JPH06244535A - 配線パターン形成方法 - Google Patents
配線パターン形成方法Info
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- JPH06244535A JPH06244535A JP5026897A JP2689793A JPH06244535A JP H06244535 A JPH06244535 A JP H06244535A JP 5026897 A JP5026897 A JP 5026897A JP 2689793 A JP2689793 A JP 2689793A JP H06244535 A JPH06244535 A JP H06244535A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅配線パターン側壁部全面に半田膜を均一に
形成することにより、下地銅箔のエッチング時の配線パ
ターンのサイドエッチングを防止する。 【構成】 銅めっきパターン５が形成された配線板を、
銅置換型の化学半田めっき液に浸漬して、化学半田めっ
き処理を行い、化学半田めっき膜７を形成する。次い
で、この配線板を電解半田めっき液中に浸漬して電解め
っき処理を行い、化学めっき膜７の上に電解半田めっき
膜８を形成する。レジストパターン３を剥離除去し、下
地銅箔２をエッチング液により湿式除去した後、さら
に、めっきの全てを除去して、基板上に独立した銅配線
パターンを形成する。 【効果】 下地銅箔をエッチングする際の銅配線パター
ンのエッチング量を低減でき、エッチング処理による配
線抵抗の増加を防止できる。
形成することにより、下地銅箔のエッチング時の配線パ
ターンのサイドエッチングを防止する。 【構成】 銅めっきパターン５が形成された配線板を、
銅置換型の化学半田めっき液に浸漬して、化学半田めっ
き処理を行い、化学半田めっき膜７を形成する。次い
で、この配線板を電解半田めっき液中に浸漬して電解め
っき処理を行い、化学めっき膜７の上に電解半田めっき
膜８を形成する。レジストパターン３を剥離除去し、下
地銅箔２をエッチング液により湿式除去した後、さら
に、めっきの全てを除去して、基板上に独立した銅配線
パターンを形成する。 【効果】 下地銅箔をエッチングする際の銅配線パター
ンのエッチング量を低減でき、エッチング処理による配
線抵抗の増加を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の配線
パターン形成方法に係り、特に、高密度で微細なパター
ンを高精度に形成するために使用して好適なプリント配
線板の配線パターン形成方法に関する。
パターン形成方法に係り、特に、高密度で微細なパター
ンを高精度に形成するために使用して好適なプリント配
線板の配線パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板の配線パターンを形成す
る方法として、エッチング法と呼ばれる方法が知られて
いる。この方法は、銅張積層板の表面に回路形成パター
ンに応じたエッチングレジストを設け、回路以外の部分
の銅箔をエッチング除去するというものである。
る方法として、エッチング法と呼ばれる方法が知られて
いる。この方法は、銅張積層板の表面に回路形成パター
ンに応じたエッチングレジストを設け、回路以外の部分
の銅箔をエッチング除去するというものである。
【０００３】しかし、前述したエッチング法は、レジス
トの下の銅もサイドエッチングされるため、回路の断面
形状を基板側底部の幅が広い台形状にしてしまい、その
ため、配線が高密度になり配線の幅が回路厚さに近づい
てくると、充分な回路断面積を得ることが困難であると
いう問題点を有している。また、この従来技術は、エッ
チングの加工のバラツキが大きいために、微細配線を高
精度に形成することが困難であるという問題点を有して
いる。
トの下の銅もサイドエッチングされるため、回路の断面
形状を基板側底部の幅が広い台形状にしてしまい、その
ため、配線が高密度になり配線の幅が回路厚さに近づい
てくると、充分な回路断面積を得ることが困難であると
いう問題点を有している。また、この従来技術は、エッ
チングの加工のバラツキが大きいために、微細配線を高
精度に形成することが困難であるという問題点を有して
いる。
【０００４】前述の問題点を解決し、高密度の配線を高
精度に形成する他の方法として、パターンめっき法と呼
ばれる技術が知られている。
精度に形成する他の方法として、パターンめっき法と呼
ばれる技術が知られている。
【０００５】このパターンめっき法は、銅張積層板の表
面に回路形成パターンに応じためっきレジストを設け、
レジスト開口部に銅めっきを行い、さらに、銅めっき表
面に半田をめっきし、そして、めっきレジストを剥離し
た後、半田めっきをエッチングレジストとして下地銅箔
をエッチング除去する工程により絶縁基板上に配線パタ
ーンを形成するというものである。
面に回路形成パターンに応じためっきレジストを設け、
レジスト開口部に銅めっきを行い、さらに、銅めっき表
面に半田をめっきし、そして、めっきレジストを剥離し
た後、半田めっきをエッチングレジストとして下地銅箔
をエッチング除去する工程により絶縁基板上に配線パタ
ーンを形成するというものである。
【０００６】この方法は、配線パターンがめっきレジス
トの形通りに形成されるため、回路断面の形状を矩形状
とすることができ、また、レジストの形成精度も高いの
で高精度の配線パターンを高密度に形成することが可能
なものである。
トの形通りに形成されるため、回路断面の形状を矩形状
とすることができ、また、レジストの形成精度も高いの
で高精度の配線パターンを高密度に形成することが可能
なものである。
【０００７】しかし、パターンめっき法は、エッチング
法と同様に下地銅箔のエッチング時に銅めっきがサイド
エッチングされ、配線パターンの幅、断面積が減少する
という問題点を有している。
法と同様に下地銅箔のエッチング時に銅めっきがサイド
エッチングされ、配線パターンの幅、断面積が減少する
という問題点を有している。
【０００８】このパターンめっき法の問題点を解決し、
下地銅箔のエッチング時の配線パターンのサイドエッチ
ングを防止するために、銅配線パターンの側壁部にも半
田めっき膜を形成するという、パターンめっき法を改良
した従来技術として、例えば、特開昭６２−２６２４８
９号公報、特開６３−６９２９０号公報、特開平３−２
２２３９２号公報等に記載された技術が知られている。
下地銅箔のエッチング時の配線パターンのサイドエッチ
ングを防止するために、銅配線パターンの側壁部にも半
田めっき膜を形成するという、パターンめっき法を改良
した従来技術として、例えば、特開昭６２−２６２４８
９号公報、特開６３−６９２９０号公報、特開平３−２
２２３９２号公報等に記載された技術が知られている。
【０００９】これらの従来技術は、フォトレジスト現像
を繰り返すことにより、めっきレジストと銅配線パター
ンとの間に隙間を形成し、その後半田めっきを行うとい
う方法、あるいは、銅張積層板とフォトレジストとの熱
膨張差の違いによって生じる銅配線パターンとめっきレ
ジストとの界面隙間を利用し、適正電流及び低電流によ
るめっき電流を交互に繰り返し流すことにより、配線パ
ターンの側壁部に直接電解半田めっき膜を形成するとい
う方法である。
を繰り返すことにより、めっきレジストと銅配線パター
ンとの間に隙間を形成し、その後半田めっきを行うとい
う方法、あるいは、銅張積層板とフォトレジストとの熱
膨張差の違いによって生じる銅配線パターンとめっきレ
ジストとの界面隙間を利用し、適正電流及び低電流によ
るめっき電流を交互に繰り返し流すことにより、配線パ
ターンの側壁部に直接電解半田めっき膜を形成するとい
う方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来技術
のフォトレジスト現像を繰り返す方法は、露光現像を少
なくとも２回行うため、回路に寸法ずれが生じやすく、
高密度高精度の配線パターンを形成することが困難であ
り、また、工程数の増加が避けられないという問題点を
有している。
のフォトレジスト現像を繰り返す方法は、露光現像を少
なくとも２回行うため、回路に寸法ずれが生じやすく、
高密度高精度の配線パターンを形成することが困難であ
り、また、工程数の増加が避けられないという問題点を
有している。
【００１１】一方、銅配線パターンとめっきレジストと
の界面の隙間を利用し、適正電流及び低電流のめっき電
流を交互に繰り返し流すことにより配線パターンの側壁
部に直接半田膜を形成するという従来技術は、工程数を
増加させることなく、また、寸法ずれも少い点で優れた
方法である。
の界面の隙間を利用し、適正電流及び低電流のめっき電
流を交互に繰り返し流すことにより配線パターンの側壁
部に直接半田膜を形成するという従来技術は、工程数を
増加させることなく、また、寸法ずれも少い点で優れた
方法である。
【００１２】そして、この方法の特徴は、半田めっき
時、レジストと銅めっきパターンとの界面の隙間部にお
ける半田金属イオンの析出による半田金属の消費と拡散
による供給とをバランスさせるために、比較的低い電流
密度の適正電流を一定時間印加し、隙間内の金属イオン
量に相当した半田をパターン側壁部に析出させ、次い
で、適正電流の１０％以下の低電流を一定時間印加して
いる間に、隙間内部に金属イオンを供給することを繰り
返すことにある。
時、レジストと銅めっきパターンとの界面の隙間部にお
ける半田金属イオンの析出による半田金属の消費と拡散
による供給とをバランスさせるために、比較的低い電流
密度の適正電流を一定時間印加し、隙間内の金属イオン
量に相当した半田をパターン側壁部に析出させ、次い
で、適正電流の１０％以下の低電流を一定時間印加して
いる間に、隙間内部に金属イオンを供給することを繰り
返すことにある。
【００１３】しかし、従来技術によるこの方法は、常に
めっき電流を印加しているため、半田金属イオンが隙間
の底部まで拡散する前に隙間の入口付近のパターン側壁
部に析出してしまい、側壁部全体を均一に半田膜で被覆
することができないという問題点を有している。このた
め、この従来技術は、パターン側壁部の基材側底部を充
分に半田膜で被覆することができず、この部分でのサイ
ドエッチング量が大きくなり、パターンの断面積の減少
により配線抵抗を増加させていまうという問題点を生じ
させるものである。
めっき電流を印加しているため、半田金属イオンが隙間
の底部まで拡散する前に隙間の入口付近のパターン側壁
部に析出してしまい、側壁部全体を均一に半田膜で被覆
することができないという問題点を有している。このた
め、この従来技術は、パターン側壁部の基材側底部を充
分に半田膜で被覆することができず、この部分でのサイ
ドエッチング量が大きくなり、パターンの断面積の減少
により配線抵抗を増加させていまうという問題点を生じ
させるものである。
【００１４】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、銅配線パターンとレジストとの界面隙間を
利用し半田膜を形成する際に、銅配線パターン側壁部全
面に半田膜を均一に形成することを可能にして、下地銅
箔のエッチング時の配線パターンのサイドエッチングを
防止し、配線抵抗の増加を抑制して、高密度高精度の配
線パターンを形成することのできる配線パターン形成方
法を提供することにある。
点を解決し、銅配線パターンとレジストとの界面隙間を
利用し半田膜を形成する際に、銅配線パターン側壁部全
面に半田膜を均一に形成することを可能にして、下地銅
箔のエッチング時の配線パターンのサイドエッチングを
防止し、配線抵抗の増加を抑制して、高密度高精度の配
線パターンを形成することのできる配線パターン形成方
法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、銅に対し選択的に被覆性に優れた銅置換型の化学半
田めっき液に被処理基板を浸漬することにより半田めっ
きを行い、銅配線パターンの上部表面のみならず配線パ
ターン側壁部全面に化学半田めっき膜を形成し、この化
学半田めっき処理を施した後、化学めっき膜の耐薬品性
の改善のために、電解半田めっき処理を施すことによ
り、化学めっき膜の上に耐薬品性に優れた電解半田めっ
き膜をさらに被覆するようにすることにより達成され
る。
は、銅に対し選択的に被覆性に優れた銅置換型の化学半
田めっき液に被処理基板を浸漬することにより半田めっ
きを行い、銅配線パターンの上部表面のみならず配線パ
ターン側壁部全面に化学半田めっき膜を形成し、この化
学半田めっき処理を施した後、化学めっき膜の耐薬品性
の改善のために、電解半田めっき処理を施すことによ
り、化学めっき膜の上に耐薬品性に優れた電解半田めっ
き膜をさらに被覆するようにすることにより達成され
る。
【００１６】本発明は、これにより、半田のエッチング
レジストとしての機能を向上させ、配線パターンのサイ
ドエッチングを防止することができる。
レジストとしての機能を向上させ、配線パターンのサイ
ドエッチングを防止することができる。
【００１７】
【作用】一般に、下地銅箔のエッチング時、配線パター
ンのサイドエッチングを防止するには、パターンの上部
表面だけでなく側壁部全面を半田めっき膜で被覆する必
要がある。そして、パターンめっき法により、フォトレ
ジストに設けた開口部に配線パターンを作成した後、配
線パターンとフォトレジストとの界面には銅張積層板と
フォトレジストフィルムとの熱膨張差によって生じる幅
が０.５μｍ〜２.０μｍ前後の隙間が生じる。
ンのサイドエッチングを防止するには、パターンの上部
表面だけでなく側壁部全面を半田めっき膜で被覆する必
要がある。そして、パターンめっき法により、フォトレ
ジストに設けた開口部に配線パターンを作成した後、配
線パターンとフォトレジストとの界面には銅張積層板と
フォトレジストフィルムとの熱膨張差によって生じる幅
が０.５μｍ〜２.０μｍ前後の隙間が生じる。
【００１８】この界面の隙間を利用して配線パターンの
側壁部に半田を均一に直接めっきすることができれば、
工程数を増加させることなく、エッチング時にサイドエ
ッチングを防止することができる。
側壁部に半田を均一に直接めっきすることができれば、
工程数を増加させることなく、エッチング時にサイドエ
ッチングを防止することができる。
【００１９】本発明者等は、この隙間を介して配線パタ
ーンの側壁部に均一に半田をめっきする方法について詳
細に検討した結果、半田めっきする際、銅置換型の化学
半田めっき液に被処理基板を浸漬することにより、銅配
線パターン上部のみならずパターン側壁部全面にも半田
膜が析出することを見出した。
ーンの側壁部に均一に半田をめっきする方法について詳
細に検討した結果、半田めっきする際、銅置換型の化学
半田めっき液に被処理基板を浸漬することにより、銅配
線パターン上部のみならずパターン側壁部全面にも半田
膜が析出することを見出した。
【００２０】この銅置換型の化学半田めっき液は、銅よ
りも酸化還元電位が低い、すなわち、イオン化傾向が高
い錫及び鉛のイオンを含有するものであり、この液中に
銅を浸漬すると、銅表面上において銅を一部酸化溶解
し、代わって錫及び鉛を還元析出するものである。
りも酸化還元電位が低い、すなわち、イオン化傾向が高
い錫及び鉛のイオンを含有するものであり、この液中に
銅を浸漬すると、銅表面上において銅を一部酸化溶解
し、代わって錫及び鉛を還元析出するものである。
【００２１】一般に、銅、錫、鉛の標準酸化還元電位
は、（１）、（２）、（３）式に示すように、銅の酸化
還元電位が、錫、鉛のそれに比較して高く、このため、
錫、鉛が、銅の上に置換めっきされることはない。しか
し、銅置換型の化学半田めっき液は、例えば、チオ尿素
のような錯体形成剤を含有し、銅表面に（４）式に示す
ような、錫、鉛よりも低い電位を示すチオ錯体を形成す
る。
は、（１）、（２）、（３）式に示すように、銅の酸化
還元電位が、錫、鉛のそれに比較して高く、このため、
錫、鉛が、銅の上に置換めっきされることはない。しか
し、銅置換型の化学半田めっき液は、例えば、チオ尿素
のような錯体形成剤を含有し、銅表面に（４）式に示す
ような、錫、鉛よりも低い電位を示すチオ錯体を形成す
る。
【００２２】
【数１】
【００２３】
【数２】
【００２４】
【数３】
【００２５】
【数４】
【００２６】すなわち、銅置換型の化学半田めっき液
に、被処理基板を浸漬することにより、めっき液と接触
する銅表面に均一に半田を析出させることができる。
に、被処理基板を浸漬することにより、めっき液と接触
する銅表面に均一に半田を析出させることができる。
【００２７】そして、銅配線パターンを形成してある基
板を化学半田めっき液に浸漬すると、めっき液と接する
銅配線パターン表面への半田膜の析出が進むが、配線パ
ターンとレジスト界面との隙間内にはわずかな量のめっ
き液しか浸透することができないので、パターン側壁部
の半田膜の成長は、めっき液に対して開放面があるパタ
ーン上部に比較してかなり時間がかかる。
板を化学半田めっき液に浸漬すると、めっき液と接する
銅配線パターン表面への半田膜の析出が進むが、配線パ
ターンとレジスト界面との隙間内にはわずかな量のめっ
き液しか浸透することができないので、パターン側壁部
の半田膜の成長は、めっき液に対して開放面があるパタ
ーン上部に比較してかなり時間がかかる。
【００２８】銅置換型の半田めっき膜の成長速度は、め
っき液の温度と浸漬時間に依存するが、通常のめっき液
では膜厚が３〜５μｍになると成長しなくなる。従っ
て、充分な処理時間をかけることにより、銅配線パター
ン上部の半田膜の厚さを限界値である３μｍ〜５μｍ、
パターン側壁部には、レジストと配線パターンとの間の
隙間の幅である０.５μｍ〜２.０μｍの半田膜を析出成
長させることができ、銅配線パターンの上部表面のみな
らず側壁部にも均一に半田膜を形成することができる。
っき液の温度と浸漬時間に依存するが、通常のめっき液
では膜厚が３〜５μｍになると成長しなくなる。従っ
て、充分な処理時間をかけることにより、銅配線パター
ン上部の半田膜の厚さを限界値である３μｍ〜５μｍ、
パターン側壁部には、レジストと配線パターンとの間の
隙間の幅である０.５μｍ〜２.０μｍの半田膜を析出成
長させることができ、銅配線パターンの上部表面のみな
らず側壁部にも均一に半田膜を形成することができる。
【００２９】しかし、前述により形成された化学半田め
っき膜は、ピンホール等の欠陥が多く、また、膜厚も厚
くすることができないため、電解半田めっき膜に比較し
て、酸、アルカリ等の侵食性の液から下地金属を保護す
る能力がかなり劣る。例えば、化学半田めっきした銅を
硫酸一過酸化水素系溶液のようなエッチング液に浸漬す
ると下地の銅がエッチングされてしまい、化学半田めっ
き膜は、エッチングレジストとしては充分に機能しな
い。
っき膜は、ピンホール等の欠陥が多く、また、膜厚も厚
くすることができないため、電解半田めっき膜に比較し
て、酸、アルカリ等の侵食性の液から下地金属を保護す
る能力がかなり劣る。例えば、化学半田めっきした銅を
硫酸一過酸化水素系溶液のようなエッチング液に浸漬す
ると下地の銅がエッチングされてしまい、化学半田めっ
き膜は、エッチングレジストとしては充分に機能しな
い。
【００３０】そこで、本発明は、化学半田めっき膜の保
護性を向上させるため、化学めっき処理した後に電解半
田めっき処理を行うことにより、下地金属である銅のエ
ッチングを防止するようにしている。
護性を向上させるため、化学めっき処理した後に電解半
田めっき処理を行うことにより、下地金属である銅のエ
ッチングを防止するようにしている。
【００３１】すなわち、前述した化学めっき処理後の被
処理物を電解半田めっき液中に浸漬して電解めっき処理
を行うと、化学半田めっき膜の欠陥を通じて電解電流が
流れ、欠陥部が電解半田で補修穴埋めされ、さらに、電
流を流せば化学半田めっき膜の上にも半田を電解析出さ
せることができる。本発明は、これにより、めっき膜を
厚くすると共に、エッチング時の保護性を大幅に向上さ
せることができる。
処理物を電解半田めっき液中に浸漬して電解めっき処理
を行うと、化学半田めっき膜の欠陥を通じて電解電流が
流れ、欠陥部が電解半田で補修穴埋めされ、さらに、電
流を流せば化学半田めっき膜の上にも半田を電解析出さ
せることができる。本発明は、これにより、めっき膜を
厚くすると共に、エッチング時の保護性を大幅に向上さ
せることができる。
【００３２】本発明は、前述したような作用機構より、
銅配線パターンを形成した基板を銅置換型の化学半田め
っき液に浸漬処理して配線パターン全面に半田膜を析出
させた後、さらに、電解めっき処理を行うことによりエ
ッチングレジスト機能に優れた半田膜を形成することが
できる。
銅配線パターンを形成した基板を銅置換型の化学半田め
っき液に浸漬処理して配線パターン全面に半田膜を析出
させた後、さらに、電解めっき処理を行うことによりエ
ッチングレジスト機能に優れた半田膜を形成することが
できる。
【００３３】なお、パターン側壁部への半田膜を厚くめ
っきするためには、銅配線パターンとレジストとの界面
隙間への半田めっき液の浸透を促進する必要がある。こ
のめっき液の浸透を促進する方法には、めっきを行う前
に予め隙間内に水または水溶液を浸透させておく方法、
めっき液中に界面活性剤を添加して隙間の壁面の濡れ性
を向上させる方法等がある。
っきするためには、銅配線パターンとレジストとの界面
隙間への半田めっき液の浸透を促進する必要がある。こ
のめっき液の浸透を促進する方法には、めっきを行う前
に予め隙間内に水または水溶液を浸透させておく方法、
めっき液中に界面活性剤を添加して隙間の壁面の濡れ性
を向上させる方法等がある。
【００３４】後者の方法は、工程数の増加を招くことは
ないが、界面活性剤の選定が難しいという問題点があ
る。一方、前者の方法は、隙間内に予め水膜ができてい
れば短時間に均一に半田めっき液が隙間内に浸透しやす
い。そして、隙間内に水膜を形成する具体的方法とし
て、半田めっきの前処理工程に被処理基板を沸騰水中に
浸漬した後急冷し、隙間内の空気を除去し水で置換する
方法が優れており、本発明は、この方法を使用してい
る。
ないが、界面活性剤の選定が難しいという問題点があ
る。一方、前者の方法は、隙間内に予め水膜ができてい
れば短時間に均一に半田めっき液が隙間内に浸透しやす
い。そして、隙間内に水膜を形成する具体的方法とし
て、半田めっきの前処理工程に被処理基板を沸騰水中に
浸漬した後急冷し、隙間内の空気を除去し水で置換する
方法が優れており、本発明は、この方法を使用してい
る。
【００３５】
【実施例】以下、本発明による配線パターン形成方法の
一実施例を図面により詳細に説明する。
一実施例を図面により詳細に説明する。
【００３６】図１は本発明一実施例による配線パターン
形成方法を説明する各工程における基板断面の形状を示
す図である。図１において、１は絶縁基板、２は銅箔、
３はレジストパターン、４は開口部、５は銅めっきパタ
ーン、６は隙間、７は化学半田めっき膜、８は電解半田
めっき膜である。
形成方法を説明する各工程における基板断面の形状を示
す図である。図１において、１は絶縁基板、２は銅箔、
３はレジストパターン、４は開口部、５は銅めっきパタ
ーン、６は隙間、７は化学半田めっき膜、８は電解半田
めっき膜である。
【００３７】（１）絶縁基板１の上に一定厚さの銅箔２
が形成されて構成される銅張積層板を用意する〔図１
(ａ)〕。
が形成されて構成される銅張積層板を用意する〔図１
(ａ)〕。
【００３８】（２）銅張積層板の表面にドライフォトレ
ジストフィルムをラミネートし、フォトマスクを介して
パターンイメージを露光後現像を行い、配線パターンを
形成する開口部４を持ったレジストパターン３を形成す
る〔図１(ｂ)〕。
ジストフィルムをラミネートし、フォトマスクを介して
パターンイメージを露光後現像を行い、配線パターンを
形成する開口部４を持ったレジストパターン３を形成す
る〔図１(ｂ)〕。
【００３９】（３）その後、レジストパターン３の開口
部４に電気めっきあるいは化学めっきにより銅めっきパ
ターン５による配線を形成する。このとき、銅張り積層
板とレジストフィルムとの熱膨張率の差により、めっき
処理した後、レジストパターン３と銅めっきパターン５
の界面に、０.５μｍ〜２.０μｍの隙間６が形成される
〔図１(ｃ)〕。
部４に電気めっきあるいは化学めっきにより銅めっきパ
ターン５による配線を形成する。このとき、銅張り積層
板とレジストフィルムとの熱膨張率の差により、めっき
処理した後、レジストパターン３と銅めっきパターン５
の界面に、０.５μｍ〜２.０μｍの隙間６が形成される
〔図１(ｃ)〕。
【００４０】（４）次に、この銅めっきパターン５が形
成された配線板である被処理基板を、銅置換型の化学半
田めっき液に浸漬して、化学半田めっき処理を行う。こ
れにより、配線パターン上部表面に、３μｍ前後、側壁
部に、隙間の巾に応じて０.５μｍ〜２.０μｍの厚さの
化学半田めっき膜７が形成される〔図１(ｄ)〕。
成された配線板である被処理基板を、銅置換型の化学半
田めっき液に浸漬して、化学半田めっき処理を行う。こ
れにより、配線パターン上部表面に、３μｍ前後、側壁
部に、隙間の巾に応じて０.５μｍ〜２.０μｍの厚さの
化学半田めっき膜７が形成される〔図１(ｄ)〕。
【００４１】（５）次いで、化学半田めっき膜７が形成
された配線板を電解半田めっき液中に浸漬して電解めっ
き処理を行う。これにより、化学半田めっき膜７のピン
ホール等の欠陥が補修されて穴埋めされると共に、化学
めっき膜７の上に電解半田めっき膜８が析出形成される
〔図１(ｅ)〕。
された配線板を電解半田めっき液中に浸漬して電解めっ
き処理を行う。これにより、化学半田めっき膜７のピン
ホール等の欠陥が補修されて穴埋めされると共に、化学
めっき膜７の上に電解半田めっき膜８が析出形成される
〔図１(ｅ)〕。
【００４２】（６）レジストフィルムによるレジストパ
ターン３を剥離除去し、銅箔２上に、化学半田めっき膜
７と電解半田めっき膜８とにより被覆された銅めっきパ
ターンを形成する〔図１(ｆ)〕。
ターン３を剥離除去し、銅箔２上に、化学半田めっき膜
７と電解半田めっき膜８とにより被覆された銅めっきパ
ターンを形成する〔図１(ｆ)〕。
【００４３】（７）レジストパターン３の除去後、下地
銅箔２をエッチング液により湿式除去する。このとき、
銅めっきパターン５は、パターンの側壁部側からはサイ
ドエッチングされないが、銅箔２がエッチングにより薄
くなるにつれて下地銅箔２のあった部分からわずかに侵
食され、その断面が、絶縁基板１に接する部分に窪みが
生じた形状となる〔図１(ｇ)〕。
銅箔２をエッチング液により湿式除去する。このとき、
銅めっきパターン５は、パターンの側壁部側からはサイ
ドエッチングされないが、銅箔２がエッチングにより薄
くなるにつれて下地銅箔２のあった部分からわずかに侵
食され、その断面が、絶縁基板１に接する部分に窪みが
生じた形状となる〔図１(ｇ)〕。
【００４４】（８）最後に、銅めっきパターン５に被覆
された電解半田めっき膜８と化学半田めっき膜７とを除
去して、基板上に独立した銅配線パターンを形成する
〔図１(ｈ)〕。
された電解半田めっき膜８と化学半田めっき膜７とを除
去して、基板上に独立した銅配線パターンを形成する
〔図１(ｈ)〕。
【００４５】前述の処理において、化学半田めっきの前
処理工程として、被処理基板を沸騰水中に浸漬した後急
冷し、隙間６内の空気を除去し水で置換しておく処理工
程が設けられている。これにより、隙間６内の銅めっき
パターン５の側壁に確実にめっき膜を形成することがで
きる。この前処理工程は、電解半田めっき工程の前にも
設けることができる。
処理工程として、被処理基板を沸騰水中に浸漬した後急
冷し、隙間６内の空気を除去し水で置換しておく処理工
程が設けられている。これにより、隙間６内の銅めっき
パターン５の側壁に確実にめっき膜を形成することがで
きる。この前処理工程は、電解半田めっき工程の前にも
設けることができる。
【００４６】図２は本発明の一実施例による効果を説明
する図である。この図は、銅箔の厚さが１２μｍの銅張
積層板を用い、この銅張積層板に図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示した処理を施し、全体幅と全体厚さとがとも
に７０μｍの銅めっきパターンを形成した後、本発明に
よる種々の条件下で半田めっきを施し、下地銅箔をエッ
チングした後の銅配線パターンの基板面からのサイドエ
ッチング高さＨ〔図１（ｇ）〕を示すものである。
する図である。この図は、銅箔の厚さが１２μｍの銅張
積層板を用い、この銅張積層板に図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示した処理を施し、全体幅と全体厚さとがとも
に７０μｍの銅めっきパターンを形成した後、本発明に
よる種々の条件下で半田めっきを施し、下地銅箔をエッ
チングした後の銅配線パターンの基板面からのサイドエ
ッチング高さＨ〔図１（ｇ）〕を示すものである。
【００４７】そして、化学半田めっき液は、銅置換型の
めっき液を使用し、このめっき液の液温を６０℃に保
ち、銅板を１０分間浸漬処理すると２μｍの厚さのめっ
き膜が析出する特性を有している。また、化学めっき処
理後の電解めっき処理は、温度２０℃のほうふっ化液中
で、電流密度２Ａ／ｄm2の直流電流を印加して、厚さが
５μｍの電解半田めっき膜を析出させた。
めっき液を使用し、このめっき液の液温を６０℃に保
ち、銅板を１０分間浸漬処理すると２μｍの厚さのめっ
き膜が析出する特性を有している。また、化学めっき処
理後の電解めっき処理は、温度２０℃のほうふっ化液中
で、電流密度２Ａ／ｄm2の直流電流を印加して、厚さが
５μｍの電解半田めっき膜を析出させた。
【００４８】図２に実施例１、２として示した例は、配
線パターン側壁部に充分に厚く、かつ、エッチングレジ
スト性能に優れた半田膜が形成され、銅箔のエッチング
時、側壁部側から直接サイドエッチングされることがな
く、下地銅箔側からエッチングされるのみであり、エッ
チング高さを小さくすることができ、配線パターンの断
面積の減少も僅かであった。
線パターン側壁部に充分に厚く、かつ、エッチングレジ
スト性能に優れた半田膜が形成され、銅箔のエッチング
時、側壁部側から直接サイドエッチングされることがな
く、下地銅箔側からエッチングされるのみであり、エッ
チング高さを小さくすることができ、配線パターンの断
面積の減少も僅かであった。
【００４９】しかし、図２に実施例３として示した例
は、化学半田めっきの処理時間が短く、配線パターン側
壁部に充分厚い化学めっき膜を形成することができず、
また、電解めっき処理によっても、側壁部にはほとんど
半田を析出させることができなかった。このため、銅箔
エッチング時のパターン側壁部側からのサイドエッチン
グ量が大きくなった。
は、化学半田めっきの処理時間が短く、配線パターン側
壁部に充分厚い化学めっき膜を形成することができず、
また、電解めっき処理によっても、側壁部にはほとんど
半田を析出させることができなかった。このため、銅箔
エッチング時のパターン側壁部側からのサイドエッチン
グ量が大きくなった。
【００５０】また、半田めっき前処理として沸騰水処理
を施していない実施例４は、側壁部に半田が均一にめっ
きされないためにサイドエッチング量が大きくなった。
を施していない実施例４は、側壁部に半田が均一にめっ
きされないためにサイドエッチング量が大きくなった。
【００５１】一方、電解めっき処理を行わず、化学半田
めっき処理だけを行った比較例１は、化学めっき膜内の
欠陥が多いために、めっき膜がエッチングレジストとし
て機能せず、また、電解半田めっき処理だけを行った比
較例２は、配線パターン側壁部に、ほとんど半田を析出
させることができず、いずれもサイドエッチング量が大
きなものとなった。
めっき処理だけを行った比較例１は、化学めっき膜内の
欠陥が多いために、めっき膜がエッチングレジストとし
て機能せず、また、電解半田めっき処理だけを行った比
較例２は、配線パターン側壁部に、ほとんど半田を析出
させることができず、いずれもサイドエッチング量が大
きなものとなった。
【００５２】前述した本発明の一実施例によれば、銅配
線パターンとめっきレジストとの界面の隙間を利用し半
田膜を形成する際に、銅配線パターン側壁部全面に化学
半田めっき膜を形成した後、さらに、電解半田めっき膜
を形成することにより、エッチングレジストとしての機
能性に優れた半田膜を均一に形成することができるの
で、下地銅箔のエッチング時の配線パターンのサイドエ
ッチングを防止し、配線抵抗の増加を抑制して、高密度
高精度の配線パターンを形成することができる。
線パターンとめっきレジストとの界面の隙間を利用し半
田膜を形成する際に、銅配線パターン側壁部全面に化学
半田めっき膜を形成した後、さらに、電解半田めっき膜
を形成することにより、エッチングレジストとしての機
能性に優れた半田膜を均一に形成することができるの
で、下地銅箔のエッチング時の配線パターンのサイドエ
ッチングを防止し、配線抵抗の増加を抑制して、高密度
高精度の配線パターンを形成することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
地銅箔をエッチングする際の銅配線パターンのエッチン
グ量を低減することができ、エッチング処理による配線
抵抗の増加を防止し、配線抵抗の小さな微細回路を高精
度に形成することができる。
地銅箔をエッチングする際の銅配線パターンのエッチン
グ量を低減することができ、エッチング処理による配線
抵抗の増加を防止し、配線抵抗の小さな微細回路を高精
度に形成することができる。
【図１】本発明一実施例による配線パターン形成方法を
説明する各工程における基板断面の形状を示す図であ
る。
説明する各工程における基板断面の形状を示す図であ
る。
【図２】本発明の一実施例による効果を説明する図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２ 銅箔 ３ レジストパターン ４ レジストパターン開口部 ５ 銅めっきパターン ６ 隙間 ７ 化学半田めっき膜 ８ 電解半田めっき膜
Claims (3)
- 【請求項１】 下地銅箔を有する銅張積層板の表面に回
路形成パターンに応じたレジストを設け、該レジスト開
口部に銅めっきを行う工程と、該銅めっき表面に半田め
っきを行う工程と、前記レジストを剥離する工程と、前
記半田めっきを行う工程により形成された半田めっき膜
をエッチングレジストとして下地銅箔をエッチング除去
する工程とによる配線パターン形成方法において、前記
半田めっき膜の少なくとも一部を、銅置換型の化学半田
めっき液中へ被処理基板を浸漬処理することにより形成
することを特徴とする配線パターン形成方法。 - 【請求項２】 下地銅箔を有する銅張積層板の表面に回
路形成パターンに応じたレジストを設け、該レジスト開
口部に銅めっきを行う工程と、該銅めっき表面に半田め
っきを行う工程と、前記レジストを剥離する工程と、前
記半田めっきを行う工程により形成された半田めっき膜
をエッチングレジストとして下地銅箔をエッチング除去
する工程とによる配線パターン形成方法において、前記
半田めっきを行う工程が、銅置換型の化学半田めっき液
に、被処理基板を所定時間浸漬処理する化学半田めっき
工程と、電解半田めっき液内で電解処理する電解半田め
っき工程との２段階の工程からなることを特徴とする配
線パターン形成方法。 - 【請求項３】 前記半田めっきの前処理工程として、被
処理基板を沸騰水中に浸漬した後、急冷し、銅めっきパ
ターンとレジストとの界面の隙間内の空気を除去し、隙
間内を水で置換する工程を含むことを特徴とする請求項
１または２記載の配線パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026897A JPH06244535A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 配線パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026897A JPH06244535A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 配線パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244535A true JPH06244535A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12206038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5026897A Pending JPH06244535A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 配線パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005015966A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Fujikura Ltd. | プリント配線板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5026897A patent/JPH06244535A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005015966A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Fujikura Ltd. | プリント配線板およびその製造方法 |
| US7776199B2 (en) | 2003-08-12 | 2010-08-17 | Fujikura Ltd. | Printed wiring board and production method thereof |
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