数NAの改善には自ずと限界があ
り、これによって記録密度を飛躍的に高めることは難し
いのが実情である。そこで、本出願人は、読み出し光の
走査スポット内の部分的相変化による反射率変化を利用
することで、上述した波長λや開口数NAによる制限以
上の解像度を得ることができる光ディスクを提案した
(特願平2−94452号、特願平3−249511号
参照)。
However, the wavelength λ of the light source is
There is a limit to the improvement of the numerical aperture NA of the objective lens and the objective lens, and it is difficult to dramatically increase the recording density by this. Therefore, the present applicant has proposed an optical disc that can obtain a resolution higher than the above-mentioned limits by the wavelength λ and the numerical aperture NA by utilizing the reflectance change due to the partial phase change in the scanning spot of the reading light. (See Japanese Patent Application Nos. 2-94452 and 3-249511).

【0005】これら出願に係わる発明は、読み出し光の
レーザスポット内の部分的相変化により反射率を変化さ
せ超解像再生を行うようにした光ディスクあるいはその
再生方式に係わるものである。
The inventions related to these applications relate to an optical disc or a reproducing system thereof for performing super-resolution reproduction by changing the reflectance by a partial phase change in the laser spot of the reading light.

【0006】しかるに、これら出願に係わる発明におい
ては、相変化材料層を用いたときの再生感度についての
考慮が充分なされていない。例えば、近年ビデオディス
ク等において10Mbps程度の高情報転送レートが要
求され、10数MHz程度の高周波記録の実現が望まれ
ているが、その線速を例えば3.6m/s、7.6m/
s程度と比較的速くする場合は、充分なC/N(キャリ
ア/ノイズ比)又はS/N(サウンド/ノイズ比)が得
られない等の不都合があった。
However, in the inventions related to these applications, the reproduction sensitivity when the phase change material layer is used is not sufficiently taken into consideration. For example, in recent years, a high information transfer rate of about 10 Mbps has been required for a video disc and the like, and it has been desired to realize high frequency recording of about 10 and several MHz, but the linear velocity is, for example, 3.6 m / s or 7.6 m / s.
When the speed is relatively fast, such as about s, there is a disadvantage that a sufficient C / N (carrier / noise ratio) or S / N (sound / noise ratio) cannot be obtained.

【0007】本発明は、上述したような超解像再生を行
う光ディスクにおいて、特に感度の改善をはかってより
安定に高C/Nをもって超解像再生を行うことができる
ようにする。
The present invention makes it possible to more stably perform super-resolution reproduction with a high C / N by improving the sensitivity of the optical disc for performing the super-resolution reproduction as described above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、図1にその要
部の概略的断面図を示すように、情報信号に応じて光学
的に読み出し可能な記録ピット2が形成された透明基板
1上に、少なくとも溶融後反射率変化し得る相変化材料
層4が形成され、この相変化材料層4上に反射層6が形
成されてなり、読み出し光が照射されたときに、この相
変化材料層4が読み出し光の走査スポット内で部分的に
液相化して反射率が変化する構成とし、反射層6に、熱
伝導率が1.0J/cmKs以下の値を有する材料を用
いる。また本発明は、上述の構成において、反射層6の
材料としてランタノイドを用いる。
According to the present invention, as shown in the schematic sectional view of the essential portion of FIG. 1, a transparent substrate 1 having a recording pit 2 which can be optically read according to an information signal is formed. A phase change material layer 4 capable of changing reflectance at least after melting is formed thereon, and a reflection layer 6 is formed on the phase change material layer 4, and when the reading light is irradiated, the phase change material 4 is formed. The layer 4 has a structure in which the reflectance changes due to partial liquid phase in the scanning spot of the reading light, and the reflective layer 6 is made of a material having a thermal conductivity of 1.0 J / cmKs or less. Further, in the present invention, the lanthanoid is used as the material of the reflective layer 6 in the above structure.

【0009】[0009]

【作用】本発明による光ディスクは、その記録ピット2
による記録の読み出しすなわち再生に当たっては、読み
出し光の走査スポット内での温度分布を利用して、その
スポット内に生じる高温領域で部分的に相変化材料層4
に液相状態を発生させて例えば此処における反射率が著
しく増加するようにして例えばこの液相状態部分にある
記録ピットについては、回折等による読み出しが可能と
なるように構成する。
The optical disk according to the present invention has the recording pit 2
When reading or reproducing the recording by the recording medium, the temperature distribution in the scanning spot of the reading light is used to partially part the phase change material layer 4 in the high temperature region generated in the spot.
A liquid phase state is generated in the optical disk so that, for example, the reflectance here is remarkably increased, and for example, the recording pit in the liquid phase state portion can be read by diffraction or the like.

【0010】つまり、読み出し光スポット内に複数の例
えば2つの記録ピット2が入り込む場合においても、例
えば一方の記録ピット2を光学的に消滅させる領域を形
成して、スポット内では単一の記録ピットのみを読むこ
とができ、λ/2NAに制約されない超解像再生を行な
うことができるものである。
That is, even when a plurality of, for example, two recording pits 2 enter the read-out light spot, for example, an area where one recording pit 2 is optically disappeared is formed, and a single recording pit is formed in the spot. It can read only, and can perform super-resolution reproduction that is not limited to λ / 2NA.

【0011】そして特に本発明においては、その反射層
6の材料として、熱伝導率が1.0J/cmKs以下の
材料を選定するものである。従来は、この反射層6の材
料としては、Al等の熱伝導率ができるだけ高い材料を
選定しており、この場合例えば半導体レーザでは充分な
温度勾配が得られず、再生ができなくなる場合があっ
た。しかしながら本発明によれば、反射層6の熱伝導率
を適切に選定したことから、光ディスクの線速を速くす
る場合においても、充分な温度勾配が得られ、良好な再
生を行うことができる。
In particular, in the present invention, as the material of the reflective layer 6, a material having a thermal conductivity of 1.0 J / cmKs or less is selected. Conventionally, a material having a high thermal conductivity such as Al is selected as the material for the reflective layer 6. In this case, for example, a semiconductor laser may not be able to obtain a sufficient temperature gradient and reproduction may not be possible. It was However, according to the present invention, since the thermal conductivity of the reflective layer 6 is appropriately selected, a sufficient temperature gradient can be obtained and good reproduction can be performed even when the linear velocity of the optical disk is increased.

【0012】特にその材料として、ランタノイドを用い
ることにより、種々の用途に応じて必要な感度が得ら
れ、より安定に高C/Nをもって超解像再生を行なうこ
とができる。
In particular, by using lanthanoid as the material, the sensitivity required for various applications can be obtained, and super-resolution reproduction can be performed more stably with a high C / N.

【0013】[0013]

【実施例】以下図面を参照して本発明実施例を詳細に説
明する。本発明は、図1の断面図にそのいわば基本的構
成を示すように、情報に対応した凹凸より成る記録ピッ
ト2、いわゆる位相ピット(又はエンボスピット)が形
成された透明基板1上に、少なくとも溶融後初期状態に
戻り得る相変化材料層4が形成されてなり、相変化材料
層上に反射層6を形成する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. As shown in the basic structure of the cross-sectional view of FIG. 1, the present invention, at least on a transparent substrate 1 on which recording pits 2 formed of unevenness corresponding to information, so-called phase pits (or embossed pits) are formed. The phase change material layer 4 that can return to the initial state after melting is formed, and the reflective layer 6 is formed on the phase change material layer.

【0014】そして、読み出し光、例えばレーザ光がこ
の相変化材料層4に照射されたときに、この相変化材料
層4の読み出し光の走査スポット内で部分的に液相状態
となり反射率が減少すると共に読み出し後の常態で初期
状態の反射率に戻るようにする。
When the phase change material layer 4 is irradiated with read-out light, for example, a laser beam, the phase-change material layer 4 partially becomes in a liquid phase in the scanning spot of the read-out light and the reflectance is reduced. At the same time, the reflectance is returned to the initial state in the normal state after reading.

【0015】図1に示した例においては、記録ピット2
を有する透明基板1上に直接的に相変化材料層4及び反
射層6を形成するようにした場合であるが、例えば図2
にその要部の略線的拡大断面図を示すように、記録ピッ
ト2を有する透明基板1上に第1の誘電体層3を介して
相変化材料層4が形成され、更にこれの上に第2の誘電
体層5を介して反射膜6が形成され、更にこの上に第3
の誘電体層7が形成され、更にある場合はこの上に保護
膜(図示せず)が形成されてなり、第1及び第2の誘電
体層5及び6によって光学特性例えば反射率等の設定が
なされる構成とすることができる。また、第3の誘電体
層7を設けることによって積層膜の機械強度が向上し、
繰り返し読み出し耐久性が向上する。
In the example shown in FIG. 1, the recording pit 2
The case where the phase change material layer 4 and the reflective layer 6 are directly formed on the transparent substrate 1 having
As shown in the schematic enlarged cross-sectional view of the main part thereof, the phase change material layer 4 is formed on the transparent substrate 1 having the recording pits 2 via the first dielectric layer 3, and further on this. A reflective film 6 is formed via the second dielectric layer 5, and a third film is formed on the reflective film 6.
Dielectric layer 7 is formed, and a protective film (not shown) is further formed on the dielectric layer 7 if any, and optical characteristics such as reflectance are set by the first and second dielectric layers 5 and 6. Can be configured. Further, by providing the third dielectric layer 7, the mechanical strength of the laminated film is improved,
Repeated reading durability is improved.

【0016】実施例1 この例においては、図2で説明した構成を採った場合
で、透明基板1として、ガラス2P基板を使用した。こ
こでいう2Pとは、フォトポリマー法のことである。本
実施例においては、トラックピッチP=1.6μm、ピ
ット深さ約120nm、ピット幅、即ちディスク半径方
向の幅を約0.4μm、ピット長を0.3〜2.0μm
の設定条件で記録ピット2を形成した。
Example 1 In this example, a glass 2P substrate was used as the transparent substrate 1 when the configuration described in FIG. 2 was adopted. The 2P referred to here is a photopolymer method. In this embodiment, the track pitch P is 1.6 μm, the pit depth is about 120 nm, the pit width, that is, the width in the disk radial direction is about 0.4 μm, and the pit length is 0.3 to 2.0 μm.
The recording pit 2 was formed under the setting conditions.

【0017】そして、この記録ピット2を有する透明基
板1の一主面に、厚さ例えば110nmのZnS80原
子%、SiO2 20原子%の混合物等よりなる第1の誘
電体層3を被着形成し、これの上に厚さ例えば23.4
nmのGe2 Sb2 Te5 三元合金等よりなる相変化材
料層4を被着形成した。更にこれの上に厚さ例えば70
nmのZnS80原子%、SiO2 20原子%の混合物
等より成る第2の誘電体層5を被着形成し、これの上に
Gd等より成る反射膜4を例えば200nmの厚さに被
着形成し、更にこれの上に厚さ例えば400nmのZn
S80原子%、SiO2 20原子%混合物等より成る第
3の誘電体層7を被着形成した。
Then, on the one main surface of the transparent substrate 1 having the recording pits 2, a first dielectric layer 3 made of, for example, a mixture of ZnS 80 atomic% and SiO 2 20 atomic% having a thickness of 110 nm is adhered and formed. On top of this, for example a thickness of 23.4
A phase change material layer 4 made of Ge 2 Sb 2 Te 5 ternary alloy or the like having a thickness of 1 nm was deposited. Further on top of this a thickness of eg 70
second dielectric layer 5 made of a mixture of 80 nm% ZnS and 20 at% SiO 2 is deposited, and a reflection film 4 made of Gd or the like is deposited on the second dielectric layer 5 to a thickness of 200 nm, for example. On top of this, for example 400 nm thick Zn
S80 atomic%, and the third dielectric layer 7 made of SiO 2 20 atomic% mixtures is deposited and formed.

【0018】このように形成された光ディスクに対し
て、その光学系におけるレンズの開口数が0.50で、
その半導体レーザの波長が780nmの再生装置を用い
て、光ディスクに対するレーザスポットの線速を7.6
m/sに設定して再生パワーを9mWとし、ピット長L
=0.3、0.4、0.5、0.8、1.2、2.0μ
mの各ピット長におけるC/Nを測定した。この結果を
図3に示す。
With respect to the optical disk thus formed, the numerical aperture of the lens in the optical system is 0.50,
The linear velocity of the laser spot with respect to the optical disk was changed to 7.6 by using the reproducing device whose semiconductor laser wavelength is 780 nm.
Set the playback power to 9 mW by setting m / s and the pit length L
= 0.3, 0.4, 0.5, 0.8, 1.2, 2.0μ
The C / N at each pit length of m was measured. The result is shown in FIG.

【0019】図3からわかるように、この場合、回折限
界以下のピット長0.3μmで50dBと良好なC/N
が得られ、上述したように7.6m/sと比較的速い線
速としても、高C/Nをもって良好な超解像再生を行う
ことができることがわかる。即ち、前述したようにビデ
オディスク等に本発明を適用し、10Mbps程度の高
転送レート、従って10数MHz程度の高周波記録を行
う場合においても、上述したように速い線速をもって良
好な再生を行うことができる。
As can be seen from FIG. 3, in this case, the C / N ratio was as good as 50 dB at a pit length of 0.3 μm below the diffraction limit.
As described above, it can be seen that excellent super-resolution reproduction can be performed with a high C / N even at a relatively high linear velocity of 7.6 m / s. That is, as described above, even when the present invention is applied to a video disc or the like and high transfer rate of about 10 Mbps and high frequency recording of about 10 MHz are performed, good reproduction is performed with a high linear velocity as described above. be able to.

【0020】実施例2 この例においては、その反射層に熱伝導率が0.214
J/cmKsであるAl65重量%、Ti35重量%合
金を用いた以外は上述の実施例1と同様の構成とした。
Example 2 In this example, the reflective layer had a thermal conductivity of 0.214.
The structure was the same as that of the above-described Example 1 except that an Al 65 wt% and Ti 35 wt% alloy having J / cmKs was used.

【0021】このように形成された光ディスクに対し
て、その線速を3.6m/sに設定して再生パワーを1
0mWとし、上述の例と同様に、各ピット長L=0.
3、0.4、0.5、0.8、1.2、2.0μmにお
けるそれぞれのC/Nを測定した。この結果を図4に示
す。この場合においても、回折限界以下のピット長0.
3μmで50dBと良好なC/Nをもって超解像再生を
行うことができ、高転速レート、高記録周波数のディス
クに適用して好適となる。
With respect to the optical disc thus formed, the linear velocity is set to 3.6 m / s and the reproducing power is set to 1
0 mW and each pit length L = 0.
The respective C / N at 3, 0.4, 0.5, 0.8, 1.2 and 2.0 μm were measured. The result is shown in FIG. Even in this case, the pit length of 0.
Super-resolution reproduction can be performed with a good C / N of 50 dB at 3 μm, which is suitable for application to a disc having a high rotational speed and a high recording frequency.

【0022】比較例1 この例においては、その反射層に熱伝導率が1.0J/
cmKsを越える例えば2.144J/cmKsである
Alを用いて、その他の構成は上述の実施例1と同様の
構成とした。このように形成された光ディスクに対し
て、その線速を3.6m/sに設定して再生パワーを1
0mWに設定し、ピット長L=0.3、0.4、0.
5、0.8、1.2、2.0μmとしてC/Nとピット
長との関係を測定した結果を図5に示す。
Comparative Example 1 In this example, the reflective layer had a thermal conductivity of 1.0 J /
For example, Al having a viscosity exceeding 2.14 J / cmKs exceeding cmKs was used, and the other structures were the same as those of the above-described first embodiment. For the optical disc thus formed, the linear velocity is set to 3.6 m / s and the reproducing power is set to 1
0 mW, pit length L = 0.3, 0.4, 0.
The results of measuring the relationship between C / N and the pit length at 5, 0.8, 1.2 and 2.0 μm are shown in FIG.

【0023】この場合、ピット長0.3μmで20d
B、0.4μmで35dB程度の低いC/Nしか得られ
ず、超解像再生を行う場合は実用に適さないものである
ことがわかる。
In this case, 20d with a pit length of 0.3 μm
It can be seen that only a low C / N of about 35 dB can be obtained at B and 0.4 μm, which is not suitable for practical use when performing super-resolution reproduction.

【0024】また同様に、反射層6を省いて形成した光
ディスクに対して、その線速を7.6m/sに設定して
再生パワーを9mWにしたときのピット長0.3μmの
C/Nは20dBであり、上述の比較例1と同様に実用
に適さないものとなった。
Similarly, with respect to an optical disc formed by omitting the reflection layer 6, a C / N having a pit length of 0.3 μm when the linear velocity is set to 7.6 m / s and the reproduction power is set to 9 mW. Was 20 dB, which was not suitable for practical use as in Comparative Example 1 described above.

【0025】従って、特に線速1.8m/sを越える比
較的速い線速でその再生を行う場合、本発明によればそ
の反射層6の熱伝導率を1.0J/cmKs以下とする
ことから、半導体レーザ等の比較的低いパワーの光源を
用いる場合においても、充分な温度勾配を得ることがで
きて、良好な超解像再生を行うことができることがわか
る。
Therefore, particularly when reproducing at a relatively high linear velocity exceeding 1.8 m / s, according to the present invention, the thermal conductivity of the reflective layer 6 should be 1.0 J / cmKs or less. From the above, it is understood that a sufficient temperature gradient can be obtained and excellent super-resolution reproduction can be performed even when a light source having a relatively low power such as a semiconductor laser is used.

【0026】尚、透明基板1の材料としては、アクリル
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いること
ができる。更に、相変化材料層4としては、Se、Te
等カルコゲナイド及びその化合物であるカルコゲンなら
ばこの発明の光ディスクに適用することができる。
As the material of the transparent substrate 1, acrylic resin, polyolefin resin, glass or the like can be used. Further, as the phase change material layer 4, Se, Te
Any chalcogenide and its compound, chalcogen, can be applied to the optical disk of the present invention.

【0027】また、反射層6としては、上述のGd、A
lTi合金に限定されることなく、他のランタノイド、
Sb、Bi等半金属元素、Ge、Si等半導体元素単体
或は化合物或は混合物を用いることが出来るが、その光
ディスクの用いられる転送レート、線速等に応じて最適
な熱伝導率を有する材料を選択することによって、良好
な再生感度を得ることができる。
Further, as the reflective layer 6, the above-mentioned Gd, A
Other lanthanoids, not limited to 1Ti alloys,
A metalloid element such as Sb and Bi, a semiconductor element such as Ge and Si, or a compound or mixture can be used, but a material having an optimum thermal conductivity depending on the transfer rate, linear velocity, etc. used for the optical disk. By selecting, good reproduction sensitivity can be obtained.

【0028】更に、前述の図2に示す構成において、第
1〜第3の誘電体層3、5及び7としては、Al、Si
等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物があげ
られ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域において
吸収の無いものならば何でもよい。
Further, in the above-mentioned structure shown in FIG. 2, the first to third dielectric layers 3, 5 and 7 are made of Al or Si.
Examples thereof include nitrides, oxides, and sulfides of the same metal and semiconductor elements, and any compound may be used as long as it has no absorption in the semiconductor laser wavelength region.

【0029】そして、本発明による光ディスクは、その
再生に当たって読み出し光の走査スポット内での温度分
布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で部分
的に相変化材料層4に液相状態を発生させて例えば此処
における反射率が著しく増加するようにして例えばこの
液相状態部分にある位相ピットについては、回折等によ
る読み出しが可能となるように構成し、超解像再生を可
能とすることができる。
The optical disk according to the present invention utilizes the temperature distribution of the reading light in the scanning spot upon reproduction thereof to make the phase change material layer 4 partially in the liquid phase state in the high temperature region generated in the spot. For example, the phase pits in this liquid phase state portion can be read out by diffraction or the like so that the reflectance in this portion is remarkably increased and super resolution reproduction is enabled. You can

【0030】以下、このような本発明による光ディスク
にレーザスポットを照射した場合の再生態様を図6A及
びBを参照して説明する。図6Aにおいて横軸はスポッ
トの走査方向に関する位置を示したもので、いま光ディ
スクにレーザの照射によるレーザ光スポットが照射され
た状態についてみると、この場合その光強度は同図中実
線Lで示す分布を示す。これに対して相変化材料層4に
おける温度分布に対応した温度分布は、実線Tで示すよ
うにレーザスポットの走査速度に対応して僅かにディス
クの走査方向側に温度ピークを有する分布となる。
Hereinafter, a reproducing mode when a laser spot is irradiated on the optical disk according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. In FIG. 6A, the horizontal axis represents the position in the scanning direction of the spot. Looking now at the state where the optical disk is irradiated with the laser beam spot by the laser irradiation, in this case, the light intensity is shown by the solid line L in the figure. The distribution is shown. On the other hand, the temperature distribution corresponding to the temperature distribution in the phase change material layer 4 has a temperature peak slightly on the scanning direction side of the disk corresponding to the scanning speed of the laser spot as shown by the solid line T.

【0031】此処でディスクが矢印dで示すように移動
され、即ちこれとは逆方向にレーザスポットが走査され
ているとすると、光ディスクは、レーザスポットの走行
方向の先端側から次第に温度が上昇し次に相変化材料層
4の融点mp以上の温度となる。この段階で相変化材料
層4は初期の結晶状態から溶融状態になり、この溶融状
態への移行によって反射率が減少する。
If the disk is moved here as shown by arrow d, that is, the laser spot is scanned in the opposite direction, the temperature of the optical disk gradually rises from the front end side in the traveling direction of the laser spot. Next, the temperature becomes equal to or higher than the melting point mp of the phase change material layer 4. At this stage, the phase change material layer 4 changes from the initial crystalline state to the molten state, and the reflectance decreases due to the transition to the molten state.

【0032】したがってレーザ光スポット内で図6B中
点描を付して示した反射率が比較的低い領域即ちマスク
13と、記録ピット2の読み出しが可能な領域アパーチ
ャー12とが存在する。そしてこの場合、図示のように
同一スポット内に例えば2つの記録ピット2が存在して
いる場合においても、反射率が大なる領域となるアパー
チャー12に存在する1つの記録ピット2に関してのみ
その読み出しを行なうことができ、他の記録ピット2に
関してはこれが反射率がきわめて低いマスク13の領域
内にあってその読み出しがなされない。
Therefore, in the laser beam spot, there are a region having a relatively low reflectance, that is, a mask 13, which is shown with a dotted pattern in FIG. 6B, and a region aperture 12 capable of reading the recording pit 2. In this case, even if, for example, two recording pits 2 are present in the same spot as shown in the figure, the reading is performed only for one recording pit 2 present in the aperture 12 which is an area having a high reflectance. The other recording pits 2 cannot be read because they are in the region of the mask 13 having extremely low reflectance.

【0033】このように同一スポット内に複数の記録ピ
ット2が存在しても、単一の記録ピット2に関してのみ
その読み出しを行なうことができて、レンズ系の開口数
NA、読み出し光の波長λに制限されることなく超解像
再生が可能となる。
Even if a plurality of recording pits 2 are present in the same spot as described above, it is possible to read out only a single recording pit 2, and the numerical aperture NA of the lens system and the wavelength λ of the reading light are read. Super resolution reproduction is possible without being limited to.

【0034】このとき各層の構成材料の光学定数及び膜
厚により反射率は特定される。そこで熱伝導率が異なる
反射層を用いることにより感度を調整することができ
る。ここで、本発明における超解像再生では、溶融を伴
うために相変化材料層の流動が発生して繰り返し再生が
困難になる。よって感度が良ければいいと言うものでは
なく、感度と繰り返し耐久性の兼ね合いが必要となる。
At this time, the reflectance is specified by the optical constant and the film thickness of the constituent material of each layer. Therefore, the sensitivity can be adjusted by using a reflective layer having different thermal conductivity. Here, in the super-resolution reproduction in the present invention, since the phase change material layer flows due to the melting, repeated reproduction becomes difficult. Therefore, it does not mean that sensitivity is good, but it is necessary to strike a balance between sensitivity and repeated durability.

【0035】また、上述の各実施例においては、透明基
板1上に凹凸による記録ピット2を形成するものである
が、この発明はその他の光学的に読み出し可能な記録ピ
ットを形成するものにも適用でき、その他種々の変形変
更が可能であることはいうまでもない。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the recording pits 2 are formed by the unevenness on the transparent substrate 1, but the present invention is also applicable to forming other optically readable recording pits. Needless to say, it can be applied and various other modifications can be made.

【0036】[0036]

【発明の効果】上述したように本発明によれば、その読
み出し光スポット内の温度分布の差によって反射率の差
を生じさせて、光スポット内の特定の位相ピットに関し
てのみ読み出しがなされるようにして超解像再生を行な
うようにすることができると共に、特に反射層に熱伝導
率が1.0J/cmKs以下の材料を用いることにより
C/N(S/N)の高い再生を行なうことができる記録
密度の高い光ディスクを得ることができる。
As described above, according to the present invention, the difference in the reflectance is caused by the difference in the temperature distribution in the read light spot so that the read can be performed only with respect to a specific phase pit in the light spot. In addition to performing super-resolution reproduction, it is possible to perform reproduction with a high C / N (S / N) especially by using a material having a thermal conductivity of 1.0 J / cmKs or less for the reflective layer. Thus, it is possible to obtain an optical disc having a high recording density.

【0037】特に例えば、ビデオディスク等において1
0Mbps程度の高転送レートを実現するために、10
数MHz程度の高周波記録を行い、線速1.8m/sを
越える例えば3.6m/s、7.6m/s程度の比較的
速い線速でその読み出しを行う場合においても、レーザ
スポット内において充分な温度分布を構成するこができ
て、より安定に高C/Nをもって超解像再生を行うこと
ができる。
Particularly, for example, in a video disc or the like, 1
To achieve a high transfer rate of 0 Mbps, 10
Even when high-frequency recording of about several MHz is performed and reading is performed at a relatively high linear velocity of, for example, 3.6 m / s or 7.6 m / s, which exceeds the linear velocity of 1.8 m / s, the laser spot is within the laser spot. A sufficient temperature distribution can be configured, and super-resolution reproduction can be performed more stably with a high C / N.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成を示す要部概略断面図
である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a main part showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例の構成を示す要部概略断面
図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing the configuration of another embodiment of the present invention.

【図3】実施例1におけるピット長とC/Nの関係を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a pit length and C / N in Example 1.

【図4】実施例2におけるピット長とC/Nの関係を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a pit length and C / N in Example 2.

【図5】比較例1におけるピット長とC/Nの関係を示
す図である。
5 is a diagram showing a relationship between a pit length and C / N in Comparative Example 1. FIG.

【図6】レーザスポットの光強度分布と光ディスクの温
度分布との関係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a light intensity distribution of a laser spot and a temperature distribution of an optical disc.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 記録ピット 3 第1の誘電体層 4 相変化材料層 5 第2の誘電体層 6 反射層 7 第3の誘電体層 1 Transparent Substrate 2 Recording Pit 3 First Dielectric Layer 4 Phase Change Material Layer 5 Second Dielectric Layer 6 Reflective Layer 7 Third Dielectric Layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 情報信号に応じて光学的に読み出し可能
な記録ピットが形成された透明基板上に、少なくとも相
変化材料層が形成されてなり、上記相変化材料層上に反
射層が形成されてなり、読み出し光が照射されたとき
に、上記相変化材料層が読み出し光の走査スポット内で
部分的に液相化して反射率が変化する構成とされ、 上記反射層が、熱伝導率が1.0J/cmKs以下の値
を有する材料より成ることを特徴とする光ディスク。
1. A transparent substrate on which a recording pit that can be optically read according to an information signal is formed, at least a phase change material layer is formed, and a reflection layer is formed on the phase change material layer. When the reading light is irradiated, the phase change material layer is partially liquefied in the scanning spot of the reading light to change the reflectance, and the reflection layer has a thermal conductivity of An optical disc comprising a material having a value of 1.0 J / cmKs or less.
【請求項2】 上記反射層の材料として、ランタノイド
が用いられて成ることを特徴とする上記請求項1に記載
の光ディスク。
2. The optical disk according to claim 1, wherein a lanthanoid is used as a material of the reflective layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6835531B1 (en) 1999-07-20 2004-12-28 Samsung Electronics, Co., Ltd. Phase change optical disc
US7572496B2 (en) 2002-05-16 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Recording medium having high melting point recording layer, information recording method thereof, and information reproducing apparatus and method therefor

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