JPH062280Y2 - diode - Google Patents
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- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は、素子と樹脂で封止してなるダイオードの改
良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial field of application) The present invention relates to improvement of a diode formed by encapsulating an element and a resin.
（従来の技術） 従来、この種の素子を樹脂でモールドする技術として
は、（Ａ）第３図および実開昭５６−９７５７号公報な
どに示される構造のものが広く使用されている。(Prior Art) Conventionally, as a technique for molding an element of this type with a resin, the structure shown in FIG. 3 (A) and Japanese Utility Model Laid-Open No. 56-9757 is widely used.
第３図において、シリコンペレット１２、リード１３、
１３及びモールド材１４より構成されている。リード１
３の先端には、円板状接続用ヘッダ部１３ａが形成され
ている。この接続用ヘッダ部１３ａ表面は、シリコンペ
レット１２端面にそれぞれ固着され、リード１３、シリ
コンペレット１２が一直線に接続される。前記シリコン
ペレット１２及び接続用ヘッダ部１３ａ，１３ａは、エ
ポキシ樹脂等よりなるモールド材１４に封止され、これ
らが絶縁保護される。モールド材１４は、円柱形状をし
ており、リード１３及びシリコンペレット１２は、モー
ルド材１４の中心軸（第３図紙面左右方向）上に位置し
ている。そして、リード１３、１３は、モールド材１４
の端面１４ａ，１４ａよりそれぞれ外部へ引出されてい
る。In FIG. 3, the silicon pellet 12, the lead 13,
13 and a molding material 14. Lead 1
A disk-shaped connection header portion 13a is formed at the tip of the disk 3. The surface of the connecting header portion 13a is fixed to the end surface of the silicon pellet 12, and the lead 13 and the silicon pellet 12 are connected in a straight line. The silicon pellet 12 and the connecting header portions 13a, 13a are sealed in a molding material 14 made of epoxy resin or the like, and these are insulated and protected. The molding material 14 has a columnar shape, and the leads 13 and the silicon pellets 12 are located on the central axis of the molding material 14 (left-right direction in the plane of FIG. 3). The leads 13 and 13 are formed of the molding material 14
From the end faces 14a, 14a of the respective.
また、前記実開昭５６−９７５７号公報に記載のもの
は、第３図の構成に加えて、前記モールド材の両端面側
に前記ヘッダと電気的に接続した第２のヘッダ部とを備
えてなるものである。In addition, the one disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 56-9757 includes, in addition to the configuration shown in FIG. 3, a second header portion electrically connected to the header on both end surface sides of the molding material. It will be.
さらに、上記樹脂モールドするもののほか、ガラス封止
する技術、例えば、（Ｂ）特公昭５５−１４５３５号公
報が知られている。Further, in addition to the above resin molding, glass sealing technology, for example, (B) Japanese Patent Publication No. 55-14535 is known.
このものは、シリコンペレットを固着しうるヘッダ部と
このヘッダ部より一定距離隔てた位置にヘッダ部より外
形の大きい一対のフランジ部を有し、両フランジ部の間
に、ガラス粉末と蒸溜水を混合した、所謂、スラリーを
滴下巻付けて加熱焼結するものである。This one has a header part to which silicon pellets can be fixed and a pair of flange parts having a larger outer shape than the header part at a position spaced apart from the header part by a certain distance, and glass powder and distilled water are kept between both flange parts. The mixed, so-called slurry is dropped and wound and heated and sintered.
（考案が解決しようとする課題） しかるに、上記従来の技術（Ａ）では、樹脂製のモール
ド材の外表面が外部と直接に接する構成であるため、例
えば、リードを折曲げる時の折曲げ加重や、パーツフィ
ーダ等での搬送途中で外部から衝撃を与えられるなどし
て、モールド材が割れて製品不良となる問題があった。(Problems to be solved by the invention) However, in the above-mentioned conventional technique (A), since the outer surface of the resin-made molding material is in direct contact with the outside, for example, bending load when bending the lead is applied. In addition, there is a problem that the molding material is cracked and a product defect is caused due to an external impact applied during transportation by a parts feeder or the like.
上記、モールド材割れの問題は、例えば、ダイオードに
実装が、リードの曲げと同時に行われる場合に、実装速
度に影響を及ぼしたり、前記問題からリードをモールド
材に接近して曲げないようにすれば、実装密度を高めら
れない不都合があった。The above-mentioned problem of mold material cracking affects, for example, the mounting speed when the diode is mounted at the same time as the bending of the leads, and the problem is that the leads should not be bent close to the molding material. In that case, there is an inconvenience that the packaging density cannot be increased.
さらに、従来（Ｂ）のものでは、一対のフランジ部の間
にガラス粉末と蒸溜水からなるスラリーを摘下するもの
であるから、スラリーが両フランジ部外に流れ出すこと
なく、両フランジ部の間で確実に前記スラリーを巻付け
ることができるものである。したがって、ガラスモール
ド部分は中央のスラリー巻き付け部分で、その外径が両
フランジ部の外径より大径に外方へ突出するとともに、
フランジ部に近付くにつれて、小径（薄く）となるもの
である。Further, in the conventional (B), since the slurry consisting of the glass powder and distilled water is dropped between the pair of flange portions, the slurry does not flow out of the both flange portions, and the gap between the both flange portions is removed. It is possible to reliably wind the slurry. Therefore, the glass mold portion is a slurry winding portion at the center, and the outer diameter thereof projects outward to be larger than the outer diameters of both flange portions,
The diameter becomes smaller (thinner) as it gets closer to the flange.
このような構成のダイオードでは、前記（Ａ）と同様
に、ガラスモールド材の外表面が外部に対して積極的に
突出する構成であるため、例えば、パーツフィーダ等で
の搬送時に外部から衝撃を与えられるなどして、前記モ
ールド材が割れて製品不良となる恐れがある。In the diode having such a configuration, as in the case of (A), since the outer surface of the glass molding material is positively projected to the outside, for example, an impact may be applied from the outside during transportation by a parts feeder or the like. When given, the molding material may be broken, resulting in a defective product.
また、中央部で突出しているものであるから、搬送時
や、実装時には、両フランジ部側に傾くなどして、例え
ばリードがひっかかるなどして曲がりを生じたり、傾い
た状態で実装されるなどの問題がある。特に、ダイオー
ドの長手方向に対して直角方向にころがして搬送する搬
送方法を採用した場合には、中央で突出した箇所の左右
重量のバランスがとれていない時に、所定方向にころが
らず、その部分で搬送つまりが生じ極めて生産効率が低
下する不都合がある。In addition, since it projects at the center, it may tilt toward both flanges during transportation or mounting, causing bending such as leads being caught, or mounting in a tilted state. I have a problem. Especially, when adopting the transport method of rolling by rolling in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the diode, when the left and right weights of the part protruding in the center are not balanced, the part does not roll in the predetermined direction Therefore, there is a disadvantage that the production efficiency is lowered due to transport clogging.
さらに、フランジ部近傍のガラスモールド部分は中央に
比べて薄いものとなるため、この薄い部分での割れが生
じ易くなるなどの問題がある。Further, since the glass mold portion near the flange portion is thinner than the center portion, there is a problem that cracks easily occur in this thin portion.
加えて、この割れを防止するため、フランジ部近傍のガ
ラスモールド部分を熱く構成しようとすると、これに伴
い必要以上にガラスモールド部分の中央部が厚くなり、
回路基板に実装するときに嵩高となるとともに、前述し
た問題がさらに顕著になる不都合がある。In addition, in order to prevent this crack, when trying to configure the glass mold portion near the flange to be hot, the central portion of the glass mold portion becomes thicker than necessary,
There is an inconvenience in that it becomes bulky when mounted on a circuit board, and the above-mentioned problems become more prominent.
本考案は上記問題を解決し、モールド材の割れを防止
し、実装の高速化、高密度化を可能とするダイオードを
提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a diode which solves the above problems, prevents cracking of a molding material, and enables high-speed mounting and high-density mounting.
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するため本考案は、素子と、その素子を
はさんで対向配置された一対の接続用ヘッダ部と、前記
素子と接続用ヘッダ部とを含み樹脂封止する円柱状のモ
ールド材と、前記モールド材の両端面のそれぞれに前記
接続用ヘッダ部と接続する第２のヘッダ部と、該第２の
ヘッダ部から外方に導出するリードとを備えてなるダイ
オードにおいて、前記モールド材の外径が前記第２のヘ
ッダ部の外径を超えることなく略同等とされる一方、前
記第２のヘッダ部がその側面形状をモールド材の側端面
と同形状とするとともに前記モールド材の両側端面と密
着してなるものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention includes an element, a pair of connection header portions that are arranged to face each other with the element interposed therebetween, and the element and the connection header portion. A columnar molding material for resin sealing, a second header portion connected to the connection header portion on each end surface of the molding material, and a lead extending outward from the second header portion. In the diode provided, the outer diameter of the molding material is made substantially equal without exceeding the outer diameter of the second header portion, while the second header portion has its side surface shape as a side end surface of the molding material. It has the same shape and is in close contact with both end surfaces of the molding material.
（作用および効果） 以上のような構成による本考案によれば、第２のヘッダ
部は、その外径ｄ２が前記モールド材の外径ｄ３より大
きくなることなく略同等とされ、その側面形状をモール
ド材の側端面と同形状とするとともに、前記モールド材
の両側端面に密着して設けてなるから、モールド材の割
れによる不良を防止することができる。すなわち、本考
案のダイオードをある平面に置いた場合、その平面に対
しては必ず両ヘッダ部が平面に当接され、モールド材に
過度の衝撃を与えて割れを発生させたりすることを回避
できるものである。例えば、実装を高速化にしても、回
路基板等にモールド材のみが過度の力であたったりする
ことが回避できるものである。(Operation and Effect) According to the present invention having the above-described configuration, the second header portion has an outer diameter d 2 that is substantially the same as the outer diameter d 3 of the molding material, and is substantially the same. Since the shape is the same as the side end surface of the molding material and the both end surfaces of the molding material are closely attached to each other, defects due to cracking of the molding material can be prevented. That is, when the diode of the present invention is placed on a certain plane, it is possible to avoid that both header portions are always brought into contact with the plane and the mold material is subjected to excessive impact and cracked. It is a thing. For example, even if the mounting speed is increased, it is possible to avoid that the molding material alone hits the circuit board or the like with excessive force.
また、例えば、ダイオードの搬送時においては、両ヘッ
ダ部によって常に傾くことなく保持できるため、例え
ば、パーツフィーダで搬送する場合、搬送詰りを生じた
りすることなく、効率よい搬送がおこなえる。Further, for example, when the diode is transported, it can be held by both header portions without being always tilted. Therefore, for example, when the diode is transported by the parts feeder, efficient transportation can be performed without causing transport clogging.
さらに、モールド材の外径をヘッダ部の外径以下にして
いるから、嵩高になったりするなどして、高密度実装を
疎外するようなことも回避できる。Further, since the outer diameter of the molding material is set to be equal to or less than the outer diameter of the header portion, it is possible to avoid the fact that the high-density mounting is alienated due to bulkiness or the like.
（実施例） この考案の一実施例を、第１図及び第２図に基づいて以
下に説明する。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.
この実施例は、本考案を整流ダイオード１に適用したも
のである。２はシリコンペレット（素子）であり、Ｐ形
半導体とＮ形半導体とを接合してなるものである。In this embodiment, the present invention is applied to a rectifier diode 1. A silicon pellet (element) 2 is formed by joining a P-type semiconductor and an N-type semiconductor.
シリコンペレット２には、リード３、３が接続される。
リード３は、先端に円板状の接続用ヘッダ部３ａを一体
に形成してなるものである。このヘッダ部３ａ表面が、
はんだ等の手段により前記シリコンペレット２が一直線
に接続されている。なお、シリコンペレット外周面２ｂ
には、図示しない表面安定剤が塗布される。Leads 3 are connected to the silicon pellet 2.
The lead 3 has a disk-shaped connecting header portion 3a integrally formed at its tip. The surface of this header part 3a is
The silicon pellets 2 are connected in a straight line by means of solder or the like. The outer peripheral surface 2b of the silicon pellet
Is coated with a surface stabilizer (not shown).
前記リード３には、さらに第２のヘッダ部３ｂが設けら
れている。この第２のヘッダ部３ｂは、円板形のフラン
ジ状のもので、前記接続用ヘッダ部３ａより所定の距離
をおいた位置に、前記第２のヘッダ部３ｂから外方に導
出するリード３と一体に形成されるものである。第２の
ヘッダ部３ｂの径ｄ２は、接続用ヘッダ部３ａの径ｄ１
より大きくされている。（ｄ２＞ｄ１）。なお、第２の
ヘッダ部３ｂをリード３と別部材とし、はんだ付け等の
手段でリード３上に固定するようしてもよく、適宜変更
可能である。The lead 3 is further provided with a second header portion 3b. The second header portion 3b is in the form of a disc-shaped flange, and leads 3 extending outward from the second header portion 3b are located at a predetermined distance from the connection header portion 3a. It is formed integrally with. Diameter d 2 of the second header portion 3b, the diameter d 1 of the connecting header 3a
Has been made larger. (D 2 > d 1 ). The second header portion 3b may be a member separate from the lead 3 and may be fixed on the lead 3 by means of soldering or the like, which can be appropriately changed.
前記第２のヘッダ部３ｂ、３ｂが対向して構成される円
柱状の空間Ｓには、エポキシ樹脂よりなるモールド材４
が設けられる。このモールド材４により、シリコンペレ
ット２、接続用ヘッダ部３ａ、３ａ及びリード先端部３
ｃ、３ｃが封止され、これらが絶縁保護される。このモ
ールド材４の径ｄ３は、第２のヘッダ部３ｂの径ｄ２を
超えることなく略同等とされ（ｄ３＝ｄ２）、モールド
材４の端面４ａ、４ａには、第２のヘッダ部３ｂ、３ｂ
がそれぞれ密着している。In the cylindrical space S formed by the second header portions 3b and 3b facing each other, the molding material 4 made of epoxy resin is used.
Is provided. With this molding material 4, the silicon pellet 2, the connecting header portions 3a, 3a, and the lead tip portion 3 are formed.
c and 3c are sealed, and these are insulated and protected. The diameter d 3 of the molding material 4 is substantially equal (d 3 = d 2 ) without exceeding the diameter d 2 of the second header portion 3b, and the end surfaces 4a and 4a of the molding material 4 have a second diameter d2. Header part 3b, 3b
Are in close contact with each other.
この実施例の整流ダイオード１において、リード３を折
り曲げる際にモールド材４に加わる力は、第２のヘッダ
部３ｂにより、モールド材端面４ａに分散される。従っ
て、モールド材４内の端面４ａ近傍に生じる応力の値が
小さくなり、その割れの発生が防止される。In the rectifying diode 1 of this embodiment, the force applied to the molding material 4 when the lead 3 is bent is dispersed by the second header portion 3b to the molding material end surface 4a. Therefore, the value of the stress generated in the vicinity of the end surface 4a in the molding material 4 becomes small, and the occurrence of cracks is prevented.
また、上述のように、モールド材４の割れが防止できる
結果、リード３の折り曲げ時に、従来よりも大きな力を
加えることができる。このため、この整流ダイオード１
は、自動実装器において、より速い速度で回路基板等に
実装することができ（高速化）、また単位時間あたりの
実装数を増やすことができる。（高密度化） さらに、整流ダイオード１においては、シリコンペレッ
ト２における発熱が大きいが、この熱は、リード先端部
３ｃを経てヘッダ部３ｂに伝わり、外気中に放熱性に優
れたものとなる。Further, as described above, since the cracking of the molding material 4 can be prevented, a larger force than before can be applied when the leads 3 are bent. Therefore, this rectifier diode 1
Can be mounted on a circuit board or the like at a higher speed in an automatic mounter (higher speed), and the number of mounted units per unit time can be increased. (Higher Density) Further, in the rectifying diode 1, the silicon pellet 2 generates a large amount of heat, but this heat is transmitted to the header portion 3b via the lead tip portion 3c, and the heat dissipation is excellent in the outside air.
第２図は、第２のヘッダ部３′ｂの径ｄ２をモールド材
４の径ｄ３よりも小さくした場合（ｄ２＜ｄ３、例えば
ｄ２＝ｄ３）を示している。この場合、リード３を折り
曲げるべく外力を加えると、モールド材の端面４ａの近
傍において応力が集中する部位より割れＣが発生する。FIG. 2 shows a case where the diameter d 2 of the second header portion 3′b is made smaller than the diameter d 3 of the molding material 4 (d 2 <d 3 , for example d 2 = d 3 ). In this case, when an external force is applied to bend the lead 3, a crack C is generated from a portion where stress is concentrated near the end surface 4a of the molding material.
従って、第２のヘッダ部３′ｂの表面積が小さくなり、
放熱特性の低下する。Therefore, the surface area of the second header portion 3'b becomes small,
The heat dissipation characteristics are degraded.
一方、図示しないが、第２のヘッダ部３ｂの径ｄ２をモ
ールド部４の径ｄ３よりも大きくした場合（ｄ２＞
ｄ３）には、モールド材４の割れ防止及び放熱特性の向
上の効果は十分得られる。On the other hand, although not shown, when the diameter d 2 of the second header portion 3b is made larger than the diameter d 3 of the mold portion 4 (d 2 >).
In d 3 ), the effects of preventing cracking of the molding material 4 and improving heat dissipation characteristics can be sufficiently obtained.
しかし、整流ダイオード１が大型化し、自動実装機にお
ける取扱等に支障が生じる。従って、第２のヘッダ部３
ｂの径ｄ２をモールド材４の径ｄ３と等しくした場合に
（ｄ２＝ｄ３）、最大の効果が得られる。However, the size of the rectifier diode 1 becomes large, which causes trouble in handling in an automatic mounting machine. Therefore, the second header part 3
The maximum effect is obtained when the diameter d 2 of b is made equal to the diameter d 3 of the molding material 4 (d 2 = d 3 ).
なお、上記実施例は、この考案を整流ダイオードに適用
した場合を示しているが、定電圧ダイオード等、各種ダ
イオードに広く適用可能なものである。Although the above-mentioned embodiment shows the case where the present invention is applied to a rectifying diode, it can be widely applied to various diodes such as a constant voltage diode.
第１図はこの考案の一実施例に係る整流ダイオードの一
部を破断して示す正面図、第２図は、ヘッダ部の径をモ
ールド材より小さくした整流ダイオードの要部断面図、
第３図は、従来の整流ダイオードの一部を破断して示す
正面図である。 ２．．シリコンペレット、３．．リード、３ａ．．接続
用ヘッダ部、３ｂ．．第２のヘッダ部、３ｃ．．先端
部、４．．モールド材、４ａ．．端面1 is a partially cutaway front view of a rectifying diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a main part of a rectifying diode in which a diameter of a header portion is smaller than a molding material,
FIG. 3 is a front view showing a part of a conventional rectifier diode in a cutaway manner. 2. ． Silicon pellet, 3. ． Reed, 3a. ． Connection header part, 3b. ． Second header part, 3c. ． Tip part, 4. ． Mold material, 4a. ． End face
Claims (1)
た一対の接続用ヘッダ部と、前記素子と接続用ヘッダ部
とを含み樹脂封止する円柱状のモールド材と、前記モー
ルド材の両端面のそれぞれに前記接続用ヘッダ部と接続
する第２のヘッダ部と、該第２のヘッダ部から外方に導
出するリードとを備えてなるダイオードにおいて、 前記モールド材の外径が前記第２のヘッダ部の外径を超
えることなく略同等とされる一方、前記第２のヘッダ部
がその側面形状をモールド材の側端面と同形状とすると
ともに前記モールド材の両側端面に密着していることを
特徴とするダイオード。1. An element, a pair of connecting header portions arranged to face each other with the element interposed therebetween, a columnar molding material including the element and the connecting header portion and resin-sealed, and the molding material. A second header part connected to the connection header part on each of both end faces of the diode, and a lead extending outward from the second header part. The second header portion has substantially the same diameter without exceeding its outer diameter, while the second header portion has a side surface having the same shape as a side end surface of the molding material and is in close contact with both end surfaces of the molding material. A diode characterized in that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986146584U JPH062280Y2 (en) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986146584U JPH062280Y2 (en) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351457U JPS6351457U (en) | 1988-04-07 |
| JPH062280Y2 true JPH062280Y2 (en) | 1994-01-19 |
Family
ID=31059183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986146584U Expired - Lifetime JPH062280Y2 (en) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062280Y2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5514535A (en) * | 1978-07-17 | 1980-02-01 | Marantz Japan Inc | Automatic selection system for playing in tape recorder |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP1986146584U patent/JPH062280Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351457U (en) | 1988-04-07 |
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