JPH06240445A - Method and device for producing optical thin film by ion beam assist vapor deposition - Google Patents
Method and device for producing optical thin film by ion beam assist vapor depositionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、紫外から赤外領域で使
用する光学素子の反射防止膜、偏光膜、反射膜等を作製
するための、イオンビームアシスト蒸着による光学薄膜
の製造方法および装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition for producing an antireflection film, a polarizing film, a reflective film, etc. of an optical element used in the ultraviolet to infrared region. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、高融点蒸着材料を基板上に蒸着す
る方法としては、電子銃により発生させた電子ビームを
蒸発材料に照射して蒸発させる電子線蒸着法やクラスタ
ーイオンビーム蒸着法が採用されていたが、これらの方
法では成膜された光学薄膜の密着力、耐摩耗性、耐溶剤
性、分光特性、耐レーザー照射性等の向上を図るには限
界があるため、基板上に電子線蒸着法やクラスターイオ
ンビーム蒸着法によって成膜する際に、蒸着槽内に配置
されたイオン源によって発生されたイオンビームを照射
する、いわゆるイオンビームアシスト蒸着法が開発され
た。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of depositing a high melting point vapor deposition material on a substrate, an electron beam vapor deposition method or a cluster ion beam vapor deposition method in which an electron beam generated by an electron gun is applied to an evaporation material to evaporate it is adopted. However, these methods have limitations in improving the adhesion, abrasion resistance, solvent resistance, spectral characteristics, laser irradiation resistance, etc. of the formed optical thin film. A so-called ion beam assisted vapor deposition method has been developed in which, when a film is formed by a linear vapor deposition method or a cluster ion beam vapor deposition method, an ion beam generated by an ion source arranged in a vapor deposition tank is irradiated.
【０００３】しかし、この方法でもイオン源へ導入され
るイオン化ガスが蒸着槽に洩れて蒸着槽の真空度が劣化
してしまい、照射されるイオンが前述の蒸着槽に洩れた
イオン化ガスと衝突し、散乱したり、エネルギーを失っ
たりするために効率良く照射されないという問題点があ
った。However, even with this method, the ionized gas introduced into the ion source leaks into the vapor deposition tank and the degree of vacuum in the vapor deposition tank deteriorates, and the irradiated ions collide with the ionized gas leaked into the vapor deposition tank. However, there is a problem that it is not efficiently irradiated because of scattering and loss of energy.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】イオン源のイオン放出
口が直接開口されている従来の方式で、イオンエネルギ
ーとイオン電流を変化させないで蒸着槽を高真空に保つ
ためには、前記イオン源のイオン化室での放電効率を上
げ、イオン化室に導入するイオン化ガスの流量を下げる
ことによりイオン源から洩れるガスを減少させる必要が
ある。しかし、イオン源の放電効率を上昇させるには、
限界があり、この方法で蒸着槽を高真空に保つには困難
である。According to the conventional method in which the ion emission port of the ion source is directly opened, in order to keep the vapor deposition tank at a high vacuum without changing the ion energy and the ion current, the ion source of the ion source is changed. It is necessary to increase the discharge efficiency in the ionization chamber and reduce the flow rate of the ionized gas introduced into the ionization chamber to reduce the gas leaking from the ion source. However, to increase the discharge efficiency of the ion source,
There is a limit, and it is difficult to keep the vapor deposition tank in a high vacuum by this method.
【０００５】本発明は、上記従来の技術の問題点を解決
するためになされたものであって、イオン化ガスがイオ
ン源より蒸着槽へ洩れることがなく蒸着槽を高真空度に
保って成膜できるイオンビームアシスト蒸着による光学
薄膜の製造方法および装置を実現することを目的とする
ものである。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art, and film formation is performed by keeping the vapor deposition tank at a high vacuum level without the ionized gas leaking from the ion source to the vapor deposition tank. It is an object of the present invention to realize a method and apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition that can be performed.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のイオンビームアシスト蒸着による光学薄膜
製造方法は、蒸着槽において蒸発源より蒸着材料を蒸発
させて基板上に成膜する際に、イオン源により発生させ
たイオンビームを照射するイオンビームアシスト蒸着方
法において、前記イオン源を前記蒸着槽とは別の第２の
真空槽に配設し、前記第２の真空槽を前記蒸着槽の第１
の排気系とは別の第２の排気系により排気し、前記蒸着
槽を高真空度に保って成膜することを特徴とするもので
ある。In order to achieve the above object, the method for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition of the present invention is used when a vapor deposition material is vaporized from an evaporation source in a vapor deposition tank to form a film on a substrate. In the ion beam assisted vapor deposition method of irradiating an ion beam generated by an ion source, the ion source is arranged in a second vacuum tank different from the vapor deposition tank, and the second vacuum tank is vapor-deposited. First of the tank
The second exhaust system, which is different from the second exhaust system, is used to form a film while maintaining a high degree of vacuum in the vapor deposition tank.
【０００７】蒸着槽の真空度は２．５×１０-3Ｐａ以下
の高真空度とすると効果的である。It is effective to set the vacuum degree of the vapor deposition tank to a high vacuum degree of 2.5 × 10 −3 Pa or less.
【０００８】また、本発明のイオンビームアシスト蒸着
による光学薄膜の製造装置は、基板保持手段および蒸発
源が配設された蒸着槽と、イオン源が配設された第２の
真空槽を有し、前記第２の真空槽が蒸着槽に接続された
第１の排気系とは別系統の第２の排気系に接続されてい
るとともに、前記蒸着槽と前記第２の真空槽とがイオン
を通過させるための連通路のみにより連通されているこ
とを特徴とするものである。Further, the apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition of the present invention has a vapor deposition tank in which a substrate holding means and an evaporation source are arranged, and a second vacuum tank in which an ion source is arranged. , The second vacuum chamber is connected to a second exhaust system of a system different from the first exhaust system connected to the vapor deposition chamber, and the vapor deposition chamber and the second vacuum chamber generate ions. It is characterized in that they are communicated only by a communication passage for passing them.
【０００９】さらに、蒸着槽と第２の真空槽とが、オリ
フイスまたは開閉手段を介在させたイオンを通過させる
ための連通路によって連通されていると効果的である。Further, it is effective that the vapor deposition tank and the second vacuum tank are connected to each other by a communicating passage for passing ions through an orifice or an opening / closing means.
【００１０】加えて、蒸発源は電子線蒸発源やクラスタ
ーイオンビーム蒸発源とするとよい。In addition, the evaporation source may be an electron beam evaporation source or a cluster ion beam evaporation source.
【００１１】[0011]
【作用】イオン源が配設された第２の真空槽が蒸着槽と
は別系統の第２の排気系によって排気されるため、イオ
ン源から第２の真空槽へ洩れたイオン化ガスが蒸着槽内
へは流入せず、前記第２の排気系によって排気される。
このため、蒸着槽を高真空度に保って成膜すると同時に
イオン源のイオン化室の真空度を適正に保ってイオンの
発生効率を向上させることができる。Since the second vacuum chamber in which the ion source is disposed is exhausted by the second exhaust system which is separate from the vapor deposition chamber, the ionized gas leaked from the ion source to the second vacuum chamber is deposited in the vapor deposition chamber. It does not flow into the interior, but is exhausted by the second exhaust system.
For this reason, it is possible to improve the ion generation efficiency by maintaining the vapor deposition tank at a high degree of vacuum to form a film, and at the same time maintaining an appropriate degree of vacuum in the ionization chamber of the ion source.
【００１２】[0012]
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しつつ説明す
る。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１３】先ず、本発明の実施に用いるイオンビーム
アシスト蒸着による光学薄膜の製造装置について説明す
る。First, an apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition used for carrying out the present invention will be described.
【００１４】図１に示すように、イオンビームアシスト
蒸着による光学薄膜の製造装置は、図示しない真空発生
源に接続される第１の排気口４Ａを有する蒸着槽４と、
蒸着槽４の底壁に隣接された、図示しない真空発生源に
接続される第２の排気口７Ａを有する第２の真空槽７を
備えている。つまり、第２の真空槽７は蒸着槽４の第１
の排気系とは別系統の第２の排気系に接続されている。As shown in FIG. 1, an apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition comprises a vapor deposition tank 4 having a first exhaust port 4A connected to a vacuum source (not shown),
A second vacuum chamber 7 having a second exhaust port 7A connected to a vacuum source (not shown) is provided adjacent to the bottom wall of the vapor deposition chamber 4. That is, the second vacuum chamber 7 is the first vacuum chamber of the vapor deposition chamber 4.
Is connected to a second exhaust system, which is a separate system from the exhaust system.
【００１５】蒸着槽４は、その上壁側に、駆動部３によ
り回転される基板ホルダ２が配設され、この基板ホルダ
２と前記上壁の間にヒータ８が設けられているととも
に、底壁側には、シャッタ６が付設された蒸発源５が配
設され、さらに、基板ホルダ２の近傍には蒸着速度を制
御するための水晶モニタ１０が、他方前記底壁には膜厚
を制御するための光モニタ１１が設けられている。これ
により、基板ホルダ２に保持させた基板１を回転させな
がらヒータ８によって基板１を所定温度に加熱しつつ、
シャッタ６を開閉することで成膜時間を調節して膜厚の
制御ができるように構成されている。The vapor deposition tank 4 is provided with a substrate holder 2 which is rotated by a drive unit 3 on the upper wall side thereof, a heater 8 is provided between the substrate holder 2 and the upper wall, and a bottom is provided. An evaporation source 5 provided with a shutter 6 is disposed on the wall side, a crystal monitor 10 for controlling the vapor deposition rate is provided near the substrate holder 2, and a film thickness is controlled on the bottom wall. An optical monitor 11 is provided for this purpose. As a result, while the substrate 1 held by the substrate holder 2 is rotated and the substrate 1 is heated to a predetermined temperature by the heater 8,
By opening and closing the shutter 6, the film formation time can be adjusted to control the film thickness.
【００１６】第２の真空槽７内にはイオン源９が配設さ
れており、このイオン源９で発生されたイオンビームを
蒸着槽４の底壁に開口されたオリフィス７Ｂを介在させ
たイオンを通過させるための連通路を通して基板ホルダ
２に保持された基板１に向けて照射できるように構成さ
れている。An ion source 9 is arranged in the second vacuum chamber 7, and an ion beam generated by the ion source 9 is introduced through an orifice 7B opened in the bottom wall of the vapor deposition chamber 4. The substrate 1 held by the substrate holder 2 can be irradiated with the light through a communication path for passing through.
【００１７】つまり、蒸着槽４と第２の真空槽７とは、
イオンを通過させるための連通路のみにより連通されて
いる。なお、前記オリフィス７Ｂにかえてゲート弁等の
開閉手段を用いてもよい。That is, the vapor deposition tank 4 and the second vacuum tank 7 are
It is connected only by a communication passage for passing ions. An opening / closing means such as a gate valve may be used instead of the orifice 7B.
【００１８】本発明において、蒸発源としては、電子線
蒸発源、クラスターイオンビーム蒸発源、抵抗加熱蒸発
源、他方、イオン源としては、カウフマン型イオン源、
リニアソースイオン源、ホローカソードイオン源、ＲＦ
イオン源、ＥＣＲイオン源をそれぞれ用いることができ
る。In the present invention, the evaporation source is an electron beam evaporation source, a cluster ion beam evaporation source, a resistance heating evaporation source, and the ion source is a Kaufman type ion source.
Linear source ion source, hollow cathode ion source, RF
An ion source and an ECR ion source can be used respectively.
【００１９】（第１実施例）図２は、第１実施例により
作製したレーザー波長１０６４ｎｍを対象とするレーザ
ー用反射防止膜の模式断面図であって、基板１０１上に
順次Ａｌ2 Ｏ3 膜、ＭｇＦ2 膜を成膜したものである。(First Embodiment) FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an antireflection coating for laser intended for a laser wavelength of 1064 nm manufactured according to the first embodiment, in which an Al 2 O 3 film is sequentially formed on a substrate 101. , MgF 2 film is formed.
【００２０】図１に示すイオンビームアシスト蒸着によ
る光学薄膜の製造装置の基板ホルダ２に、直径３０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板１０１を保持さ
せ、ヒータ８により加熱して基板温度を１００℃とし、
蒸着槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排気しておき、基板上
に順次Ａｌ2 Ｏ3 膜、ＭｇＦ2 膜を後述する成膜条件で
成膜した。ここで、蒸発源として電子線蒸発源を用い、
イオン源としてカウフマン型イオン源を使用した。The substrate holder 2 of the apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition shown in FIG.
The substrate 101 made of BK7 having a thickness of 1 mm and a thickness of 1 mm is held and heated by the heater 8 to bring the substrate temperature to 100 ° C.
The vapor deposition tank 4 was evacuated to 3 × 10 −4 Pa or less, and an Al 2 O 3 film and a MgF 2 film were sequentially formed on the substrate under the film forming conditions described later. Here, an electron beam evaporation source is used as the evaporation source,
A Kaufman type ion source was used as the ion source.
【００２１】Ａｌ2 Ｏ3 膜は、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ
ｅｃ、イオンアシスト条件は、イオン化ガスＯ2 、加速
電圧１５０Ｖ、イオン電流３００ｍＡ、光学膜厚ｎｄ＝
λ／４、蒸着槽４の真空度１．２×１０-3Ｐａである。The Al 2 O 3 film has a vapor deposition rate of 0.2 nm / s.
ec, ion assist conditions are ionized gas O 2 , accelerating voltage 150 V, ion current 300 mA, optical film thickness nd =
λ / 4, the vacuum degree of the vapor deposition tank 4 is 1.2 × 10 −3 Pa.
【００２２】ＭｇＦ2 膜は、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅ
ｃ、イオンアシスト条件は、イオン化ガスＯ2 、加速電
圧１００Ｖ、イオン電流２００ｍＡ、光学膜厚ｎｄ＝λ
／４、蒸着槽４の真空度８×１０-4Ｐａである。The MgF 2 film has a deposition rate of 1.0 nm / se.
c, ion assist conditions are ionized gas O 2 , accelerating voltage 100 V, ion current 200 mA, optical film thickness nd = λ
/ 4, the degree of vacuum of the vapor deposition tank 4 is 8 × 10 −4 Pa.
【００２３】本実施例によって作製した第１実施例のサ
ンプルであるレーザー用反射防止膜の分光反射率特性を
図３に示す。FIG. 3 shows the spectral reflectance characteristics of the antireflection coating for laser which is the sample of the first embodiment produced according to this embodiment.
【００２４】比較のため、イオン源が蒸着槽内に配置さ
れた従来例によって比較例１のサンプルを作製したが、
成膜中の蒸着槽の真空度はＡｌ2 Ｏ3 膜では３．２×１
０-3Ｐａ、ＭｇＦ2 膜では２．８×１０-3Ｐａであっ
た。この比較例１のサンプルの分光反射率特性を図４に
示す。For comparison, the sample of Comparative Example 1 was prepared by the conventional example in which the ion source was placed in the vapor deposition tank.
The degree of vacuum of the vapor deposition tank during film formation is 3.2 × 1 for Al 2 O 3 film.
It was 0 −3 Pa and 2.8 × 10 −3 Pa for the MgF 2 film. FIG. 4 shows the spectral reflectance characteristics of the sample of Comparative Example 1.
【００２５】図３と図４とを比較すると、実施例１のサ
ンプルには比較例１のサンプルに比較して反射率が減少
していることが解る。Comparing FIG. 3 with FIG. 4, it can be seen that the reflectance of the sample of Example 1 is lower than that of the sample of Comparative Example 1.
【００２６】さらに、実施例１および比較例１の各サン
プルについて、ＹＡＧレーザーの基本波（λ＝１０６４
ｎｍ、パルス幅１．０ｎｓ）でレーザー損傷しきい値を
測定した。その結果を表１に示す。Further, for each of the samples of Example 1 and Comparative Example 1, the fundamental wave of the YAG laser (λ = 1064
nm, pulse width 1.0 ns), the laser damage threshold value was measured. The results are shown in Table 1.
【００２７】[0027]
【表１】 表１から明らかなように、本実施例のサンプルではレー
ザー損傷しきい値が比較例１のサンプルに比べ２割程度
上昇していることが解る。これは、本実施例では、従来
例に比較して高真空で成膜が可能となり成膜中に膜内に
取込まれる残留ガス等の不純物が減少したことによるも
のと考えられる。[Table 1] As is clear from Table 1, the laser damage threshold value of the sample of this example is about 20% higher than that of the sample of Comparative Example 1. This is considered to be because, in this example, film formation was possible in a high vacuum and impurities such as residual gas taken into the film during film formation were reduced as compared with the conventional example.
【００２８】（第２実施例）図５は、第２実施例によっ
て作製した赤外カットフィルターであって、基板２０１
上に順次ＴｉＯ2 膜、ＳｉＯ2 膜の１８層からなる繰返
し多層膜を成膜したものである。(Second Embodiment) FIG. 5 shows an infrared cut filter manufactured according to a second embodiment, which is a substrate 201.
A repeating multilayer film composed of 18 layers of a TiO 2 film and a SiO 2 film is sequentially formed on the upper surface.
【００２９】図１に示すイオンビームアシスト蒸着によ
る光学薄膜の製造装置の基板ホルダ２に、直径４０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板２０１を保持さ
せ、蒸発源としてクラスターイオンビーム源、イオン源
としてＲＦイオン源を使用し、基板２０１上に順次Ｔｉ
Ｏ2 膜、ＳｉＯ2 膜の１８層の繰返し多層膜を成膜し
た。ここで、各膜の光学膜厚ｎｄは図５に示す通りであ
る。The substrate holder 2 of the apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition shown in FIG.
The substrate 201 made of BK7 having a thickness of 1 mm and a thickness of 1 mm is held, a cluster ion beam source is used as an evaporation source, and an RF ion source is used as an ion source.
A repeating multilayer film of 18 layers of O 2 film and SiO 2 film was formed. Here, the optical film thickness nd of each film is as shown in FIG.
【００３０】ＴｉＯ2 膜は、蒸発材料は金属Ｔｉ、蒸着
速度０．１ｎｍ／ｓｅｃである。イオンアシスト条件
は、イオン化ガスＯ2 、加速電圧４００Ｖ、イオン電流
２００ｍＡ、蒸着槽の真空度は９×１０-4Ｐａである。In the TiO 2 film, the evaporation material is metallic Ti and the vapor deposition rate is 0.1 nm / sec. The ion assist conditions are ionized gas O 2 , accelerating voltage of 400 V, ion current of 200 mA, and vacuum degree of the vapor deposition tank of 9 × 10 −4 Pa.
【００３１】ＳｉＯ2 膜は、蒸発材料はＳｉＯ、蒸着速
度０．８ｎｍ／ｓｅｃである。イオンアシスト条件は、
イオン化ガスＯ2 、加速電圧３００Ｖ、イオン電流１４
０ｍＡ、蒸着槽の真空度は８×１０-4Ｐａであった。第
２実施例のサンプルの分光透過率特性を図６に示す。The SiO 2 film has an evaporation material of SiO and a vapor deposition rate of 0.8 nm / sec. Ion assist conditions are
Ionized gas O 2 , acceleration voltage 300 V, ion current 14
The degree of vacuum in the vapor deposition tank was 0 mA and 8 × 10 −4 Pa. The spectral transmittance characteristics of the sample of the second embodiment are shown in FIG.
【００３２】これに対し、前記従来例により作製した第
２実施例と同様の１８層の繰返し多層膜は、分光透過率
特性が得られないため、層数を２層増加し２０層として
比較例２のサンプルを作製した。On the other hand, in the repeated multilayer film of 18 layers similar to the second embodiment produced by the conventional example, since the spectral transmittance characteristic cannot be obtained, the number of layers is increased by 2 layers and the comparison example is changed to 20 layers. Two samples were prepared.
【００３３】第２実施例と比較例２のサンプルについ
て、ａｓ ｄｅｐｏ、高温高湿（７０℃−８５％）５０
０ｈ耐久試験後の波長λ＝６１６ｎｍ付近での透過率５
０％の波長シフトを確認したところ、本実施例のサンプ
ルの波長シフトが０．５ｎｍであったのに対し、比較例
２のサンプルは波長シフトが−５〜＋４ｎｍであった。For the samples of the second embodiment and comparative example 2, as depo, high temperature and high humidity (70 ° C.-85%) 50
Transmittance 5 near wavelength λ = 616 nm after 0h durability test
When the wavelength shift of 0% was confirmed, the wavelength shift of the sample of this example was 0.5 nm, whereas the wavelength shift of the sample of Comparative Example 2 was -5 to +4 nm.
【００３４】このように、比較例２のサンプルでは、赤
外カットフィルターのエッジがシフトしてしまい、色特
性に変化がみられるが、本実施例のサンプルでは波長シ
フトのほとんどないことが確認できた。As described above, in the sample of Comparative Example 2, the edge of the infrared cut filter is shifted and the color characteristics are changed, but it can be confirmed that the sample of this example has almost no wavelength shift. It was
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載するような効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
【００３６】蒸着槽内へイオン源からのイオン化ガスの
洩れがなく、蒸着槽を高真空度に保って成膜するので、
成膜された光学薄膜の不純物の混入がなくなり、光学特
性が良好となる。Since there is no leakage of ionized gas from the ion source into the vapor deposition tank, and the vapor deposition tank is maintained at a high degree of vacuum for film formation,
The inclusion of impurities in the formed optical thin film is eliminated, and the optical characteristics are improved.
【図１】本発明のイオンビームアシスト蒸着による光学
薄膜の製造装置の一実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of an optical thin film manufacturing apparatus by ion beam assisted vapor deposition of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例により作製した第１実施例
のサンプルであるレーザー用反射防止膜の模式断面図で
ある。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an antireflection coating for a laser which is a sample of the first embodiment produced according to the first embodiment of the present invention.
【図３】第１実施例のサンプルであるレーザー用反射防
止膜の分光反射率特性のグラフである。FIG. 3 is a graph of spectral reflectance characteristics of an antireflection coating for a laser which is a sample of the first embodiment.
【図４】比較例１のサンプルの分光反射率特性のグラフ
である。FIG. 4 is a graph of spectral reflectance characteristics of a sample of Comparative Example 1.
【図５】本発明の第２実施例により作製した第２実施例
のサンプルである赤外カットフィルターの模式断面図で
ある。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an infrared cut filter that is a sample of the second embodiment manufactured according to the second embodiment of the present invention.
【図６】第２実施例のサンプルである赤外カットフィル
ターの分光透過率のグラフである。FIG. 6 is a graph of spectral transmittance of an infrared cut filter that is a sample of the second embodiment.
１，１０１，２０１ 基板 ２ 基板ホルダ ３ 駆動部 ４ 蒸着槽 ５ 蒸発源 ６ シャッタ ７ 第２の真空槽 ７Ｂ オリフィス ８ ヒータ ９ イオン源 １０２ Ａｌ2 Ｏ3 膜 １０３ ＭｇＦ2 膜 ２０２ ＴｉＯ2 膜 ２０３ ＳｉＯ2 膜1, 101, 201 Substrate 2 Substrate holder 3 Driving unit 4 Evaporation tank 5 Evaporation source 5 Shutter 7 Second vacuum chamber 7B Orifice 8 Heater 9 Ion source 102 Al 2 O 3 film 103 MgF 2 film 202 TiO 2 film 203 SiO 2 film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢村 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koji Sawamura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.
Claims (9)
発させて基板上に成膜する際に、イオン源により発生さ
せたイオンビームを照射するイオンビームアシスト蒸着
方法において、 前記イオン源を前記蒸着槽とは別の第２の真空槽に配設
し、前記第２の真空槽を前記蒸着槽の第１の排気系とは
別の第２の排気系により排気し、前記蒸着槽を高真空度
に保って成膜することを特徴とするイオンビームアシス
ト蒸着による光学薄膜の製造方法。1. An ion beam assisted vapor deposition method of irradiating an ion beam generated by an ion source when a vapor deposition material is vaporized from an evaporation source in a vapor deposition tank to form a film on a substrate, wherein the ion source is the vapor deposited. The second vacuum tank is disposed in a second vacuum tank different from the tank, and the second vacuum tank is evacuated by a second exhaust system different from the first exhaust system of the vapor deposition tank, so that the vapor deposition tank is in a high vacuum state. A method for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition, which is characterized in that the film is formed at a high temperature.
空度とすることを特徴とする請求項１記載のイオンビー
ムアシスト蒸着による光学薄膜の製造方法。2. The method for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 1, wherein the vapor deposition tank has a high degree of vacuum of 2.5 × 10 −3 Pa or less.
とする請求項１または２記載のイオンビームアシスト蒸
着による光学薄膜の製造方法。3. The method for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 1, wherein the evaporation source is an electron beam evaporation source.
であることを特徴とする請求項１または２記載のイオン
ビームアシスト蒸着による光学薄膜の製造方法。4. The method for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 1, wherein the evaporation source is a cluster ion beam evaporation source.
蒸着槽と、イオン源が配設された第２の真空槽を有し、
前記第２の真空槽が蒸着槽に接続された第１の排気系と
は別系統の第２の排気系に接続されているとともに、前
記蒸着槽と前記第２の真空槽とがイオンを通過させるた
めの連通路のみにより連通されていることを特徴とする
イオンビームアシスト蒸着による光学薄膜の製造装置。5. A vapor deposition tank provided with a substrate holding means and an evaporation source, and a second vacuum tank provided with an ion source,
The second vacuum chamber is connected to a second exhaust system of a system different from the first exhaust system connected to the vapor deposition chamber, and the vapor deposition chamber and the second vacuum chamber pass ions. An apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition, characterized in that they are communicated with each other only by a communication passage for making them.
特徴とする請求項５記載のイオンビームアシスト蒸着に
よる光学薄膜の製造装置。6. An apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 5, wherein an orifice is provided in the communication passage.
徴とする請求項５記載のイオンビームアシスト蒸着によ
る光学薄膜の製造装置。7. An apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 5, wherein an opening / closing means is interposed in the communication passage.
とする請求項５乃至７いずれか１項記載のイオンビーム
アシスト蒸着による光学薄膜の製造装置。8. The apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 5, wherein the evaporation source is an electron beam evaporation source.
であることを特徴とする請求項５乃至７いずれか１項記
載のイオンビームアシスト蒸着による光学薄膜の製造装
置。9. The apparatus for producing an optical thin film by ion beam assisted vapor deposition according to claim 5, wherein the evaporation source is a cluster ion beam evaporation source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048669A JPH06240445A (en) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Method and device for producing optical thin film by ion beam assist vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5048669A JPH06240445A (en) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Method and device for producing optical thin film by ion beam assist vapor deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06240445A true JPH06240445A (en) | 1994-08-30 |
Family
ID=12809743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5048669A Pending JPH06240445A (en) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | Method and device for producing optical thin film by ion beam assist vapor deposition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06240445A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006063382A (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyoto Univ | Method for forming titanium oxide thin film on surface of substrate |
| CN109628895A (en) * | 2019-01-23 | 2019-04-16 | 湖南宇诚精密科技有限公司 | A kind of electronic beam evaporation type vacuum film coating machine |
| JP2020527651A (en) * | 2017-07-19 | 2020-09-10 | インテヴァック インコーポレイテッド | System for forming nanolaminate optical coatings |
| WO2021131316A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | Method for manufacturing optical lens provided with anti-reflection film |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5048669A patent/JPH06240445A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006063382A (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyoto Univ | Method for forming titanium oxide thin film on surface of substrate |
| JP2020527651A (en) * | 2017-07-19 | 2020-09-10 | インテヴァック インコーポレイテッド | System for forming nanolaminate optical coatings |
| CN109628895A (en) * | 2019-01-23 | 2019-04-16 | 湖南宇诚精密科技有限公司 | A kind of electronic beam evaporation type vacuum film coating machine |
| WO2021131316A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | Method for manufacturing optical lens provided with anti-reflection film |
| CN114846362A (en) * | 2019-12-25 | 2022-08-02 | 柯尼卡美能达株式会社 | Method for manufacturing optical lens with antireflection film |
| CN114846362B (en) * | 2019-12-25 | 2023-12-29 | 柯尼卡美能达株式会社 | Method for manufacturing optical lens with antireflection film |
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