JPH06223737A - Color cathode-ray tube device - Google Patents

Color cathode-ray tube device

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Publication number
JPH06223737A
JPH06223737A JP870193A JP870193A JPH06223737A JP H06223737 A JPH06223737 A JP H06223737A JP 870193 A JP870193 A JP 870193A JP 870193 A JP870193 A JP 870193A JP H06223737 A JPH06223737 A JP H06223737A
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JP
Japan
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grid
electron beam
grids
electron
beam passage
Prior art date
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Pending
Application number
JP870193A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Shimaougi
利雄 島扇
Osamu Ono
修 小野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP870193A priority Critical patent/JPH06223737A/en
Publication of JPH06223737A publication Critical patent/JPH06223737A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a high resolution along the whole area of a phosphor screen with a low dynamic voltage, by forming the electron beam passage hole of the second electrode element of the fourth grid in an elliptical hole smaller than the diameter of the electron beam passage holes of the first and the third elements and the third and the fifth grids. CONSTITUTION:At least to the grids G3 and G5, of an electrode which consists of the first to the sixth grids (G1 to G6) of an electron gun 26 to release three electron beams 25B, 25G, and 25R, circular electron beam passage holes are formed. The grid 4 consists of the first to the third electrode elements (G41 to G43), and a dynamic voltage is applied to the grids G41 and G43, while a constant voltage is applied to the grid G42. Circular electron beam passage holes are formed to the grids G41 and G43, while an elliptical electron beam passage hole in which the direction orthogonal to the alignment of the three electron beams is made as the long axis, and the passage hole diameter of the three electron beams is made smaller than the electron beam passage holes of the grids G41 and G43, and G3 and G5 is formed to the grid G42.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、カラー陰極線管装置
に係り、特に一列配置の3電子ビームを放出するカラー
陰極線管の偏向収差を補正して、蛍光体スクリーンの全
域にわたり高解像度が得られる電子銃を備えるカラー陰
極線管装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color cathode ray tube device, and more particularly, it corrects the deflection aberration of a color cathode ray tube which emits three electron beams arranged in a row to obtain a high resolution over the entire phosphor screen. The present invention relates to a color cathode ray tube device equipped with an electron gun.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にカラー陰極線管装置は、図8に示
すように、パネル1 の内面に形成された3色蛍光体層か
らなる蛍光体スクリーン2 に対向して、その内側にシャ
ドウマスク3 が配置され、ファンネル4 のネック5 内に
配置された電子銃6 から放出される3電子ビーム7B,7
G,7Rをファンネル4 の外側に装着された偏向装置8 の
発生する水平、垂直偏向磁界により偏向し、上記シャド
ウマスク3 を介して蛍光体スクリーン2 を水平、垂直走
査することにより、カラー画像を再生する構造に形成さ
れている。
2. Description of the Related Art Generally, in a color cathode ray tube device, as shown in FIG. 8, a shadow mask 3 is provided inside a panel 1 so as to face a phosphor screen 2 consisting of a three-color phosphor layer formed on the inner surface of the panel 1. 3 electron beams 7B, 7 emitted from an electron gun 6 arranged and arranged in the neck 5 of the funnel 4.
G and 7R are deflected by the horizontal and vertical deflection magnetic fields generated by the deflection device 8 mounted on the outside of the funnel 4, and the phosphor screen 2 is horizontally and vertically scanned through the shadow mask 3 to produce a color image. It is formed into a structure for reproduction.

【0003】このようなカラー陰極線管装置において、
特に電子銃6 を同一水平面上を通る一列配置の3電子ビ
ーム7B,7G,7Rを放出するインライン型電子銃とし、一
方、図9(a)および(b)に示すように、偏向装置の
発生する水平偏向磁界10H をピンクッション形、垂直偏
向磁界10V をバレル形として、上記一列配置の3電子ビ
ーム7B,7G,7Rを自己集中するようにしたセルフコンバ
ーゼンス・インライン型カラー陰極線管装置が、現在の
カラー陰極線管装置の主流となっている。
In such a color cathode ray tube device,
In particular, the electron gun 6 is an in-line type electron gun that emits three electron beams 7B, 7G, 7R arranged in a row passing through the same horizontal plane, while the deflection device is generated as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b). A self-convergence in-line type color cathode ray tube device that uses a pin-cushion type horizontal deflection magnetic field 10H and a barrel type vertical deflection magnetic field 10V to concentrate the three electron beams 7B, 7G, 7R arranged in a row is now available. Has become the mainstream of color cathode ray tube devices.

【0004】ところで、このセルフコンバーゼンス・イ
ンライン型カラー陰極線管装置の問題点として、電子ビ
ーム7B,7G,7Rを蛍光体スクリーンの中央部から周辺部
に偏向した場合、偏向収差のために蛍光体スクリーンの
周辺部でビームスポットが大きくなり、解像度が劣化す
るという問題がある。
By the way, as a problem of this self-convergence in-line type color cathode ray tube device, when the electron beams 7B, 7G, and 7R are deflected from the central portion to the peripheral portion of the phosphor screen, the phosphor screen is deflected due to deflection aberration. However, there is a problem that the beam spot becomes large in the peripheral portion and the resolution deteriorates.

【0005】この解像度劣化の原因となる偏向収差に
は、つぎの2つの偏向収差がある。
The following two deflection aberrations are the deflection aberrations that cause the deterioration of resolution.

【0006】その1つは、電子銃から蛍光体スクリーン
までの距離が電子ビームの偏向の増大にともなって長く
なるため、蛍光体スクリーンの中央部で径小かつ真円の
ビームスポットが得られるようにフォーカス電圧を設定
したとしても、蛍光体スクリーンの周辺部では、電子ビ
ームがオーバーフォーカス状態となることが原因で生ず
る偏向収差(第1偏向収差)である。
One of them is that the distance from the electron gun to the phosphor screen becomes longer as the deflection of the electron beam increases, so that a beam spot with a small diameter and a perfect circle can be obtained at the center of the phosphor screen. Even if the focus voltage is set to 1, the deflection aberration (first deflection aberration) occurs due to the electron beam being in the overfocus state in the peripheral portion of the phosphor screen.

【0007】他の1つは、偏向磁界の非斉一性により生
ずる偏向収差(第2偏向収差)である。すなわち、セル
フコンバーゼンス・インライン型カラー陰極線管装置
は、図9に示したように、水平偏向磁界10H をピンクッ
ション形、垂直偏向磁界10Vをバレル形とする非斉一偏
向磁界により3電子ビーム7B,7G,7Rを蛍光体スクリー
ン上に集中させている。そのため、この非斉一偏向磁界
を通過したのちの各電子ビーム7B,7G,7Rは、水平方向
に発散作用、垂直方向に集束作用を受け、アンダーフォ
ーカス状態では、水平方向を長軸とする楕円状に偏平化
し、蛍光体スクリーン周辺部では、ビームスポットが非
円形に歪んだ形状となる。その結果、図10に示すよう
に、蛍光体スクリーン2 の中央部のビームスポット12a
を真円としても、周辺部のビームスポット12b は、高輝
度のコア部13と垂直方向に延びる低輝度のハロー部14と
からなる非円形状に歪み、蛍光体スクリーン2 周辺部の
解像度をいちじるしく劣化させる。
The other one is a deflection aberration (second deflection aberration) caused by the nonuniformity of the deflection magnetic field. That is, as shown in FIG. 9, the self-convergence in-line type color cathode ray tube apparatus uses three electron beams 7B and 7G by a non-uniform deflection magnetic field in which the horizontal deflection magnetic field 10H is a pincushion type and the vertical deflection magnetic field 10V is a barrel type. , 7R are concentrated on the phosphor screen. Therefore, the electron beams 7B, 7G, and 7R that have passed through the non-uniform deflection magnetic field are horizontally diverged and vertically converged, and in the underfocus state, they are elliptical with the major axis in the horizontal direction. The beam spot becomes non-circularly distorted in the peripheral portion of the phosphor screen. As a result, as shown in FIG. 10, the beam spot 12a in the central portion of the phosphor screen 2 is
Even if is a perfect circle, the peripheral beam spot 12b is distorted into a non-circular shape composed of a high-luminance core portion 13 and a low-luminance halo portion 14 extending in the vertical direction, and the resolution of the peripheral portion of the phosphor screen 2 is significantly different. Deteriorate.

【0008】この蛍光体スクリーン2 の周辺部の解像度
を劣化させるビームスポット12b の形状を補正する手段
として、特開昭63−14725号公報には、図11に
示すように、電子銃を、一列配置の3個のカソードK お
よびこのカソードK に順次隣接して蛍光体スクリーン方
向に配置された第1乃至第6グリッドG1〜G6からなるク
ォドラポテンシャル型電子銃とし、その第4グリッドG4
を第3グリッドG3から第5グリッドG5方向に順次配置さ
れた第1、第2、第3電極素子G41 ,G42 ,G43 に分割
し、図12に示すように、その第1および第3電極素子
G41 ,G43 に、3個のカソードK に対応して3個の円形
電子ビーム通過孔16,17を形成し、第2電極素子G42
に、3個のカソードK の配列方向すなわち3電子ビーム
の配列方向と直交する方向に長い縦長のスリットと円形
電子ビーム通過孔とを重ね合わせた形状の電子ビーム通
過孔18を形成したものが示されている。
As a means for correcting the shape of the beam spot 12b which deteriorates the resolution of the peripheral portion of the phosphor screen 2, Japanese Patent Laid-Open No. 63-14725 discloses an electron gun in a row as shown in FIG. A quadrapotential type electron gun consisting of three cathodes K arranged and the first to sixth grids G1 to G6 arranged in the direction of the phosphor screen sequentially adjacent to the cathode K, and the fourth grid G4
Is divided into first, second, and third electrode elements G41, G42, and G43 sequentially arranged in the direction from the third grid G3 to the fifth grid G5, and as shown in FIG. 12, the first and third electrode elements are divided.
Three circular electron beam passage holes 16 and 17 are formed in G41 and G43 corresponding to the three cathodes K, and the second electrode element G42 is formed.
In the figure, an electron beam passage hole 18 having a shape in which a long longitudinal slit and a circular electron beam passage hole are superposed is formed in the arrangement direction of the three cathodes K, that is, in the direction orthogonal to the arrangement direction of the three electron beams. Has been done.

【0009】この電子銃では、その第4グリッドG4の第
2電極素子G42 に第2グリッドG2と同じ電圧Vg2が印加
され、第1および第3電極素子G41 ,G43 に電子ビーム
の偏向の増大にともなって増大するダイナミック電圧V
g4、すなわち偏向電流が零のときの電圧を基準電圧Vg4
0 として、偏向電流の増大にともなってVg40 から徐々
に増大する電圧が印加される。
In this electron gun, the same voltage Vg2 as that of the second grid G2 is applied to the second electrode element G42 of the fourth grid G4 to increase the deflection of the electron beam to the first and third electrode elements G41 and G43. Dynamic voltage V that increases with
g4, that is, the voltage when the deflection current is zero is the reference voltage Vg4
A voltage gradually increasing from Vg40 is applied as the deflection current increases.

【0010】このような電圧の印加により、この電子銃
では、電子ビームが偏向される場合は、第4グリッドG4
の3個の電極素子G41 ,G42 ,G43 間に非回転対称レン
ズが形成され、偏向磁界の非斉一性に起因する第2偏向
収差を補正する。さらに第1、第3電極素子G41 ,G43
に印加されるダイナミック電圧Vg4の上昇にともなっ
て、第3、第5グリッドG3,G5間に形成されるサブレン
ズ(UPFレンズ)の強度が弱まり、第5グリッドG5に
印加される集束電圧Vf が一定の場合、第5、第6グリ
ッドG5,G6間に形成される主レンズ(BPFレンズ)と
上記サブレンズとからなる主レンズ系全体の強度が弱ま
り、第1偏向収差も補正する。その結果、蛍光体スクリ
ーン周辺部の偏向収差を補正してビームスポットを小さ
くすることができる。
In this electron gun, when the electron beam is deflected by applying such a voltage, the fourth grid G4
A non-rotationally symmetric lens is formed between the three electrode elements G41, G42, G43 to correct the second deflection aberration caused by the inhomogeneity of the deflection magnetic field. Furthermore, the first and third electrode elements G41, G43
As the dynamic voltage Vg4 applied to the second grid G5 increases, the intensity of the sub-lens (UPF lens) formed between the third and fifth grids G3 and G5 weakens, and the focusing voltage Vf applied to the fifth grid G5 decreases. When the distance is constant, the strength of the entire main lens system including the main lens (BPF lens) formed between the fifth and sixth grids G5 and G6 and the sub-lens is weakened, and the first deflection aberration is also corrected. As a result, it is possible to correct the deflection aberration in the peripheral portion of the phosphor screen and reduce the beam spot.

【0011】しかしこの電子銃においては、第4グリッ
ドG4の第2電極素子G42 に縦長のスリットをもつ電子ビ
ーム通過孔が形成されているため、第4グリッドG4の各
電極素子G41 ,G42 ,G43 に同一の電圧を印加しても、
第3グリッドG3および第5グリッドG5から浸透する電界
により非回転対称レンズが形成され、これを通過する電
子ビームを縦長にする作用をもつ。したがって電子ビー
ムを偏向しないときは、この作用をなくすことが必要と
なり、そのために、第1、第3電極素子G41 ,G43 に印
加する電圧Vg40 を第2電極素子G42 に印加する電圧V
g2よりも低くしなければならない。この場合、第3、第
5グリッドG3,G5間に形成されるサブレンズが必要以上
に強くなり、主レンズ系の倍率が不適当に大きくなる。
その結果、蛍光体スクリーン上のビームスポットが大き
くなる。
However, in this electron gun, since the electron beam passage hole having the vertically long slit is formed in the second electrode element G42 of the fourth grid G4, each electrode element G41, G42, G43 of the fourth grid G4 is formed. Even if the same voltage is applied to
A non-rotationally symmetric lens is formed by the electric field penetrating from the third grid G3 and the fifth grid G5, and has the effect of making the electron beam passing through this lens vertically long. Therefore, when the electron beam is not deflected, it is necessary to eliminate this effect. Therefore, the voltage Vg40 applied to the first and third electrode elements G41 and G43 is the voltage Vg applied to the second electrode element G42.
Must be lower than g2. In this case, the sub-lens formed between the third and fifth grids G3 and G5 becomes stronger than necessary, and the magnification of the main lens system becomes inappropriately large.
As a result, the beam spot on the phosphor screen becomes large.

【0012】その対策として、この電子銃については、
さらに図13に示すように、第1、第3電極素子G41 ,
G43 の電子ビーム通過孔16,17を、3電子ビームの配列
方向に長い横長のスリットと円形電子ビーム通過孔とを
重ね合せた形状にしたものが示されている(第1電極素
子G41 についてのみ図示)。この場合は、電子ビームを
偏向しないとき、第1、第3電極素子G41 ,G43 に印加
する電圧Vg40 を第2電極素子G42 に印加する電圧Vg2
と同じにすることができる。しかし第1、第3電極素子
G41 ,G43 の電子ビーム通過孔16,17の水平方向の径が
大きくなるため、ダイナミック電圧の印加による第3、
第5グリッドG3,G5間のサブレンズの補正作用が弱ま
り、不十分となる。したがって偏向収差を補正する上に
必要なダイナミック電圧が高くなり、陰極線管の耐電圧
に対する信頼性が問題となる。またダイナミック電圧発
生回路のコストアップをまねく。
As a countermeasure, the electron gun is
Further, as shown in FIG. 13, the first and third electrode elements G41,
It is shown that the electron beam passage holes 16 and 17 of G43 have a shape in which a laterally long slit long in the arrangement direction of three electron beams and a circular electron beam passage hole are overlapped (only for the first electrode element G41). (Shown). In this case, when the electron beam is not deflected, the voltage Vg40 applied to the first and third electrode elements G41 and G43 is the voltage Vg2 applied to the second electrode element G42.
Can be the same as However, the first and third electrode elements
Since the diameters of the electron beam passage holes 16 and 17 of G41 and G43 in the horizontal direction become large, the third by applying a dynamic voltage,
The correction effect of the sub lens between the fifth grids G3 and G5 is weakened and becomes insufficient. Therefore, the dynamic voltage required to correct the deflection aberration becomes high, and the reliability of the withstand voltage of the cathode ray tube becomes a problem. Also, this increases the cost of the dynamic voltage generation circuit.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、一列配
置の3電子ビームを放出する電子銃を有し、その3電子
ビームを偏向装置の発生する非斉一磁界により蛍光体ス
クリーン上に集中するセルフコンバーゼンス・インライ
ン型カラー陰極線管装置については、偏向収差のため
に、蛍光体スクリーンの周辺部のビームスポットが大き
くなり、解像度が劣化するという問題がある。このセル
フコンバーゼンス・インライン型カラー陰極線管装置の
問題を解決して、蛍光体スクリーン全域にわたり解像度
を良好にするため、電子銃をカソードおよび第1乃至第
6グリッドからなるクォドラポテンシャル型とし、かつ
その第4グリッドを3個の電極素子(第1乃至第3電極
素子)に分割し、その中間に位置する第2電極素子に第
2グリッドと同じ電圧Vg2を印加し、第3グリッドおよ
び第5グリッド側に位置する第1、第3電極素子に電子
ビームの偏向の増大にともなって増大するダイナミック
電圧を印加するようにしたカラー陰極線管装置がある。
このカラー陰極線管装置の電子銃では、第4グリッドの
分割された3個の電極素子のうち、第1、第3電極素子
には、円形電子ビーム通過孔が形成され、第2電極素子
には、3電子ビームの配列方向と直交する方向に長い縦
長のスリットと円形電子ビーム通過孔とを重ね合わせた
形状の電子ビーム通過孔、あるいは第1、第3電極素子
の電子ビーム通過孔を3電子ビームの配列方向に長い横
長のスリットと円形電子ビーム通過孔とを重ね合わせた
形状に形成されている。
As described above, the electron gun for emitting three electron beams arranged in a row is provided, and the three electron beams are concentrated on the phosphor screen by the non-uniform magnetic field generated by the deflecting device. The self-convergence in-line type color cathode ray tube device has a problem that the beam spot in the peripheral portion of the phosphor screen becomes large and the resolution is deteriorated due to the deflection aberration. In order to solve the problem of this self-convergence in-line type color cathode ray tube device and to improve the resolution over the entire phosphor screen, the electron gun is of a quadrapotential type including a cathode and first to sixth grids, and The fourth grid is divided into three electrode elements (first to third electrode elements), and the same voltage Vg2 as that of the second grid is applied to the second electrode element located in the middle between the third grid and the fifth grid. There is a color cathode ray tube device in which a dynamic voltage that increases as the deflection of the electron beam increases is applied to the first and third electrode elements located on the side.
In the electron gun of this color cathode ray tube device, among the three divided electrode elements of the fourth grid, circular electron beam passage holes are formed in the first and third electrode elements, and the second electrode element is formed. 3. An electron beam passage hole having a shape in which a vertically long slit and a circular electron beam passage hole are overlapped with each other in a direction orthogonal to the arrangement direction of the three electron beams, or the electron beam passage holes of the first and third electrode elements are provided with three electrons. It is formed in a shape in which a horizontally elongated slit long in the beam arrangement direction and a circular electron beam passage hole are overlapped.

【0014】しかしこのような電子銃では、蛍光体スク
リーン上のビームスポットが大きくなる。また第1、第
3電極素子に印加するダイナミック電圧が高くなり、陰
極線管の耐電圧に対する信頼性が問題となる。さらにダ
イナミック電圧発生回路のコストアップをまねくなどの
問題がある。
However, in such an electron gun, the beam spot on the phosphor screen becomes large. Further, the dynamic voltage applied to the first and third electrode elements becomes high, and the reliability of the withstand voltage of the cathode ray tube becomes a problem. Further, there is a problem that the cost of the dynamic voltage generating circuit is increased.

【0015】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、カソードおよび第1乃至第6グリ
ッドを有し、その第4グリッドが第1乃至第3電極素子
からなる3個の電極素子に分割され、その第1、第3電
極素子に電子ビームの偏向の増大にともなって増大する
ダイナミック電圧が印加される電子銃を備えるインライ
ン型カラー陰極線管装置において、低いダイナミック電
圧で蛍光体スクリーンの全域にわたり高解像度が得られ
るようにすることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has three cathode electrodes and first to sixth grids, the fourth grid of which is composed of first to third electrode elements. In an in-line type color cathode ray tube device including an electron gun, which is divided into electrode elements, and a dynamic voltage that increases with an increase in deflection of an electron beam is applied to the first and third electrode elements, a phosphor with a low dynamic voltage The purpose is to obtain high resolution over the entire screen.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】同一平面上を通る一列配
置の3電子ビームを放出する複数個の電極を有する電子
銃と、3電子ビームを偏向する偏向装置とを備え、電子
銃の電極がカソードから蛍光体スクリーン方向に順次配
置された第1乃至第6グリッドからなり、この第1乃至
第6グリッドのうち少なくとも第3、第5グリッドに円
形の電子ビーム通過孔が形成され、第4グリッドが第3
グリッドから第5グリッド方向に順次配置された第1乃
至第3電極素子からなり、この第1乃至第3電極素子の
うち第1、第3電極素子に電子ビームの偏向の増大にと
もなって増大するダイナミック電圧が印加され、第2電
極素子に一定の電圧が印加されるカラー陰極線管装置に
おいて、第1、第3電極素子に円形の電子ビーム通過孔
を形成し、第2電極素子に3電子ビームの配列方向と直
交する方向を長軸としかつ3電子ビームの配列方向の電
子ビーム通過孔の径が第1、第3電極素子および第3、
第5グリッドの電子ビーム通過孔の径よりも小さい楕円
状の電子ビーム通過孔を形成した。
An electron gun having a plurality of electrodes for emitting three electron beams arranged in a row passing through the same plane and a deflecting device for deflecting the three electron beams are provided. The first to sixth grids are sequentially arranged from the cathode in the phosphor screen direction, and circular electron beam passage holes are formed in at least the third and fifth grids of the first to sixth grids, and the fourth grid is formed. Is the third
The first to third electrode elements are sequentially arranged from the grid in the fifth grid direction, and increase with the deflection of the electron beam to the first and third electrode elements among the first to third electrode elements. In a color cathode ray tube device in which a dynamic voltage is applied and a constant voltage is applied to the second electrode element, circular electron beam passage holes are formed in the first and third electrode elements, and three electron beams are applied to the second electrode element. The major axis of which is the direction orthogonal to the arrangement direction of the electron beams, and the diameters of the electron beam passage holes in the arrangement direction of the three electron beams are
An elliptic electron beam passage hole smaller than the diameter of the electron beam passage hole of the fifth grid was formed.

【0017】[0017]

【作用】上記のように、カソードから蛍光体スクリーン
方向に順次第1乃至第6グリッドが配置され、その第4
グリッドが第1乃至第3電極素子からなる3個の電極素
子に分割され、その第1、第3電極素子に円形の電子ビ
ーム通過孔が形成され、第2電極素子に3電子ビームの
配列方向と直交する方向を長軸としかつ3電子ビームの
配列方向の電子ビーム通過孔の径が第1、第3電極素子
および第3、第5グリッドの電子ビーム通過孔の径より
も小さい楕円状の電子ビーム通過孔を形成すると、第
1、第3電極素子に印加するダイナミック電圧を低くす
ることができ、かつ蛍光体スクリーン周辺部でのビーム
スポットを小さくして、蛍光体スクリーン全域にわたり
解像度を良好にすることができる。
As described above, the first to sixth grids are sequentially arranged in the direction from the cathode to the phosphor screen, and the fourth grid is arranged.
The grid is divided into three electrode elements consisting of first to third electrode elements, circular electron beam passage holes are formed in the first and third electrode elements, and the arrangement direction of three electron beams in the second electrode element. An elliptical shape having a major axis in a direction orthogonal to and electron beam passage holes in the arrangement direction of the three electron beams smaller than the diameters of the electron beam passage holes of the first, third electrode elements and the third and fifth grids. By forming the electron beam passage hole, the dynamic voltage applied to the first and third electrode elements can be lowered, and the beam spot in the peripheral portion of the phosphor screen can be made small, resulting in good resolution over the entire phosphor screen. Can be

【0018】[0018]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0019】図1(a)にその一実施例であるカラー陰
極線管装置を示す。このカラー陰極線管装置は、パネル
20およびこのパネル20に一体に接合された漏斗状のファ
ンネル21からなる外囲器を有し、そのパネル20の内面
に、青、緑、赤に発光するストライプ状の3色蛍光体層
からなる蛍光体スクリーン22が設けられ、この蛍光体ス
クリーン22に対向して、その内側にシャドウマスク23が
配置されている。一方、ファンネル21のネック24内に、
同一水平面上を通る一列配置の3電子ビーム25B,25G
,25R を放出する後述する電子銃26が配設されてい
る。またファンネル21の径大部27とネック24との境界部
の外側に偏向装置28が装着されている。そして、上記電
子銃26から放出される3電子ビーム25B ,25G ,25R を
偏向装置28の発生する磁界により偏向して、上記蛍光体
スクリーン22を水平、垂直走査することにより、カラー
画像を再生する構造に形成されている。
FIG. 1A shows a color cathode ray tube device which is an embodiment of the present invention. This color cathode ray tube device is a panel
The panel 20 has an envelope composed of a funnel-shaped funnel 21 integrally joined to the panel 20, and the panel 20 has an inner surface formed of a stripe-shaped three-color phosphor layer that emits blue, green, and red light. A phosphor screen 22 is provided, and a shadow mask 23 is arranged inside the phosphor screen 22 so as to face the phosphor screen 22. On the other hand, inside the neck 24 of the funnel 21,
A row of three electron beams 25B and 25G that pass on the same horizontal plane
, 25R, which will be described later, are provided. A deflection device 28 is mounted outside the boundary between the large diameter portion 27 of the funnel 21 and the neck 24. Then, the three electron beams 25B, 25G, 25R emitted from the electron gun 26 are deflected by the magnetic field generated by the deflecting device 28, and the phosphor screen 22 is horizontally and vertically scanned to reproduce a color image. Is formed into a structure.

【0020】上記電子銃26は、図1(b)に示すよう
に、水平方向に一列配置された3個のカソードK 、この
3個のカソードK を各別に加熱する3個のヒータ(図示
せず)、上記カソードK から蛍光体スクリーン方向に順
次所定間隔離間して配置された第1乃至第6グリッドG1
〜G6からなるクォドラポテンシャル型に構成されてい
る。その各グリッドG1〜G6は、一体構造の電極からな
り、特に第4グリッドG4については、第3グリッドG3か
ら第5グリッドG5方向に順次分割して配置された第1乃
至第3電極素子G41 〜G43 からなる。
As shown in FIG. 1B, the electron gun 26 has three cathodes K arranged in a line in the horizontal direction, and three heaters (not shown) for heating the three cathodes K separately. No.), the first to sixth grids G1 are sequentially arranged at a predetermined distance from the cathode K in the phosphor screen direction.
It is composed of quadra potential type consisting of ~ G6. Each of the grids G1 to G6 is composed of an electrode having an integral structure, and in particular, with respect to the fourth grid G4, the first to third electrode elements G41 to G41 are sequentially divided and arranged in the direction from the third grid G3 to the fifth grid G5. It consists of G43.

【0021】その第1、第2、第6グリッドG1,G2,G
6、および第3グリッドG3の第2グリッドG2側、第5グ
リッドG5の第6グリッドG6側には、3個のカソードK に
対応して、水平方向に所定の大きさの3個の円形電子ビ
ーム通過孔が一列配置に設けられている。第4グリッド
G4については、その第1、第3電極素子G41 ,G43 に、
図2に示すように、それぞれ第2電極素子と対向する面
の中央部に水平方向に延びる溝30が形成され、この溝30
の底部に、3個のカソードK に対応して、直径W1 の3
個の円形電子ビーム通過孔31が一列配置に設けられてい
る。また第2電極素子G42 には、図3に示すように、3
個のカソードK に対応して、垂直方向に長い3個の縦長
の長円形状の電子ビーム通過孔32が設けられている。こ
の第2電極素子G42 の電子ビーム通過孔32の水平方向の
径W2 は、第1、第3電極素子G41,G43 の電子ビーム
通過孔31の直径W1 および第3、第5グリッドG3,G5の
電子ビーム通過孔の直径よりも小さく、 W1 >W2 となっている。
The first, second and sixth grids G1, G2, G
On the second grid G2 side of the third grid G3 and the sixth grid G6 side of the fifth grid G5, three circular electrons of a predetermined size in the horizontal direction are provided corresponding to the three cathodes K 6. The beam passage holes are arranged in a line. 4th grid
Regarding G4, in the first and third electrode elements G41, G43,
As shown in FIG. 2, a groove 30 extending in the horizontal direction is formed at the center of the surface facing the second electrode element.
At the bottom of the, corresponding to the three cathodes K, the diameter W1 of 3
The circular electron beam passage holes 31 are provided in a line. Further, as shown in FIG.
Corresponding to each cathode K, three vertically elongated elliptical electron beam passage holes 32 are provided in the vertical direction. The horizontal diameter W2 of the electron beam passage hole 32 of the second electrode element G42 is equal to the diameter W1 of the electron beam passage hole 31 of the first and third electrode elements G41 and G43 and the third and fifth grids G3 and G5. The diameter is smaller than the diameter of the electron beam passage hole, and W1> W2.

【0022】このような電子銃26において、カソードK
には50〜150Vの電圧が印加され、第1グリッドG1
を接地電位とし、第2グリッドG2には600〜1000
V、第3グリッドG3と第5グリッドG5とは管内で接続さ
れ、8kVの集束電圧Vf が、第6グリッドG6には27kV
の陽極高電圧が印加される。また第4グリッドG4の第2
電極素子G42 は、第2グリッドG2と管内で接続され、第
2グリッドG2の電圧Vg2と同じ600〜1000Vの電
圧が印加され、第1、第3電極素子G41 ,G43は、管内
で接続され、これら電極素子G41 ,G43 には、図4に示
すように、第2グリッドG2の電圧Vg2を基準電圧とし
て、これに偏向装置に流れる偏向電流34に同期して変化
する電圧、すなわち電子ビームの偏向の増大にともなっ
て増大する電圧を重畳した曲線35で示すダイナミック電
圧Vg4が印加される。
In such an electron gun 26, the cathode K
A voltage of 50 to 150 V is applied to the first grid G1.
Is the ground potential, and the second grid G2 has 600 to 1000
V, the third grid G3 and the fifth grid G5 are connected in a tube, and the focusing voltage Vf of 8 kV is 27 kV on the sixth grid G6.
Anode high voltage is applied. Also the second of the fourth grid G4
The electrode element G42 is connected to the second grid G2 in the tube, a voltage of 600 to 1000 V which is the same as the voltage Vg2 of the second grid G2 is applied, and the first and third electrode elements G41 and G43 are connected in the tube. As shown in FIG. 4, these electrode elements G41 and G43 use a voltage Vg2 of the second grid G2 as a reference voltage, and a voltage that changes in synchronization with the deflection current 34 flowing in the deflection device, that is, the deflection of the electron beam. The dynamic voltage Vg4 shown by the curve 35 in which the voltage increasing with the increase of the voltage is superimposed is applied.

【0023】このような電圧の印加により、この電子銃
では、第3乃至第5グリッドG3,G5間にサブレンズが形
成され、第5、第6グリッドG5,G6間に主レンズが形成
される。また第4グリッドG4の3個の電極素子G41 ,G4
2 ,G43 間に非回転対称レンズが形成される。この非回
転対称レンズは、上記第1、第3電極素子G41 ,G43に
印加されるダイナミック電圧Vg4により強度が変化し、
電子ビームの偏向に応じて、偏向磁界の非斉一性により
生ずる第2偏向収差を補正する。また上記第1、第3電
極素子G41 ,G43 に印加されるダイナミック電圧Vg4に
より、第3乃至第5グリッドG3,G5間に形成されるサブ
レンズの強度が弱まり、電子ビームがオーバーフォーカ
ス状態となることが原因で生ずる第1偏向収差も補正す
る。
By applying such a voltage, in this electron gun, a sub-lens is formed between the third to fifth grids G3 and G5, and a main lens is formed between the fifth and sixth grids G5 and G6. . Also, three electrode elements G41, G4 of the fourth grid G4
A non-rotationally symmetric lens is formed between 2 and G43. The strength of this non-rotationally symmetric lens is changed by the dynamic voltage Vg4 applied to the first and third electrode elements G41 and G43,
The second deflection aberration caused by the inhomogeneity of the deflection magnetic field is corrected according to the deflection of the electron beam. Further, the dynamic voltage Vg4 applied to the first and third electrode elements G41 and G43 weakens the strength of the sub-lens formed between the third to fifth grids G3 and G5, and the electron beam becomes overfocused. The first deflection aberration caused by this is also corrected.

【0024】すなわち、上述のように第4グリッドG4の
第2電極素子G42 の電子ビーム通過孔32をその水平方向
の径W2 が第1、第3電極素子G41 ,G43 の電子ビーム
通過孔31の直径W1 および第3、第5グリッドG3,G5の
電子ビーム通過孔の直径よりも小さく、 W1 >W2 とすると、第4グリッドG4の内側の電位分布は、図5に
中央の電子ビーム通過孔の水平方向の電位分布ついて示
したようになる。なお図6は、比較のために示した従来
の W1 =W2 である電子銃の第4グリッドG4の内側の中央の電子ビー
ム通過孔の水平方向の電位分布である。
That is, as described above, the electron beam passage hole 32 of the second electrode element G42 of the fourth grid G4 has the horizontal diameter W2 of the electron beam passage hole 31 of the first and third electrode elements G41, G43. If the diameter W1 and the diameters of the electron beam passage holes of the third and fifth grids G3 and G5 are smaller and W1> W2, the potential distribution inside the fourth grid G4 is shown in FIG. The potential distribution in the horizontal direction is as shown. Note that FIG. 6 shows the potential distribution in the horizontal direction of the central electron beam passage hole inside the fourth grid G4 of the conventional electron gun of W1 = W2 shown for comparison.

【0025】これら図5および図6は、第3、第5グリ
ッドG3,G5に印加する電圧Vg3、Vg5を Vg3=Vg5=8.0kV にし、電子ビームを偏向しない場合に、第1、第3電極
素子G41 ,G43 に印加する電圧Vg40 を Vg40 =800V とし、電子ビームを偏向する場合、これら第1、第3電
極素子G41 ,G43 に印加する電圧Vg4を Vg4=Vg40 +800V として示したものである。
5 and 6, the voltages Vg3 and Vg5 applied to the third and fifth grids G3 and G5 are set to Vg3 = Vg5 = 8.0 kV and the first and third grids are used when the electron beam is not deflected. The voltage Vg40 applied to the electrode elements G41, G43 is Vg40 = 800V, and the voltage Vg4 applied to the first and third electrode elements G41, G43 when deflecting the electron beam is shown as Vg4 = Vg40 + 800V. .

【0026】電子ビームを偏向しない場合、この例の電
子銃では、第4グリッドG4の内側の中央の電子ビーム通
過孔の水平方向の電位分布は、図5(a)に等電位線37
a で示したようになり、従来の電子銃では、図6(a)
に等電位線37b で示したようになる。また電子ビームを
偏向する場合は、この例の電子銃では、図5(b)に等
電位線38a で示すようになり、従来の電子銃では、図6
(b)に等電位線38bで示すようになる。
When the electron beam is not deflected, in the electron gun of this example, the potential distribution in the horizontal direction of the electron beam passage hole at the center inside the fourth grid G4 is shown in FIG.
As shown by a, the conventional electron gun shown in FIG.
It becomes as shown by the equipotential line 37b. When the electron beam is deflected, the equipotential line 38a in the electron gun of this example is shown in FIG.
The equipotential line 38b is shown in FIG.

【0027】これら図5(a),(b)および図6
(a),(b)の比較から明らかなように、この例の電
子銃のように W1 >W2 とすると、第4グリッドG4の内側の電位分布が、 W1 =W2 である従来の電子銃にくらべて電子ビームに集束作用を
与える領域39で大きく変化している。特に中心部の等電
位線37a ,38a が37b ,38b にくらべて大きく変化し、
第3、第5グリッドG3,G5、第1乃至第3電極素子G41
〜G43 に上記電圧を印加した場合は、中心部の等電位線
37a ,38a が3.5kVとなり、低いダイナミック電圧で
ビームスポットを大幅に小さくすることができる。
5 (a), 5 (b) and 6
As is clear from the comparison between (a) and (b), assuming that W1> W2 as in the electron gun of this example, the potential distribution inside the fourth grid G4 is the same as that of the conventional electron gun in which W1 = W2. Compared with the electron beam, it is greatly changed in the region 39 which gives a focusing effect to the electron beam. In particular, the equipotential lines 37a and 38a in the central part greatly change compared to 37b and 38b,
Third and fifth grids G3, G5, first to third electrode elements G41
When the above voltage is applied to G43, the equipotential line in the center
37a and 38a are 3.5kV, and the beam spot can be greatly reduced with a low dynamic voltage.

【0028】しかし第4グリッドG4の第2電極素子G42
の水平方向の径W2 が小さすぎると、逆に第4グリッド
G4の内側の球面収差が増大し、低いダイナミック電圧で
ビームスポットを小さくすることはできるが、上記場合
にくらべて、ビームスポット径が大きくなる。図7にこ
の第2電極素子G42 の水平方向の径W2 と第1、第3電
極素子G41 ,G43 の電子ビーム通過孔31の直径W1 との
比W2 /W1 に対する蛍光体スクリーンの対角部におけ
るビームスポット径との関係を曲線40に、また最適ダイ
ナミック電圧との関係を曲線41に示す。これら曲線40,
41から明らかなように、低いダイナミック電圧で蛍光体
スクリーンの対角部におけるビームスポット径を劣化さ
せない範囲は、 W2 ≧0.88W1 である。
However, the second electrode element G42 of the fourth grid G4
If the horizontal diameter W2 of the
Although the spherical aberration inside G4 increases and the beam spot can be reduced with a low dynamic voltage, the beam spot diameter becomes larger than in the above case. FIG. 7 shows the ratio of the horizontal diameter W2 of the second electrode element G42 to the diameter W1 of the electron beam passage hole 31 of the first and third electrode elements G41, G43 at the diagonal portion of the phosphor screen with respect to the ratio W2 / W1. A curve 40 shows the relationship with the beam spot diameter, and a curve 41 shows the relationship with the optimum dynamic voltage. These curves 40,
As is clear from 41, the range in which the beam spot diameter at the diagonal portion of the phosphor screen is not deteriorated at a low dynamic voltage is W2 ≧ 0.88W1.

【0029】[0029]

【発明の効果】同一平面上を通る一列配置の3電子ビー
ムを放出する複数個の電極を有する電子銃の電極がカソ
ードから蛍光体スクリーン方向に順次配置された第1乃
至第6グリッドからなり、この第1乃至第6グリッドの
うち少なくとも第3、第5グリッドに円形の電子ビーム
通過孔が形成され、第4グリッドが第3グリッドから第
5グリッド方向に順次配置された第1乃至第3電極素子
からなり、この第1乃至第3電極素子のうち第1、第3
電極素子に電子ビームの偏向の増大にともなって増大す
るダイナミック電圧が印加され、第2電極素子に一定の
電圧が印加されるカラー陰極線管装置において、第1、
第3電極素子に円形の電子ビーム通過孔を形成し、第2
電極素子には3電子ビームの配列方向と直交する方向を
長軸とし、かつ3電子ビームの配列方向の電子ビーム通
過孔の径が第1、第3電極素子および第3、第5グリッ
ドの電子ビーム通過孔の径よりも小さい楕円状の電子ビ
ーム通過孔を形成すると、第1、第3電極素子に印加す
るダイナミック電圧を低くすることができ、かつ蛍光体
スクリーン周辺部のビームスポットを小さくして、蛍光
体スクリーン全域にわたり解像度を良好にすることがで
きる。
The electrodes of the electron gun having a plurality of electrodes for emitting three electron beams arranged in a line passing through the same plane are composed of first to sixth grids arranged in order from the cathode in the phosphor screen direction. Circular electron beam passage holes are formed in at least the third and fifth grids of the first to sixth grids, and the fourth to fourth electrodes are sequentially arranged from the third grid to the fifth grid direction. The first to third electrode elements, and the first and third electrode elements.
In the color cathode ray tube device in which a dynamic voltage that increases with an increase in the deflection of the electron beam is applied to the electrode element and a constant voltage is applied to the second electrode element,
A circular electron beam passage hole is formed in the third electrode element,
The electrode element has a major axis in the direction orthogonal to the arrangement direction of the three electron beams, and the diameters of the electron beam passage holes in the arrangement direction of the three electron beams are the first and third electrode elements and the electrons of the third and fifth grids. By forming an elliptical electron beam passage hole smaller than the diameter of the beam passage hole, the dynamic voltage applied to the first and third electrode elements can be lowered, and the beam spot around the phosphor screen can be reduced. Therefore, the resolution can be improved over the entire phosphor screen.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)はこの発明の一実施例であるカラー
陰極線管装置の構成を示す図、図1(b)はその電子銃
の構成を示す図である。
FIG. 1 (a) is a diagram showing a configuration of a color cathode ray tube device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is a diagram showing a configuration of an electron gun thereof.

【図2】図2(a)は上記電子銃の第4グリッドの第
1、3電極素子の平面図、図2(b)はそのB−B線断
面図、図2(c)はそのC−C線断面図である。
2 (a) is a plan view of the first and third electrode elements of the fourth grid of the electron gun, FIG. 2 (b) is a sectional view taken along the line BB, and FIG. 2 (c) is a sectional view thereof. It is a -C line sectional view.

【図3】図3(a)は上記電子銃の第4グリッドの第2
電極素子の平面図、図3(b)はそのB−B線断面図、
図3(c)はそのC−C線断面図である。
FIG. 3 (a) is a second grid of the fourth grid of the electron gun.
A plan view of the electrode element, FIG. 3B is a sectional view taken along the line BB,
FIG.3 (c) is the CC sectional view taken on the line.

【図4】第4グリッドの第1、3電極素子に印加するダ
イナミック電圧の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a dynamic voltage applied to the first and third electrode elements of the fourth grid.

【図5】図5(a)は電子ビームを偏向しない場合、上
記電子銃の第4グリッドの内側に得られる電位分布を示
す図、図5(b)は電子ビームを偏向する場合、その電
子銃の第4グリッドの内側に得られる電位分布を示す図
である。
FIG. 5 (a) is a diagram showing a potential distribution obtained inside the fourth grid of the electron gun when the electron beam is not deflected, and FIG. 5 (b) is an electron beam when the electron beam is deflected. It is a figure which shows the electric potential distribution obtained inside the 4th grid of a gun.

【図6】図6(a)は従来の電子銃の電子ビームを偏向
しない場合の第4グリッドの内側に得られる電位分布を
示す図、図6(b)は電子ビームを偏向する場合、その
電子銃の第4グリッドの内側に得られる電位分布を示す
図である。
6 (a) is a diagram showing a potential distribution obtained inside a fourth grid when the electron beam of the conventional electron gun is not deflected, and FIG. 6 (b) is a diagram showing the potential distribution when the electron beam is deflected. It is a figure which shows the electric potential distribution obtained inside the 4th grid of an electron gun.

【図7】上記電子銃における第4グリッドの第2電極素
子の縦長の楕円状電子ビーム通過孔の水平方向の径と第
1、3電極素子の円形電子ビーム通過孔の直径との比に
対するビームスポット径との関係および最適ダイナミッ
ク電圧との関係を示す図である。
FIG. 7 shows a beam with respect to a ratio of a horizontal diameter of a vertically elongated elliptical electron beam passage hole of a second electrode element of a fourth grid in the electron gun to a diameter of a circular electron beam passage hole of the first and third electrode elements. It is a figure which shows the relationship with a spot diameter, and the relationship with an optimal dynamic voltage.

【図8】従来のカラー陰極線管装置の構成を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a conventional color cathode ray tube device.

【図9】図9(a)は偏向装置のピンクッション形水平
偏向磁界を示す図、図9(b)はバレル形垂直偏向磁界
を示す図である。
FIG. 9A is a diagram showing a pincushion type horizontal deflection magnetic field of the deflection device, and FIG. 9B is a diagram showing a barrel type vertical deflection magnetic field.

【図10】蛍光体スクリーン上のビームスポットの形状
を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a shape of a beam spot on a phosphor screen.

【図11】従来の改良された電子銃の構成を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional improved electron gun.

【図12】上記電子銃の第4グリッドの構成を示す図で
ある。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a fourth grid of the electron gun.

【図13】図13(a)は上記電子銃の第4グリッドを
構成する第2電極素子の異なる構造を示す平面図、図1
3(b)はそのB−B線断面図である。
13 (a) is a plan view showing a different structure of a second electrode element forming the fourth grid of the electron gun, FIG.
3B is a cross-sectional view taken along the line BB.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22…蛍光体スクリーン 25B ,25G ,25R …3電子ビーム 26…電子銃 28…偏向装置 31…電子ビーム通過孔 32…電子ビーム通過孔 G1…第1グリッド G2…第2グリッド G3…第3グリッド G4…第4グリッド G5…第5グリッド G6…第6グリッド G41 …第1電極素子 G42 …第2電極素子 G43 …第3電極素子 K …カソード 22 ... Phosphor screen 25B, 25G, 25R ... 3 electron beam 26 ... Electron gun 28 ... Deflection device 31 ... Electron beam passage hole 32 ... Electron beam passage hole G1 ... First grid G2 ... Second grid G3 ... Third grid G4 … Fourth grid G5… Fifth grid G6… Sixth grid G41… First electrode element G42… Second electrode element G43… Third electrode element K… Cathode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一平面上を通る一列配置の3電子ビー
ムを放出する複数個の電極を有する電子銃と、上記3電
子ビームを偏向する偏向装置とを備え、上記電子銃の電
極がカソードから蛍光体スクリーン方向に順次配置され
た第1乃至第6グリッドからなり、この第1乃至第6グ
リッドのうち少なくとも第3、第5グリッドに円形の電
子ビーム通過孔が形成され、第4グリッドが第3グリッ
ドから第5グリッド方向に順次配置された第1乃至第3
電極素子からなり、この第1乃至第3電極素子のうち第
1、第3電極素子に上記電子ビームの偏向の増大にとも
なって増大するダイナミック電圧が印加され、上記第2
電極素子に一定の電圧が印加されるカラー陰極線管装置
において、 上記第1、第3電極素子には円形の電子ビーム通過孔が
形成され、上記第2電極素子には上記3電子ビームの配
列方向と直交する方向を長軸としかつ上記3電子ビーム
の配列方向の電子ビーム通過孔の径が上記第1、第3電
極素子および第3、第5グリッドの電子ビーム通過孔の
径よりも小さい楕円状の電子ビーム通過孔が形成されて
いることを特徴とするカラー陰極線管装置。
1. An electron gun having a plurality of electrodes for emitting three electron beams arranged in a line passing through the same plane, and a deflecting device for deflecting the three electron beams, wherein the electrode of the electron gun is from a cathode. The first to sixth grids are sequentially arranged in the phosphor screen direction, and circular electron beam passage holes are formed in at least the third and fifth grids of the first to sixth grids, and the fourth grid is the fourth grid. The first to the third grids sequentially arranged from the 3rd grid to the 5th grid direction
The first and third electrode elements of the first to third electrode elements are applied with a dynamic voltage that increases as the deflection of the electron beam increases, and the second and third electrode elements are applied.
In the color cathode ray tube device in which a constant voltage is applied to the electrode elements, circular electron beam passage holes are formed in the first and third electrode elements, and the arrangement direction of the three electron beams in the second electrode element. An ellipse whose major axis is in the direction orthogonal to and the diameter of the electron beam passage holes in the arrangement direction of the three electron beams is smaller than the diameters of the electron beam passage holes of the first and third electrode elements and the third and fifth grids. 1. A color cathode ray tube device having a hole-shaped electron beam passage hole.
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