JPH0624260B2 - アナログ／ディジタル変換器 - Google Patents
アナログ／ディジタル変換器Info
- Publication number
- JPH0624260B2 JPH0624260B2 JP62210709A JP21070987A JPH0624260B2 JP H0624260 B2 JPH0624260 B2 JP H0624260B2 JP 62210709 A JP62210709 A JP 62210709A JP 21070987 A JP21070987 A JP 21070987A JP H0624260 B2 JPH0624260 B2 JP H0624260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- analog
- digital converter
- superconducting
- converter according
- thin film
- Prior art date
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アナログ／ディジタル変換器に関する。より
詳細には、本発明は、超電導体を利用した新規なアナロ
グ／ディジタル変換器の構成に関する。
詳細には、本発明は、超電導体を利用した新規なアナロ
グ／ディジタル変換器の構成に関する。
従来の技術 超電導現象下で物質は完全な反磁性を示し、内部に有限
な定常電流が流れているにも関わらず電位差が現れなく
なる。
な定常電流が流れているにも関わらず電位差が現れなく
なる。
この超電導現象の応用分野は、ＭＨＤ発電、電力送電、
電力貯蔵等の電力分野、或いは、磁気浮上列車、電磁気
推進船舶等の動力分野、更に、磁場、高周波、放射線等
の超高感度センサとしてＮＭＲ、π中間子治療、高エネ
ルギー物理実験装置などの計測の分野等、極めて広範な
分野に渡っており、更に、ジョセフソン素子に代表され
るエレクトロニクスの分野でも、単に消費電力の低減の
みならず、動作の極めて高速な素子を実現し得る技術と
して期待されている。
電力貯蔵等の電力分野、或いは、磁気浮上列車、電磁気
推進船舶等の動力分野、更に、磁場、高周波、放射線等
の超高感度センサとしてＮＭＲ、π中間子治療、高エネ
ルギー物理実験装置などの計測の分野等、極めて広範な
分野に渡っており、更に、ジョセフソン素子に代表され
るエレクトロニクスの分野でも、単に消費電力の低減の
みならず、動作の極めて高速な素子を実現し得る技術と
して期待されている。
ところで、嘗て超電導は超低温下においてのみ観測され
る現象であった。即ち、従来の超電導物質として最も高
い超電導臨界温度Ｔc を有するといわれていたNb3Ge に
おいても23.2Ｋという極めて低い温度が長期間に亘って
超電導臨界温度の限界とされていた。
る現象であった。即ち、従来の超電導物質として最も高
い超電導臨界温度Ｔc を有するといわれていたNb3Ge に
おいても23.2Ｋという極めて低い温度が長期間に亘って
超電導臨界温度の限界とされていた。
それ故、従来は、超電導現象を実現するために、沸点が
4.2Ｋの液体ヘリウムを用いて超電導物質をTc 以下ま
で冷却していた。しかしながら、液体ヘリウムの使用
は、液化設備を含めた冷却設備による技術的負担並びに
コスト的負担が極めて大きく、超電導技術の実用化への
妨げとなっていた。
4.2Ｋの液体ヘリウムを用いて超電導物質をTc 以下ま
で冷却していた。しかしながら、液体ヘリウムの使用
は、液化設備を含めた冷却設備による技術的負担並びに
コスト的負担が極めて大きく、超電導技術の実用化への
妨げとなっていた。
ところが、近年に到って複合酸化物焼結体が高い臨界温
度で超電導体となり得ることが報告され、非低温超電導
体による超電導技術の実用化が俄かに促進されようとし
ている。既に報告されている例では、Ｙ−Ba−Cu系、La
−Ba−Cu系あるいはLa−Sr−Cu系等の複合酸化物でペロ
ブスカイト型に類似した結晶構造を有するものが、特に
液体窒素温度以上で超電導現象を示すものとして挙げら
れる。
度で超電導体となり得ることが報告され、非低温超電導
体による超電導技術の実用化が俄かに促進されようとし
ている。既に報告されている例では、Ｙ−Ba−Cu系、La
−Ba−Cu系あるいはLa−Sr−Cu系等の複合酸化物でペロ
ブスカイト型に類似した結晶構造を有するものが、特に
液体窒素温度以上で超電導現象を示すものとして挙げら
れる。
発明が解決しようとする問題点 上述のように、新規な超電導材料の開発によって、超電
導現象をより一般的な環境で使用することが可能となっ
た。従って、多くの分野でその応用が進められており、
超電導技術は現代の産業構造を変革するとさえ言われて
いる。
導現象をより一般的な環境で使用することが可能となっ
た。従って、多くの分野でその応用が進められており、
超電導技術は現代の産業構造を変革するとさえ言われて
いる。
本発明は、特に上述の如き新規な超電導材料の有効利用
を検討した結果、創案、開発された全く新規なアナログ
／ディジタル変換器を提供するものである。
を検討した結果、創案、開発された全く新規なアナログ
／ディジタル変換器を提供するものである。
問題点を解決するための手段 即ち、本発明に従って、所定の臨界条件に対して、一定
の差で互いに異なる臨界条件を設定された複数の超電導
電流路を直列に結合してなる変換部と、該超電導電流路
の各々における超電導電流の遮断を検出する手段を具備
した検出部とを備え、該変換部の環境磁場の変化を直接
ディジタル電圧信号として出力することを特徴とするア
ナログ／ディジタル変換器が提供される。
の差で互いに異なる臨界条件を設定された複数の超電導
電流路を直列に結合してなる変換部と、該超電導電流路
の各々における超電導電流の遮断を検出する手段を具備
した検出部とを備え、該変換部の環境磁場の変化を直接
ディジタル電圧信号として出力することを特徴とするア
ナログ／ディジタル変換器が提供される。
また、この本発明に従うアナログ／ディジタル変換器
は、その超電導電流路を下記の一般式； （α1-xβx)γyδz 〔但し、元素αは周期律表IIａ族に含まれる元素であ
り、元素βは周期律表IIIａ族に含まれる元素であり、
元素γは周期律表Ｉｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａまたはVIII
ａ族に含まれる元素であり、δがＯであり、ｘ、ｙ、ｚ
はそれぞれｘ＝0.1〜0.9、ｙ＝1.0〜4.0、１≦ｚ≦５を
満たす数値である〕 で示す複合酸化物超電導材料によって形成することが有
利である。ここで、特に有利な元素の組合せとして、Ba
−Ｙ−Cu、Ba−La−CuあるいはSr−La−Cu等の組合せを
挙げることができる。これらの元素を組み合わせた複合
酸化物あるいはこれをベースとして複合酸化物は、液体
窒素温度を越える高い温度で超電導現象を示すので、こ
れを用いて形成した超電導回路の実用性は極めて高い。
は、その超電導電流路を下記の一般式； （α1-xβx)γyδz 〔但し、元素αは周期律表IIａ族に含まれる元素であ
り、元素βは周期律表IIIａ族に含まれる元素であり、
元素γは周期律表Ｉｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａまたはVIII
ａ族に含まれる元素であり、δがＯであり、ｘ、ｙ、ｚ
はそれぞれｘ＝0.1〜0.9、ｙ＝1.0〜4.0、１≦ｚ≦５を
満たす数値である〕 で示す複合酸化物超電導材料によって形成することが有
利である。ここで、特に有利な元素の組合せとして、Ba
−Ｙ−Cu、Ba−La−CuあるいはSr−La−Cu等の組合せを
挙げることができる。これらの元素を組み合わせた複合
酸化物あるいはこれをベースとして複合酸化物は、液体
窒素温度を越える高い温度で超電導現象を示すので、こ
れを用いて形成した超電導回路の実用性は極めて高い。
作用 本発明に従うアナログ／ディジタル変換器は、互いに臨
界電流が異なる複数の超電導電流路を直列に結合してな
る変換部を具備することをその主要な特徴としている。
界電流が異なる複数の超電導電流路を直列に結合してな
る変換部を具備することをその主要な特徴としている。
即ち、超電導電流路は一般に所定の臨界電流密度、臨界
磁場、臨界温度等を有している。超電導電流路は、これ
らの臨界条件以下の環境では全く電気抵抗がなく、従っ
てこの電流路に電気抵抗あるいは電圧を生じない。一
方、環境がこれらの臨界条件を逸脱すると超電導現象が
破れ、超電導電流路を形成する材料によって、オームの
法則に支配された常導体あるいは絶縁体となる。この状
態では、その超電導電流路の両端に、印加電流に応じた
電圧が発生することは言うまでもない。
磁場、臨界温度等を有している。超電導電流路は、これ
らの臨界条件以下の環境では全く電気抵抗がなく、従っ
てこの電流路に電気抵抗あるいは電圧を生じない。一
方、環境がこれらの臨界条件を逸脱すると超電導現象が
破れ、超電導電流路を形成する材料によって、オームの
法則に支配された常導体あるいは絶縁体となる。この状
態では、その超電導電流路の両端に、印加電流に応じた
電圧が発生することは言うまでもない。
本発明に従うアナログ／ディジタル変換器の変換部は、
互いに臨界電流が異なる複数の超電導電流路を直列に結
合して構成されている。従って、この検出部に、最小の
臨界電流以下の所定の電流が流れている状態で、この検
出部の置かれた環境の磁場が変化すると、それに応じて
超電導電流路のうち、臨界条件の低い方から条件の変化
に対応する幾つかが臨界条件を越えて常導体となる。従
って、この超電導電流路の両端には所定の電圧が生じ
る。即ち、本発明に従うアナログ／ディジタル変換器に
対して入力されるアナログ／ディジタル変換器信号は、
アナログ信号を重畳した磁場の変化をディジタル信号に
変換するものである。
互いに臨界電流が異なる複数の超電導電流路を直列に結
合して構成されている。従って、この検出部に、最小の
臨界電流以下の所定の電流が流れている状態で、この検
出部の置かれた環境の磁場が変化すると、それに応じて
超電導電流路のうち、臨界条件の低い方から条件の変化
に対応する幾つかが臨界条件を越えて常導体となる。従
って、この超電導電流路の両端には所定の電圧が生じ
る。即ち、本発明に従うアナログ／ディジタル変換器に
対して入力されるアナログ／ディジタル変換器信号は、
アナログ信号を重畳した磁場の変化をディジタル信号に
変換するものである。
本発明に従うアナログ／ディジタル変換器の検出部は、
例えば上述のようにして発生した電圧を検出する回路を
用いることができる。従って、例えば複数の超電導電流
路の臨界条件を、一定の差異で段階的に異なるように設
定しておき、更に、検出した電圧を所定のエンコーダに
入力することによって、例えばバイナリ信号としてディ
ジタル信号として出力することができる。
例えば上述のようにして発生した電圧を検出する回路を
用いることができる。従って、例えば複数の超電導電流
路の臨界条件を、一定の差異で段階的に異なるように設
定しておき、更に、検出した電圧を所定のエンコーダに
入力することによって、例えばバイナリ信号としてディ
ジタル信号として出力することができる。
尚、超電導電流路は、ジョセフソン接合として形成する
こともでき、この場合、極めて高速な動作を実現するこ
とができる。この構成では、変換部を構成する互いに異
なる臨界条件を有する超電導電流路を、ジョセフソン接
合の接合面積等によって物理的に制御することができ
る。
こともでき、この場合、極めて高速な動作を実現するこ
とができる。この構成では、変換部を構成する互いに異
なる臨界条件を有する超電導電流路を、ジョセフソン接
合の接合面積等によって物理的に制御することができ
る。
尚、実用性を考えると、この本発明に従うアナログ／デ
ィジタル変換器は、所定の基板上に物理蒸着によって形
成する薄膜によって有利に構成することができる。ここ
で物理蒸着とは、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等を有利な方法として挙げることができ、更に、
この場合、形成する薄膜が高い超電導特性を示すペロブ
スカイト構造を採り易いように、ペロブスカイト構造あ
るいはこれに準じた構造を有する表面性状を有する基板
を用いることが有利である。具体的には、SrTiＯ3 単結
晶、MgＯ単結晶またはサファイア等を基板として用いる
ことが有利である。
ィジタル変換器は、所定の基板上に物理蒸着によって形
成する薄膜によって有利に構成することができる。ここ
で物理蒸着とは、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等を有利な方法として挙げることができ、更に、
この場合、形成する薄膜が高い超電導特性を示すペロブ
スカイト構造を採り易いように、ペロブスカイト構造あ
るいはこれに準じた構造を有する表面性状を有する基板
を用いることが有利である。具体的には、SrTiＯ3 単結
晶、MgＯ単結晶またはサファイア等を基板として用いる
ことが有利である。
以下に図面を参照して本発明をより具体的に詳述する
が、以下に開示するものは本発明の一実施例に過ぎず、
本発明の技術的範囲を何ら制限するものではない。
が、以下に開示するものは本発明の一実施例に過ぎず、
本発明の技術的範囲を何ら制限するものではない。
実施例 第１図は、本発明に従って構成されたアナログ／ディジ
タル変換器の、特に変換部の構成を模式的に示す図であ
る。
タル変換器の、特に変換部の構成を模式的に示す図であ
る。
第１図に示すように、この変換部は、断面積が段階的に
変化する超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1を積層して構
成している。超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1 相互の
間の接合部では、各超電導部材の間に薄い絶縁層が間挿
されており、この部位には互いに臨界電流が異なるジョ
セフソン接合J1、J2・・・・Jn が形成されている。また、
これらの超電導部材の集合体の両端には、この集合体に
電流を印加するための１対の端子P1 並びにP0が結合さ
れると共に、各超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1 に
は、後述する電圧検出用の端子P2、P3・・・・Pn が結合さ
れている。
変化する超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1を積層して構
成している。超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1 相互の
間の接合部では、各超電導部材の間に薄い絶縁層が間挿
されており、この部位には互いに臨界電流が異なるジョ
セフソン接合J1、J2・・・・Jn が形成されている。また、
これらの超電導部材の集合体の両端には、この集合体に
電流を印加するための１対の端子P1 並びにP0が結合さ
れると共に、各超電導部材S1、S2・・・・Si・・・・Sn+1 に
は、後述する電圧検出用の端子P2、P3・・・・Pn が結合さ
れている。
ここで、第２図は、この変換部の環境磁界と、各ジョセ
フイン接合における臨界電流密度との関係を示すグラフ
である。
フイン接合における臨界電流密度との関係を示すグラフ
である。
即ち、上述の超電導部材の集合体に対して、端子P1並び
にP0によって、最小の臨界電流条件を有するジョセフソ
ン接合である接合J1 の臨界電流よりも小さな所定の電
流I0 を流しておく。この状態の集合体に対して、ある
強度の磁場Hm が印加されると、第２図に示したグラフ
からわかるように、ある接合Ji とそれよりも臨界条件
の低いJ1からJi-1までの接合は超電導が破れて抵抗を発
生する。従って、検出用端子P2からPiまでの端子には直
流電圧が発生する。
にP0によって、最小の臨界電流条件を有するジョセフソ
ン接合である接合J1 の臨界電流よりも小さな所定の電
流I0 を流しておく。この状態の集合体に対して、ある
強度の磁場Hm が印加されると、第２図に示したグラフ
からわかるように、ある接合Ji とそれよりも臨界条件
の低いJ1からJi-1までの接合は超電導が破れて抵抗を発
生する。従って、検出用端子P2からPiまでの端子には直
流電圧が発生する。
このようにして、各検出用端子P2、P3・・・・Pnから出力さ
れる環境磁場の変化に応じた電圧を、第３図に示すよう
に結合したエンコーダに入力することによって、例えば
ディジタルな２値信号を得ることができる。
れる環境磁場の変化に応じた電圧を、第３図に示すよう
に結合したエンコーダに入力することによって、例えば
ディジタルな２値信号を得ることができる。
発明の効果 以上詳述のように、本発明によるアナログ／ディジタル
変換器は、アナログ信号の重畳された磁場を入力するこ
とによって、これに対応したディジタル信号を出力す
る。この動作は直接的で、特に磁場の変化を直接ディジ
タル信号として出力するようなアナログ／ディジタル変
換器は従来存在していなかった。即ち、本発明によるア
ナログ／ディジタル変換器は、ディジタル信号を直接出
力する高速で高感度な磁気センサとして有利に利用する
ことができる。
変換器は、アナログ信号の重畳された磁場を入力するこ
とによって、これに対応したディジタル信号を出力す
る。この動作は直接的で、特に磁場の変化を直接ディジ
タル信号として出力するようなアナログ／ディジタル変
換器は従来存在していなかった。即ち、本発明によるア
ナログ／ディジタル変換器は、ディジタル信号を直接出
力する高速で高感度な磁気センサとして有利に利用する
ことができる。
また、アナログ／ディジタル変換器を構成する変換部を
ジョセフソン接合の集合体として形成する態様では、極
めて高度な動作を実現することが可能である。
ジョセフソン接合の集合体として形成する態様では、極
めて高度な動作を実現することが可能である。
尚、実施例では、超電導電流路の集合体を、直列に結合
した接合面積の異なる複数のジョセフソン接合によって
形成したが、これを互いに断面積の異なる超電導材料に
よって形成することも、また、互いに異なる臨界条件を
有する超電導材料を積層して形成することも本発明の範
囲に含まれることは言うまでもない。
した接合面積の異なる複数のジョセフソン接合によって
形成したが、これを互いに断面積の異なる超電導材料に
よって形成することも、また、互いに異なる臨界条件を
有する超電導材料を積層して形成することも本発明の範
囲に含まれることは言うまでもない。
第１図は、本発明に従って構成されたアナログ／ディジ
タル変換器の、特に変換部の構成を模式的に示す図であ
り、 第２図は、第１図に示した変換部の動作を説明するグラ
フであり、 第３図は、第１図に示す変換部にエンコーダを接続する
場合の構成を概略的に示す図である。 〔主な参照番号〕 Ｓ1、Ｓ2……Ｓn……超電導部材、 Ｊ1、Ｊ2……Ｊn……ジョセフソン接合、 Ｐ０、Ｐ１……電流印加用端子、 Ｐ2、Ｐ3……Ｐｎ……電圧検出用端子
タル変換器の、特に変換部の構成を模式的に示す図であ
り、 第２図は、第１図に示した変換部の動作を説明するグラ
フであり、 第３図は、第１図に示す変換部にエンコーダを接続する
場合の構成を概略的に示す図である。 〔主な参照番号〕 Ｓ1、Ｓ2……Ｓn……超電導部材、 Ｊ1、Ｊ2……Ｊn……ジョセフソン接合、 Ｐ０、Ｐ１……電流印加用端子、 Ｐ2、Ｐ3……Ｐｎ……電圧検出用端子
Claims (16)
- 【請求項１】所定の臨界条件に対して、一定の差で互い
に異なる臨界条件を設定された複数の超電導電流路を直
列に結合してなる変換部と、該超電導電流路の各々にお
ける超電導電流の遮断を検出する手段を具備した検出部
とを備え、該変換部の環境磁場の変化を直接ディジタル
電圧信号として出力することを特徴とするアナログ／デ
ィジタル変換器。 - 【請求項２】前記超電導電流路の各々に設定された臨界
条件が、各超電導電流路の臨界電流であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のアナログ／ディジタ
ル変換器。 - 【請求項３】前記超電導電流路の各々に設定された臨界
条件が、各超電導電流路の臨界磁場であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のアナログ／ディジタ
ル変換器。 - 【請求項４】前記超電導電流路が、ジョセフソン接合を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項
までの何れか１項に記載のアナログ／ディジタル変換
器。 - 【請求項５】前記超電導電流の遮断を検出する手段が、
前記超電導電流路の各々を含む所定区間の電流路に発生
する電圧をそれぞれ検出する回路の集合であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項から第４項までの何れか
１項に記載のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項６】前記超電導電流の遮断を検出する手段の出
力が、前記超電導電流路の動作に応じたバイナリ信号を
生成する回路に結合されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項から第５項までの何れか１項に記載のア
ナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項７】前記超電導電流路が、基板上に形成された
超電材料薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項から第６項までの何れか１項に記載のアナログ／デ
ィジタル変換器。 - 【請求項８】上記超電導材料薄膜が、物理蒸着法によっ
て前記基板上に形成された薄膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第７項に記載のアナログ／ディジタル変
換器。 - 【請求項９】上記薄膜が、前記基板上に湿式塗布によっ
て形成された堆積層を焼結して形成される複合酸化物薄
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載
のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項１０】前記基板が、SrTiＯ3 単結晶、MgＯまた
はサファイヤ基板上に形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第７項から第９項までの何れか１項に記
載のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項１１】前記超電導電流路が、非超電導状態にお
いて導体であるような材料によって形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項から第10項までの何
れか１項に記載のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項１２】前記超電導電流路および／またはジョセ
フソン接合が、下記の一般式； (α1-xβx)γｙδｚ 〔但し、元素αは周期律表IIａ族に含まれる元素であ
り、元素βは周期律表IIIａ族に含まれる元素であり、
元素γは周期律表Ｉｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａまたはVIII
ａ族に含まれる元素であり、δがＯであり、ｘ、ｙ、ｚ
はそれぞれｘ＝0.1〜0.9、ｙ＝1.0〜4.0、１≦ｚ≦５を
満たす数値である〕 で示される複合酸化物超電導材料によって形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第11項ま
での何れか１項に記載のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項１３】上記複合酸化物がペロブスカイト型の結
晶構造を有することを特徴とする特許請求の範囲第12項
に記載のアナログ／ディジタル変換器。 - 【請求項１４】前記元素αがBaであり、前記元素βがＹ
であり、前記元素γがCuであることを特徴とする特許請
求の範囲第12項または第13項に記載のアナログ／ディジ
タル変換器。 - 【請求項１５】前記元素αがBaであり、前記元素βがLa
であり、前記元素γがCuであることを特徴とする特許請
求の範囲第12項または第13項に記載のアナログ／ディジ
タル変換器。 - 【請求項１６】前記元素αがSrであり、前記元素βがLa
であり、前記元素γがCuであることを特徴とする特許請
求の範囲第12項または第13項に記載のアナログ／ディジ
タル変換器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62210709A JPH0624260B2 (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 | アナログ／ディジタル変換器 |
| KR1019880010421A KR920003885B1 (ko) | 1987-08-25 | 1988-08-17 | 아날로그/디지탈변환기 |
| CA000575603A CA1336788C (en) | 1987-08-25 | 1988-08-24 | Analog-to-digital converter using superconducting material |
| EP19880113795 EP0304894A3 (en) | 1987-08-25 | 1988-08-24 | Analog-to-digital converter using superconducting material |
| US07/235,940 US4963871A (en) | 1987-08-25 | 1988-08-24 | Analog-to-digital converter using superconducting material |
| AU21541/88A AU598695B2 (en) | 1987-08-25 | 1988-08-25 | Analog-to-digital converter using superconducting material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62210709A JPH0624260B2 (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 | アナログ／ディジタル変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6453585A JPS6453585A (en) | 1989-03-01 |
| JPH0624260B2 true JPH0624260B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16593802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62210709A Expired - Lifetime JPH0624260B2 (ja) | 1987-08-25 | 1987-08-25 | アナログ／ディジタル変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624260B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513557B1 (de) * | 1991-05-17 | 1998-08-05 | Hehrwart Schröder | Supraleitendes Tunnelelement |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54127668A (en) * | 1978-03-28 | 1979-10-03 | Fujitsu Ltd | Analog-digital converter using josephson element |
| JPS62165378A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-21 | Nec Corp | 異なる電流密度接合を積層したジヨセフソン接合装置 |
| JPS63289973A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属酸化物超電導成形体 |
-
1987
- 1987-08-25 JP JP62210709A patent/JPH0624260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＭＡＧ−１８，Ｎｏ．６，（１９８２），ＰＰ．１５７１〜１５７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6453585A (en) | 1989-03-01 |
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