JPH06224360A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置の多ピン化の要求に対して加工時間
を短くして量産性を向上しかつ高い信頼性が得られると
共に、実装時の取扱いを容易にする。 【構成】インナーリード４ａの先端部分を半導体チップ
２の端子部分まで伸ばして金バンプ７を介して直接この
端子に接続する。モールド部５の内部においてインナー
リード４ａの該端子に至る途中に折り曲げ部４ｃを形成
する。折り曲げ部４ｃはインナーリードの長手方向外方
部分がインナーリードの半導体チップが接続される側に
変位するように形成され、その折り曲げ高さが半導体チ
ップの厚みよりも少し大きくされる。この折り曲げ部４
ｃのばね作用で樹脂モールド時にインナーリード４ａに
作用する曲げや引張力が吸収され、接続部の破断事故を
防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に係わり、特に、四方向からアウターリードを出し
たＱＦＰ（Quad Flat Package ）と呼ばれるプラスチッ
クフラットパッケージ及びその製造方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来のプラスチックフラットパッケージ
は、例えば特開昭６０−８８４４７号公報等に記載のよ
うに、金属製のリードフレーム上に半導体チップを樹脂
モールドで封止しており、ダイパッド上に搭載した半導
体チップの端子とリードフレームのインナーリードは金
線によってワイヤーボンディングされる。

【０００３】一方、リードフレームを用いないプラスチ
ックフラットパッケージとしてはＴＡＢ（Tap Automate
d Bonding ）方式がある。これは、例えば特開平２−６
５１６６号公報等に記載のように、ポリイミドフィルム
の上にＣｕ箔のリードを形成し、このリードと半導体チ
ップの端子とを直接接合し、これらを一体的に樹脂モー
ルドで封止するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の小型
化、高性能化を実現するため、半導体チップの高集積
化、小型化が進行しており、これに伴ってＱＦＰなどの
リードフレームを用いた半導体装置では多ピン化が求め
られている。半導体装置が多ピン化すると、上記従来技
術のようにワイヤーボンディングを行う場合にはワイヤ
ーボンディングの回数（金線の本数）が多くなり、加工
時間が増加して量産性に問題がある。

【０００５】また、半導体装置を多ピン化する場合、当
然リードフレームのリードピッチが狭くなりファインピ
ッチ化する。しかし、リードフレームの加工はプレスな
いしはエッチングで行うのが主流であり、エッチングに
よる場合、リードフレームのファインピッチ化は板厚
０．１５ｍｍの場合においてはインナーリードの先端部
分で０．２ｍｍ程度が限界である。一方、半導体チップ
の高集積化の進行は著しく、端子のピッチが０．０５ｍ
ｍ程度のものが出現している。このような高集積の半導
体チップを用いて半導体装置を製造しようとした場合、
ピッチの差により生じる円周方向長さの違いからリード
フレーム先端と半導体チップとの間隔は広くならざるを
得ず、上記従来技術のようにワイヤーボンディングを行
う場合にはワイヤーボンディング長さ（金線の長さ）が
長くなる。ワイヤーボンディング長さが長くなると、ワ
イヤーボンディングをする際の金線の切断や、樹脂モー
ルド時の金線間の接触等が発生する可能性が増大し、信
頼性が低下する。

【０００６】一方、ＴＡＢ方式の半導体装置は、ポリイ
ミドフィルム上へＣｕ箔のリードを形成しているため、
ファインピッチ化した場合、上記のような加工時間の増
加及び信頼性の低下に対して対応が容易であるが、ＱＦ
Ｐと同様のリフローハンダ付けは今の所できないので、
実装時の取扱いに難がある。

【０００７】本発明の目的は、多ピン化の要求に対して
加工時間を短くして量産性を向上しかつ高い信頼性が得
られると共に、実装時の取扱いが容易な半導体装置及び
その製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体チップの端子をリードフレ
ームのインナーリードに電気的に接続し、これら半導体
チップ及びリードフレームのインナーリードをモールド
部にて一体に封止した半導体装置において、前記リード
フレームのインナーリードはその先端が前記半導体チッ
プの端子部分まで伸びて該端子に接続されると共に、前
記モールド部の内部において前記インナーリードの該端
子に至る途中に折り曲げ部を形成したことを特徴とする
半導体装置が提供される。

【０００９】上記半導体装置において、好ましくは、前
記インナーリードの折り曲げ部は、インナーリードの長
手方向外方部分がインナーリードの前記半導体チップが
接続される側に変位するように形成され、その折り曲げ
高さが半導体チップの厚みよりも少し大きくされてい
る。また好ましくは、この場合、前記インナーリードの
前記折り曲げ部より長手方向外方の部分で、前記半導体
チップが接続される側と反対の面に補強テープが貼り付
けられる。

【００１０】また上記半導体装置において、好ましく
は、前記半導体チップを搭載するダイパッドを更に有
し、前記半導体チップはその回路形成面をダイパッドに
対向させて電気絶縁性の接着剤により固定されており、
前記インナーリードの先端部分は前記ダイパッドとほぼ
同一平面上に位置している。

【００１１】また、上記目的を達成するため、本発明に
よれば、半導体チップの端子をリードフレームのインナ
ーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ及びリ
ードフレームのインナーリードをモールド部にて一体に
封止した半導体装置の製造方法において、一枚の金属板
からインナーリードの先端が連結した状態でリードフレ
ームを形成し、インナーリードの途中に折り曲げ部を形
成した後インナーリードの先端を切り離して個々のイン
ナーリードに分離し、その後、前記インナーリードの先
端に端子が一致するよう半導体チップを配置し、インナ
ーリードの先端と半導体チップの端子と接続し、次いで
これら半導体チップ及びリードフレームのインナーリー
ドをモールドにて一体的に封止することを特徴とする半
導体装置の製造方法が提供される。

【００１２】上記製造方法において、好ましくは、前記
インナーリードの途中に折り曲げ部を形成した後であっ
て前記インナーリードの先端を切り離して個々のインナ
ーリードに分離する前に、前記インナーリードの前記折
り曲げ部より長手方向外方部分で、前記半導体チップが
接続される側と反対の面に補強テープを貼り付ける。

【００１３】

【作用】リードフレームのファインピッチ化を目指した
加工方法として、本件出願人は、エッチングで加工でき
ない微細ピッチのインナーリードの先端部分だけをＹＡ
Ｇレーザで切断し、残りはエッチング及びプレスで事前
または事後に加工する加工方法を提案し、出願している
（特願平４−３１３６１５号：平成４年１１月２４日出
願）。この加工方法により、板厚０．１５ｍｍの素材を
用いインナーリードの先端部分を０．０７ｍｍ程度のピ
ッチまで切断可能となった。しかし、このようなリード
フレームのファインピッチ化が可能となっても、リード
フレーム先端と半導体チップとをワイヤーボンディング
で接続していたのでは、上記の課題は解決されない。本
願発明者等は、このファインピッチ化の技術をベースに
更に検討を加え、インナーリード先端を半導体チップの
端子に直接接続することを考えた。

【００１４】すなわち、本発明では、上記微細加工の技
術により微細ピッチに加工したインナーリードの先端を
半導体チップの端子近傍まで伸ばし、その先端を該端子
に直接接合することで、ワイヤーボンディングによらず
にインナーリードと半導体チップを電気的に接続する。
これにより、インナーリードと半導体チップとを金バン
プを用いて一括で接続できるので、加工時間が短縮す
る。また、ワイヤーボンディングを用いないので、リー
ドピッチをファインピッチ化してもワイヤーボンディン
グの際の金線の切断や、樹脂モールド時の金線間の接触
等が発生する問題は起こらない。更に、リードフレーム
を用いているので、従来のＱＦＰと同様にリフローハン
ダ付けによる実装が可能である。

【００１５】また、インナーリード先端を半導体チップ
の端子に直接接続する場合、接続した後にモールドする
際に、モールド材の流動、硬化収縮によってリードに曲
げや引張力が作用する。これによって、チップ端子とリ
ードフレームとの接続部に過大な力が作用して、当該接
続部が剥離する事故が発生する。本願発明者等はその原
因を種々検討した結果、ワイヤーボンディングの金線の
場合は、金線にたるみがあってこれによって変形が吸収
されるのに対して、インナーリード先端を半導体チップ
の端子に直接接続する場合は、リードフレームが平板を
切り取った形で使用され、変形を吸収する能力が小さい
からであることが分かった。本発明はこの点にも対応し
ており、モールド部の内部においてインナーリードのチ
ップ端子に至る途中に折り曲げ部を形成することによ
り、この折り曲げ部がモールド時にインナーリードに作
用する曲げや引張力を吸収し、接続部の破断事故を防止
する。これにより、半導体装置の信頼性が著しく高めら
れる。

【００１６】また、リードフレームが半導体チップの部
分まで伸びているので、モールド部内でのリードの差込
み量が長くなり、アウターリードのモールド部に対する
取付け強度が増大するという作用も得られる。

【００１７】インナーリードの折り曲げ部を、インナー
リードの長手方向外方部分がインナーリードの半導体チ
ップが接続される側に変位するように形成し、その折り
曲げ高さを半導体チップの厚みよりも少し大きくするこ
とにより、折り曲げ部に上記変形の吸収作用を与えつ
つ、モールド部の板厚の増加を最少にし、半導体装置の
薄型化を達成できる。

【００１８】インナーリードに補強テープを貼り付ける
ことにより、リードフレーム先端とチップ端子との接続
時及びモールド時のインナーリードの位置ずれが防止さ
れ、補強テープの貼る位置をインナーリードの折り曲げ
部より長手方向外方の部分で、半導体チップが接続され
る側と反対の面にすることにより、モールド部の高さを
増加させないで補強テープを貼ることができ、それゆえ
半導体装置の薄型化に有効である。

【００１９】半導体チップを搭載するダイパッドを更に
有し、半導体チップの回路形成面をダイパッドに対向し
て半導体チップをダイパッド上に固定することにより、
リードフレーム及びダイパッドが半導体チップを介して
モールド部全体を貫通した構造となり、半導体装置の曲
げ剛性が増大する。また、インナーリードの先端部分を
ダイパッドとほぼ同一平面上に位置させることにより、
モールド部の高さを増加させないで当該構造を得ること
ができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の一実施例による半導体装置を
図１及び図２により説明する。本実施例はＱＦＰ（Quad
Flat Package ）と呼ばれるフラットプラスチックパッ
ケージに本発明を適用した例である。

【００２１】図１及び図２において、本実施例の半導体
装置１は半導体チップ２と、半導体チップ２の端子に電
気的に接続されたインナーリード４ａを有するリードフ
レーム４と、インナーリード４ａに貼り付けられた電気
絶縁性で耐熱性の補強テープ８と、これら半導体チップ
２、リードフレーム４のインナーリード４ａ及び補強テ
ープ８を一体的に封止した樹脂モールド部５とで構成さ
れている。リードフレーム４の樹脂モールド部５の外側
に突出したアウターリード４ｂの部分は下方に曲げ成形
されている。

【００２２】リードフレーム４のインナーリード４ａは
その先端が半導体チップ２の端子部分まで伸びて該端子
に金バンプ７により電気的に接続されると共に、モール
ド部５の内部においてインナーリード４の該端子に至る
途中に折り曲げ部４ｃが形成されている。この折り曲げ
部４ｃは、インナーリード４ａの長手方向外方部分４ｄ
がインナーリードの半導体チップ２が接続される側、す
なわち図１で見て下側に変位するように形成され、その
折り曲げ高さは半導体チップ２の厚みよりも少し大きい
程度となっている。補強テープ８は、インナーリード４
ａの折り曲げ部４ｃより長手方向外方の部分で、半導体
チップ２が接続される側と反対の面に貼り付けられてい
る。また、インナーリード４ａの内方部分は図２に示す
ように放射状に配置され、かつその部分の幅は半導体チ
ップ２に近づくにしたがって次第に狭くなっている。

【００２３】以上のように構成した半導体装置１におい
ては、インナーリード４ａの先端を半導体チップ２の端
子近傍まで伸ばし、その先端を該端子に直接接合すると
共に、樹脂モールド部５の内部においてインナーリード
４ａのチップ端子に至る途中に折り曲げ部４ｃを形成
し、更にインナーリード４ａに補強テープ８を貼り付け
たので、加工時間が短縮し、半導体装置の製造工程が簡
素化されると共に、半導体装置の製造工程での破断事故
の防止や位置決め精度の向上等が図れ、半導体装置の信
頼性が著しく高められる。なお、これら製造工程に係わ
る効果については、製造方法の実施例とともに後述す
る。

【００２４】また、本実施例の半導体装置はリードフレ
ーム４を用いているので、従来のＱＦＰと同様にリフロ
ーハンダ付けによる実装が可能であり、ＴＡＢ（Tap Au
tomated Bonding ）方式の半導体装置に比べ実装時の取
扱いが極めて容易である。

【００２５】また、リードフレーム４が半導体チップ２
の部分まで伸びているので、樹脂モールド部５内でのリ
ードの差込み量が長くなり、アウターリード４ｂの樹脂
モールド５に対する取付け強度が増大する。このため、
アウターリード４ｂの曲げ成形に際してアウターリード
４ｂが樹脂モールド部５から抜けたり、樹脂モールド部
５が剥がれたりする可能性が小さくなる。

【００２６】更に、インナーリード４ａの折り曲げ部４
ｃは、インナーリードの長手方向外方部分４ｄがインナ
ーリードの半導体チップが接続される側に変位するよう
に形成され、その折り曲げ高さを半導体チップ２の厚み
よりも少し大きい程度としているので、折り曲げ部４ｃ
に変形の吸収作用（後述）を与えつつ、樹脂モールド部
５の板厚の増加を最少に押さえ、半導体装置１の薄型化
を達成できる。

【００２７】また、補強テープ８の貼る位置をインナー
リード４ａの折り曲げ部４ｃより長手方向外方の部分
で、半導体チップ２が接続される側と反対の面にしたの
で、樹脂モールド部５の高さを増加させないで補強テー
プ８を貼ることができ、半導体装置１の薄型化に有効な
構造となる。

【００２８】次に、上述した半導体装置１の製造方法の
一実施例を図３〜図５により説明する。まず、ステップ
１００において、例えば鋼、銅合金，４２アロイ、コバ
ール等の金属板をレベラーにかけ、所定厚さに加工す
る。次にステップ１０１において、その金属板を加工
し、リードフレーム４と、リードフレーム４のリードを
製造途中に支持するためのダムバー１０及びガイド穴１
２を有する周辺枠材１１とを形成する。このとき、リー
ドフレーム４のインナーリード４ａは、その先端が搭載
される半導体チップ２の端子部分まで伸びる長さに成形
し、しかもインナーリード４ａの先端が連結した状態で
形成する。また、インナーリード４ａの先端部分のピッ
チは金属板の板厚が０．１５ｍｍの場合で０．０７ｍｍ
程度とする。インナーリード４ａの先端部分をこのよう
な長さ及び微細ピッチとすることにより、高集積化され
微細ピッチを持つ半導体チップの端子にインナーリード
４ａを直接接続することが可能となる。このような微細
ピッチを持つリードフレーム４の加工は、先に述べた先
願発明の加工方法によって実現可能である。次に、上記
のように加工した金属板の全面にハンダメッキ処理を施
す。

【００２９】次に、ステップ１０２において、金型プレ
スを用いてインナーリード４ａの途中に折り曲げ部４ｃ
を形成した後、インナーリード４ａの折り曲げ部４ｃよ
り長手方向外方の部分でかつ半導体チップ２が接続され
る側と反対の面に補強テープ８を貼り付ける（図１参
照）。次いで、ステップ１０４においてインナーリード
４ａの先端部分を切り離して個々のインナーリード４ａ
に分離する。このようにすれば、インナーリードの先端
部分が切り離される前はその部分でインナーリードの位
置ずれが防止され、補強テープ８が貼り付けられた後は
その補強テープでインナーリードの位置ずれが防止され
る。補強テープ８が張り付けられ、インナーリード４ａ
の先端部分が切り離された状態を図４に示す。

【００３０】次にステップ１０５において、半導体チッ
プ２の端子に金バンプを配置する。なお、半導体チップ
２の回路形成面には予め電気絶縁性の保護膜を形成して
おくことが好ましい。

【００３１】次にステップ１０６において、インナーリ
ード４ａの先端が半導体チップ２の端子に配置された金
バンプに一致するよう半導体チップをインナーリード４
ａの先端部分に搭載し、ステップ１０７において、イン
ナーリード４ａの先端部分に高温に加熱したコテを押し
当てることで熱と圧力を加え、インナーリード４ａの先
端と半導体チップ２の端子を金バンプを介して電気的に
接続する。この接続が完了した状態を図５に示す。

【００３２】次にステップ１０８において、上記のよう
に接続された半導体チップ２及びリードフレーム４のイ
ンナーリード４ａを樹脂モールドにて一体的に封止し、
樹脂モールド部５を形成する。

【００３３】次にステップ１０９において、ダムバー１
０及び周辺枠材１１を切除し、半導体チップ２とリード
フレーム４との接続を検査し、ステップ１１０におい
て、アウターリード４ｂを折り曲げ成形し、製品番号や
製造番号等をマーキングし、最後にステップ１１１にお
いて製品の検査をし、包装して出荷する。

【００３４】以上の半導体装置１の製造方法において
は、インナーリード４ａとチップ端子との接続は金バン
プを介して直接行われ、ワイヤーボンディングは実施し
ない。したがって、インナーリード４ａと半導体チップ
２とを一括で接続できるので、加工時間が短縮し、半導
体装置の製造工程が大幅に簡素化され量産性が向上す
る。また、ワイヤーボンディングの際の金線の切断や、
樹脂モールド時の金線間の接触等が発生する問題は起こ
らない。

【００３５】また、インナーリード先端を半導体チップ
２の端子に直接接続する場合、接続した後に樹脂モール
ドする際に、モールド材の流動、硬化収縮によってリー
ドに曲げや引張力が作用し、チップ端子との接続部が剥
離する事故が発生する恐れがある。本実施例では、樹脂
モールド部５の内部においてインナーリード４ａのチッ
プ端子に至る途中に折り曲げ部４ｃを形成したので、こ
の折り曲げ部４ｃのばね作用でモールド時にインナーリ
ード４ａに作用する曲げや引張力が吸収され、接続部の
破断事故が防止される。これにより、半導体装置の信頼
性が著しく高められる。

【００３６】また、インナーリード４ａに補強テープ８
を貼り付けたので、リードフレーム先端とチップ端子と
の接続時及び樹脂モールド時のインナーリードの位置ず
れが防止される。更に、補強テープ８を張り付ける前は
インナーリード４ａの先端部分を連結した状態としてお
くので、同様にリードフレームの位置ずれが防止され、
折り曲げ部４ｃの成形工程においても精度よく折り曲げ
部を形成できる。

【００３７】本発明の他の実施例を図６により説明す
る。本実施例においては、半導体装置１Ａはダイパッド
３を更に有し、半導体チップ２はその回路形成面をダイ
パッド３に対向させてこのダイパッドに熱硬化性の接着
剤６により接合されている。インナーリード４ａの先端
部分はダイパッド３とほぼ同一平面上に位置している。
このダイパッド３は図３に示す製造工程においてステッ
プ１０１のリードフレームの加工時に同時に同じ金属板
から形成される。ダイパッド３と半導体チップ２との接
着剤６による接合は、インナーリード先端と半導体チッ
プ２の端子との接続の前に独立して行ってもよいが、製
造工程数の低減及び熱履歴の軽減の観点から当該接続工
程と同時に行うことが好ましい。これは、ダイパッド３
とインナーリード４ａの先端部分の両方に高温に加熱し
たコテを同時に押し当て、熱と圧力を加えることで達成
できる。その他の構成及び製造工程は図１及び図２に示
す実施例と同じである。

【００３８】以上のように構成した本実施例において
は、半導体チップ２をダイパッド３上に搭載し、半導体
チップ２の回路形成面をダイパッドに対向して接合する
ことにより、リードフレーム４及びダイパッド３が半導
体チップ２を介してモールド部全体を貫通した構造とな
り、これらリードフレーム４及びダイパッド３が補強部
材として機能し、半導体装置の曲げ剛性が増大する。ま
た、インナーリード４ａの先端部分をダイパッド３とほ
ぼ同一平面上に位置するので、樹脂モールド部５の高さ
は増加させる必要がなく、半導体装置の薄型化に有利な
構造となる。

【００３９】更に、半導体チップ２の回路形成面が金属
製のダイパッド３に対面しているので、このダイパッド
３を利用して種々の機能を付加することができる。例え
ば、接着剤６に良熱伝導性のものを用いれば、回路形成
面で発生した熱は速やかにダイパッドに熱伝導し、ダイ
パッドからモールド部５やリードフレーム４などを介し
て周囲環境に放散するので、放熱性に優れた半導体装置
を提供することができる。また、ダイパッド３をアース
することにより浮游容量を低減することができる。更
に、電磁シールド性に優れた材料でダイパッド３を作る
ことにより、ダイパッド３を磁気シールドまたは電気シ
ールドとして用いることができ、磁気ノイズ、電気ノイ
ズの影響を受けにくい構造となり、耐環境性が向上す
る。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、多ピン化の要求に対し
て加工時間を短くして量産性を向上しかつ高い信頼性を
保てると共に、リードフレームを用いているのでリフロ
ーハンダ付けによる実装が可能であり、実装時の取扱い
が極めて容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。

【図２】図１に示す半導体装置の樹脂モールド部を除去
して示す平面図である。

【図３】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の製造工程を示す図である。

【図４】図３に示す製造工程において、リードフレーム
に補強テープを貼り付けた後の金属板の平面図である。

【図５】図３に示す製造工程において、インナーリード
に半導体チップを接続した状態を示す平面図である。

【図６】本発明の他の実施例による半導体装置の断面図
である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ 半導体チップ ３ ダイパッド ４ リードフレーム ４ａ インナーリード ４ｂ アウターリード ４ｃ 折り曲げ部 ５ 樹脂モールド部 ６ 接着剤 ７ 金バンプ ８ 補強テープ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップの端子をリードフレームの
   インナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ
   及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて
   一体に封止した半導体装置において、 前記リードフレームのインナーリードはその先端が前記
   半導体チップの端子部分まで伸びて該端子に接続される
   と共に、前記モールド部の内部において前記インナーリ
   ードの該端子に至る途中に折り曲げ部を形成したことを
   特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
   記インナーリードの折り曲げ部は、インナーリードの長
   手方向外方部分がインナーリードの前記半導体チップが
   接続される側に変位するように形成され、その折り曲げ
   高さが半導体チップの厚みよりも少し大きいことを特徴
   とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、前
   記インナーリードの前記折り曲げ部より長手方向外方の
   部分で、前記半導体チップが接続される側と反対の面に
   補強テープを貼り付けることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、前
   記半導体チップを搭載するダイパッドを更に有し、前記
   半導体チップはその回路形成面をダイパッドに対向させ
   て電気絶縁性の接着剤により固定されており、前記イン
   ナーリードの先端部分は前記ダイパッドとほぼ同一平面
   上に位置していることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 半導体チップの端子をリードフレームの
   インナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ
   及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて
   一体に封止した半導体装置の製造方法において、 一枚の金属板からインナーリードの先端が連結した状態
   でリードフレームを形成し、インナーリードの途中に折
   り曲げ部を形成した後インナーリードの先端を切り離し
   て個々のインナーリードに分離し、その後、前記インナ
   ーリードの先端に端子が一致するよう半導体チップを配
   置し、インナーリードの先端と半導体チップの端子と接
   続し、次いでこれら半導体チップ及びリードフレームの
   インナーリードをモールドにて一体的に封止することを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、前記インナーリードの途中に折り曲げ部を形成
   した後であって前記インナーリードの先端を切り離して
   個々のインナーリードに分離する前に、前記インナーリ
   ードの前記折り曲げ部より長手方向外方部分で、前記半
   導体チップが接続される側と反対の面に補強テープを貼
   り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。