JPH0622355B2 - Line setting circuit - Google Patents

Line setting circuit

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JPH0622355B2
JPH0622355B2 JP60196829A JP19682985A JPH0622355B2 JP H0622355 B2 JPH0622355 B2 JP H0622355B2 JP 60196829 A JP60196829 A JP 60196829A JP 19682985 A JP19682985 A JP 19682985A JP H0622355 B2 JPH0622355 B2 JP H0622355B2
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circuit
line setting
circuits
line
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雅幸 大濱
邦治 広瀬
陽一 伊藤
洗悦 阿部
紀之 寺田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はディジタル伝送路網における同期多重変換装置
の回線設定回路に関する。
The present invention relates to a line setting circuit of a synchronous multiplex converter in a digital transmission line network.

(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、寺西他著「ディ
ジタル網の伝送施設設計」((社)電気通信協会,P18
1〜188、)や、中浜他著「市外系ディジタル同期端局方
式」(日本電信電話公社施設局編『施設』第33巻第11
号,P95〜106)に記載されているものがある。以下、
これらに従って説明する。
(Prior Art) Conventionally, as a technology in such a field, "Transmission Facility Design of Digital Network" by Teranishi et al. (Telecommunication Association, P18)
1-188,) and Nakahama et al., "Out-of-town digital sync terminal system" (Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation, Facility Bureau, "Facilities", Vol. 33, No. 11)
No., P95-106). Less than,
The explanation will be given according to these.

ディジタル伝送路網においては、従来、アナログ伝送路
網において実施されていた配分架による空間的回線設定
に代って、ディジタル多重レベル上のタイムスロット入
替により時間的に回線設定を行うことが可能となり、前
記文献に開示されるような同期多重変換装置が実用に供
されている。
In the digital transmission line network, it becomes possible to set the line in time by replacing the time slot on the digital multiplex level, instead of the spatial line setting by the distribution rack which has been conventionally performed in the analog transmission line network. The synchronous multiplex conversion device as disclosed in the above document is put to practical use.

同期多重変換装置は、1.544Mb/s、又は6.312Mb/
sのディジタル伝送路を終端し、6チャネル(回線設定
単位)単位の回線設定を行い、同単位にて回線終端さ
れ、8.192Mb/s、又は2.048Mb/sの局内インタフ
ェースによりディジタル交換機に接続される。同期多重
変換装置の回線設定機能は、データ列の時間および空間
のタイムスロット占有位置を入替える回線設定回路(T
SI:Time Slot Interchanger)により実現され、この
タイムスロット入替え順序を外部より制御できる構成と
することにより半固定時間スイッチが実現される。
Synchronous multiplex converter is 1.544Mb / s or 6.312Mb / s
The s digital transmission line is terminated, the line is set in units of 6 channels (line setting unit), the line is terminated in the same unit, and it is connected to the digital exchange by the 8.192 Mb / s or 2.048 Mb / s intra-station interface. It The line setting function of the synchronous multiplex converter uses a line setting circuit (T
It is realized by SI (Time Slot Interchanger), and the semi-fixed time switch is realized by having a configuration in which this time slot interchange order can be controlled from the outside.

同期多重変換装置が収容するディジタル伝送路は、1.54
4Mb/s1次群伝送路、および6.312Mb/s2次群伝
送路であり、各伝送路インタフェースのチャネル容量は
64Kb/sの電話チャネル換算にてそれぞれ24チャネ
ル、96チャネルである。一方、交換機とのインタフェー
スは2.048Mb/s、又は8.192Mb/sの局内インタフ
ェースにより行われ、各局内インタフェースのチャネル
容量はそれぞれ30チャネル、120チャネルとなってい
る。
The digital transmission path accommodated by the synchronous multiplex converter is 1.54
4Mb / s primary group transmission line and 6.312Mb / s secondary group transmission line, and the channel capacity of each transmission line interface is
There are 24 and 96 channels, respectively, when converted to 64 Kb / s telephone channels. On the other hand, the interface with the exchange is performed by the intra-station interface of 2.048 Mb / s or 8.192 Mb / s, and the channel capacity of each intra-station interface is 30 channels and 120 channels, respectively.

こうした伝送路および局内のインタフェース条件によ
り、同期多重変換装置においては、前述した伝送路終端
機能、回線設定機能、回線終端機能、局内インタフェー
ス機能に加えて、各インタフェースの信号速度、チャネ
ル容量の変換を行う多重変換機能が必要である。
Depending on the transmission line and the interface conditions in the station, in the synchronous multiplex converter, in addition to the above-mentioned transmission line termination function, line setting function, line termination function, and in-station interface function, conversion of the signal speed and channel capacity of each interface is required. A multiple conversion function is required.

次に、同期多重変換装置において、回線設定および多重
変換を実現する回路の構成について説明する。以降、説
明の繁雑化を防ぐために、伝送路インタフェースを6.31
2Mb/s2次群インタフェース、また、局内インタフ
ェースを8.192Mb/s局内インタフェースにしぼるこ
ととするが、本発明の適用は他の伝送路インタフェー
ス、局内インタフェースが収容されている場合にも同様
に可能であることはいうまでもない。
Next, the configuration of a circuit that implements line setting and multiplex conversion in the synchronous multiplex converter will be described. After that, in order to prevent the explanation from becoming complicated, the transmission line interface is set to 6.31.
Although the 2Mb / s secondary group interface and the intra-station interface are limited to 8.192Mb / s intra-station interface, the present invention can be applied in the same manner when other transmission line interfaces and intra-station interfaces are accommodated. Needless to say.

第2図は同期多重変換装置の回線設定および多重変換機
能部の一構成例を示すブロック図で、ここでは伝送路→
局内方向(R方向)の回線設定を行なう回路を示す。第
2図において、INi(i=1〜40)は、それぞれ6.31
2Mb/s2次群伝送路インタフェースより受信され、
8.192Mb/sに速度変換された96チャネル多重信号か
らなる入力信号(回線)である。また、OUTi(i=
1〜32)は、それぞれ信号速度8.192Mb/sの120チャ
ネル多重信号からなる出力信号であり、局内インタフェ
ースへ送出される。第2図に示された回線設定機能部
は、入力信号INi(i=1〜40)の96チャネル×40
本、合計3840チャネル(=640ハンドリンググループ:
HG)の信号に対して、まず、この信号を120チャネル
×32本に多重変換し、その後、これらの信号にタイムス
ロット入替えにより回線設定を施し、120チャネル多重
信号×32本の出力信号(回線)OUTi(i=1〜32)
として送出する。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the line setting and multiplex conversion function units of the synchronous multiplex conversion device.
A circuit for performing line setting in the station direction (R direction) is shown. In FIG. 2, INi (i = 1 to 40) is 6.31 respectively.
Received from the 2Mb / s secondary group transmission line interface,
This is an input signal (line) consisting of a 96-channel multiplex signal whose speed has been converted to 8.192 Mb / s. In addition, OUTi (i =
1 to 32) are output signals consisting of 120-channel multiplexed signals each having a signal rate of 8.192 Mb / s, and are sent to the intra-station interface. The line setting function unit shown in FIG. 2 has 96 channels of input signal INi (i = 1 to 40) × 40.
Book, total 3840 channels (= 640 handling groups:
HG) signals are first multiplex-converted into 120 channels x 32 lines, and then these signals are subjected to line setting by time slot replacement to output 120 channel multiplex signals x 32 lines (line ) OUTi (i = 1 to 32)
As.

以下、第2図に従って詳細に説明する。The details will be described below with reference to FIG.

第2図において、1〜8は伝送路側より送られてくる5
本の96チャネルの多重信号(回線)を、4本の120チャ
ネル多重信号(回線)へ変換する多重変換回路(以下、
5/4変換回路と称す。)である。これらの5/4変換
回路1〜8により、伝送路側から送られて来る40本の96
チャネル多重信号からなる入力信号INi(i=1〜4
0)は、32本の120チャネル多重信号からなる信号に多重
変換される。9は回線設定回路(TSI)であり、5/
4変換回路1〜8にて変換された32本の120チャネル多
重信号に対して、HG(6チャネル単位)毎のタイムス
ロットの入替えによる回線設定を行い、出力信号OUT
i(i=1〜32)のそれぞれに120チャネル多重信号を
送出する。
In FIG. 2, 1 to 8 are sent from the transmission line side 5
A multiplex conversion circuit that converts a 96-channel multiplex signal (line) into four 120-channel multiplex signals (line)
It is called a 5/4 conversion circuit. ). With these 5/4 conversion circuits 1-8, 40 96 circuits sent from the transmission line side
Input signal INi (i = 1 to 4) composed of channel multiplexed signals
0) is multiplexed and converted into a signal composed of 32 120-channel multiplexed signals. 9 is a line setting circuit (TSI), and 5 /
For the 120 120-channel multiplexed signals converted by the 4 conversion circuits 1 to 8, the line is set by replacing the time slot for each HG (6 channels), and the output signal OUT
A 120-channel multiplexed signal is transmitted to each of i (i = 1 to 32).

以上の説明においては、伝送路→局内方向(R方向)の
多重変換と回線設定について述べたが、局内→伝送路方
向(S方向)については、R方向と全く対象な構成、即
ち4/5変換回路と回線設定回路とにより実現される。
In the above description, the multiplexing conversion from the transmission line to the in-station direction (R direction) and the line setting are described, but the configuration from the in-station to the transmission line direction (S direction) is completely the same as the R direction, that is, 4/5. It is realized by a conversion circuit and a line setting circuit.

回線設定回路9は、入力データの時間的順序を入替えて
出力する機能を有するため、なんらかのメモリ機能が必
要となる。その基本的な構成を第3図に示す。第3図に
おいて、10はデータメモリ、11はデータメモリ10
の入力、12はアドレスカウンタ、13は書込みアドレ
ス、14はアドレスコントロールメモリ、15は読出し
アドレス、16はデータ・メモリ10の出力である。デ
ータメモリ10の入力11に到来したデータINは、ア
ドレスカウンタ12の出力である書込みアドレス13に
したがってデータメモリ10に順番(シーケンシャル)
に書込まれる。書込みアドレス13は、アドレスコント
ロールメモリ14にも同時に与えられ、アドレスコント
ロールメモリ14は与えられたアドレス13に対応して
予め書込まれていた読出しアドレス15をデータメモリ
10に与える。データメモリ10は、この読出しアドレ
ス15にしたがって出力16にデータを読み出し、デー
タOUTとする。即ち、データメモリ10の入出力間の
位相変換情報をアドレスコントロールメモリ14に記憶
させていることになり、データメモリ10からのデータ
読出しの順番は、この位相変換情報に従ってランダムと
なる。
The line setting circuit 9 has a function of changing the temporal order of input data and outputting the data, so that some memory function is required. The basic structure is shown in FIG. In FIG. 3, 10 is a data memory and 11 is a data memory 10.
, 12 is an address counter, 13 is a write address, 14 is an address control memory, 15 is a read address, and 16 is an output of the data memory 10. The data IN arriving at the input 11 of the data memory 10 is sequentially (sequentially) supplied to the data memory 10 according to the write address 13 output from the address counter 12.
Written in. The write address 13 is also given to the address control memory 14 at the same time, and the address control memory 14 gives to the data memory 10 the read address 15 previously written corresponding to the given address 13. The data memory 10 reads the data at the output 16 according to the read address 15 and sets it as the data OUT. That is, the phase conversion information between the input and output of the data memory 10 is stored in the address control memory 14, and the order of reading data from the data memory 10 is random according to this phase conversion information.

第4図は従来の回線設定回路を示すもので、この回路の
回線設定容量は3840チャネルである。入力信号(回線)
IN1〜IN4はそれぞれ960チャネルの容量を有する
(5/4変換した後の8Mb/sシリアル信号8本を直
並列変換した)8Mb/sオクテットパラレル信号であ
り、多重化部(MUX)18で多重化され、32Mb/s
オクテットパラレル信号となる。この信号はデータメモ
リ部(DM)19にシーケンシャルに書込まれ、アドレ
スコントロールメモリ(ACM)20によってチャネル
配置を変更し読み出され、分離部(DEMUX)21で
4つの8Mb/sオクテットパラレル信号の出力信号
(回線)OUT1〜4に分離される。従って、3840チャ
ネルの入力情報を全て蓄えるデータメモリ部(DM)1
9の機能は非常に重要であり、通常N(normal)系のメ
モリ部19−1、E(emergency)系のメモリ部19−
2の2系統用意され、N系動作時にデータメモリ部にパ
リティ異常等の何らかの障害が発生した場合、即時にE
系側に切替え、装置の信頼性を向上させるようになって
いる。
FIG. 4 shows a conventional line setting circuit, and the line setting capacity of this circuit is 3840 channels. Input signal (line)
IN1 to IN4 are 8 Mb / s octet parallel signals each having a capacity of 960 channels (8 Mb / s serial signals after 5/4 conversion are serial-parallel converted), and are multiplexed by the multiplexing unit (MUX) 18. 32 Mb / s
It becomes an octet parallel signal. This signal is sequentially written in the data memory unit (DM) 19, the channel arrangement is changed by the address control memory (ACM) 20 and read out, and four 8Mb / s octet parallel signals are separated by the separation unit (DEMUX) 21. The output signals (lines) OUT1 to 4 are separated. Therefore, the data memory unit (DM) 1 that stores all input information of 3840 channels
The function of 9 is very important. Normally, the N (normal) system memory unit 19-1 and the E (emergency) system memory unit 19-
2 systems of 2 are prepared, and when some trouble such as parity abnormality occurs in the data memory unit during N system operation, E
Switch to the system side to improve the reliability of the device.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の装置では、データメモリ部の
動作速度の速いメモリ、例えば消費電力の大きいECL
メモリで構成しなければならず、また、これにより外部
回路もECL回路を使用しなければならなかった。ま
た、冗長構成として同一チャネル容量のN系,E系のデ
ータメモリ部を設けているため、ハードウェア量も2倍
となって不経済であった。更にまた、データメモリ部の
外部に多重化部、分離部を設けるためにハードウェアの
増大と、信頼性の低下をまぬがれないという問題点があ
った。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the device having the above configuration, the data memory unit has a fast operation speed, for example, ECL with large power consumption.
It has to be composed of a memory, and also an external circuit has to use an ECL circuit. Further, since the N-type and E-type data memory units having the same channel capacity are provided as a redundant configuration, the amount of hardware is doubled, which is uneconomical. Furthermore, there is a problem in that the increase in hardware and the decrease in reliability cannot be avoided because the multiplexing unit and the separation unit are provided outside the data memory unit.

本発明は前述した高速度のメモリの必要性、N系,E系
2系統によるハードウェアの増大、外部回路のハードウ
ェアの増大等の問題点を除去し、汎用CMOSメモリが
使用でき、全体のハードウェア量も削減できる低消費電
力で信頼性の高い回線設定回路を提供することを目的と
する。
The present invention eliminates the above-mentioned problems such as the need for a high-speed memory, the increase in hardware due to the N system and the E system, the increase in the hardware of the external circuit, and the use of a general-purpose CMOS memory. It is an object of the present invention to provide a highly reliable line setting circuit with low power consumption that can reduce the amount of hardware.

(問題点を解決するための手段) 本発明では前記問題点を解決するため、それぞれ多重化
されたm本の入力と、それぞれ多重化されたn本の出力
とを有し、入力されたディジタル多重信号のタイムスロ
ットを入替えることにより回線設定を行なう同期多重変
換装置の回線設定回路において、回線設定総容量の1/
nの容量を有し、前記m本の入力がそれぞれ接続される
n個の回線設定用のデータメモリ回路と、該回線設定用
のデータメモリ回路と同一容量を有し、前記m本の入力
が接続される予備用のデータメモリ回路と、前記n個の
回線設定用のデータメモリ回路および予備用のデータメ
モリ回路を選択的に前記n本の出力にそれぞれ接続する
信号選択回路と、前記n個の回線設定用のデータメモリ
回路からの読出しをそれぞれ制御するn個の読出し制御
情報および信号選択回路を切替制御する切替情報を送出
するアドレス制御回路とを備え、通常は前記n個の読出
し制御情報を前記n個の回線設定用のデータメモリ回路
にそれぞれ与えるとともに該n個の回線設定用のデータ
メモリ回路を前記n本の出力にそれぞれ接続する切替情
報を前記信号選択回路に与え、前記n個の回線設定用の
データメモリ回路のいずれかに障害が発生した場合は該
障害が発生した回線設定用のデータメモリ回路の読出し
制御情報を前記予備用のデータメモリ回路に与えるとと
もに該障害が発生した回線設定用のデータメモリ回路を
予備用のデータメモリ回路に切替える切替情報を前記信
号選択回路に与えるようになした。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has m multiplexed inputs and n multiplexed outputs, respectively, and has an input digital signal. In the line setting circuit of the synchronous multiplex converter that performs line setting by exchanging time slots of multiplexed signals, 1 / of the total line setting capacity
n line setting data memory circuits each having a capacity of n and to which the m inputs are respectively connected, and the same capacity as the line setting data memory circuits, and the m inputs are A spare data memory circuit to be connected, a signal selection circuit for selectively connecting the n line setting data memory circuits and the spare data memory circuits to the n outputs, respectively, and Of n pieces of read control information for respectively controlling reading from the line setting data memory circuit and an address control circuit for transmitting switching information for switching control of the signal selection circuit, and usually the n pieces of read control information. To each of the n line setting data memory circuits, and the signal selecting switching information for connecting the n line setting data memory circuits to each of the n outputs. If any of the n line setting data memory circuits has a fault, the read control information of the faulty line setting data memory circuit is given to the spare data memory circuit. At the same time, the switching information for switching the line setting data memory circuit in which the failure has occurred to the spare data memory circuit is given to the signal selecting circuit.

(作用) 本発明によれば、回線上の信号はそのままn個の回線設
定用のデータメモリ回路および予備用のデータメモリ回
路に並列的に書込まれ、通常は該n個の回線設定用のデ
ータメモリ回路の内容が読出し制御情報に従って読出さ
れることによりタイムスロット変換が行なわれ、元の信
号と同様な伝送速度の信号として出力されるが、該n個
の回線設定用のデータメモリ回路のいずれかに障害が発
生すると、信号選択回路により該障害が発生したデータ
メモリ回路に代えて予備用のデータメモリ回路が選択さ
れ、その内容が読出される。
(Operation) According to the present invention, the signal on the line is directly written in parallel to the n line setting data memory circuits and the spare data memory circuits, and normally, the n line setting data memory circuits are set. The contents of the data memory circuit are read in accordance with the read control information to perform time slot conversion and output as a signal having a transmission speed similar to the original signal. When a failure occurs in any one of them, the signal selection circuit selects a spare data memory circuit in place of the data memory circuit in which the failure has occurred, and the content is read.

(実施例) 第1図は本発明の一実施例を示すブロック図であって、
入力信号(回線)IN1〜IN4は8Mb/sオクテッ
トパラレル信号でそれぞれ960チャネルの信号を有して
おり、回線設定総容量、ここでは3840チャネルの1/4
の容量を有する回線設定用のデータメモリ回路24−1
〜24−4の4回路に並列に導かれる。予備用のデータ
メモリ回路25はデータメモリ回路24と同一回路で構
成され、データメモリ回路24と同様に入力信号IN1
〜IN4が導かれている。データメモリ回路24−1〜
24−4,25の動作は基本的に第3図で説明したもの
と同一であるが、各データメモリ回路では入力信号IN
1〜IN4の信号をそれぞれ専用のデータメモリ部(D
M)26−1〜26−4にシーケンシャルに書込む。従
って、入力信号の3840チャネルが全てデータメモリ部2
6−1〜26−4に蓄えられる。データメモリ部26−
1〜26−4からの読み出しは、アドレス制御回路27
のアドレスコントロールメモリ(ACM)28−1〜2
8−4の読出し制御情報29−1〜29−4がデータメ
モリ部26−1〜26−4に与えられて行なわれる。デ
ータメモリ部26−1〜26−4から読み出された情報
は、選択回路(SEL)30により任意の1個が8Mb
/sのビット毎に選択され、出力信号31となる。従っ
て、データメモリ回路24−1〜24−4のうちの1回
路にて、3840チャネルのうちの任意の960チャネルがタ
イムスロット変換されて読み出されるので、データメモ
リ回路24−1〜24−4の4回路にて3840チャネルの
回線設定回路が実現できる。なお、このデータメモリ回
路の動作速度は書込みに8Mb/s,読出しに8Mb/
sであるので、並列形ダブルバッファ回路、直列形ダブ
ルバッファ回路のいずれの回路方式に於いても低消費電
力で汎用のCMOSメモリが使用できる。
(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
The input signals (lines) IN1 to IN4 are 8 Mb / s octet parallel signals, each of which has a signal of 960 channels, and the line setting total capacity, here 1/4 of 3840 channels.
Setting data memory circuit 24-1 having a capacity of
To 24-4 are introduced in parallel. The spare data memory circuit 25 is composed of the same circuit as the data memory circuit 24, and like the data memory circuit 24, the input signal IN1
~ IN4 is introduced. Data memory circuits 24-1 to 24-1
The operations of 24-4 and 25 are basically the same as those described with reference to FIG. 3, but in each data memory circuit, the input signal IN
The signals of 1 to IN4 are respectively transferred to dedicated data memory units (D
M) Sequentially write to 26-1 to 26-4. Therefore, all 3840 channels of the input signal are the data memory unit 2
It is stored in 6-1 to 26-4. Data memory unit 26-
The read from 1 to 26-4 is performed by the address control circuit 27.
Address Control Memory (ACM) 28-1 and 2
The read control information 29-1 to 29-4 of 8-4 is given to the data memory units 26-1 to 26-4 and is performed. The information read from the data memory units 26-1 to 26-4 is an arbitrary one of 8 Mb by the selection circuit (SEL) 30.
The output signal 31 is selected for each bit of / s. Therefore, in one of the data memory circuits 24-1 to 24-4, any 960 channels out of the 3840 channels are time slot converted and read out. A circuit setting circuit for 3840 channels can be realized with four circuits. The operating speed of this data memory circuit is 8 Mb / s for writing and 8 Mb / s for reading.
Since it is s, a general-purpose CMOS memory can be used with low power consumption in any circuit system of the parallel type double buffer circuit and the series type double buffer circuit.

予備用のデータメモリ回路25は他のデータメモリ回路
24−1〜24−4と同様な動作を行なうが、読出しの
ための読出し制御情報29−5の与え方が異なる。各デ
ータメモリ回路24−1〜24−4から送られてくるデ
ータメモリ部障害情報及び強制切替命令情報等の情報3
2を受信し、適切な切替情報33を送出する制御回路
(CONT)34により、読出し制御情報29−5が選
択回路(SEL)35で選択される。この選択された読
出し制御情報29−5は予備用のデータメモリ回路25
に与えられる。
The spare data memory circuit 25 performs the same operation as the other data memory circuits 24-1 to 24-4, but the way of giving the read control information 29-5 for reading is different. Information 3 such as data memory section failure information and forced switching command information sent from each of the data memory circuits 24-1 to 24-4
The read control information 29-5 is selected by the selection circuit (SEL) 35 by the control circuit (CONT) 34 that receives 2 and sends the appropriate switching information 33. The selected read control information 29-5 is stored in the spare data memory circuit 25.
Given to.

従って、障害中のデータメモリ回路24−1〜24−4
のうちの障害中の回路に与えられていた読出し制御情報
が予備用のデータメモリ回路25に与えられ、障害中の
データメモリ回路と同様の機能を果たすことになる。
Therefore, the failed data memory circuits 24-1 to 24-4
The read control information given to the faulty circuit is given to the spare data memory circuit 25, and the same function as that of the faulty data memory circuit is achieved.

また、切替情報33は信号選択回路(SEL)36に与
えられる。信号選択回路36ではデータメモリ回路24
−1〜24−4から読出されてきた4つの出力信号と、
予備回路から読み出されてきた1つの信号とを、切替情
報33により切替え、4つの出力信号OUT1〜OUT
4として送出する。
Further, the switching information 33 is given to the signal selection circuit (SEL) 36. In the signal selection circuit 36, the data memory circuit 24
Four output signals read from -1 to 24-4,
One signal read from the spare circuit is switched by the switching information 33 and four output signals OUT1 to OUT
Send as 4.

これらの切替機能は回線設定回路の動作フレームを考慮
して制御をかけることにより、回線を無瞬断で切替えら
れる。
These switching functions can be switched without interruption by controlling by considering the operation frame of the line setting circuit.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、回線設定総容量の
1/nの容量を有するn個の回線設定用のデータメモリ
回路および該回線設定用のデータメモリ回路と同一容量
を有する予備用のデータメモリ回路をそれぞれm本の入
力に接続し、該n個の回線設定用のデータメモリ回路お
よび予備用のデータメモリ回路を選択的にn本の出力に
それぞれ接続する信号選択回路と、前記n個の回線設定
用のデータメモリ回路からの読出しをそれぞれ制御する
n個の読出し制御情報および信号選択回路を切替制御す
る切替情報を送出するアドレス制御回路とを設け、通常
は前記n個の読出し制御情報を前記n個の回線設定用の
データメモリ回路にそれぞれ与えるとともに該n個の回
線設定用のデータメモリ回路を前記n本の出力にそれぞ
れ接続する切替情報を前記信号選択回路に与え、前記n
個の回線設定用のデータメモリ回路のいずれかに障害が
発生した場合は該障害が発生した回線設定用のデータメ
モリ回路の読出し制御情報を前記予備用のデータメモリ
回路に与えるとともに該障害が発生した回線設定用のデ
ータメモリ回路を予備用のデータメモリ回路に切替える
切替情報を前記信号選択回路に与えるようになしたた
め、それぞれ多重化された複数の入力をそれぞれ多重化
された複数の出力へ、信号のタイムスロットを入替えて
回線設定を行なうことができることはもとより、回線設
定用のメモリを低速度で処理可能な並列形構成とするこ
とができ、汎用のCMOSメモリが使用可能となり、ま
た、入力信号を多重化する必要がないため、大規模な外
部回路も不用となる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, n line setting data memory circuits having a capacity of 1 / n of the line setting total capacity and the same capacity as the line setting data memory circuits are provided. A signal selection circuit for connecting spare data memory circuits each having m lines to m inputs and selectively connecting the n line setting data memory circuits and the spare data memory circuits to n outputs respectively. A circuit and an address control circuit for sending n pieces of read control information for controlling reading from the n pieces of data memory circuits for line setting and switching information for switching control of the signal selection circuit are provided, and usually The n pieces of read control information are given to the n pieces of line setting data memory circuits, respectively, and the n pieces of line setting data memory circuits are provided to the n outputs, respectively. The switching information to be connected is given to the signal selection circuit, and the n
When a failure occurs in one of the line setting data memory circuits, the read control information of the failed line setting data memory circuit is given to the spare data memory circuit and the failure occurs. Since the switching information for switching the line setting data memory circuit to the spare data memory circuit is given to the signal selection circuit, a plurality of inputs respectively multiplexed to a plurality of outputs respectively multiplexed, Not only the time slots of signals can be exchanged for line setting, but also the line setting memory can be configured in parallel so that it can be processed at low speed, and general-purpose CMOS memory can be used. Since it is not necessary to multiplex the signals, a large-scale external circuit is unnecessary.

また、冗長構成として、従来のように回線設定総容量と
同一容量のメモリを必要とせず、回線設定総容量の1/
nの回線設定用のメモリと同一容量のメモリを設けるの
みで良いため、全体のハードウェア量も削減でき、低消
費電力で信頼性の高い回路を提供できる等の利点があ
る。
Also, as a redundant configuration, it does not require a memory of the same capacity as the line setting total capacity as in the conventional case, and is 1 / of the line setting total capacity.
Since it is only necessary to provide a memory having the same capacity as the memory for setting the line of n, there is an advantage that the entire hardware amount can be reduced and a highly reliable circuit with low power consumption can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の回線設定回路の一実施例を示すブロッ
ク図、第2図は同期多重変換装置の回線設定および多重
変換機能部を示すブロック図、第3図は回線設定回路の
基本構成を示すブロック図、第4図は従来の回線設定回
路の一構成を示すブロック図である。 24−1〜24−4……回線設定用のデータメモリ回
路、25……予備用のデータメモリ回路、26−1〜2
6−4……データメモリ部、27……アドレス制御回
路、28−1〜28−4……アドレスコントロールメモ
リ、29−1〜29−5……読出し制御情報、33……
切替情報、36……信号選択回路。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a line setting circuit of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a line setting and multiple conversion function section of a synchronous multiplex converter, and FIG. 3 is a basic configuration of the line setting circuit. FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional line setting circuit. 24-1 to 24-4 ... Data memory circuit for line setting, 25 ... Spare data memory circuit, 26-1 and 26-2
6-4 ... Data memory unit, 27 ... Address control circuit, 28-1 to 28-4 ... Address control memory, 29-1 to 29-5 ... Read control information, 33 ...
Switching information, 36 ... Signal selection circuit.

フロントページの続き (72)発明者 伊藤 陽一 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 阿部 洗悦 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 寺田 紀之 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−19497(JP,A) 特開 昭59−154895(JP,A)Front Page Continuation (72) Inventor Yoichi Ito 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (72) Inventor Abe Senetsu 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. Incorporated (72) Inventor Noriyuki Terada 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Nihon Telegraph and Telephone Corporation (56) Reference JP 59-19497 (JP, A) JP 59-154895 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】それぞれ多重化されたm本の入力と、それ
ぞれ多重化されたn本の出力とを有し、入力されたディ
ジタル多重信号のタイムスロットを入替えることにより
回線設定を行なう同期多重変換装置の回線設定回路にお
いて、 回線設定総容量の1/nの容量を有し、前記m本の入力
がそれぞれ接続されるn個の回線設定用のデータメモリ
回路と、 該回線設定用のデータメモリ回路と同一容量を有し、前
記m本の入力が接続される予備用のデータメモリ回路
と、 前記n個の回線設定用のデータメモリ回路および予備用
のデータメモリ回路を選択的に前記n本の出力にそれぞ
れ接続する信号選択回路と、 前記n個の回線設定用のデータメモリ回路からの読出し
をそれぞれ制御するn個の読出し制御情報および信号選
択回路を切替制御する切替情報を送出するアドレス制御
回路とを備え、 通常は前記n個の読出し制御情報を前記n個の回線設定
用のデータメモリ回路にそれぞれ与えるとともに該n個
の回線設定用のデータメモリ回路を前記n本の出力にそ
れぞれ接続する切替情報を前記信号選択回路に与え、前
記n個の回線設定用のデータメモリ回路のいずれかに障
害が発生した場合は該障害が発生した回線設定用のデー
タメモリ回路の読出し制御情報を前記予備用のデータメ
モリ回路に与えるとともに該障害が発生した回線設定用
のデータメモリ回路を予備用のデータメモリ回路に切替
える切替情報を前記信号選択回路に与えるようになした ことを特徴とする回線設定回路。
1. Synchronous multiplexing having m multiplexed inputs and n multiplexed outputs, respectively, and performing channel setting by exchanging time slots of input digital multiplexed signals. In the line setting circuit of the converter, n line setting data memory circuits each having a capacity of 1 / n of the line setting total capacity and each of which is connected to the m inputs, and the line setting data. A spare data memory circuit having the same capacity as that of the memory circuit, to which the m inputs are connected, and the n line setting data memory circuits and the spare data memory circuits are selectively selected by the n circuits. A signal selection circuit connected to each output of the book, and a switching control for switching the n pieces of read control information and the signal selection circuit for controlling the reading from the n number of data memory circuits for line setting. Address control circuit for transmitting replacement information. Normally, the n pieces of read control information are supplied to the n pieces of line setting data memory circuits, respectively, and the n pieces of line setting data memory circuits are provided. Switching information to be connected to each of the n outputs is given to the signal selection circuit, and when a failure occurs in any of the n data memory circuits for line setting, the data memory for line setting in which the failure has occurred Circuit read control information is given to the spare data memory circuit, and switching information for switching the faulty line setting data memory circuit to the spare data memory circuit is given to the signal selection circuit. A line setting circuit characterized in that
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