JPH06232189A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06232189A JPH06232189A JP3615193A JP3615193A JPH06232189A JP H06232189 A JPH06232189 A JP H06232189A JP 3615193 A JP3615193 A JP 3615193A JP 3615193 A JP3615193 A JP 3615193A JP H06232189 A JPH06232189 A JP H06232189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- diamine
- resistance
- polyimide resin
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸成分を50mol ％以上用いた4 価有機酸成分
と、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパンのようなジアミン化合物を 50 〜99 mol％、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンのよ
うなジアミノシロキサンを 50 〜1 mol％で構成したジ
アミン成分を縮合したポリイミド樹脂て、（Ｂ）導電性
粉末を必須成分とする導電性ペーストを用いてダイボン
ディングした半導体装置である。 【効果】 本発明の半導体装置は、チップの大型化に対
応して、特にチップの反りが低減され、信頼性の高いも
のである。
カルボン酸成分を50mol ％以上用いた4 価有機酸成分
と、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパンのようなジアミン化合物を 50 〜99 mol％、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンのよ
うなジアミノシロキサンを 50 〜1 mol％で構成したジ
アミン成分を縮合したポリイミド樹脂て、（Ｂ）導電性
粉末を必須成分とする導電性ペーストを用いてダイボン
ディングした半導体装置である。 【効果】 本発明の半導体装置は、チップの大型化に対
応して、特にチップの反りが低減され、信頼性の高いも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、耐熱性、低応
力性等に優れた半導体装置に関する。
力性等に優れた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、金属薄板（リード
フレーム）上の所定部分にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チッ
プを接続する工程は、素子の長期信頼性に影響を与える
重要な工程の一つである。従来からこの接続方法の一つ
としてチップのシリコン面をリードフレーム上の金メッ
キ面に加圧圧着するというＡu −Ｓi 共晶法が主流であ
った。しかし、近年の貴金属、特に金の高騰を契機とし
て、樹脂封止型半導体装置ではＡu −Ｓi 共晶法から半
田を使用する方法、導電性ペーストを使用する方法等に
急速に移行しつつある。しかし、半田を使用する方法は
一部実用化されているが、半田や半田ボールが飛散して
電極等に付着し、腐蝕断線の原因となることが指摘され
ている。一方、導電性ペーストを使用する方法では、通
常銀粉末を配合したエポキシ樹脂が用いられて一部実用
化されてきたが、信頼性面でＡu −Ｓi 共晶法に比較し
て満足すべきものが得られなかった。導電性ペーストを
使用する場合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長
所を有しているが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素
子用接着剤としてつくられたものでないため、ボイドの
発生や、耐湿性、耐加水分解性に劣りアルミニウム電極
の腐蝕を促進し、断線不良の原因となることが多く、素
子の信頼性はＡu −Ｓi 共晶法に比較して劣っていた。
また、近年ＩＣ／ＬＳＩやＬＥＤ等の半導体チップの大
型化に伴い、チップクラックの発生や接着力の低下が起
こり問題となっていた。
フレーム）上の所定部分にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チッ
プを接続する工程は、素子の長期信頼性に影響を与える
重要な工程の一つである。従来からこの接続方法の一つ
としてチップのシリコン面をリードフレーム上の金メッ
キ面に加圧圧着するというＡu −Ｓi 共晶法が主流であ
った。しかし、近年の貴金属、特に金の高騰を契機とし
て、樹脂封止型半導体装置ではＡu −Ｓi 共晶法から半
田を使用する方法、導電性ペーストを使用する方法等に
急速に移行しつつある。しかし、半田を使用する方法は
一部実用化されているが、半田や半田ボールが飛散して
電極等に付着し、腐蝕断線の原因となることが指摘され
ている。一方、導電性ペーストを使用する方法では、通
常銀粉末を配合したエポキシ樹脂が用いられて一部実用
化されてきたが、信頼性面でＡu −Ｓi 共晶法に比較し
て満足すべきものが得られなかった。導電性ペーストを
使用する場合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長
所を有しているが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素
子用接着剤としてつくられたものでないため、ボイドの
発生や、耐湿性、耐加水分解性に劣りアルミニウム電極
の腐蝕を促進し、断線不良の原因となることが多く、素
子の信頼性はＡu −Ｓi 共晶法に比較して劣っていた。
また、近年ＩＣ／ＬＳＩやＬＥＤ等の半導体チップの大
型化に伴い、チップクラックの発生や接着力の低下が起
こり問題となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、半導体チップの大型化に対応
して、チップクラックやボイドの発生がなく、耐湿性、
耐熱性、耐加水分解性、接着性に優れ、特に大型チップ
の反りを低減した信頼性の高い半導体装置を提供しよう
とするものである。
に鑑みてなされたもので、半導体チップの大型化に対応
して、チップクラックやボイドの発生がなく、耐湿性、
耐熱性、耐加水分解性、接着性に優れ、特に大型チップ
の反りを低減した信頼性の高い半導体装置を提供しよう
とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、ダイボンディン
グ用導電性ペーストとして後述するポリイミド樹脂を用
いることによって、耐湿性、耐熱性、耐加水分解性、接
着性等に優れ、半導体チップの大型化に対応した半導体
装置が得られることを見いだし、本発明を完成したもの
である。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、ダイボンディン
グ用導電性ペーストとして後述するポリイミド樹脂を用
いることによって、耐湿性、耐熱性、耐加水分解性、接
着性等に優れ、半導体チップの大型化に対応した半導体
装置が得られることを見いだし、本発明を完成したもの
である。
【０００５】即ち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示されるポリイミド樹脂であって、
【０００６】
【化５】 （ａ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ1 は4
価の有機酸残基を示して、Ｒ1 を構成する全酸成分のう
ちの 50 mol ％以上が、次の一般式で示されるビフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸成分であり、
価の有機酸残基を示して、Ｒ1 を構成する全酸成分のう
ちの 50 mol ％以上が、次の一般式で示されるビフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸成分であり、
【０００７】
【化６】 （ｂ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ2 は2
価のジアミン残基を示し、（b-1 ）Ｒ2 を構成する全ジ
アミン成分のうちの 50 〜99 mol％が、次の一般式で示
されるジアミン化合物であり、
価のジアミン残基を示し、（b-1 ）Ｒ2 を構成する全ジ
アミン成分のうちの 50 〜99 mol％が、次の一般式で示
されるジアミン化合物であり、
【０００８】
【化７】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す） （b-2 ）Ｒ2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜
1 mol ％が、次の一般式で示されるジアミノシロキサン
であるもの、および
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す） （b-2 ）Ｒ2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜
1 mol ％が、次の一般式で示されるジアミノシロキサン
であるもの、および
【０００９】
【化８】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2価の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下の
正の整数を表す） （Ｂ）導電性粉末 を必須成分とする導電性ペーストを用いて半導体チップ
とリードフレームとを接着固定してなることを特徴とす
る半導体装置である。
8 炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下の
正の整数を表す） （Ｂ）導電性粉末 を必須成分とする導電性ペーストを用いて半導体チップ
とリードフレームとを接着固定してなることを特徴とす
る半導体装置である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明に用いる（Ａ）ポリイミド樹脂は、
前記の一般式化５を有したポリイミド樹脂であって、
（ａ）酸成分と（ｂ）ジアミン成分とを反応させて得ら
れるものである。ここで用いる（ａ）酸成分としては前
記の一般式化６で示したビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸成分を使用することができる。ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸成分の具体的な化合物としては、
3,4,3′,4′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸、
2,3,3′,4′−フェニルエーテルテトラカルボン酸、又
はそれらの酸無水物若しくは低級アルキルエステル等が
挙げられ、これらは単独又は混合して使用することがで
きる。ビフェニルエーテルテトラカルボン酸成分は、全
酸成分の 50 mol ％以上使用することが望ましい。50 m
ol％未満では耐酸性に劣り好ましくない。
前記の一般式化５を有したポリイミド樹脂であって、
（ａ）酸成分と（ｂ）ジアミン成分とを反応させて得ら
れるものである。ここで用いる（ａ）酸成分としては前
記の一般式化６で示したビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸成分を使用することができる。ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸成分の具体的な化合物としては、
3,4,3′,4′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸、
2,3,3′,4′−フェニルエーテルテトラカルボン酸、又
はそれらの酸無水物若しくは低級アルキルエステル等が
挙げられ、これらは単独又は混合して使用することがで
きる。ビフェニルエーテルテトラカルボン酸成分は、全
酸成分の 50 mol ％以上使用することが望ましい。50 m
ol％未満では耐酸性に劣り好ましくない。
【００１２】ビフェニルエーテルテトラカルボン酸以外
の酸成分としては、例えば、ピロメリット酸、 3,4,
3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸、1,4,5,8-ナフタレンテトラカル
ボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,
6-ナフタレンテトラカルボン酸、 3,4,9,10-テトラカル
ボキシフェニレン、 3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテ
トラカルボン酸、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、 3,3′,4,4′−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸、2,2-ビス（［4-（3,4-ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロ
パン等と、それらの無水物又は低級アルキルエステル等
が挙げられ、これらは単独又は混合して前記ビフェニル
エーテルテトラカルボン酸と併用することができる。
の酸成分としては、例えば、ピロメリット酸、 3,4,
3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸、1,4,5,8-ナフタレンテトラカル
ボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,
6-ナフタレンテトラカルボン酸、 3,4,9,10-テトラカル
ボキシフェニレン、 3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテ
トラカルボン酸、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、 3,3′,4,4′−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸、2,2-ビス（［4-（3,4-ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロ
パン等と、それらの無水物又は低級アルキルエステル等
が挙げられ、これらは単独又は混合して前記ビフェニル
エーテルテトラカルボン酸と併用することができる。
【００１３】ポリイミド樹脂の他の成分である（ｂ）ジ
アミン成分としては、（b-1 ）ジアミン化合物と（b-2
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用する。 （b-1 ）ジアミン化合物は、次の一般式で示されるもの
である。
アミン成分としては、（b-1 ）ジアミン化合物と（b-2
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用する。 （b-1 ）ジアミン化合物は、次の一般式で示されるもの
である。
【００１４】
【化９】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す）具体的
な化合物として例えば、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン等が
挙げられ、これらは単独または混合して使用することが
できる。このジアミン化合物と後述のジアミノシロキサ
ンとを一定の割合で併用する。
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す）具体的
な化合物として例えば、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン等が
挙げられ、これらは単独または混合して使用することが
できる。このジアミン化合物と後述のジアミノシロキサ
ンとを一定の割合で併用する。
【００１５】（b-2 ）ジアミノシロキサンとしては、次
の一般式を有するものを使用する。
の一般式を有するものを使用する。
【００１６】
【化１０】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2基の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下
の正の整数を表す）この具体的な化合物としては、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビ
ス（4-アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン、
1,4-ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼ
ン等が挙げられ、これらは単独または混合して使用する
ことができる。
8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下
の正の整数を表す）この具体的な化合物としては、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビ
ス（4-アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン、
1,4-ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼ
ン等が挙げられ、これらは単独または混合して使用する
ことができる。
【００１７】上述した（b-1 ）ジアミン化合物と（b-2
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用すること
が重要である。これらの配合割合は、全ジアミン成分に
対して（b-1 ）のジアミン化合物が 50 〜 99 mol ％、
（b-2 ）ジアミノシロキサンが50 〜 1 mol％の割合と
なるように配合することが望ましい。（b-1 ）ジアミン
化合物が 50 mol ％未満では、耐酸性が低下し、また
（b-2 ）ジアミノシロキサンが 1 mol％未満では接着性
が低下し好ましくない。
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用すること
が重要である。これらの配合割合は、全ジアミン成分に
対して（b-1 ）のジアミン化合物が 50 〜 99 mol ％、
（b-2 ）ジアミノシロキサンが50 〜 1 mol％の割合と
なるように配合することが望ましい。（b-1 ）ジアミン
化合物が 50 mol ％未満では、耐酸性が低下し、また
（b-2 ）ジアミノシロキサンが 1 mol％未満では接着性
が低下し好ましくない。
【００１８】本発明に用いるポリイミド樹脂は、その前
駆体であるポリアミック酸樹脂 0.5g ／Ｎ−メチル−2-
ピロリドン10 ml の濃度溶液として、30℃における対数
粘度が 0.2〜 4.0の範囲であることが好ましく、より好
ましくは 0.3〜 2.0の範囲である。ポリアミック酸樹脂
は、ほぼ等モルの酸成分とジアミン成分とを有機溶媒中
で30℃以下、好ましくは20℃以下の反応温度下に 3〜12
時間、付加重合反応させて得られる。この重合反応にお
ける有機溶媒としては、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルスル
ホオキシド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド
等が挙げられ、これらは単独または混合して使用するこ
とができる。
駆体であるポリアミック酸樹脂 0.5g ／Ｎ−メチル−2-
ピロリドン10 ml の濃度溶液として、30℃における対数
粘度が 0.2〜 4.0の範囲であることが好ましく、より好
ましくは 0.3〜 2.0の範囲である。ポリアミック酸樹脂
は、ほぼ等モルの酸成分とジアミン成分とを有機溶媒中
で30℃以下、好ましくは20℃以下の反応温度下に 3〜12
時間、付加重合反応させて得られる。この重合反応にお
ける有機溶媒としては、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルスル
ホオキシド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド
等が挙げられ、これらは単独または混合して使用するこ
とができる。
【００１９】本発明に用いる（Ｂ）導電性粉末として
は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、アルミニウム粉
末、表面に金属層を有する粉末等が挙げられこれらは単
独または混合して使用することができる。これらの導電
性粉末は、いずれも平均粒径が10μm 以下であることが
望ましい。平均粒径が10μm を超えると、組成物の性状
がペースト状にならず塗布性能が低下し好ましくない。
導電性粉末とポリイミド樹脂との配合割合は、重量比で
70／30〜90／10であることが望ましい。導電性粉末が70
重量部未満では満足な導電性が得られず、また、90重量
部を超えると作業性および接着性が低下し、好ましくな
い。
は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、アルミニウム粉
末、表面に金属層を有する粉末等が挙げられこれらは単
独または混合して使用することができる。これらの導電
性粉末は、いずれも平均粒径が10μm 以下であることが
望ましい。平均粒径が10μm を超えると、組成物の性状
がペースト状にならず塗布性能が低下し好ましくない。
導電性粉末とポリイミド樹脂との配合割合は、重量比で
70／30〜90／10であることが望ましい。導電性粉末が70
重量部未満では満足な導電性が得られず、また、90重量
部を超えると作業性および接着性が低下し、好ましくな
い。
【００２０】本発明に用いる導電性ペーストは、粘度調
整のため必要に応じて有機溶剤を使用することができ
る。それらの溶剤としては、前述のポリアミック酸反応
に使用した溶剤が使用可能である。
整のため必要に応じて有機溶剤を使用することができ
る。それらの溶剤としては、前述のポリアミック酸反応
に使用した溶剤が使用可能である。
【００２１】本発明に用いる導電性ペーストの製造方法
は、常法に従い、各原料成分を十分混合した後、更に例
えば三本ロールによる混練処理をし、その後、減圧脱泡
して製造することができる。こうして製造された導電性
ペーストをシリンジに充填し、ディスペンサーを用いて
リードフレームに吐出させ、半導体素子を接着固定した
後、ワイヤボンディングを行い樹脂で封止して、半導体
装置を製造することができる。
は、常法に従い、各原料成分を十分混合した後、更に例
えば三本ロールによる混練処理をし、その後、減圧脱泡
して製造することができる。こうして製造された導電性
ペーストをシリンジに充填し、ディスペンサーを用いて
リードフレームに吐出させ、半導体素子を接着固定した
後、ワイヤボンディングを行い樹脂で封止して、半導体
装置を製造することができる。
【００２２】
【作用】本発明の半導体装置は、特定のポリイミド樹脂
を含む導電性ペーストを用いることによって、耐湿性、
耐熱性、耐加水分解性、接着性等に優れ、チップクラッ
クやボイドの発生がなく信頼性の高いものとすることが
できた。
を含む導電性ペーストを用いることによって、耐湿性、
耐熱性、耐加水分解性、接着性等に優れ、チップクラッ
クやボイドの発生がなく信頼性の高いものとすることが
できた。
【００２３】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下実施例および比較例において「部」とは「重量
部」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下実施例および比較例において「部」とは「重量
部」を意味する。
【００２４】合成例１ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに、
2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン36.9g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン 2.49g（ 0.01mol）と、Ｎ−
メチル-2−ピロリドン 268.3g を投入し、室温で窒素雰
囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸二無水物30.38 g （ 0.098mol ）を溶液温度の上
昇に注意しながら分割して加え、室温で12時間攪拌して
ポリアミック酸樹脂（Ａ）溶液を製造した。このポリア
ミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、得ら
れたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロリド
ンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘度を
測定したところ、0.95dl／g であった。
2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン36.9g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン 2.49g（ 0.01mol）と、Ｎ−
メチル-2−ピロリドン 268.3g を投入し、室温で窒素雰
囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸二無水物30.38 g （ 0.098mol ）を溶液温度の上
昇に注意しながら分割して加え、室温で12時間攪拌して
ポリアミック酸樹脂（Ａ）溶液を製造した。このポリア
ミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、得ら
れたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロリド
ンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘度を
測定したところ、0.95dl／g であった。
【００２５】合成例２ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに、
2,2-［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン46.6g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノ
プロピル）テトラフェニルジシロキサン 4.97g（ 0.01m
ol）と、Ｎ−メチル−2-ピロリドン 268.3g を投入し、
室温で窒素雰囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物15.50g（ 0.050mol ）とピ
ロメリット酸二無水物10.46g（ 0.048mol ）を溶液温度
の上昇に注意しながら分割して加え、室温で10時間攪拌
してポリアミック酸樹脂（Ｂ）溶液を製造した。このポ
リアミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、
得られたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロ
リドンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘
度を測定したところ、0.88dl／g であった。
2,2-［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン46.6g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノ
プロピル）テトラフェニルジシロキサン 4.97g（ 0.01m
ol）と、Ｎ−メチル−2-ピロリドン 268.3g を投入し、
室温で窒素雰囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物15.50g（ 0.050mol ）とピ
ロメリット酸二無水物10.46g（ 0.048mol ）を溶液温度
の上昇に注意しながら分割して加え、室温で10時間攪拌
してポリアミック酸樹脂（Ｂ）溶液を製造した。このポ
リアミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、
得られたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロ
リドンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘
度を測定したところ、0.88dl／g であった。
【００２６】実施例１ 表１に示したポリアミック酸樹脂（Ａ）、Ｎ−メチル−
2-ピロリドン、フレーク状銀粉の各成分を三本ロールに
より3 回混練して導電性ペーストを製造し、厚さ200 μ
m のリードフレーム（銅系）上にデイスペンサーにより
吐出して4 ×12mmのシリコンチップを表１の接着条件で
接着して樹脂封止型半導体装置を製造した。
2-ピロリドン、フレーク状銀粉の各成分を三本ロールに
より3 回混練して導電性ペーストを製造し、厚さ200 μ
m のリードフレーム（銅系）上にデイスペンサーにより
吐出して4 ×12mmのシリコンチップを表１の接着条件で
接着して樹脂封止型半導体装置を製造した。
【００２７】実施例２ 表１に示したポリアミック酸樹脂（Ｂ）、Ｎ−メチル−
2-ピロリドン、アルミニウム粉末の各成分を三本ロール
により３回混練して導電性ペーストを製造し、実施例１
と同様に樹脂封止型半導体装置を製造した。
2-ピロリドン、アルミニウム粉末の各成分を三本ロール
により３回混練して導電性ペーストを製造し、実施例１
と同様に樹脂封止型半導体装置を製造した。
【００２８】比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型導電性ペーストを入
手し、実施例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を製
造した。
手し、実施例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を製
造した。
【００２９】実施例１〜２および比較例の半導体装置、
導電性ペーストを用いて、接着性、加水分解性イオン、
耐湿性の試験を行ったので、その結果を表１に示した。
いずれも本発明の特性が優れており、本発明の効果を確
認することができた。これらの試験は次のようにして行
った。
導電性ペーストを用いて、接着性、加水分解性イオン、
耐湿性の試験を行ったので、その結果を表１に示した。
いずれも本発明の特性が優れており、本発明の効果を確
認することができた。これらの試験は次のようにして行
った。
【００３０】接着強度は、厚さ200 μm のリードフレー
ム（銅系）上に4 ×12mmのシリコンチップを接着し、そ
れぞれの温度でプッシュプルゲージを用いて測定した。
加水分解性イオンは、半導体素子接着条件で硬化させた
後、100 メッシュに粉砕して、180 ℃で2 時間加熱抽出
を行ったＣl イオンの量をイオンクロマトグラフィーで
測定した。吸湿試験は、温度121 ℃，圧力2 気圧の水蒸
気中における耐湿試験（ＰＣＴ）および温度120 ℃，圧
力2 気圧の水蒸気中印加電圧15Ｖを通電して耐湿試験
（バイアスＰＣＴ）を各半導体装置について行い評価し
た。この試験に供した半導体装置は各々60個で時間の経
過に伴う不良発生数を表１に示した。なお、評価の方法
は、半導体装置を構成するアルミニウム電極の腐蝕によ
るオープン又はリーク電流が許容値の50％以上への上昇
をもって不良と判定した。反り試験は、硬化後のチップ
表面を表面粗さ計で測定し、チップ中央部との距離で示
した。
ム（銅系）上に4 ×12mmのシリコンチップを接着し、そ
れぞれの温度でプッシュプルゲージを用いて測定した。
加水分解性イオンは、半導体素子接着条件で硬化させた
後、100 メッシュに粉砕して、180 ℃で2 時間加熱抽出
を行ったＣl イオンの量をイオンクロマトグラフィーで
測定した。吸湿試験は、温度121 ℃，圧力2 気圧の水蒸
気中における耐湿試験（ＰＣＴ）および温度120 ℃，圧
力2 気圧の水蒸気中印加電圧15Ｖを通電して耐湿試験
（バイアスＰＣＴ）を各半導体装置について行い評価し
た。この試験に供した半導体装置は各々60個で時間の経
過に伴う不良発生数を表１に示した。なお、評価の方法
は、半導体装置を構成するアルミニウム電極の腐蝕によ
るオープン又はリーク電流が許容値の50％以上への上昇
をもって不良と判定した。反り試験は、硬化後のチップ
表面を表面粗さ計で測定し、チップ中央部との距離で示
した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の半導体装置は、半導体チップの大型化に対
応した、チップクラックやボイドの発生がなく、耐湿
性、耐加水分解性、耐熱性、接着性に優れ、特にチップ
の反りを低減した信頼性の高いものである。
に、本発明の半導体装置は、半導体チップの大型化に対
応した、チップクラックやボイドの発生がなく、耐湿
性、耐加水分解性、耐熱性、接着性に優れ、特にチップ
の反りを低減した信頼性の高いものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示されるポリイミド
樹脂であって、 【化１】 （a ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ1 は4
価の有機酸残基を示して、Ｒ1 を構成する全酸成分のう
ちの 50 mol ％以上が、次の一般式で示されるビフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸成分であり、 【化２】 （b ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ2 は2
価のジアミン残基を示し、（b-1 ）Ｒ2 を構成する全ジ
アミン成分のうちの 50 〜99 mol％が、次の一般式で示
されるジアミン化合物であり、 【化３】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す） （b-2 ）Ｒ2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜
1 mol ％が、次の一般式で示されるジアミノシロキサン
であるもの、および 【化４】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2価の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下
の正の整数を表す） （Ｂ）導電性粉末 を必須成分とする導電性ペーストを用いて半導体チップ
とリードフレームとを接着固定してなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3615193A JPH06232189A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3615193A JPH06232189A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232189A true JPH06232189A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12461789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3615193A Pending JPH06232189A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232189A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767569A (en) * | 1995-08-07 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tab tape and semiconductor chip mounted on tab tape |
| JP2005327973A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2005330356A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP3615193A patent/JPH06232189A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767569A (en) * | 1995-08-07 | 1998-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tab tape and semiconductor chip mounted on tab tape |
| JP2005327973A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP2005330356A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| JP4547988B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2010-09-22 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5569576B2 (ja) | 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| CN105308120A (zh) | 树脂组合物、树脂片以及半导体装置的制造方法 | |
| JP5641067B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤 | |
| JPH06232189A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5332799B2 (ja) | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06231614A (ja) | 導電性ペースト | |
| JP3513829B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JP2584424B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0881628A (ja) | 耐熱性導電ペースト | |
| JPH0790244A (ja) | 導電性接着シート | |
| JPS6261336A (ja) | 半導体素子 | |
| JP5830288B2 (ja) | 導電性ペースト及び半導体装置 | |
| JP2005105251A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト | |
| JPH052915A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0794533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002161250A (ja) | 接着フィルム、その製造法、半導体素子と支持部材との接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
| JPH08245765A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH06252293A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02278840A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH02244506A (ja) | 導電性ペースト | |
| JPH0853659A (ja) | 接着剤 | |
| JPH051130A (ja) | 導電性ペースト | |
| JPH01231208A (ja) | 導電性ペースト | |
| JPS59184536A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS63120432A (ja) | 半導体素子 |