JPH06222296A - 多重ビームレーザー - Google Patents
多重ビームレーザーInfo
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- JPH06222296A JPH06222296A JP5283250A JP28325093A JPH06222296A JP H06222296 A JPH06222296 A JP H06222296A JP 5283250 A JP5283250 A JP 5283250A JP 28325093 A JP28325093 A JP 28325093A JP H06222296 A JPH06222296 A JP H06222296A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
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- G02B26/12—Scanning systems using multifaceted mirrors
- G02B26/123—Multibeam scanners, e.g. using multiple light sources or beam splitters
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
- B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
- B41J2/473—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror using multiple light beams, wavelengths or colours
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
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- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多重ビームレーザー光源において、レーザー
ダイオードの動作に悪い影響を与える熱垂下および熱漏
話の効果を最小にすることである。 【構成】 多重ビームレーザーは、チップ支持体に永久
的に固着された少なくとも２個のレーザーダイオードか
ら成っている。チップ支持体はレーザーダイオードをし
っかり支持し、かつヒートシンクによって放散される熱
を伝導によってレーザーダイオードから除去する。本発
明は、さらに、チップ支持体の材料、チップ支持体の相
対的寸法、およびヒートシンクからのダイオードの離間
距離の間のあらかじめ決められた関係が特徴になってお
り、その結果、熱垂下およびレーザーダイオード間の熱
漏話が著しく減っている。
ダイオードの動作に悪い影響を与える熱垂下および熱漏
話の効果を最小にすることである。 【構成】 多重ビームレーザーは、チップ支持体に永久
的に固着された少なくとも２個のレーザーダイオードか
ら成っている。チップ支持体はレーザーダイオードをし
っかり支持し、かつヒートシンクによって放散される熱
を伝導によってレーザーダイオードから除去する。本発
明は、さらに、チップ支持体の材料、チップ支持体の相
対的寸法、およびヒートシンクからのダイオードの離間
距離の間のあらかじめ決められた関係が特徴になってお
り、その結果、熱垂下およびレーザーダイオード間の熱
漏話が著しく減っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般には印刷機のため
のラスタ出力走査装置、より詳細には所定の設計規準に
従って複数のレーザーダイオードで構成された多重ビー
ムレーザーに関するものである。
のラスタ出力走査装置、より詳細には所定の設計規準に
従って複数のレーザーダイオードで構成された多重ビー
ムレーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、一般に中心軸のまわりを回転
して１つまたはそれ以上の強度変調光ビームを感光記録
媒体をまっすぐに横切って（高速走査方向に）繰り返し
て掃引する多面体ミラーを備えたフライングスポットス
キャナ（通常、ラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）と呼ばれ
る）に関するものである。ビームが感光記録媒体を横に
掃引するとき、記録媒体が直交方向すなわち処理方向
（通常、低速走査方向と呼ばれる）へ送られるので、ビ
ームはラスタ走査パターンに従って記録媒体を走査す
る。各ビームの強さを２進サンプルストリームに従って
順次変調すれば、記録媒体が走査されているとき記録媒
体がサンプルで表現されたイメージにさらされるので、
印刷が行われる。同時に数個のビームを掃引するプリン
タは多重ビームプリンタまたは多重スポットプリンタと
呼ばれる。さらに、二重スポットレーザーすなわち多重
スポットレーザーは、約 600 スポット／インチ（spi)
の解像度で動作し、毎分８０ページ（ppm)以上の速度で
プリントを作成する高速プリンタを可能にする工業技術
であると考えられる。モノリシックレーザーアレーは、
多重スポット能力を与えるが、ビーム間隔が 250μm 以
下の狭い間隔で配置されたレーザーに使用したときは、
一般に、熱垂下（thermal droop) や熱漏話(thermal c
rosstalk) に対しひどく敏感であった。
して１つまたはそれ以上の強度変調光ビームを感光記録
媒体をまっすぐに横切って（高速走査方向に）繰り返し
て掃引する多面体ミラーを備えたフライングスポットス
キャナ（通常、ラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）と呼ばれ
る）に関するものである。ビームが感光記録媒体を横に
掃引するとき、記録媒体が直交方向すなわち処理方向
（通常、低速走査方向と呼ばれる）へ送られるので、ビ
ームはラスタ走査パターンに従って記録媒体を走査す
る。各ビームの強さを２進サンプルストリームに従って
順次変調すれば、記録媒体が走査されているとき記録媒
体がサンプルで表現されたイメージにさらされるので、
印刷が行われる。同時に数個のビームを掃引するプリン
タは多重ビームプリンタまたは多重スポットプリンタと
呼ばれる。さらに、二重スポットレーザーすなわち多重
スポットレーザーは、約 600 スポット／インチ（spi)
の解像度で動作し、毎分８０ページ（ppm)以上の速度で
プリントを作成する高速プリンタを可能にする工業技術
であると考えられる。モノリシックレーザーアレーは、
多重スポット能力を与えるが、ビーム間隔が 250μm 以
下の狭い間隔で配置されたレーザーに使用したときは、
一般に、熱垂下（thermal droop) や熱漏話(thermal c
rosstalk) に対しひどく敏感であった。
【０００３】ＲＯＳ印刷装置および多重ビームレーザー
ダイオードに関する以下の特許文献は、本発明に関連が
あるものである。
ダイオードに関する以下の特許文献は、本発明に関連が
あるものである。
【０００４】米国特許第5,060,237 号は、基板表面に固
定された複数のレーザーダイオードから成るレーザーダ
イオードアレーを開示している。各レーザーダイオード
は、その内部に電位に応じて発を発生することができる
半導体接合部を有する。本体の端面は４５°の角度をな
し、ダイオードが発生した光を基板表面に直角な方向へ
反射する。
定された複数のレーザーダイオードから成るレーザーダ
イオードアレーを開示している。各レーザーダイオード
は、その内部に電位に応じて発を発生することができる
半導体接合部を有する。本体の端面は４５°の角度をな
し、ダイオードが発生した光を基板表面に直角な方向へ
反射する。
【０００５】米国特許第4,892,371 号は、半導体レーザ
ーアレー光源とスキャナを開示している。スキャナ内の
レーザー光源は１またはそれ以上の対の光ビームを放射
する。感光面での入射角とビームの分離を制御すること
によってビームを一列に並べるため、一定の光ビームを
光学的手段の１つまたはそれ以上の入射面へ反射させる
別の光学的手段を使用している。
ーアレー光源とスキャナを開示している。スキャナ内の
レーザー光源は１またはそれ以上の対の光ビームを放射
する。感光面での入射角とビームの分離を制御すること
によってビームを一列に並べるため、一定の光ビームを
光学的手段の１つまたはそれ以上の入射面へ反射させる
別の光学的手段を使用している。
【０００６】米国特許第4,884,857 号は、図４および図
５に示されているように、複数の半導体レーザーを有す
るレーザー装置、アパーチャー板、および光学系を用い
た多重スポットプリンタを開示している。最初に処理平
面でアバーチャー板を使用して、第２に走査平面で単一
アパーチャー板を使用して、２つの平面で光導電性表面
上のスポット位置を制御している。
５に示されているように、複数の半導体レーザーを有す
るレーザー装置、アパーチャー板、および光学系を用い
た多重スポットプリンタを開示している。最初に処理平
面でアバーチャー板を使用して、第２に走査平面で単一
アパーチャー板を使用して、２つの平面で光導電性表面
上のスポット位置を制御している。
【０００７】米国特許第4,796,964 号は、レーザー出力
スキャナにおいて多重エミッタ固体半導体レーザーを使
用する方法を開示している。ビーム間の光学的干渉を避
けるため、任意の決められた時間に１個のレーザービー
ムのみが確実に「オン」であるように、重複するビーム
を順番にオン／オフしている。従って、さらにビームの
光学的性質（たとえば、偏光および波長）を修正しなく
ても、重複するビームの光学的干渉によって生じる不均
一が防止される。
スキャナにおいて多重エミッタ固体半導体レーザーを使
用する方法を開示している。ビーム間の光学的干渉を避
けるため、任意の決められた時間に１個のレーザービー
ムのみが確実に「オン」であるように、重複するビーム
を順番にオン／オフしている。従って、さらにビームの
光学的性質（たとえば、偏光および波長）を修正しなく
ても、重複するビームの光学的干渉によって生じる不均
一が防止される。
【０００８】米国特許第4,474,422 号は、一列に配列さ
れた複数の光源から成る光源を備えた光学式走査装置を
開示している。この発明の目的は、レーザーアレーの個
々のレーザーを狭い間隔で配置してコンパクトな構造に
することによりピッチの変動を小さくすることである。
れた複数の光源から成る光源を備えた光学式走査装置を
開示している。この発明の目的は、レーザーアレーの個
々のレーザーを狭い間隔で配置してコンパクトな構造に
することによりピッチの変動を小さくすることである。
【０００９】米国特許第4,445,126 号は、多重ビーム光
源を使用して記録媒体を走査する像形成装置を開示して
いる。装置は、さらに、記録媒体の表面における複数の
光ビーム間の距離を小さくする光学装置を備えている。
源を使用して記録媒体を走査する像形成装置を開示して
いる。装置は、さらに、記録媒体の表面における複数の
光ビーム間の距離を小さくする光学装置を備えている。
【００１０】米国特許第4,420,761 号は、ドット密度す
なわち走査密度を高めるため、複数のドットを走査方向
に傾斜させて配列する記録装置を開示している。半導体
レーザーアレーの傾斜によって生じた位相差は、遅延回
路網を使用し、傾斜によって生じたオフセットに従って
複数のレーザービームの駆動信号を遅延させることによ
って補償している。
なわち走査密度を高めるため、複数のドットを走査方向
に傾斜させて配列する記録装置を開示している。半導体
レーザーアレーの傾斜によって生じた位相差は、遅延回
路網を使用し、傾斜によって生じたオフセットに従って
複数のレーザービームの駆動信号を遅延させることによ
って補償している。
【００１１】米国特許第4,404,571 号は、複数の光ビー
ムで記録媒体を走査するためのスキャナとビーム検出器
を備えた多重ビーム記録装置を開示している。スキャナ
は、多数の半導体レーザーが一列に配列されたレーザー
アレイ光源を使用している。ビーム検出器は、ビーム間
隔より小さい検出アパーチャを有するスクリーン板を使
用して複数のビームを個別に検出する。
ムで記録媒体を走査するためのスキャナとビーム検出器
を備えた多重ビーム記録装置を開示している。スキャナ
は、多数の半導体レーザーが一列に配列されたレーザー
アレイ光源を使用している。ビーム検出器は、ビーム間
隔より小さい検出アパーチャを有するスクリーン板を使
用して複数のビームを個別に検出する。
【００１２】米国特許第4,393,387 号は、複数の光ビー
ム放射点を有する半導体アレーレーザー光源、集光光学
系、イメージ回転装置、および光ビームを感光ドラムの
表面へ転向させる可回転多面体ミラーを備えたビーム記
録装置を開示している。
ム放射点を有する半導体アレーレーザー光源、集光光学
系、イメージ回転装置、および光ビームを感光ドラムの
表面へ転向させる可回転多面体ミラーを備えたビーム記
録装置を開示している。
【００１３】米国特許第4,293,826 号は、同一半導体チ
ップに組み込まれた光学フィードバック制御装置を有す
る半導体注入レーザーを開示している。この米国特許
は、さらに、単一半導体基板上にレーザー／検出器対の
アレーを具体化するハイブリッド半導体レーザー／検出
器の配列法を開示している。
ップに組み込まれた光学フィードバック制御装置を有す
る半導体注入レーザーを開示している。この米国特許
は、さらに、単一半導体基板上にレーザー／検出器対の
アレーを具体化するハイブリッド半導体レーザー／検出
器の配列法を開示している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多重
ビームレーザー光源において、レーザーダイオードの動
作に悪い影響を与える熱垂下および熱漏話の効果を最小
にすることである。
ビームレーザー光源において、レーザーダイオードの動
作に悪い影響を与える熱垂下および熱漏話の効果を最小
にすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、一対のレーザーダイオード、前記レー
ザーダイオードを両側に支持し、レーザーダイオードの
動作中に発生した熱エネルギーを伝導によってレーザー
ダイオードから除去する支持手段、および前記支持手段
に結合され熱エネルギーを放散させる手段を備えた多重
ビームレーザーを提供する。
解決するために、一対のレーザーダイオード、前記レー
ザーダイオードを両側に支持し、レーザーダイオードの
動作中に発生した熱エネルギーを伝導によってレーザー
ダイオードから除去する支持手段、および前記支持手段
に結合され熱エネルギーを放散させる手段を備えた多重
ビームレーザーを提供する。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を説明する。諸
図面を通じて、同じ構成要素は、同じ参照番号を使用し
て表示してある。図１は、少なくとも２つの独立した出
力走査ビームを発生し、Ｘ方向に掃引して、処理方向す
なわちＹ方向に駆動されているベルト１４の感光面を露
光するＲＯＳ印刷装置１２の一部分を示す。
図面を通じて、同じ構成要素は、同じ参照番号を使用し
て表示してある。図１は、少なくとも２つの独立した出
力走査ビームを発生し、Ｘ方向に掃引して、処理方向す
なわちＹ方向に駆動されているベルト１４の感光面を露
光するＲＯＳ印刷装置１２の一部分を示す。
【００１７】ＲＯＳ印刷装置１２は、図示のように、比
較的狭い間隔で配置された複数のレーザーダイオード５
６で構成できる発光素子３４を使用している。一般に、
レーザーダイオード５６は少なくとも 25 μm の距離だ
け互いに離れている。ある例においては、発光素子は異
なる波長たとえば 650 nm と 685 nm の波長をもつ２つ
のレーザービーム４８，５０を放射する。発光素子３４
は、実際上、各ビームの実質上共通する空間原点にな
る。さらに、各ビームは、それぞれのディジタルイメー
ジに従って独立に変調され、感光ベルトを露光する。
較的狭い間隔で配置された複数のレーザーダイオード５
６で構成できる発光素子３４を使用している。一般に、
レーザーダイオード５６は少なくとも 25 μm の距離だ
け互いに離れている。ある例においては、発光素子は異
なる波長たとえば 650 nm と 685 nm の波長をもつ２つ
のレーザービーム４８，５０を放射する。発光素子３４
は、実際上、各ビームの実質上共通する空間原点にな
る。さらに、各ビームは、それぞれのディジタルイメー
ジに従って独立に変調され、感光ベルトを露光する。
【００１８】図１に示すように、レーザービームは発光
素子３４からセグメント化ウェーブ板３６へ、そして光
学系３８へ入る。光学系３８はビームが偏向器４２を照
明するようにビームを光路上に導くためのコリメータレ
ンズを備えていることが好ましい。偏向器４２は、ある
実施例においては、複数の鏡面４４をもつ回転多面体ミ
ラーである。多面体ミラー４２が回転すると、複数の鏡
面４４が反射ビームを繰り返して偏向させて修正光学系
４６へ送る。修正光学系４６は、ビームを感光ベルト１
４の表面へ送る前に、ビームを焦点に集めて多面体ミラ
ーの角度誤差やぐらつきなどの誤差を修正する。
素子３４からセグメント化ウェーブ板３６へ、そして光
学系３８へ入る。光学系３８はビームが偏向器４２を照
明するようにビームを光路上に導くためのコリメータレ
ンズを備えていることが好ましい。偏向器４２は、ある
実施例においては、複数の鏡面４４をもつ回転多面体ミ
ラーである。多面体ミラー４２が回転すると、複数の鏡
面４４が反射ビームを繰り返して偏向させて修正光学系
４６へ送る。修正光学系４６は、ビームを感光ベルト１
４の表面へ送る前に、ビームを焦点に集めて多面体ミラ
ーの角度誤差やぐらつきなどの誤差を修正する。
【００１９】次に図２および図３を参照して、二重スポ
ット発光素子３４の２つの異なる実施例について説明す
る。二重スポット発光素子３４は、チップ支持体５２と
呼ばれる支持部材、ヒートシンク５４、および少なくと
も２個の半導体レーザーダイオード５６で構成されてい
る。図示したレーザーダイオードは、単一スポットレー
ザーダイオードたとえば東芝 9215 レーザーダイオード
であるが、二重スポットまたは多重スポットモノリシッ
ク半導体ダイオードを同様に使用することができる。チ
ップ支持体５２は、レーザーダイオード５６の間にサン
ドイッチされた剛体シートである。チップ支持体５２の
主な機能は、レーザーダイオードを支持することと、レ
ーザーダイオードの動作に悪影響を及ぼす熱垂下（ther
mal droop)効果および熱漏話 (thermal crosstalk)効果
を最小もしくは除くために、レーザーダイオードから可
能な限り大量の熱を伝導によって取り出すことである。
従って、チップ支持体５２は、厚さｒの熱伝導材料、た
とえばダイヤモンド、銅、酸化ベリリウム（BeO)、また
はシリコンから作ることが好ましい。以下説明するモデ
ルは、上記４つの選択可能なチップ支持体材料の特性を
記述しているが、他の材料たとえばＣＶＤ合成ダイヤモ
ンドや窒化アルミニウムも、類似の性質を示す他の同等
な材料と同様に、チップ支持体として使用することがで
きる。これらの材料は、 25 μm 程度の薄い材料として
容易に入手可能であることと、ヒートシンク内に設置ま
たは取り付けるため容易に成形できることが必要であ
る。さらに、適切な材料を選択する際には、コスト、処
理適合性、およびレーザーダイオードやヒートシンクに
対する材料の熱膨張率などの考察事項が評価されるであ
ろう。
ット発光素子３４の２つの異なる実施例について説明す
る。二重スポット発光素子３４は、チップ支持体５２と
呼ばれる支持部材、ヒートシンク５４、および少なくと
も２個の半導体レーザーダイオード５６で構成されてい
る。図示したレーザーダイオードは、単一スポットレー
ザーダイオードたとえば東芝 9215 レーザーダイオード
であるが、二重スポットまたは多重スポットモノリシッ
ク半導体ダイオードを同様に使用することができる。チ
ップ支持体５２は、レーザーダイオード５６の間にサン
ドイッチされた剛体シートである。チップ支持体５２の
主な機能は、レーザーダイオードを支持することと、レ
ーザーダイオードの動作に悪影響を及ぼす熱垂下（ther
mal droop)効果および熱漏話 (thermal crosstalk)効果
を最小もしくは除くために、レーザーダイオードから可
能な限り大量の熱を伝導によって取り出すことである。
従って、チップ支持体５２は、厚さｒの熱伝導材料、た
とえばダイヤモンド、銅、酸化ベリリウム（BeO)、また
はシリコンから作ることが好ましい。以下説明するモデ
ルは、上記４つの選択可能なチップ支持体材料の特性を
記述しているが、他の材料たとえばＣＶＤ合成ダイヤモ
ンドや窒化アルミニウムも、類似の性質を示す他の同等
な材料と同様に、チップ支持体として使用することがで
きる。これらの材料は、 25 μm 程度の薄い材料として
容易に入手可能であることと、ヒートシンク内に設置ま
たは取り付けるため容易に成形できることが必要であ
る。さらに、適切な材料を選択する際には、コスト、処
理適合性、およびレーザーダイオードやヒートシンクに
対する材料の熱膨張率などの考察事項が評価されるであ
ろう。
【００２０】チップ支持体は、さらにレーザーダイオー
ド５６の接合面に対する電気接点になることができる。
従って、チップ支持体として誘電体を使用する場合に
は、チップ支持体の外面または接触面に導電層をメッキ
するか、クラッドして、導電性外面をもつ積層チップ支
持体を作る必要がある。２個の独立した単一スポットレ
ーザーダイオードまたはモノリシック多重スポットレー
ザーダイオード５６は、それらのエミッタすなわち出力
面がヒートシンクから距離ｈだけ離れた状態で設置され
る。各レーザーダイオードの接合面は、チップ支持体５
２の向かい合った面に接触しているが、レーザーダイオ
ードの基板面がチップ支持体に接触している逆の配列を
用いることもできる。レーザーダイオードは、ハンダ付
けでチップ支持体へ永久的に固定され、そして２つのレ
ーザーダイオードのエミッタをむすぶ直線Ｂ−Ｂ′がチ
ップ支持体の縦軸に対しほぼ垂直であるように置かれ
る。図２に示した第１の実施例においては、レーザーダ
イオードに近接して両側および後側にヒートシンク５４
が延びている。図３に示した第２の実施例においては、
ヒートシンクの役目を果たす２個の大きな銅ブロックの
間に大きな面積のチップ支持体がハンダ付けされてい
る。このチップ支持体とヒートシンク間の大きな接触面
積が接合部の熱抵抗を最小にするので、チップ支持体か
らヒートシンクへのの熱の伝達が改善される。チップ支
持体は、図３に示すように、２個のヒートシンクブロッ
ク５４の間に積層するか、あるいはダイヤモンドチップ
支持体の場合にたぶん行われるように、シートシンク内
の既存空洞に埋め込むか、またはハンダ付けすることが
できる（図２）。レーザーダイオードをチップ支持体の
両側に永久的に固定した後、ワイヤボンド６０を使用し
て、各レーザーダイオード５６と、ダイオードへ駆動電
力を供給する外部接点６２とを個別に電気的に接続する
ことができる。
ド５６の接合面に対する電気接点になることができる。
従って、チップ支持体として誘電体を使用する場合に
は、チップ支持体の外面または接触面に導電層をメッキ
するか、クラッドして、導電性外面をもつ積層チップ支
持体を作る必要がある。２個の独立した単一スポットレ
ーザーダイオードまたはモノリシック多重スポットレー
ザーダイオード５６は、それらのエミッタすなわち出力
面がヒートシンクから距離ｈだけ離れた状態で設置され
る。各レーザーダイオードの接合面は、チップ支持体５
２の向かい合った面に接触しているが、レーザーダイオ
ードの基板面がチップ支持体に接触している逆の配列を
用いることもできる。レーザーダイオードは、ハンダ付
けでチップ支持体へ永久的に固定され、そして２つのレ
ーザーダイオードのエミッタをむすぶ直線Ｂ−Ｂ′がチ
ップ支持体の縦軸に対しほぼ垂直であるように置かれ
る。図２に示した第１の実施例においては、レーザーダ
イオードに近接して両側および後側にヒートシンク５４
が延びている。図３に示した第２の実施例においては、
ヒートシンクの役目を果たす２個の大きな銅ブロックの
間に大きな面積のチップ支持体がハンダ付けされてい
る。このチップ支持体とヒートシンク間の大きな接触面
積が接合部の熱抵抗を最小にするので、チップ支持体か
らヒートシンクへのの熱の伝達が改善される。チップ支
持体は、図３に示すように、２個のヒートシンクブロッ
ク５４の間に積層するか、あるいはダイヤモンドチップ
支持体の場合にたぶん行われるように、シートシンク内
の既存空洞に埋め込むか、またはハンダ付けすることが
できる（図２）。レーザーダイオードをチップ支持体の
両側に永久的に固定した後、ワイヤボンド６０を使用し
て、各レーザーダイオード５６と、ダイオードへ駆動電
力を供給する外部接点６２とを個別に電気的に接続する
ことができる。
【００２１】開示した実施例においてチップ支持体の厚
さｒを変えることができるが、実際の考慮事項たとえば
支持体の剛性（厚さｒと距離ｈの関数である）によっ
て、厚さｒは約 25 μm に制限される。また、後で説明
するように、チップ支持体の熱伝導率を高めるために、
チップ支持体の厚さｒを増すことが望ましい。チップ支
持体の厚さを増せば、必然的にビーム分離距離が増すけ
れども、後で走査方向のビーム分離を狭めて分離したビ
ームの記録密度を高める方法が多く知られている。たと
えば、米国特許第4,445,126 号および同第4,474,422 号
に、複数の光ビーム間の分離を狭める２つの選択可能な
方法が開示されている。同様に、米国特許第4,969,137
号 (1990年11月６日発行) に、多重スポット露光装置の
スポットの相対的位置を調整する機械的装置が開示され
ている。
さｒを変えることができるが、実際の考慮事項たとえば
支持体の剛性（厚さｒと距離ｈの関数である）によっ
て、厚さｒは約 25 μm に制限される。また、後で説明
するように、チップ支持体の熱伝導率を高めるために、
チップ支持体の厚さｒを増すことが望ましい。チップ支
持体の厚さを増せば、必然的にビーム分離距離が増すけ
れども、後で走査方向のビーム分離を狭めて分離したビ
ームの記録密度を高める方法が多く知られている。たと
えば、米国特許第4,445,126 号および同第4,474,422 号
に、複数の光ビーム間の分離を狭める２つの選択可能な
方法が開示されている。同様に、米国特許第4,969,137
号 (1990年11月６日発行) に、多重スポット露光装置の
スポットの相対的位置を調整する機械的装置が開示され
ている。
【００２２】次に、記載した実施例のモデルについて説
明する。一般に、レーザーの消費電力Ｐelは、表１に記
載したパラメータを含む次式に従って、電流ｉ、ダイオ
ード順方向電圧Ｖf 、および直列抵抗Ωseriesによって
決まる。 Ｐel＝ｉＶf ＋ｉ2 Ωseries＝ｉＰop （１）
明する。一般に、レーザーの消費電力Ｐelは、表１に記
載したパラメータを含む次式に従って、電流ｉ、ダイオ
ード順方向電圧Ｖf 、および直列抵抗Ωseriesによって
決まる。 Ｐel＝ｉＶf ＋ｉ2 Ωseries＝ｉＰop （１）
【００２３】簡単化するために、すべての電力は熱エネ
ルギーへ変換されるが、通常の環境の下で、一定のしき
い値レベル以上では、動作電力の一部が光エネルギーへ
変換されると仮定する。従って、レーザーしきい値を達
成するため連続電力バイアスを加え、そしてパワーを光
動作パワーまで高めるためパルス電力を加えると、以下
に示す簡単なモデルは熱垂下および熱漏話に関係のある
熱負荷を３０％も過大評価する傾向がある。簡単ではあ
るが、以下のモデルで、マルチダイオードレーザーのチ
ップ支持体の実施例について簡単な設計基準を作るため
に必要な基本的ガイドラインを決定することができる。
ルギーへ変換されるが、通常の環境の下で、一定のしき
い値レベル以上では、動作電力の一部が光エネルギーへ
変換されると仮定する。従って、レーザーしきい値を達
成するため連続電力バイアスを加え、そしてパワーを光
動作パワーまで高めるためパルス電力を加えると、以下
に示す簡単なモデルは熱垂下および熱漏話に関係のある
熱負荷を３０％も過大評価する傾向がある。簡単ではあ
るが、以下のモデルで、マルチダイオードレーザーのチ
ップ支持体の実施例について簡単な設計基準を作るため
に必要な基本的ガイドラインを決定することができる。
【００２４】分析モデル化は、上に述べた二重スポット
レーザーの実施例を設計する際の重要パラメータの決定
を可能にする。次のモデルは、熱源として２個の半導体
レーザーダイオードを含む図３に示した実施例について
集中要素熱伝導分析を使用しており、チップ支持体が半
無限ヒートシンクに取り付けられていると仮定してい
る。計算した温度上昇を使用してレーザーしきい値の変
化と微分量子効率を計算した。これらの値は、次にレー
ザーパワー漏話を計算したり、いろいろなチップ支持体
材料について設計のやり方を決定するために使用され
る。このモデルで、漏話が１％以下に保たれるように間
隔比ｒ／ｈに関する簡単な設計規準を定めることができ
る。表２に、熱モデルに使用したさまざまなパラメータ
をまとめて示す。
レーザーの実施例を設計する際の重要パラメータの決定
を可能にする。次のモデルは、熱源として２個の半導体
レーザーダイオードを含む図３に示した実施例について
集中要素熱伝導分析を使用しており、チップ支持体が半
無限ヒートシンクに取り付けられていると仮定してい
る。計算した温度上昇を使用してレーザーしきい値の変
化と微分量子効率を計算した。これらの値は、次にレー
ザーパワー漏話を計算したり、いろいろなチップ支持体
材料について設計のやり方を決定するために使用され
る。このモデルで、漏話が１％以下に保たれるように間
隔比ｒ／ｈに関する簡単な設計規準を定めることができ
る。表２に、熱モデルに使用したさまざまなパラメータ
をまとめて示す。
【００２５】レーザーダイオードにおけるチップ支持体
の温度上昇の時間依存関係は、以下述べるように式
（２）によって決まる。すなわち、チップ支持体の温度
はヒートシンクの温度Ｔsinkから定常温度Ｔまで指数関
数的に上昇する。チップ支持体とヒートシンクの接触区
域の熱抵抗Ｒthは、チップ支持体からヒートシンクへ放
散される熱の量を決定する。 Ｔ−Ｔsink＝ＲthＰel（１−ｅ-t/RthC ） （２） Ｒth＝ｈ／ｋＡ （３）
の温度上昇の時間依存関係は、以下述べるように式
（２）によって決まる。すなわち、チップ支持体の温度
はヒートシンクの温度Ｔsinkから定常温度Ｔまで指数関
数的に上昇する。チップ支持体とヒートシンクの接触区
域の熱抵抗Ｒthは、チップ支持体からヒートシンクへ放
散される熱の量を決定する。 Ｔ−Ｔsink＝ＲthＰel（１−ｅ-t/RthC ） （２） Ｒth＝ｈ／ｋＡ （３）
【００２６】温度上昇速度は、熱がチップ支持体からヒ
ートシンクへ放散される速度と、チップ支持体の全熱容
量とによって決まる。ここで、 Ａ＝ｒｌ （４） Ｃ＝ρｃp Ｖ （５） である。熱を伝達するチップ支持体の体積Ｖは次式で表
される。 Ｖ＝ｒｌ／（２ｈ） （６）
ートシンクへ放散される速度と、チップ支持体の全熱容
量とによって決まる。ここで、 Ａ＝ｒｌ （４） Ｃ＝ρｃp Ｖ （５） である。熱を伝達するチップ支持体の体積Ｖは次式で表
される。 Ｖ＝ｒｌ／（２ｈ） （６）
【００２７】温度上昇の平均二乗変位（Ｓ2 ）は次の熱
放散方程式に従う。 Ｓ2 ＝ＤＴ／２ （７） ここで、熱放散係数Ｄは、チップ支持体の２つの基本的
材料パラメータ、すなわち熱伝導率と熱容量の比の関数
として次式で表される。 Ｄ＝２ｋ／ρｃp （８） これらの式から、熱時定数ＲthＣについて次の関係を得
ることができる。 ＲthＣ＝ｈ2 ／Ｄ （９）
放散方程式に従う。 Ｓ2 ＝ＤＴ／２ （７） ここで、熱放散係数Ｄは、チップ支持体の２つの基本的
材料パラメータ、すなわち熱伝導率と熱容量の比の関数
として次式で表される。 Ｄ＝２ｋ／ρｃp （８） これらの式から、熱時定数ＲthＣについて次の関係を得
ることができる。 ＲthＣ＝ｈ2 ／Ｄ （９）
【００２８】表３に、可能性のあるチップ支持体として
検討した４つの材料の熱伝導に関する基本的材料パラメ
ータと、幾つかの誘導値を示す。
検討した４つの材料の熱伝導に関する基本的材料パラメ
ータと、幾つかの誘導値を示す。
【００２９】一般にレーザーダイオードの温度が上昇す
ると光の強さが減少するとして知られた、レーザーダイ
オードに関する漏話の効果を正しく表現するために、レ
ーザーダイオードの性能を温度の関数としてモデル化す
る必要がある。InGaAIP レーザーダイオードのパワー出
力の温度依存関係は、東芝（株）によって研究され、M.
Ishikawa et al., Temperature Dependence of the Thr
eshold Current forInGaAIP Visible Laser Diodes, IE
EE Journal of Quantum Electronics, Vol.27, No.1 ,
pp.23-29 (1991) に発表されている。そのデータとレー
ザーパワー変化モデルは、表４に記載したパラメータを
使用してレーザーダイオードの光出力の温度依存変化を
導くために使用している。
ると光の強さが減少するとして知られた、レーザーダイ
オードに関する漏話の効果を正しく表現するために、レ
ーザーダイオードの性能を温度の関数としてモデル化す
る必要がある。InGaAIP レーザーダイオードのパワー出
力の温度依存関係は、東芝（株）によって研究され、M.
Ishikawa et al., Temperature Dependence of the Thr
eshold Current forInGaAIP Visible Laser Diodes, IE
EE Journal of Quantum Electronics, Vol.27, No.1 ,
pp.23-29 (1991) に発表されている。そのデータとレー
ザーパワー変化モデルは、表４に記載したパラメータを
使用してレーザーダイオードの光出力の温度依存変化を
導くために使用している。
【００３０】温度に対し敏感なしきい値電流の変化は式
（１０）に従う。Ｔ1 ＝０℃より上の外部微分量子効率
の変化は近似的に式（１１）に従う。 Ｊthresh(T) ＝Ｊthresh(T1)・ｅ(T-T1)/Tog・ｅ(T-T1)/Toq （１０） ηex(T) ＝ηex(T1)・ｅ(T-T1)/Toq （１１） これから、光パワーＰopの温度依存関係について次式が
得られる。 Ｐop(T) ＝[ Ｊ−Ｊthresh(T）] ηex(T) （１２） パーセントパワー変化ΔＰopは次式のように表すことが
できる。 ΔＰop（％）＝１００×（Ｐ(T) −Ｐ(T1 ))/ Ｐ(T1 ) （１３）
（１０）に従う。Ｔ1 ＝０℃より上の外部微分量子効率
の変化は近似的に式（１１）に従う。 Ｊthresh(T) ＝Ｊthresh(T1)・ｅ(T-T1)/Tog・ｅ(T-T1)/Toq （１０） ηex(T) ＝ηex(T1)・ｅ(T-T1)/Toq （１１） これから、光パワーＰopの温度依存関係について次式が
得られる。 Ｐop(T) ＝[ Ｊ−Ｊthresh(T）] ηex(T) （１２） パーセントパワー変化ΔＰopは次式のように表すことが
できる。 ΔＰop（％）＝１００×（Ｐ(T) −Ｐ(T1 ))/ Ｐ(T1 ) （１３）
【００３１】モデルを評価するため、最初に東芝 9215
レーザーダイオードの特性を記述した。表５に、東芝 9
215 レーザーダイオードの電気的パラメータと、２つの
異なるケースの最大ピーク消費電力を示す。第１のケー
スは、零電流と所望の光学動作パワーの間でレーザーを
パルス動作させる完全な電流変調ケースである。ここ
で、Ｐel1 はピーク電力を表す。第２のケースは、電流
をダイオードしきい値レベルｃｗまでオフセットさせる
ことによってレーザーを動作させ、次に所望の光学動作
パワーＰel2 までパルス動作させるケースである。詳し
く述べると、熱垂下および熱漏話を最小にするにはレー
ザーダイオードのバイアス電流動作がより望ましい動作
モードであるという理解に基づいて、ケース２を用いて
簡単な設計規準を定めた。次に、レーザーダイオードを
分析して関連特性を求め、レーザーパワー変化モデル式
（式（１０）〜（１３））に算入した。図４は、Ｔogの
２つの値に対する予想熱漏話効果を示す。図から、動作
温度が上昇すると、パワー出力が減少することがわか
る。熱パラメータＴog＝ 57.9 ℃は、上記 M.Ishikawa
の論文から導いたものであり、可視波長 AlGaInP半導体
レーザーに関する代表的な値である考えられる。またよ
り低い熱感度のレーザーの熱垂下および漏話に対する温
度感度を調べるために、熱パラメータＴog＝ 125℃を使
用した。低レベルの熱感度は、近赤外線 AlGaAs 半導体
レーザーの特徴であり、可視波長 AlGaInP半導体レーザ
ーを改良して熱感度を低くすることもできるであろう。
レーザーダイオードの特性を記述した。表５に、東芝 9
215 レーザーダイオードの電気的パラメータと、２つの
異なるケースの最大ピーク消費電力を示す。第１のケー
スは、零電流と所望の光学動作パワーの間でレーザーを
パルス動作させる完全な電流変調ケースである。ここ
で、Ｐel1 はピーク電力を表す。第２のケースは、電流
をダイオードしきい値レベルｃｗまでオフセットさせる
ことによってレーザーを動作させ、次に所望の光学動作
パワーＰel2 までパルス動作させるケースである。詳し
く述べると、熱垂下および熱漏話を最小にするにはレー
ザーダイオードのバイアス電流動作がより望ましい動作
モードであるという理解に基づいて、ケース２を用いて
簡単な設計規準を定めた。次に、レーザーダイオードを
分析して関連特性を求め、レーザーパワー変化モデル式
（式（１０）〜（１３））に算入した。図４は、Ｔogの
２つの値に対する予想熱漏話効果を示す。図から、動作
温度が上昇すると、パワー出力が減少することがわか
る。熱パラメータＴog＝ 57.9 ℃は、上記 M.Ishikawa
の論文から導いたものであり、可視波長 AlGaInP半導体
レーザーに関する代表的な値である考えられる。またよ
り低い熱感度のレーザーの熱垂下および漏話に対する温
度感度を調べるために、熱パラメータＴog＝ 125℃を使
用した。低レベルの熱感度は、近赤外線 AlGaAs 半導体
レーザーの特徴であり、可視波長 AlGaInP半導体レーザ
ーを改良して熱感度を低くすることもできるであろう。
【００３２】
【００３３】次に、表３に記載した性質を有する４つの
チップ支持体材料、ダイヤモンド（IIA)、銅、酸化ベリ
リウム、およびシリコンを使用する各モデルについて、
２つの選択可能なチップ支持体の形状を分析した。第１
の実例においては、チップ支持体の厚さが 200μm 、ダ
イオードからヒートシンクまでの距離が 50 μm 、ヒー
トシンクに接触しているチップ支持体の長さが 500μm
、レーザーダイオードの消費電力が 0.09 W と仮定し
た。表６に、これらの仮定を使用して求めた関連パラメ
ータの一部の値を示し、図５に予想熱漏話の効果をグラ
フで示す。
チップ支持体材料、ダイヤモンド（IIA)、銅、酸化ベリ
リウム、およびシリコンを使用する各モデルについて、
２つの選択可能なチップ支持体の形状を分析した。第１
の実例においては、チップ支持体の厚さが 200μm 、ダ
イオードからヒートシンクまでの距離が 50 μm 、ヒー
トシンクに接触しているチップ支持体の長さが 500μm
、レーザーダイオードの消費電力が 0.09 W と仮定し
た。表６に、これらの仮定を使用して求めた関連パラメ
ータの一部の値を示し、図５に予想熱漏話の効果をグラ
フで示す。
【００３４】第２の実例は、間隔の仮定を変更して、チ
ップ支持体の厚さが 800μm 、ダイオードからヒートシ
ンクまでの距離が 200μm 、ヒートシンクに接触してい
るチップ支持体の長さが 500μm のままであるとした。
表７に、各種の材料について第２組の仮定を適用して求
めたパラメータの値を示す。図６に、モデル化の結果を
グラフで示す。
ップ支持体の厚さが 800μm 、ダイオードからヒートシ
ンクまでの距離が 200μm 、ヒートシンクに接触してい
るチップ支持体の長さが 500μm のままであるとした。
表７に、各種の材料について第２組の仮定を適用して求
めたパラメータの値を示す。図６に、モデル化の結果を
グラフで示す。
【００３５】
【発明の効果】モデル化の結果、パルス電流が一方のレ
ーザーに10 mW の光出力を与え、そして他方のレーザー
がパルス電流を加える前に５ mW （連続）で動作してい
るとき、熱漏話効果を１％以下に抑えるには、ダイヤモ
ンド，OFHC Cu(Oxygen-free hight conductevity Cuppe
r の略) ，Be，Si のチップ支持体について、その間隔
比ｒ／ｈをそれぞれ４，９，１２，２６に等しいか、そ
れ以上にすべきであることを決定した。たとえば、ダイ
ヤモンドチップ支持体の場合、もしレーザーをチップ支
持体の上にヒートシンクから 50 μm の距離ｈの所に置
くことができれば、この設計規準によりレーザー間隔ｒ
は 200μm になる。もしレーザーダイオードの能動パワ
ー制御を使用して個々のダイオードが発生する熱を減ら
せば、少なくとも熱時定数が能動パワー制御の時定数よ
り長い場合には、この設計規準を緩和することができ
る。
ーザーに10 mW の光出力を与え、そして他方のレーザー
がパルス電流を加える前に５ mW （連続）で動作してい
るとき、熱漏話効果を１％以下に抑えるには、ダイヤモ
ンド，OFHC Cu(Oxygen-free hight conductevity Cuppe
r の略) ，Be，Si のチップ支持体について、その間隔
比ｒ／ｈをそれぞれ４，９，１２，２６に等しいか、そ
れ以上にすべきであることを決定した。たとえば、ダイ
ヤモンドチップ支持体の場合、もしレーザーをチップ支
持体の上にヒートシンクから 50 μm の距離ｈの所に置
くことができれば、この設計規準によりレーザー間隔ｒ
は 200μm になる。もしレーザーダイオードの能動パワ
ー制御を使用して個々のダイオードが発生する熱を減ら
せば、少なくとも熱時定数が能動パワー制御の時定数よ
り長い場合には、この設計規準を緩和することができ
る。
【００３６】要約すると、本発明は、ヒートシンクで放
散させるためレーザーダイオードの接合面から伝導によ
って熱を除去するチップ支持体に永久的に固着された少
なくとも２個の独立したレーザーダイオードから成る多
重スポットレーザー光源である。本発明は、そのほか、
チップ支持体の材料、チップ支持体の相対的寸法、およ
びヒートシンクからのレーザーダイオードの離間距離の
間のあらかじめ定めた関係が特徴になっている。
散させるためレーザーダイオードの接合面から伝導によ
って熱を除去するチップ支持体に永久的に固着された少
なくとも２個の独立したレーザーダイオードから成る多
重スポットレーザー光源である。本発明は、そのほか、
チップ支持体の材料、チップ支持体の相対的寸法、およ
びヒートシンクからのレーザーダイオードの離間距離の
間のあらかじめ定めた関係が特徴になっている。
【００３７】以上の説明から、チップ支持体の両側に取
り付けられたレーザーダイオード間の熱漏話が最小であ
るデュアルダイオードレーザーを製造するため、デュア
ルダイオードレーザーに関する相対的寸法要求を決定す
る方法が本発明に従って提供されたことは明らかであ
る。本発明を好ましい実施例について説明したが、この
分野の専門家が多くの代替物、修正物、均等物を容易に
思いつくことは明らかである。従って、本発明には特許
請求の範囲の精神および広義の範囲に入るすべての代替
物、修正物および均等物が包含されているものとする。
り付けられたレーザーダイオード間の熱漏話が最小であ
るデュアルダイオードレーザーを製造するため、デュア
ルダイオードレーザーに関する相対的寸法要求を決定す
る方法が本発明に従って提供されたことは明らかであ
る。本発明を好ましい実施例について説明したが、この
分野の専門家が多くの代替物、修正物、均等物を容易に
思いつくことは明らかである。従って、本発明には特許
請求の範囲の精神および広義の範囲に入るすべての代替
物、修正物および均等物が包含されているものとする。
【図１】二重ビームＲＯＳに組み入れられた光学要素、
すなわち光源、偏光制御装置、ビーム成形光学系、偏向
器、および修正光学系を示す斜視図である。
すなわち光源、偏光制御装置、ビーム成形光学系、偏向
器、および修正光学系を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す図１のデュアルダイ
オード光源の斜視図である。
オード光源の斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すデュアルダイオード
光源の別の斜視図である。
光源の別の斜視図である。
【図４】レーザーダイオードのパワー出力に対する熱漏
話の効果を温度上昇の関数として示したグラフである。
話の効果を温度上昇の関数として示したグラフである。
【図５】図２の実施例に使用するため検討した各種の材
料の性能を示す経験的データをグラフで表したものであ
る。
料の性能を示す経験的データをグラフで表したものであ
る。
【図６】図３の実施例に使用するため検討した各種の材
料の性能を示す経験的データをグラフで表したものであ
る。
料の性能を示す経験的データをグラフで表したものであ
る。
１２ ＲＯＳ印刷装置 １４ 感光ベルト ３４ 二重スポット発光素子 ３６ セグメント化ウェーブ板 ３８ 光学系 ４２ 偏向器（回転多面体ミラー） ４４ 鏡面 ４６ 修正光学系 ４８，５０ レーザービーム ５２ チップ支持体 ５４ ヒートシンク ５６ 半導体レーザーダイオード ６０ ワイヤボンド ６２ 外部接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ナラヤン ヴィー デスパンデ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14526 ペンフィールド ハイリッジ ドライヴ 101
Claims (1)
- 【請求項１】一対のレーザーダイオード、 前記一対のレーザーダイオードを両側に支持し、レーザ
ーダイオードの動作中に発生した熱エネルギーを伝導に
よってレーザーダイオードから除去する支持手段、およ
び前記支持手段に結合され、熱エネルギーを放散させる
手段、から成ることを特徴とする多重ビームレーザー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/992681 | 1992-12-18 | ||
| US07/992,681 US5432535A (en) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | Method and apparatus for fabrication of multibeam lasers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222296A true JPH06222296A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=25538621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5283250A Withdrawn JPH06222296A (ja) | 1992-12-18 | 1993-11-12 | 多重ビームレーザー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432535A (ja) |
| JP (1) | JPH06222296A (ja) |
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| WO1988005957A1 (en) * | 1987-02-06 | 1988-08-11 | Takasago Electric Industry Co., Ltd. | Electronic component processing apparatus |
| KR20030082281A (ko) * | 2002-04-17 | 2003-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 이중 파장의 광을 방출하는 반도체 레이저 다이오드 및그의 제조방법 |
| EP2182400A1 (en) * | 1995-02-28 | 2010-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning optical apparatus |
| US7817321B2 (en) | 1994-09-06 | 2010-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning optical apparatus |
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| US10297975B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-05-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| CN113422280A (zh) * | 2016-09-12 | 2021-09-21 | 广埸(厦门)科技有限公司 | 具有激光阵列照明的系统和装置 |
Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
| JPH06183055A (ja) * | 1992-12-19 | 1994-07-05 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
| US5628196A (en) * | 1995-11-22 | 1997-05-13 | Loral Electro-Optical Systems, Inc. | Cryogenic cooling apparatus employing heat sink and diffuser plate for cooling small objects |
| US9310167B1 (en) | 1995-11-28 | 2016-04-12 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Compact infrared countermeasure emitter |
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| US7765022B2 (en) * | 1998-06-30 | 2010-07-27 | The P.O.M. Group | Direct metal deposition apparatus utilizing rapid-response diode laser source |
| US6822751B1 (en) | 1999-12-10 | 2004-11-23 | Destiny Technology Corporation | Method and system for monochrome multi-beam printing with edge enhancement |
| US6750986B1 (en) | 2000-03-27 | 2004-06-15 | Destiny Technology Corporation | Color image processing method with thin-line detection and enhancement |
| US6778296B1 (en) | 2000-03-27 | 2004-08-17 | Destiny Technology Corporation | Color imaging processing method with boundary detection and enhancement |
| JP2004096088A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合波レーザー光源および露光装置 |
| US7830945B2 (en) * | 2002-07-10 | 2010-11-09 | Fujifilm Corporation | Laser apparatus in which laser diodes and corresponding collimator lenses are fixed to block, and fiber module in which laser apparatus is coupled to optical fiber |
| US7151557B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-12-19 | Lexmark International, Inc. | Collimation assembly for adjusting laser light sources in a multi-beamed laser scanning unit |
Family Cites Families (15)
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